CN203316419U - 半导体清洁器 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及一种半导体清洁器,包括操作台(1)、清洁机构(2)以及风扇(3),清洁机构(2)包括喷头(4)、清洁剂存储盒(5)以及压力泵(6),所述喷头(4)与清洁剂存储盒(5)通过压力泵(6)相连接;所述清洁机构(2)位于所述操作台(1)的正上方,所述风扇(3)设置在操作台(1)的一侧,高于操作台(1)平面。本实用新型提供的半导体清洁器与传统的装置相比,本实用新型提供的半导体清洁器结构设计合理,清洗效果好,能够提高清洗的工作效率。

Description

半导体清洁器
技术领域
本实用新型涉及一种半导体生产技术领域,尤其涉及一种半导体基板清洗装置,属于半导体应用领域。
背景技术
半导体是人类当代工业发展中不可或缺的材料,通常意义上讲,半导体是指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。
半导体材料可按化学组成来分,再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。
半导体材料虽然种类繁多但有一些固有的特性,称为半导体材料的半导体材料特性参数。这些特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别,而且更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下特性上的量的差别。常用的半导体材料的特性参数有:禁带宽度、电阻率、载流子迁移率(载流子即半导体中参加导电的电子和空穴)、非平衡载流子寿命、位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定,反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力。非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性。位错是晶体中最常见的一类晶体缺陷。位错密度可以用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度。当然,对于非晶态半导体是没有这一反映晶格完整性的特性参数的。
20世纪中叶,单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功,导致了电子工业革命;20世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明,促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业,使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功,彻底改变了光电器件的设计思想,使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和应用,将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路,深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式,彻底改变人们的生活方式。
由此可见,半导体材料在人类现代化工业生产中起着举足轻重的作用,而伴随着半导体材料进行的各种产品研发、应用、设计等都是科研人员孜孜以求的目标。伴随着半导体材料的发展,我们认为可以有更多的应用和推广。
实用新型内容
为了克服现有技术的不足,解决好现有技术的问题,弥补现有目前市场上现有产品的不足。
本实用新型提供了一种半导体清洁器,包括操作台、清洁机构以及风扇,所述清洁机构包括喷头、清洁剂存储盒以及压力泵,所述喷头与清洁剂存储盒通过压力泵相连接;所述清洁机构位于所述操作台的正上方,所述风扇设置在操作台的一侧,高于操作台平面。
优选的,上述清洁机构固定于高度可调的支撑杆的杆顶。
优选的,上述操作台上开设有多个小孔,所述操作台内部设置有清洁剂回收皿。
优选的,上述操作台上设置有半导体夹持机构。
优选的,上述喷头的喷口处设置有雾化器。
优选的,上述风扇的扇片上涂覆有防腐蚀涂层。
本实用新型提供的半导体清洁器与传统的装置相比,本实用新型提供的半导体清洁器结构设计合理,清洗效果好,能够提高清洗的工作效率。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
图中标记:1-操作台;2-清洁机构;3-风扇;4-喷头;5-清洁剂存储盒;6-压力泵;7-支撑杆;8-清洁剂回收皿。
具体实施方式
为了便于本领域普通技术人员理解和实施本实用新型,下面结合附图及具体实施方式对本实用新型作进一步的详细描述。
如图1所示为本实用新型的半导体清洁器结构示意图,主体包括操作台1、清洁机构2以及风扇3。
其中,清洁机构2包括喷头4、清洁剂存储盒5以及压力泵6,所述喷头4与清洁剂存储盒5通过压力泵6相连接;
所述清洁机构2位于所述操作台1的正上方,所述风扇3设置在操作台1的一侧,高于操作台1平面。
此外,清洁机构2固定于高度可调的支撑杆7的杆顶。
操作台1上开设有多个小孔,所述操作台1内部设置有清洁剂回收皿8。
操作台1上设置有半导体夹持机构。喷头4的喷口处设置有雾化器。风扇3的扇片上涂覆有防腐蚀涂层。
本实用新型提供的半导体清洁器与传统的装置相比,本实用新型提供的半导体清洁器结构设计合理,清洗效果好,能够提高清洗的工作效率。
以上所述之具体实施方式为本实用新型的较佳实施方式,并非以此限定本实用新型的具体实施范围,本实用新型的范围包括并不限于本具体实施方式,凡依照本实用新型之形状、结构所作的等效变化均在本实用新型的保护范围内。

Claims (6)

1.一种半导体清洁器,包括操作台(1)、清洁机构(2)以及风扇(3),其特征在于,所述清洁机构(2)包括喷头(4)、清洁剂存储盒(5)以及压力泵(6),所述喷头(4)与清洁剂存储盒(5)通过压力泵(6)相连接;所述清洁机构(2)位于所述操作台(1)的正上方,所述风扇(3)设置在操作台(1)的一侧,高于操作台(1)平面。
2.根据权利要求1所述的半导体清洁器,其特征在于,所述清洁机构(2)固定于高度可调的支撑杆(7)的杆顶。
3.根据权利要求2所述的半导体清洁器,其特征在于,所述操作台(1)上开设有多个小孔,所述操作台(1)内部设置有清洁剂回收皿(8)。
4.根据权利要求3所述的半导体清洁器,其特征在于,所述操作台(1)上设置有半导体夹持机构。
5.根据权利要求4所述的半导体清洁器,其特征在于,所述喷头(4)的喷口处设置有雾化器。
6.根据权利要求5所述的半导体清洁器,其特征在于,所述风扇(3)的扇片上涂覆有防腐蚀涂层。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN105618414A (zh) * 2016-03-15 2016-06-01 李赵和 一种半导体硅片清洗机双头清洗枪
CN108246705A (zh) * 2017-12-15 2018-07-06 滁州亿扬零部件制造有限公司 一种汽车零部件清洗工装

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105618414A (zh) * 2016-03-15 2016-06-01 李赵和 一种半导体硅片清洗机双头清洗枪
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