CN203351562U - 厚度测量装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种厚度测量装置,用以测量晶圆的厚度,包括激光探测头组,所述激光探测头组设置于所述晶圆的斜上方,所述激光探测头组包括两个以上的激光探测头,所述两个以上的激光探测头分别探测所述晶圆上的不同位置的厚度。由于可以通过两个以上的激光探测头同时探测晶圆上不同位置的厚度,因此,不但可以减少改变晶圆和激光探测头组位置的次数,而且可以减少所需的探测时间,因为晶圆上有的取样点是同时测量的,因而,可以有效提高厚度测量效率,提高生产效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体制造领域,尤其涉及一种厚度测量装置。
背景技术
在半导体的生产工艺中,经常需要对晶圆的厚度进行测量。为了了解晶圆的厚度,通常至少需要探测晶圆上的9个取样点位置进行测量,这9个取样点的位置尽量均匀分布于所述晶圆表面上。
现有的厚度测方法,如图1所示,采用一个激光探测头,按照一定路径在所述晶圆1上进行取样点测量。由于只采用一个激光探测头(未图示),因此,需要至少改变激光探测头和晶圆的相对位置9次以及探测厚度9次,无论是改变激光探测头和晶圆1之间的位置还是每次探测时间,都需经过一定时间,因此,此厚度测量方法效率比较低,不利于提高生产效率。
因此,如何提供一种提高厚度测量效率的厚度测量装置是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种晶圆厚度测量装置,可以有效提高厚度测量效率。
为了达到上述的目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种厚度测量装置,用以测量晶圆的厚度,包括激光探测头组,所述激光探测头组设置于所述晶圆的斜上方,所述激光探测头组包括两个以上的激光探测头,所述两个以上的激光探测头分别探测所述晶圆上的不同位置的厚度。
优选的,在上述的厚度测量装置中,所述激光探测头组内的激光探测头分布于同一圆周上。
优选的,在上述的厚度测量装置中,还包括一调节机构,所述调节机构与所述激光探测头组内的激光探测头分别连接,通过所述调节机构能够调整所述激光探测头组内的激光探测头到所述同一圆周的圆心的距离。
优选的,在上述的厚度测量装置中,所述调节机构包括两个以上的汽缸,所述汽缸的数量与所述激光探测头的数量相同,各个汽缸的输出端与对应的激光探测头连接,各个汽缸的另一端相互固定,各个汽缸的另一端到所述激光探测头组所在平面的正投影和所述同一圆周的圆心重合。
优选的,在上述的厚度测量装置中,还包括控制器,所述晶圆设置于晶圆载台上,所述晶圆载台通过旋转电机驱动,所述控制器分别与各所述汽缸和所述旋转电机连接。
优选的,在上述的厚度测量装置中,所述激光探测头组内的激光探测头的数量是三个。
本实用新型提供的厚度测量装置,包括激光探测头组,所述激光探测头组设置于所述晶圆的斜上方,所述激光探测头组包括两个以上的激光探测头,所述两个以上的激光探测头分别探测所述晶圆上的不同位置的厚度。由于可以通过两个以上的激光探测头同时探测晶圆上不同位置的厚度,因此,不但可以减少改变晶圆和激光探测头组位置的次数,而且可以减少所需的探测时间,因为晶圆上有的取样点是同时测量的,因而,可以有效提高厚度测量效率,提高生产效率。
附图说明
本实用新型的厚度测量装置由以下的实施例及附图给出。
图1是现有的厚度测量装置方法的示意图;
图2是本实用新型一实施例的厚度测量装置的应用示意图;
图3是本实用新型一实施例的晶圆上取样点示意图之一;
图4是本实用新型一实施例的晶圆上取样点示意图之一;
图5是本实用新型一实施例的晶圆上取样点示意图之三。
图中,1-晶圆,2-激光探测头,3-汽缸,4-晶圆载台。
具体实施方式
以下将对本实用新型的厚度测量装置作进一步的详细描述。
下面将参照附图对本实用新型进行更详细的描述,其中表示了本实用新型的优选实施例,应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型而仍然实现本实用新型的有益效果。因此,下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道,而并不作为对本实用新型的限制。
为了清楚,不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中,不详细描述公知的功能和结构,因为它们会使本实用新型由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中,必须作出大量实施细节以实现开发者的特定目标,例如按照有关系统或有关商业的限制,由一个实施例改变为另一个实施例。另外,应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的,但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
为使本实用新型的目的、特征更明显易懂,下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步的说明。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率,仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。
请参阅图2,这种厚度测量装置,用以测量晶圆1的厚度,包括激光探测头组,所述激光探测头组设置于所述晶圆1的斜上方,所述激光探测头组包括两个以上的激光探测头2,所述两个以上的激光探测头2分别探测所述晶圆1上的不同位置即不同取样点的厚度。由于可以通过两个以上的激光探测头2同时探测晶圆1上不同位置的厚度,因此,不但可以减少改变晶圆1和激光探测头组位置的次数,而且可以减少所需的探测时间,因为晶圆1上有的取样点是同时测量的,因而,可以有效提高厚度测量效率,提高生产效率。
优选的,在上述的厚度测量装置中,所述激光探测头组内的激光探测头2分布于同一圆周上。
优选的,在上述的厚度测量装置中,还包括一调节机构,所述调节机构与所述激光探测头组内的激光探测头2分别连接,通过所述调节机构能够调整所述激光探测头组内的激光探测头2到所述同一圆周的圆心的距离。
优选的,在上述的厚度测量装置中,所述调节机构包括两个以上的汽缸3,所述汽缸3的数量与所述激光探测头2的数量相同,各个汽缸3的输出端与对应的激光探测头2连接,各个汽缸3的另一端相互固定连接,各个汽缸3的另一端到所述激光探测头组所在平面的正投影和所述同一圆周的圆心重合。
优选的,在上述的厚度测量装置中,还包括控制器,所述晶圆1设置于晶圆载台4上,所述晶圆载台4通过旋转电机(未图示)驱动,所述控制器(未图示)分别与各所述汽缸3和所述旋转电机连接。
优选的,在上述的厚度测量装置中,所述激光探测头组内的激光探测头2的数量是三个。
本实施例的厚度测量装置在使用时,通过组合调节调节探测组之间的距离和晶圆1的旋转角度,可以实现对晶圆1表面的取样点的选取和测量。
例如,如图3所示,晶圆1选取的旋转角度是120度,也就是说,晶圆1每旋转一次,激光探测组探测一次,每次旋转120度,激光探测组中含有三个激光探测头2,因此,晶圆1上有三个取样点组A,共9个取样点。
例如,如图4所示,晶圆选取的旋转角度是90度,也就是说,晶圆1每旋转一次,激光探测组探测一次,每次旋转90度,激光探测组中含有三个激光探测头1,因此,晶圆1上有四个取样点组B,共12个取样点。
例如,如图5所示,晶圆选取的旋转角度是90度,通过对各个汽缸伸缩的长度,可以调整各激光探测头之间的距离,其中,各激光探测头之间较小距离时在晶圆上形成的取样点组C,各激光探测头之间较大距离时在晶圆上形成的取样点组D。
综上所述,本实用新型提供的厚度测量装置,由于可以通过两个以上的激光探测头同时探测晶圆上不同位置的厚度,因此,不但可以减少改变晶圆和激光探测头组位置的次数,而且可以减少所需的探测时间,因为晶圆上有的取样点是同时测量的,因而,可以有效提高厚度测量效率,提高生产效率。
显然,本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样,倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内,则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (6)
1.一种厚度测量装置,用以测量晶圆的厚度,其特征在于,包括激光探测头组,所述激光探测头组设置于所述晶圆的斜上方,所述激光探测头组包括两个以上的激光探测头,所述两个以上的激光探测头分别探测所述晶圆上的不同位置的厚度。
2.根据权利要求1所述的厚度测量装置,其特征在于,所述激光探测头组内的激光探测头分布于同一圆周上。
3.根据权利要求2所述的厚度测量装置,其特征在于,还包括一调节机构,所述调节机构与所述激光探测头组内的激光探测头分别连接,通过所述调节机构能够调整所述激光探测头组内的激光探测头到所述同一圆周的圆心的距离。
4.根据权利要求3所述的厚度测量装置,其特征在于,所述调节机构包括两个以上的汽缸,所述汽缸的数量与所述激光探测头的数量相同,各个汽缸的输出端与对应的激光探测头连接,各个汽缸的另一端相互固定,各个汽缸的另一端到所述激光探测头组所在平面的正投影和所述同一圆周的圆心重合。
5.根据权利要求4所述的厚度测量装置,其特征在于,还包括控制器,所述晶圆设置于晶圆载台上,所述晶圆载台通过旋转电机驱动,所述控制器分别与各所述汽缸和所述旋转电机连接。
6.根据权利要求1-5中任意一项所述的厚度测量装置,其特征在于,所述激光探测头组内的激光探测头的数量是三个。
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CN 201320456636 CN203351562U (zh) | 2013-07-29 | 2013-07-29 | 厚度测量装置 |
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CN110842781A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-02-28 | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) | 一种非接触式测量方法及装置 |
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- 2013-07-29 CN CN 201320456636 patent/CN203351562U/zh not_active Expired - Fee Related
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