CN203350853U - 触控板 - Google Patents

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黄振富
陈明武
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Abstract

本实用新型公开了一种触控板,包括一基底、多个第一轴向电极、多个第二轴向电极以及一绝缘结构。第一轴向电极沿第一方向延伸并设置在基底上,且各第一轴向电极包括多个第一子电极以及多个连接结构。连接结构至少部分设置在各第一子电极与基底之间,且电连接两相邻的第一子电极。各连接结构包括一低反射层以及一第一金属层。低反射层设置在基底与第一金属层之间。第二轴向电极沿一第二方向延伸并设置在基底上,且第一方向不平行第二方向。绝缘结构至少部分设置在第二轴向电极与连接结构之间。本实用新型的低反射层可用以降低连接结构的可见度并提高触控板的可靠度。

Description

触控板
技术领域
本实用新型涉及一种触控板,特别涉及一种在连接结构中设置金属层与低反射层的触控板。
背景技术
触控板的技术发展非常多样化,目前较常见的技术包括电阻式、电容式以及光学式等。其中电容式触控板由于具有高准确率、多点触控、高耐用性以及高触控解析度等特点,已成为目前中高阶消费性电子产品使用的主流触控技术。电容式触控板的操作原理是使用感应电极来检测触控点位的电容变化,并利用不同方向轴上连结各个电极的连结线将信号传回而完成定位。如图1与图2所示,在传统的触控板100中,沿第一方向X排列的第一子电极120S以及沿第二方向Y延伸的第二轴向电极120Y一般是以透明导电材料例如氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)形成在基底110上。第一方向X上相邻的第一子电极120S是通过桥接线140电连接用以形成沿第一方向X延伸的第一轴向电极120X。由于第一轴向电极120X与第二轴向电极120Y之间不可直接电相连。因此,需在形成桥接线140之前,先在桥接线140与第二轴向电极120Y在一垂直投影方向Z上的预定重叠处形成一绝缘块130,用以电隔离后续形成的桥接线140与第二轴向电极120Y。一般来说,为了降低第一轴向电极120X的整体阻抗,桥接线140是以电阻率较低的金属材料所形成。然而,金属材料所形成的桥接线140因为较容易反射光线,故使得桥接线140容易被识别出而造成触控板100在视觉效果上的不良影响。此外,由于桥接线140需跨过绝缘块130而与第一子电极120S接触,故绝缘块130的边缘地形起伏也容易影响到后续形成的桥接线140的状况,而使得桥接线140可能因此发生断线,进而影响到触控板100的合格率与可靠度。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种触控板,在电连接两子电极的连接结构中设置金属层与低反射层,并使连接结构至少部分设置在子电极与基底之间,故可在利用金属层降低阻抗的状况下达到降低连接结构的可见度并提高触控板的可靠度。
本实用新型提供一种触控板,包括一基底、多个第一轴向电极、多个第二轴向电极以及一绝缘结构。第一轴向电极沿一第一方向延伸并设置在基底上,且各第一轴向电极包括多个第一子电极以及多个连接结构。连接结构至少部分设置在各第一子电极与基底之间,且电连接两相邻的第一子电极。各连接结构包括一低反射层以及一第一金属层。低反射层设置在基底与第一金属层之间。第二轴向电极沿一第二方向延伸并设置在基底上,且第一方向不平行第二方向。绝缘结构至少部分设置在第二轴向电极与连接结构之间。
附图说明
图1所示为传统的触控板的示意图。
图2为沿图1中A-A’剖线所绘示的剖视图。
图3所示为本实用新型的第一优选实施例的触控板的示意图。
图4为沿图3中B-B’剖线所绘示的剖视图。
图5所示为本实用新型的第二优选实施例的触控板的示意图。
图6所示为本实用新型的第三优选实施例的触控板的示意图。
图7所示为本实用新型的第四优选实施例的触控板的示意图。
图8所示为本实用新型的第五优选实施例的触控板的示意图。
图9为沿图8中C-C’剖线所绘示的剖视图。
图10所示为本实用新型的第六优选实施例的触控板的示意图。
图11为沿图10中D-D’剖线所绘示的剖视图。
图12所示为本实用新型的第七优选实施例的触控板的示意图。
其中,附图标记说明如下:
100     触控板
110     基底
120X    第一子电极
120Y    第二轴向电极
130     绝缘块
140     桥接线
200     触控板
201     触控板
202     触控板
210     基底
210A    上表面
210B    下表面
220     连接结构
221     低反射层
222     第一金属层
223     第二金属层
224     第三金属层
230     绝缘结构
230L    绝缘层
230P    绝缘块
230V    接触开口
241     第一轴向电极
241S    第一子电极
242     第二轴向电极
242C    连接线
242S    第二子电极
250     消光层
300     触控板
400     触控板
500     触控板
600     触控板
X       第一方向
Y       第二方向
Z       垂直投影方向
具体实施方式
请参考图3与图4。图3所示为本实用新型的第一优选实施例的触控板的示意图。图4为沿图3中B-B’剖线所绘示的剖视图。为了方便说明,本实施例的各附图仅为示意以容易了解本实用新型,其详细的比例可依照设计的需求进行调整。如图3与图4所示,本实施例提供一触控板200,触控板200包括一基底210、至少一第一轴向电极241、至少一第二轴向电极242以及一绝缘结构230。本实施例的触控板200是包括多个第一轴向电极241与多个第二轴向电极242互相交错设置以进行触控感测,但并不以此为限。基底210具有一上表面210A以及一下表面210B。基底210可包括玻璃基底例如保护玻璃(cover glass)、塑胶基底例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate,PET)基底、聚苯醚砜(polyethersulfone,PES)基底、聚亚酰胺(polyimide,PI)基底、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)基底、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate,PEN)基底与聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate,PMMA)基底或其他适合材料所形成的基底。第一轴向电极241是沿一第一方向X延伸并设置在基底210的上表面210A上,且各第一轴向电极241包括多个第一子电极241S以及多连接结构220。第一子电极241S沿第一方向X排列设置。连接结构220电连接在第一方向X上两相邻的第一子电极241S,且连接结构220至少部分设置在各第一子电极241S与基底210之间。第二轴向电极242沿一第二方向Y延伸并设置在基底210上,且第一方向X不平行第二方向Y。在本实施例中,第一方向X大体上垂直第二方向Y,但并不以此为限。绝缘结构230至少部分设置在第二轴向电极242与第一轴向电极241的连接结构220之间。绝缘结构230可包括无机材料例如氮化硅(silicon nitride)、氧化硅(silicon oxide)与氮氧化硅(silicon oxynitride)、有机材料例如丙烯酸类树脂(acrylic resin)或其它适合的材料。此外,本实施例的绝缘结构230可包括多个绝缘块230P分别设置在各连接结构220上,第一子电极241S与连接结构220未被绝缘块230P覆盖的部分接触用以形成电连接。在本实施例中,各绝缘块230P分别设置在各第二轴向电极242与各连接结构220之间,但并不以此为限。
在本实施例的触控板200的各部件形成步骤顺序上,连接结构220先形成在基底210上,然后再在连接结构220上形成绝缘块230P,接着再形成第一子电极241S与第二轴向电极242,使得第一子电极241S可通过未被绝缘结构230覆盖的连接结构220接触用以形成电连接。第一子电极241S与第二轴向电极242可由同一制造工艺例如对一透明导电层进行图案化工艺所形成,借此达到简化整体制造工艺的效果,但并不以此为限。上述的透明导电层可包括氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)、氧化铟锌(indium zinc oxide,IZO)、氧化铝锌(aluminum zinc oxide,AZO)或其他适合的非透明导电材料。此外,第二轴向电极242包括第二子电极242S沿第二方向Y排列设置以及至少一连接线242C设置在两相邻的第二子电极242S之间用以连接各第二子电极242S。在各第二轴向电极242中,第二子电极242S优选是与连接线242C以相同材料形成并一体成形,但并不以此为限。在本实用新型的其他优选实施例中,也可视需要使用以不同材料或以不同制造工艺分别形成的第二子电极242S与连接线242C。在本实用新型中,由于连接结构220直接形成在基底210上,相比较于需跨过绝缘块的桥接线连结结构,本实用新型的连接结构220可避免受绝缘块230P的厚度影响而发生断线等问题,进而可因此提高触控板200的工艺合格率与可靠度。
在本实施例中,连接结构220包括一低反射层221以及一第一金属层222。第一金属层222可包括铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼(Mo)、金(Au)、镍(Ni)的其中至少一种、上述材料的复合层或上述材料的合金,但并不以此为限。低反射层221可包括金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物或其他适合的低反射材料。由于低反射层221设置在基底210与第一金属层222之间,因此当基底210的下表面210B为使用者操作面时,低反射层221可用以降低连接结构220中金属材料例如第一金属层222的可见度,故可在利用连接结构220中金属材料降低第一轴向电极241整体阻抗的状况下利用低反射层221达到提高触控板200外观质量的效果。低反射层221优选是在一垂直在基底210的垂直投影方向Z上完全覆盖第一金属层222用以降低第一金属层222的可见度,但并不以此为限。此外,连接结构220可选择性地还包括一第二金属层223设置在第一金属层222上,而第一金属层222设置在第二金属层223与低反射层221之间。第二金属层223可包括相比较第一金属层222不易在一般环境下氧化的金属导电材料例如钼、钛、铬或其他适合的金属导电材料,而第二金属层223可用以对第一金属层222形成保护并降低第一金属层222因热应力影响而产生凸起(hillock)等相关缺陷。换句话说,当第一金属层222所选用的材料不具有上述的氧化、热应力以及其他相关问题时,本实用新型的连接结构220也可仅由第一金属层222与低反射层221所构成而可不包括其他的金属层。此外,低反射层221可为第一金属层222或第二金属层223的金属材料的氧化物、氮化物或氮氧化物,借此可使低反射层221、第一金属层222以及第二金属层223可在同一制造工艺例如物理气相沉积(physical vapor deposition,PVD)工艺中利用相对较少种类的靶材(target)依序形成以达到简化工艺与缩短工艺时间的效果,但并不以此为限。举例来说,第一金属层222可使用电阻率较低的铝,第二金属层223可使用钼以保护第一金属层222发生氧化与凸起,而低反射层221则可使用氧化钼、氮化钼或氮氧化钼等具有低反射特性的材料以降低第一金属层222或/与第二金属层223的可见度。在其他实施例中,连接结构220也可被制造成网格状图型,也就是说各连接结构220也可包括网格状的连接结构,同样可借此达到降低连接结构220可见度的目的。
下文将针对本实用新型的触控板的不同实施样态进行说明,且为简化说明,以下说明主要针对各实施例不同的部分进行详述,而不再对相同的部分作重复赘述。此外,本实用新型的各实施例中相同的组件是以相同的标号进行标示,用以方便在各实施例间互相对照。
请参考图5与图6。图5所示为本实用新型的第二优选实施例的触控板201的示意图。图6所示为本实用新型的第三优选实施例的触控板202的示意图。如图5与图6所示,与上述第一优选实施例不同的地方在于,触控板201与触控板202分别各包括一消光层(matt layer)250设置在基底210上。由于除了第一金属层222的可见度之外,第一轴向电极241以及第二轴向电极242的轮廓也可能影响触控板的视效。因此,可进一步利用消光层250的设置来改善视效。在本实用新型中,如图5所示,消光层250可全面地覆盖在触控板201的触控区上,也就是说消光层250设置在第一轴向电极241以及第二轴向电极242上,且第一轴向电极241以及第二轴向电极242是位于消光层250与基底210之间,但本实用新型不以此为限。如图6所示,在触控板202中,消光层250也可以设置在基底210上,且位于基底210与第一轴向电极241以及第二轴向电极242之间。此外,消光层250的材质可以是一般的绝缘材质,如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、硅铝氧化物或上述至少二种材料的堆栈层。此外,下文所列的本实用新型触控板的其他变化实施例中均可视需要选择性地设置如上所述的消光层,用以达到进一步改善外观视效的目的。
请参考图7。图7所示为本实用新型的第四优选实施例的触控板的示意图。如图7所示,本实施例提供一触控板300,与上述第一优选实施例不同的地方在于,在触控板300中,连接结构220还包括一第三金属层224设置在第一金属层222与低反射层221之间。第三金属层224可包括金属导电材料例如钼、钛、铬或其他适合的金属导电材料,且第三金属层224可用以提供第一金属层222与低反射层221之间的应力缓冲,避免设置在低反射层221上的第一金属层222发生剥落与脆裂等问题。第三金属层224可与第二金属层223以相同的金属材料形成,但并不以此为限。低反射层221可为第一金属层222、第二金属层223与第三金属层224其中的一种的金属材料的氧化物、氮化物或氮氧化物,借此可使低反射层221、第一金属层222、第二金属层223以及第三金属层可在同一制造工艺例如物理气相沉积工艺中利用相对较少种类的靶材依序形成以达到简化工艺与缩短工艺时间的效果,但并不以此为限。举例来说,第一金属层222可使用电阻率较低的铝,第二金属层223与第三金属层224可使用钼以保护第一金属层222发生氧化与凸起,而低反射层221则可使用氧化钼、氮化钼或氮氧化钼等具有低反射特性的材料以降低第一金属层222、第二金属层223以及第三金属层224的可见度。
请参考图8与图9。图8所示为本实用新型的第五优选实施例的触控板的示意图。图9为沿图8中C-C’剖线所绘示的剖视图。如图8与图9所示,本实施例提供一触控板400,与上述第一优选实施例不同的地方在于,本实施例的各绝缘块230P是在垂直投影方向Z上包覆各连接结构220在第一方向X上相对的两端,各绝缘块230P是设置在连接结构220以及基底210上,而各绝缘块230P是至少部分设置在各第一子电极241S与基底210之间。各绝缘块230P包括至少两个接触开口230V,各接触开口230V是至少部分暴露出对应的连接结构220,且各第一子电极241S是通过接触开口230V与对应的连接结构220接触用以形成电连接。也就是说,各第一子电极241S是与被接触开口230V暴露出的连接结构220接触用以形成电连接。通过绝缘块230P包覆连接结构220的设计,可避免在第一子电极241S与第二轴向电极242的形成步骤中所使用的蚀刻液例如王水侵蚀到连接结构220而产生破坏。本实施例的触控板400除了绝缘块230P的大小与设置状况之外,其余各部件的特征、设置位置以及材料特性与上述第一优选实施例相似,故在此并不再赘述。
请参考图10与图11。图10所示为本实用新型的第六优选实施例的触控板的示意图。图11为沿图10中D-D’剖线所绘示的剖视图。如图10与图11所示,本实施例提供一触控板500,与上述第五优选实施例不同的地方在于,本实施例的绝缘层230是以整面方式覆盖连接结构220以及基底210。换句话说,绝缘结构230可包括一绝缘层230L设置在连接结构220以及基底210上。绝缘层230L包括多个接触开口230V对应各连接结构220的两端,各接触开口230V至少部分暴露出连接结构220,且第一子电极241S通过接触开口230V与对应的连接结构220接触以形成电连接。也就是说,各第一子电极241S与被接触开口230V暴露出的连接结构220接触用以形成电连接。由于本实施例的绝缘结构230除了接触开口230V之外是以整面包覆连接结构220,故可避免在第一子电极241S与第二轴向电极242的形成步骤中所使用的蚀刻液例如王水侵蚀到连接结构220而产生破坏。
请参考图12。图12所示为本实用新型的第七优选实施例的触控板的示意图。如图12所示,本实施例提供一触控板600,与上述第一优选实施例不同的地方在于,在触控板600中,在第一方向X上两相邻的第一子电极241S是通过两个以上的连接结构220形成电连接。借此可降低当某一个连接结构220发生问题时对于第一轴向电极241的电相关特性影响的风险,进而可提高触控板600的可靠度。
综合以上所述,本实用新型的触控板是在电连接两子电极的连接结构中设置金属层与低反射层,故可在利用金属层降低阻抗的状况下达到降低连接结构的可见度的效果。此外,本实用新型的连接结构是至少部分设置在子电极与基底之间,可因此避免连接结构受绝缘结构的状况影响而发生断线等问题,进而达到提高触控板的合格率与可靠度的目的。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,对于本领域的技术人员来说,本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种触控板,其特征在于,包括:
一基底;
多个第一轴向电极,沿一第一方向延伸并设置在该基底上,且各该第一轴向电极包括:
多个第一子电极;以及
多个连接结构,至少部分设置在各该第一子电极与该基底之间,且电连接两相邻的该些第一子电极,各该连接结构包括:
一低反射层;以及
一第一金属层,其中该低反射层设置在该基底与该第一金属层之间;
多个第二轴向电极,沿一第二方向延伸并设置在该基底上,且该第一方向不平行该第二方向;以及
一绝缘结构,至少部分设置在该些第二轴向电极与该些连接结构之间。
2.根据权利要求1所述的触控板,其特征在于,该低反射层包括金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物。
3.根据权利要求1所述的触控板,其特征在于,各该连接结构还包括一第二金属层,且该第一金属层设置在该第二金属层与该低反射层之间。
4.根据权利要求1所述的触控板,其特征在于,该绝缘结构包括多个绝缘块,分别设置在各该连接结构上,该些第一子电极与该些连接结构未被该些绝缘块覆盖的部分接触用以形成电连接。
5.根据权利要求1所述的触控板,其特征在于,该绝缘结构包括多个绝缘块,分别设置在该些连接结构以及该基底上,各该绝缘块包括至少两个接触开口,且各该第一子电极与被该些接触开口暴露出的该连接结构接触用以形成电连接。
6.根据权利要求1所述的触控板,其特征在于,该绝缘结构包括一绝缘层,设置在该些连接结构以及该基底上,该绝缘层包括多个接触开口,对应各该连接结构的两端,且各该第一子电极与被该些接触开口暴露出的该连接结构接触用以形成电连接。
7.根据权利要求1所述的触控板,其特征在于,在该第一方向上两相邻的该些第一子电极通过至少两个以上的该些连接结构形成电连接。
8.根据权利要求1所述的触控板,其特征在于,各该连接结构还包括一第三金属层,设置在该第一金属层与该低反射层之间。
9.根据权利要求8所述的触控板,其特征在于,该低反射层包括该第一金属层与该第三金属层其中的一种的氧化物、氮化物或氮氧化物。
10.根据权利要求1所述的触控板,其特征在于,各该连接结构包括网格状的连接结构。
11.根据权利要求1所述的触控板,其特征在于,还包括一消光层,设置在该些第一轴向电极与该些第二轴向电极上,其中该些第一轴向电极与该些第二轴向电极是设置在该消光层与该基底之间。
12.根据权利要求1所述的触控板,其特征在于,还包括一消光层,设置在该基底上,其中该消光层是设置在该些第一轴向电极与该基底之间,且该消光层是设置在该些第二轴向电极与该基底之间。
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