CN203399278U - 高导磁拼接盆架 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种高导磁拼接盆架，包括磁路系统和固定收容磁路系统的盆架，磁路系统包括中心磁铁；盆架包括低磁导率的导磁板和高磁导率的导磁板，其中，在低磁导率的导磁板上开设有与中心磁铁相对应的通孔；中心磁铁粘接设置在低磁导率的导磁板的通孔上；高磁导率的导磁板粘接设置在低磁导率的导磁板下方与中心磁铁相对应的位置，并且，高磁导率的导磁板的厚度小于低磁导率的导磁板的厚度。利用上述本实用新型的高导磁拼接盆架，可以有效缓解磁路系统形成的磁间隙产生的磁饱和，同时增加磁路系统中中心磁铁的厚度，进一步扩大音圈的驱动力，提升产品灵敏度。

Description

高导磁拼接盆架

技术领域

本实用新型涉及电声转换技术领域，更为具体地，涉及一种应用于双磁路系统的高导磁拼接盆架。

背景技术

随着便携式消费类电子产品市场的发展，如微型动圈式电声转换器等大量的电子装置得到了广泛的应用。为了增大微型动圈式电声转换器的输出功率，其中的磁路系统通常采用双磁路结构，双磁路结构的磁路系统包括中心磁铁、边磁铁和结合于中心磁铁、边磁铁底部的盆架，由于盆架使用价格低廉的软铁作为材料，该材料的导磁特性不理想，所以容易在磁路系统形成的磁间隙产生磁饱和。

对于上述问题，一种解决方法是：采用加厚盆架的方式来缓解磁饱和，但是这种解决方法会不可避免地减小中心磁铁的厚度，降低产品灵敏度。

而另一种解决方法是：采用两种不同的导磁材料组成盆架，磁导率高的材料放在容易产生磁饱和的位置，但磁导率高的材料没有直接与中心磁铁接触，缓解磁饱和的效果不明显，而且中心磁铁的厚度没有得到增加。

因此，需要一种能够有效缓解磁路系统形成的磁间隙产生的磁饱和，并能增加中心磁铁厚度的盆架。

实用新型内容

鉴于上述问题，本实用新型的目的是提供一种将两种不同磁导率的导磁板结合在一起的高导磁拼接盆架。

本实用新型提供的高导磁拼接盆架，包括磁路系统和固定收容磁路系统的盆架，磁路系统包括中心磁铁；盆架包括低磁导率的导磁板和高磁导率的导磁板，其中，在低磁导率的导磁板上开设有与中心磁铁相对应的通孔；中心磁铁粘接设置在低磁导率的导磁板的通孔上；高磁导率的导磁板粘接设置在低磁导率的导磁板下方与中心磁铁相对应的位置，并且，高磁导率的导磁板的厚度小于低磁导率的导磁板的厚度。

此外，优选的结构是，在低磁导率的导磁板的通孔壁上设置有与高磁导率的导磁板相配合的凹槽；高磁导率的导磁板通过凹槽与低磁导率的导磁板搭接。

另外，优选的结构是，高磁导率的导磁板的长度大于中心磁铁的长度；高磁导率的导磁板的宽度大于中心磁铁的宽度

此外，优选的结构是，磁路系统还包括设置在低磁导率的导磁板上位于中心磁铁两侧的边磁铁；并且，边磁铁的上表面和中心磁铁的上表面在同一水平线上。

另外，优选的结构是，磁路系统还包括分别对应设置在中心磁铁和边磁铁上的中心华司和边华司。

此外，优选的结构是，中心磁铁为矩形结构。

另外，优选的结构是，中心磁铁和边磁铁均为矩形结构。

再者，优选的结构是，低磁导率的导磁板为SPCC。

利用上述根据本实用新型的高导磁拼接盆架，可以有效缓解磁路系统形成的磁间隙产生的磁饱和，同时增加磁路系统的中心磁铁的厚度，进一步扩大音圈的驱动力，提升产品灵敏度。

附图说明

通过参考以下结合附图的说明及权利要求书的内容，并且随着对本实用新型的更全面理解，本实用新型的其它目的及结果将更加明白及易于理解。在附图中：

图1是表示根据本实用新型的高导磁拼接盆架实施例一的结构分解示意图；

图2是表示根据本实用新型的高导磁拼接盆架实施例一的结构组合示意图；

图3是表示根据本实用新型的高导磁拼接盆架实施例一的结构剖面示意图；

图4是表示根据本实用新型的高导磁拼接盆架实施例二的结构示意剖面图；

图5是表示根据本实用新型的高导磁拼接盆架实施例三的结构示意剖面图；

图6是表示根据本实用新型的高导磁拼接盆架实施例四的结构示意剖面图。

在所有附图中相同的标号指示相似或相应的特征或功能。

其中的附图标记包括：中心磁铁1、低磁导率的导磁板2、高磁导率的导磁板3、边磁铁4、边华司5、中心华司6。

具体实施方式

以下将结合附图对本实用新型的具体实施例进行详细描述。

为了缓解磁路系统形成的磁间隙产生的磁饱和，本实用新型采用两种不同磁导率的导磁板组成，磁导率高的导磁板设置在产生磁饱和的位置，在此基础上，本实用新型为了达到在保证磁路系统整体高度不变的情况下增加中心磁铁厚度的目的，在磁导率低的导磁板底部开设凹槽，将磁导率高的导磁板通过凹槽与磁导率低的导磁板搭接在一起。这样就能缓解磁路系统形成的磁间隙产生的磁饱和，同时增加磁路系统的中心磁铁的厚度。

下面将以四个具体实施例对本实用新型的具体技术方案进行详细地说明。

实施例一

图1、图2和图3是表示根据本实用新型的高导磁拼接盆架实施例一的结构分解示意图、结构组合示意图和结构剖面示意图。

如图1、图2和图3所示，本实用新型涉及的高导磁拼接盆架，包括磁路系统和固定收容磁路系统的盆架，磁路系统包括矩形结构的中心磁铁1和位于中心磁铁1两侧同样为矩形结构的边磁铁4，中心磁铁1和边磁铁4形成磁间隙。

盆架包括低磁导率的导磁板2和高磁导率的导磁板3，其中，在低磁导率的导磁板2的两端形成收容磁路系统的侧壁，在低磁导率的导磁板2对应中心磁铁1的位置开设有矩形通孔；矩形结构的中心磁铁1设置在低磁导率的导磁板2的矩形通孔上，在低磁导率的导磁板2的矩形通孔壁上对应中心磁铁1底面位置向下的部分设置有去料形成的凹槽，凹槽与高磁导率的导磁板3相配合，即，高磁导率的导磁板3的长度和厚度与凹槽的长度和深度相同；高磁导率的导磁板3通过凹槽粘接设置在低磁导率的导磁板2下方与中心磁铁1相对应的位置，因此，高磁导率的导磁板3的长度大于中心磁铁1的长度，高磁导率的导磁板3的宽度大于中心磁铁1的宽度。

将高磁导率的导磁板3纵向的两边设置在磁间隙之间，即，高磁导率的导磁板3横向两边伸出中心磁铁1的长度小于磁间隙的长度，通过高磁导率的导磁板3伸出中心磁铁1的部分与低磁导率的导磁板2搭接可以很好的缓解磁间隙产生的磁饱和。

磁路系统中的边磁铁4粘接在低磁导率的导磁板2两端的上表面，位于中心磁铁1的两侧；为了使中心磁铁1和边磁铁4处于同一高度，边磁铁4的厚度要小于中心磁铁1的厚度，且边磁铁4的上表面与中心磁铁1的上表面在同一水平线上。

磁路系统还包括粘接在中心磁铁1和边磁铁4上表面起导磁作用的中心华司6和边华司5，由于边磁铁4与边华司5通过胶水粘接在一起，为了阻止胶水漏到磁间隙内，边华司5的宽度略小于中心磁铁的宽度，且边华司5对齐在边磁铁4形成磁间隙的一侧。

本实用新型实施例一的高导磁拼接盆架，因其采用高磁导率的导磁板3直接粘接在中心磁铁1下表面的方式结合在一起，故可以增强中心磁铁1的磁导率。

由于导磁板3的磁导率高于导磁板2的磁导率，所以高磁导率的导磁板3的厚度可以小于低磁导率的导磁板2的厚度，采用这种方式搭接在一起的盆架，可以把高磁导率的导磁板3节省出来的空间用于增加中心磁铁1的厚度，进一步扩大音圈的驱动力，提升产品灵敏度。

由于在本实施例一中边磁铁4、边华司5和中心华司6的结构位置关系在实施例二至实施例四中没有发生变化，故在实施例二至实施例四中不再重复。

实施例二

图4是表示根据本实用新型的高导磁拼接盆架实施例二的结构剖面示意图。

在上述实施例一的基础上，本实用新型可以做出如图4所示的另一种改进，实施例二与实施例一的不同之处在于高磁导率的导磁板3的长度不一样。在图4所示的高导磁拼接盆架中，在低磁导率的导磁板2的中部开有矩形通孔，矩形结构的中心磁铁设置在低磁导率的导磁板2的矩形通孔上，在低磁导率的导磁板2的矩形通孔壁上对应中心磁铁1底面位置向下的部分设置有去料形成的与高磁导率的导磁板3相配合的凹槽，高磁导率的导磁板3粘接设置在中心磁铁1的下表面，并通过凹槽与低磁导率的导磁板2搭接在一起。

本实施例二中将高磁导率的导磁板3纵向的两边设置在超出磁间隙的位置，即，高磁导率的导磁板3横向两边伸出中心磁铁1的长度大于磁间隙的长度，但考虑成本因素，为了节约成本，高磁导率的导磁板3横向两边伸出中心磁铁1的长度要略大于磁间隙的长度。

对比实施例一，在本实施例二中，由于高磁导率的导磁板3伸出中心磁铁1的长度大于磁间隙的长度，所以本实施例二能更有效的缓解磁间隙产生的磁饱和。

实施例三

图5是表示根据本实用新型的高导磁拼接盆架实施例三的结构示意剖面图。

在上述实施例一的基础上，本实用新型还可以做出如图5所示的另一种改进，实施例三相对于实施例一的改进之处为去料形成的凹槽设置在高磁导率的导磁板3上。

在图5所示的高导磁拼接盆架中，在低磁导率的导磁板2的中心位置开有孔壁对应在磁间隙中的矩形通孔，在矩形通孔的孔壁上粘接有与低磁导率的导磁板2厚度相同的高磁导率的导磁板3，在高磁导率的导磁板3上设置有去料形成的与中心磁铁1相配合的凹槽，中心磁铁1设置在高磁导率的导磁板3的凹槽上。

本实施例三的这种拼接盆架结合方式同样可以将高磁导率的导磁板3节省出来的空间用于增加中心磁铁1的厚度，进一步扩大音圈的驱动力，提升产品灵敏度。

对比实施例一，本实施例三中的高磁导率的导磁板3形成有向上凸起的部分，由于向上凸起的部分对应在磁间隙中，所以增大了高磁导率的导磁板3在磁间隙中的面积，因此，能提高磁间隙的磁导率，有效缓解磁间隙产生的磁饱和。

实施例四

图6是表示根据本实用新型的高导磁拼接盆架实施例四的结构示意剖面图。

在上述实施例三的基础上，本实用新型还可以做出如图6所示的另一种改进，实施例四相对于实施例三的不同之处为实施例四中在低磁导率的导磁板2上开设矩形通孔的孔径要长于实施例三中在低磁导率的导磁板2上开设矩形通孔的孔径。

在图6所示的高导磁拼接盆架中，在低磁导率的导磁板2的中心位置开设有矩形通孔，在矩形通孔的孔壁上粘接有与低磁导率的导磁板2厚度相同的高磁导率的导磁板3，在高磁导率的导磁板3上设置有去料形成的与中心磁铁1相配合的凹槽，中心磁铁1设置在高磁导率的导磁板3的凹槽上。

为了进一步增大高磁导率的导磁板3在磁间隙中的面积，高磁导率的导磁板3伸出中心磁铁1的长度要大于磁间隙的长度，同样的为了节约成本，高磁导率的导磁板3伸出中心磁铁1的长度要略大于磁间隙的长度。

本实施例四的这种盆架结构结合方式同样的将高磁导率的导磁板3节省出来的空间用于增加中心磁铁1的厚度，进一步扩大音圈的驱动力，提升产品灵敏度。

相比实施例一，本实施例四中大幅增加高磁导率的导磁板3在磁间隙中的面积，提高磁间隙的磁导率，有效缓解磁间隙产生的磁饱和。

在上述的四个实施例中，可以采用SPCC作为低磁导率的导磁板2，SPCC表示一般用冷轧碳钢薄板及钢带，其价格便宜，采用SPCC作为低磁导率的导磁板2能够节省成本；由于铁、镍、锰等金属的磁导率高，所以采用铁、镍、锰等金属制成高磁导率的导磁板3。

如上参照附图以示例的方式描述了根据本实用新型提出的高导磁拼接盆架。但是，本领域技术人员应当理解，对于上述本实用新型所提出的高导磁拼接盆架，还可以在不脱离本实用新型内容的基础上做出各种改进和变形。因此，本实用新型的保护范围应当由所附的权利要求书的内容确定。

Claims (8)

1.一种高导磁拼接盆架，包括磁路系统和固定收容所述磁路系统的盆架，所述磁路系统包括中心磁铁（1）；所述盆架包括低磁导率的导磁板（2）和高磁导率的导磁板（3），其特征在于， 

在所述低磁导率的导磁板（2）上开设有与所述中心磁铁（1）相对应的通孔； 

所述中心磁铁（1）粘接设置在所述低磁导率的导磁板（2）的通孔上； 

所述高磁导率的导磁板（3）粘接设置在所述低磁导率的导磁板（2）下方与所述中心磁铁（1）相对应的位置，并且，所述高磁导率的导磁板（3）的厚度小于所述低磁导率的导磁板（2）的厚度。 

2.如权利要求1所述的高导磁拼接盆架，其特征在于， 

在所述低磁导率的导磁板（2）的通孔壁上设置有与所述高磁导率的导磁板（3）相配合的凹槽； 

所述高磁导率的导磁板（3）通过所述凹槽与所述低磁导率的导磁板（2）搭接。 

3.如权利要求2所述的高导磁拼接盆架，其特征在于， 

所述高磁导率的导磁板（3）的长度大于所述中心磁铁（1）的长度； 

所述高磁导率的导磁板（3）的宽度大于所述中心磁铁（1）的宽度。 

4.如权利要求2所述的高导磁拼接盆架，其特征在于， 

所述磁路系统还包括设置在所述低磁导率的导磁板（2）上位于所述中心磁铁（1）两侧的边磁铁（4）；并且， 

所述边磁铁（4）的上表面和所述中心磁铁（1）的上表面在同一水平线上。 

5.如权利要求4所述的高导磁拼接盆架，其特征在于， 

所述磁路系统还包括分别对应设置在所述中心磁铁（1）和所述边磁铁（4） 上的中心华司（6）和边华司（5）。 

6.如权利要求1～4中任一项所述的高导磁拼接盆架，其特征在于，所述中心磁铁（1）为矩形结构。 

7.如权利要求4所述的高导磁拼接盆架，其特征在于， 

所述中心磁铁（1）和所述边磁铁（4）均为矩形结构。 

8.如权利要求1～4中任一项所述的高导磁拼接盆架，其特征在于， 

所述低磁导率的导磁板（2）为SPCC。 

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