CN203326357U - 半导体激光发生装置 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及一种半导体激光发生装置，包括半导体激光芯片、光纤耦合器以及输出光纤，所述半导体激光芯片通过光纤耦合器与输出光纤进行连接，所述激光发生装置还包括驱动电路板和输出头，所述驱动电路板与半导体激光芯片电连接，所述输出头连接输出光纤的输出端。

Description

半导体激光发生装置
技术领域
本实用新型涉及一种激光医学治疗设备，尤其涉及一种半导体激光发生装置，属于半导体应用领域。
背景技术
半导体是人类当代工业发展中不可或缺的材料，通常意义上讲，半导体是指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。
半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。
半导体材料虽然种类繁多但有一些固有的特性，称为半导体材料的半导体材料特性参数。这些特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别，而且更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下特性上的量的差别。常用的半导体材料的特性参数有：禁带宽度、电阻率、载流子迁移率(载流子即半导体中参加导电的电子和空穴)、非平衡载流子寿命、位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定，反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力。非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性。位错是晶体中最常见的一类晶体缺陷。位错密度可以用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度。当然，对于非晶态半导体是没有这一反映晶格完整性的特性参数的。
20世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命；20世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和应用，将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路，深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式，彻底改变人们的生活方式。
由此可见，半导体材料在人类现代化工业生产中起着举足轻重的作用，而伴随着半导体材料进行的各种产品研发、应用、设计等都是科研人员孜孜以求的目标。伴随着半导体材料的发展，我们认为可以有更多的应用和推广。
实用新型内容
为了克服现有技术的不足，解决好现有技术的问题，弥补现有目前市场上现有产品的不足。
本实用新型提供了一种半导体激光发生装置，包括半导体激光芯片、光纤耦合器以及输出光纤，所述半导体激光芯片通过光纤耦合器与输出光纤进行连接，所述激光发生装置还包括驱动电路板和输出头，所述驱动电路板与半导体激光芯片电连接，所述输出头连接输出光纤的输出端。
优选的，上述装置还包括电源。
优选的，上述装置还包括壳体以及开关，所述开关设置在壳体上。
优选的，上述装置还包括基座，所述基座位于壳体内，所述半导体激光芯片、光纤耦合器、驱动电路板以及输出光纤分别固定在基座上。
优选的，上述壳体上开有小孔供输出头穿过。
优选的，上述基座采用绝缘材料制成。
本实用新型提供的半导体激光发生装置与传统的装置相比，本实用新型提供的半导体激光发生装置可以实现不同波段的激光输出，实时进行调整，操作灵活，适用范围广。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
图中标记：1-半导体激光芯片；2-光纤耦合器；3-输出光纤；4-驱动电路板；5-输出头；6-壳体；7-开关；8-基座。
具体实施方式
为了便于本领域普通技术人员理解和实施本实用新型，下面结合附图及具体实施方式对本实用新型作进一步的详细描述。
如图1所示为本实用新型的半导体激光发生装置结构示意图，主体包括半导体激光芯片1、光纤耦合器2以及输出光纤3。
其中，所述半导体激光芯片1通过光纤耦合器2与输出光纤3进行连接，所述激光发生装置还包括驱动电路板4和输出头5，所述驱动电路板4与半导体激光芯片1电连接，所述输出头5连接输出光纤3的输出端。
此外，本实施例提供的半导体激光发生装置还包括电源。
为了保护内部元件，半导体激光发生装置还包括壳体6以及开关7，所述开关7设置在壳体6上。
半导体激光发生装置还包括基座8，所述基座8位于壳体6内，所述半导体激光芯片1、光纤耦合器2、驱动电路板4以及输出光纤3分别固定在基座8上。
在壳体6上开有供输出头穿过的小孔。
基座8采用绝缘材料制成。
本实用新型提供的半导体激光发生装置与传统的装置相比，本实用新型提供的半导体激光发生装置可以实现不同波段的激光输出，实时进行调整，操作灵活，适用范围广。
以上所述之具体实施方式为本实用新型的较佳实施方式，并非以此限定本实用新型的具体实施范围，本实用新型的范围包括并不限于本具体实施方式，凡依照本实用新型之形状、结构所作的等效变化均在本实用新型的保护范围内。

Claims (6)

1.一种半导体激光发生装置，包括半导体激光芯片(1)、光纤耦合器(2)以及输出光纤(3)，所述半导体激光芯片(1)通过光纤耦合器(2)与输出光纤(3)进行连接，其特征在于，所述激光发生装置还包括驱动电路板(4)和输出头(5)，所述驱动电路板(4)与半导体激光芯片(1)电连接，所述输出头(5)连接输出光纤(3)的输出端。
2.根据权利要求1所述的半导体激光发生装置，其特征在于，所述装置还包括电源。
3.根据权利要求2所述的半导体激光发生装置，其特征在于，所述装置还包括壳体(6)以及开关(7)，所述开关(7)设置在壳体(6)上。
4.根据权利要求3所述的半导体激光发生装置，其特征在于，所述装置还包括基座(8)，所述基座(8)位于壳体(6)内，所述半导体激光芯片(1)、光纤耦合器(2)、驱动电路板(4)以及输出光纤(3)分别固定在基座(8)上。
5.根据权利要求4所述的半导体激光发生装置，其特征在于，所述壳体(6)上开有供输出头穿过的小孔。
6.根据权利要求5所述的半导体激光发生装置，其特征在于，所述基座(8)采用绝缘材料制成。
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CB03 Change of inventor or designer information

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Inventor after: Wen Yongkuo

Inventor before: Wang Jingna

COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 315500 NINGBO, ZHEJIANG PROVINCE TO: 518000 SHENZHEN, GUANGDONG PROVINCE

Free format text: CORRECT: INVENTOR; FROM: WANG JINGNA TO: DENG GUOFA WEN YONGKUO

TR01 Transfer of patent right

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Address after: 518000, No. six, B, Ascendas Plaza, Futian Peach Blossom Road, Futian Free Trade Zone, Guangdong, Shenzhen, eleven

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Address before: Yan Zhen Village in Zhejiang province Fenghua city 315500 Manzo 11 Group No. 180

Patentee before: Wang Jingna

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