CN203320121U - 磁控溅射屏蔽罩 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种磁控溅射屏蔽罩，包括由透明材料制成的中空圆柱状的外罩以及空心环形托盘，所述外罩的底端的周面上均匀间隔设有三个开口，所述外罩的底端外周面上还固定设有三个基座，基座内开有通孔；所述空心环形托盘水平设于外罩内的上半部分，空心环形托盘通过若干根固定杆与外罩相连。由于采用透明材料可以方便整个溅射过程的观察及溅射之后的清洗，并且本实用新型的磁控溅射屏蔽罩与基体的距离非常的接近，减少了污染。而下端的开口设计有利于保证靶罩内的氩气气氛充足。
Description
技术领域
本实用新型涉及磁控溅射技术，更具体地说，是涉及一种磁控溅射屏蔽罩。
背景技术
磁控溅射是通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度来增加溅射率。电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生Ar+和新的电子；新电子飞向基片，Ar+在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射的过程中，一部分电子和负离子进入阳极，一部分正离子进入阴极，还有一部分带电粒子与器壁发生碰撞，发生复合。这部分与器壁发生复合的粒子，对磁控室腔体的污染很严重，再次溅射实验时，对溅射基体和靶材造成二次污染。由于磁控室的结构比较复杂，清洗比较麻烦且不能清洗干净。因而需要对溅射靶进行保护，将带电粒子屏蔽，避免或降低溅射过程带电离子对磁控室的影响。
目前的磁控溅射仪器中都配有一个简单的防护罩，来到对溅射粒子的屏蔽作用。然而这种屏蔽罩由于它的高度距离基体的距离较远，还有很大一部分的溅射粒子从这个空隙中飞溅出去，对基片及磁控室腔体造成污染。该屏蔽的高度调节有限，且采用不锈钢材料，不能清楚的观察到辉光的强弱及形貌。目前使用的磁控溅射设备多采用在靶材阴极引入径向磁场，而轴向磁场对溅射镀膜的影响也研究的较多，而引入磁场多采用永久磁铁或通电螺线管。因此该屏蔽罩不利于对磁控室腔体的保护以及溅射过程的观察，且对于永久的磁铁或通电螺线管的放置均不方便。
实用新型内容
针对现有技术中存在的缺陷，本实用新型的目的是提供一种磁控溅射屏蔽罩。
为达到上述目的，本实用新型采用如下的技术方案：
一种磁控溅射屏蔽罩，包括由透明材料制成的中空圆柱状的外罩以及空心环形托盘，所述外罩的底端的周面上均匀间隔设有三个开口，所述外罩的底端外周面上还固定设有三个基座，基座内开有通孔；
所述空心环形托盘水平设于外罩内的上半部分，空心环形托盘通过若干根固定杆与外罩相连。
还包括垂直调节机构，所述垂直调节机构包括卡槽以及螺母，所述卡槽沿外罩的轴向开设在外罩的周面上，卡槽的开口端设于外罩的顶端；所述固定杆的外端水平穿过所述卡槽，所述固定杆的外端设有外螺纹，所述固定杆与所述螺母螺纹连接；所述卡槽的数量与所述固定杆的数量相一致。
所述卡槽的高度为外罩高度的1/2至1/3。
所述透明材料为透明的亚克力玻璃。
所述空心环形托盘的直径范围为30-60mm。
所述通孔为腰型孔。
与现有技术相比，采用本实用新型的一种磁控溅射屏蔽罩，包括由透明材料制成的中空圆柱状的外罩以及空心环形托盘，所述外罩的底端的周面上均匀间隔设有三个开口，所述外罩的底端外周面上还固定设有三个基座，基座内开有通孔；所述空心环形托盘水平设于外罩内的上半部分，空心环形托盘通过若干根固定杆与外罩相连。由于采用透明材料可以方便整个溅射过程的观察及溅射之后的清洗，并且本实用新型的磁控溅射屏蔽罩与基体的距离非常的接近，减少了污染。而下端的开口设计有利于保证靶罩内的氩气气氛充足。
附图说明
图1为本实用新型的外罩的结构示意图；
图2为图1中的外罩的左视图；
图3为本实用新型的空心环形托盘以及固定杆的结构示意图；
图4为图1中的外罩的俯视图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例进一步说明本实用新型的技术方案。
请参阅图1、图2、图3、图4所示的一种磁控溅射屏蔽罩，包括由透明材料制成的中空圆柱状的外罩11以及空心环形托盘12，外罩11的底端的周面上均匀间隔设有三个开口13，外罩11的底端外周面上还固定设有三个基座14，基座14内开有通孔15；
空心环形托盘12水平设于外罩11内的上半部分，空心环形托盘12通过3根固定杆16与外罩11相连。
开口的位置对应着进气口及出气口，以保证在溅射的过程中屏蔽罩内的进气及出气。空心环形托盘12上用于放置永久磁铁。
还包括垂直调节机构，垂直调节机构包括卡槽17以及螺母（图中未示出），卡槽17沿外罩11的轴向开设在外罩11的周面上，卡槽17的开口端设于外罩11的顶端；固定杆16的外端水平穿过卡槽17，固定杆16的外端设有外螺纹（图中未示出），固定杆16与螺母采用螺纹连接。卡槽17的数量与固定杆16的数量相一致。固定杆16可以上下移动，改变外加磁场与靶材之间的距离。通过上下移动空心环形托盘12便于研究不同强度及不同位置的磁场对磁控溅射镀膜的影响
较佳地，卡槽17的高度为外罩11高度的1/2至1/3。
较佳地，透明材料为透明的亚克力玻璃。
较佳地，空心环形托盘的直径范围为30-60mm。
较佳地，通孔为腰型孔。
使用时，将本实用新型的磁控溅射屏蔽罩与基片间的距离保持在0.1mm，在实验的过程中基片能够旋转。通过调节空心环形托盘12的位置便于研究外加磁场与靶材之间的距离变化的实验。
本技术领域中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本实用新型的目的，而并非用作对本实用新型的限定，例如固定杆的数量除3根外，还可以是2根、4根、5根等其他数量，只要在本实用新型的实质范围内，对以上所述实施例的变化、变型都将落在本实用新型的权利要求的范围内。
Claims (7)
1.一种磁控溅射屏蔽罩，其特征在于：
包括由透明材料制成的中空圆柱状的外罩以及空心环形托盘，所述外罩的底端的周面上均匀间隔设有三个开口，所述外罩的底端外周面上还固定设有三个基座，基座内开有通孔；
所述空心环形托盘水平设于外罩内的上半部分，空心环形托盘通过若干根固定杆与外罩相连。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射屏蔽罩，其特征在于：
还包括垂直调节机构，所述垂直调节机构包括卡槽以及螺母，所述卡槽沿外罩的轴向开设在外罩的周面上，卡槽的开口端设于外罩的顶端；所述固定杆的外端水平穿过所述卡槽，所述固定杆的外端设有外螺纹，所述固定杆与所述螺母螺纹连接；所述卡槽的数量与所述固定杆的数量相一致。
3.根据权利要求2所述的磁控溅射屏蔽罩，其特征在于：
所述卡槽的高度为外罩高度的1/2至1/3。
4.根据权利要求1所述的磁控溅射屏蔽罩，其特征在于：
所述透明材料为透明的亚克力玻璃。
5.根据权利要求1所述的磁控溅射屏蔽罩，其特征在于：
所述空心环形托盘的直径范围为30-60mm。
6.根据权利要求1所述的磁控溅射屏蔽罩，其特征在于：
所述通孔为腰型孔。
7.根据权利要求1所述的磁控溅射屏蔽罩，其特征在于：
所述固定杆的数量为3根。
Priority Applications (1)
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| CN2013203397979U CN203320121U (zh) | 2013-06-14 | 2013-06-14 | 磁控溅射屏蔽罩 |
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| CN2013203397979U CN203320121U (zh) | 2013-06-14 | 2013-06-14 | 磁控溅射屏蔽罩 |
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Country Status (1)
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109457224A (zh) * | 2017-09-06 | 2019-03-12 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 制程零件、半导体制造设备及半导体制造方法 |
| CN111468909A (zh) * | 2020-05-22 | 2020-07-31 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种半导体溅射腔保护罩加工方法及半导体溅射腔保护罩 |
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2013
- 2013-06-14 CN CN2013203397979U patent/CN203320121U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109457224A (zh) * | 2017-09-06 | 2019-03-12 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 制程零件、半导体制造设备及半导体制造方法 |
| CN109457224B (zh) * | 2017-09-06 | 2021-06-15 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 制程零件、半导体制造设备及半导体制造方法 |
| CN111468909A (zh) * | 2020-05-22 | 2020-07-31 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种半导体溅射腔保护罩加工方法及半导体溅射腔保护罩 |
| CN111468909B (zh) * | 2020-05-22 | 2022-08-16 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种半导体溅射腔保护罩加工方法及半导体溅射腔保护罩 |
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