CN203399225U - 一种用于接收卫星电视信号的一体化下变频器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种用于接收卫星电视信号的一体化下变频器,包括馈源、波导管、耦合器、高频转接头和电路盒,在所述电路盒内安装有电路板,其所述电路板包括控制单元、高频放大电路单元、晶体振荡电路单元、切换信号转换单元、带通滤波器单元和综合混频中频放大电路单元,所述高频放大电路单元和切换信号转换单元分别与控制单元相连,所述高频放大电路单元通过带通滤波器单元与综合混频中频放大电路单元相连,所述晶体振荡电路单元与综合混频中频放大电路单元相连,所述控制单元与综合混频中频放大电路单元相连。本实用新型在使用时无需人工调谐频率,可以稳定输出与参考信号保持一致,大大降低使用者的操作难度,降低一体化下变频器制作成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及高频信号低噪声放大器、降频器,特别涉及一种用于接收KU频段卫星电视信号的一体化下变频器。
背景技术
一体化下变频器的作用是接收卫星电视信号,并进行频率选择、信号放大及变频处理,最终输出适用于卫星接机解调的稳定信号。其中一个重要环节是一体化下变频器本机振荡频率与卫星接收机设置参考本振本频率一致,这个环节的电路通常是由三极管或场效应管、DR介质振子组成,在使用时,需要先通过旋转一体化下变频器屏蔽罩上的调整螺丝,调整振荡电路中的调谐头与DR介振子之间的距离,从而改变振荡电路的输出本振频率,直至输出信号频率与参考信号保持一致,再用螺纹固定将调整螺丝固定,达到对输出信号进行锁定的目的。但是,由于一体化下变频器振荡电路所产生的本振频率很高,通常在9.75GHz以上,因而在调节过程中调谐触头和DR介质振子之间的微小变化都将导致本振频率大幅度变化。因此,通过旋转调谐螺丝来调节本振频率的方式难度大,用户需反复多次调整调节才能完成,从而增加了一体化下变频器制作成本。另外,环境温度变化还会使一体化下变频器各部件产生热胀冷缩,极易改变调谐触头和DR介质振子之间的距离,导致已调节好的本振频率偏移,并可能使输出信号无法与参考输入信号保持一致,最终导致输出信号质量变差或不能正常收视。
实用新型内容
本实用新型的发明目的在于:针对上述存在的问题,提供一种在使用时无需人工调谐频率,可以稳定输出与参考信号保持一致的用于接收卫星电视信号的一体化下变频器。
本实用新型的技术方案是这样实现的:一种用于接收卫星电视信号的一体化下变频器,包括馈源、波导管、耦合器、高频转接头和电路盒,在所述电路盒内安装有电路板,其特征在于:所述电路板包括控制单元、高频放大电路单元、晶体振荡电路单元、切换信号转换单元、带通滤波器单元和综合混频中频放大电路单元,所述高频放大电路单元和切换信号转换单元分别与控制单元相连,所述高频放大电路单元通过带通滤波器单元与综合混频中频放大电路单元相连,所述晶体振荡电路单元与综合混频中频放大电路单元相连,所述控制单元与综合混频中频放大电路单元相连,接收的10.7GHz~12.75GHz卫星信号经所述高频放大电路单元接入所述综合混频中频放大电路单元并输出950MHz~2150MHz中频信号至高频转接头。
本实用新型所述的用于接收卫星电视信号的一体化下变频器,其所述电路板的控制单元带直流5V输出,为所述综合混频中频放大电路单元供电。
本实用新型所述的用于接收卫星电视信号的一体化下变频器,其所述综合混频中频放大电路单元的芯片内部集成有本振电路、混频电路以及中频放大器电路。
本实用新型所述的用于接收卫星电视信号的一体化下变频器,其所述综合混频中频放大电路单元采用型号为TFF1015HN/N1、TFF1014HN或TFF1017HN/N1的芯片。
本实用新型所述的用于接收卫星电视信号的一体化下变频器,其所述高频放大电路单元分别通过电阻R1、R4和R5接至控制单元的芯片上,晶体振荡电路单元接至综合混频中频放大电路单元中芯片的11脚和12脚,切换信号转换单元一端连接控制单元中芯片的13脚,另一端连接到综合混频中频放大电路单元中电容C11与高频转接头相连的共用铜箔处,控制单元中芯片的12脚与综合混频中频放大电路单元中芯片的16脚相连。
本实用新型在使用时无需人工调谐频率,可以稳定输出与参考信号保持一致,大大降低使用者的操作难度,降低一体化下变频器制作成本;而且由于本振电路、混频电路、中频放大器全部集中到综合混频中频放大电路单元芯片内部,晶振在一般环境中受温度影响极小,因而能保持极高的稳定性,保证输出信号质量,降低制作难度及其故障率,提高生产效率并延长了一体化下变频器的使用寿命。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是本实用新型的局部剖视结构示意图。
图3是本实用新型中电路板的工作原理框图。
图4是本实用新型中电路板的电路图。
附图中标记:1为高频转接头,2为屏蔽罩,3为电路盒,4为波导管,5为极化调整槽,6为馈源,7为电路板,8为高频放大电路单元,9为控制单元,10为带通滤波器单元,11为综合混频中频放大电路单元,12为晶体振荡电路单元,13为切换信号转换单元,14为耦合器。
具体实施方式
下面结合附图,对本实用新型作详细的说明。
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
如图1和2所示,一种用于接收卫星电视信号的一体化下变频器,包括高频转接头1、屏蔽罩2、电路盒3、波导管4、极化调整槽5、馈源6以及耦合器14,在所述电路盒3内安装有电路板7。
如图3所示,所述电路板7包括控制单元9、高频放大电路单元8、晶体振荡电路单元12、切换信号转换单元13、带通滤波器单元10和综合混频中频放大电路单元11,所述高频放大电路单元8和切换信号转换单元13分别与控制单元9相连,所述高频放大电路单元8通过带通滤波器单元10与综合混频中频放大电路单元11相连,所述晶体振荡电路单元12与综合混频中频放大电路单元11相连,所述控制单元9与综合混频中频放大电路单元11相连,接收的10.7GHz~12.75GHz卫星信号经所述高频放大电路单元8接入所述综合混频中频放大电路单元11并输出950MHz~2150MHz中频信号至高频转接头1。
其中,所述电路板7的控制单元9带直流5V输出,为所述综合混频中频放大电路单元11供电,所述综合混频中频放大电路单元11的芯片内部集成有本振电路、混频电路以及中频放大器电路。
如图4所示,所述综合混频中频放大电路单元11采用型号为TFF1015HN/N1、TFF1014HN或TFF1017HN/N1的芯片,所述高频放大电路单元8分别通过电阻R1、R4和R5接至控制单元9的芯片上,晶体振荡电路单元12接至综合混频中频放大电路单元11中芯片的11脚和12脚,切换信号转换单元13一端连接控制单元9中芯片的13脚,另一端连接到综合混频中频放大电路单元11中电容C11与高频转接头1相连的共用铜箔处,控制单元9中芯片的12脚与综合混频中频放大电路单元11中芯片的16脚相连。
本实用新型的工作过程是:接收的10.7GHz~12.75GHz卫星信号经馈源进入波导管,通过耦合器将卫星信号从导波管传送至所述高频放大电路单元放大,放大后的信号经BPF带通滤波器单元接入综合混频中频放大电路单元中芯片的4脚,经过综合混频中频放大电路单元中芯片的14脚输出950MHz~2150MHz中频信号至高频转接头。
上面所述的实施例仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述,并非对本实用新型的构思和范围进行限定。在不脱离本实用新型设计构思的前提下,本领域普通人员对本实用新型的技术方案做出的各种变型和改进,均应落入到本实用新型的保护范围,本实用新型请求保护的技术内容已经全部记载在权利要求书中。
Claims (5)
1.一种用于接收卫星电视信号的一体化下变频器,包括馈源(6)、波导管(4)、耦合器(14)、高频转接头(1)和电路盒(3),在所述电路盒(3)内安装有电路板(7),其特征在于:所述电路板(7)包括控制单元(9)、高频放大电路单元(8)、晶体振荡电路单元(12)、切换信号转换单元(13)、带通滤波器单元(10)和综合混频中频放大电路单元(11),所述高频放大电路单元(8)和切换信号转换单元(13)分别与控制单元(9)相连,所述高频放大电路单元(8)通过带通滤波器单元(10)与综合混频中频放大电路单元(11)相连,所述晶体振荡电路单元(12)与综合混频中频放大电路单元(11)相连,所述控制单元(9)与综合混频中频放大电路单元(11)相连,接收的10.7GHz~12.75GHz卫星信号经所述高频放大电路单元(8)接入所述综合混频中频放大电路单元(11)并输出950MHz~2150MHz中频信号至高频转接头(1)。
2.根据权利要求1所述的用于接收卫星电视信号的一体化下变频器,其特征在于:所述电路板(7)的控制单元(9)带直流5V输出,为所述综合混频中频放大电路单元(11)供电。
3.根据权利要求2所述的用于接收卫星电视信号的一体化下变频器,其特征在于:所述综合混频中频放大电路单元(11)的芯片内部集成有本振电路、混频电路以及中频放大器电路。
4.根据权利要求1所述的用于接收卫星电视信号的一体化下变频器,其特征在于:所述综合混频中频放大电路单元(11)采用型号为TFF1015HN/N1、TFF1014HN或TFF1017HN/N1的芯片。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的用于接收卫星电视信号的一体化下变频器,其特征在于:所述高频放大电路单元(8)分别通过电阻R1、R4和R5接至控制单元(9)的芯片上,晶体振荡电路单元(12)接至综合混频中频放大电路单元(11)中芯片的11脚和12脚,切换信号转换单元(13)一端连接控制单元(9)中芯片的13脚,另一端连接到综合混频中频放大电路单元(11)中电容C11与高频转接头(1)相连的共用铜箔处,控制单元(9)中芯片的12脚与综合混频中频放大电路单元(11)中芯片的16脚相连。
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