CN203250093U - 阵列基板以及液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种阵列基板以及液晶显示装置，为解决现有的结构中透光率低的问题而设计。所述阵列基板，所述衬底上交替分布有公共电极以及像素电极；所述公共电极与所述像素电极之间设有绝缘的凸起。本实用新型液晶显示装置，包括第一基板、第二基板以及位于第一基板与第二基板之间的液晶层，所述第一基板为如上所述的阵列基板。本实用新型通过在公共电极与像素电极之间增设凸起，从而液晶层厚度不一，使得液晶层获得其所在处对应电场强度下的最佳偏转幅度，从而提高了透光率，具有结构简单，制作简便的优点。

Description

阵列基板以及液晶显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板以及液晶显示装置。

背景技术

如图1所示，在传统的IPS(In Plane Switching)液晶显示装置中，其中包括阵列基板1、与阵列基板相对设置的基板2，在阵列基板上交错分布有公共电极3以及像素电极4；通电时，公共电极3与像素电极4之间形成包含有平行于阵列基板1的水平分量的电场。由图1可知，阵列基板1与基板2之间液晶厚度在不同水平位置处基本相同。

图2中，横坐标为对应图1各位置；纵坐标表示的是图1中不同位置处液晶层对应其所在位置电场强度下的液晶偏转幅度示意图；图2中，直线A表示的为其所在位置处液晶层对应的最佳偏转幅度，可知位于最佳偏转幅度的液晶少。

通过上述分析可知以下结论

1：在公共电极以及像素电极的正上方区域水平电场强度弱；

2：公共电极与像素电极水平连线的中点处水平电场强度强。然而不同水平电场强度对应同一厚度的液晶的偏转幅度不同，且液晶偏幅度过大或过小均会导致液晶的透光率偏低。

图3为图1所述液晶显示装置中的各处透光率示意图，公共电极3与像素电极4所在像素内各处液晶偏转幅度存在局部过大或过小，从而透光率不均匀，导致该像素的透光率低，最终导致整个显示面板的平均透光率偏低。

实用新型内容

（一）实用新型目的

本实用新型旨在提供一种透光率高的阵列基板以及液晶显示装置。

（二）技术方案

为达上述目的，本实用新型阵列基板，包括衬底；所述衬底上交替分布有公共电极以及像素电极；所述公共电极与所述像素电极之间设有绝缘的凸起。

优选地，所述凸起由所述公共电极处和所述像素电极水平连线的两端，向所述公共电极和所述像素电极水平连线的中点处平滑拱起。

优选地，所述凸起截面呈半圆状、半椭圆状或波浪状。

优选地，所述凸起与所述衬底为一体成型形成的连体结构。

优选地，所述凸起为设置在所述衬底上的钝化层。

为达上述目的，本实用新型液晶显示装置，包括第一基板、第二基板以及位于第一基板与第二基板之间的液晶层，所述第一基板为如上所述的阵列基板。

（三）本实用新型的有益效果

本实用新型的有益效果本实用新型阵列基板以及液晶显示装置，通过在公共电极与像素电极之间设置中间高两边低的凸起，从而像素电极与公共电极之间像素区域内各处的液晶层厚度改变了，从而在水平电场强度不变的情况下，减小了公共电极与像素电极水平连线中点位置处的偏转幅度，增大了公共电极与像素电极水平连线两端处的液晶偏转幅度，从而提升了液晶的透光率，从而提高了液晶层平均透光率，从而提高了液晶显示装置的亮度，且同时具有透光率高，结构简单，制作简便的优点。

附图说明

图1为现有的显示装置的剖面结构及电场分布示意图；

图2为图1所述显示装置各位置处液晶层的液晶偏转幅度示意图；

图3为图1所述显示装置中的各位置处透光率；

图4为本实用新型实施例所述的阵列基板剖面结构示意图；

图5为本实用新型实施例所述的液晶显示装置的剖面结构及电场分布示意图；

图6为图5所述液晶显示转置的各处液晶层的液晶偏转幅度示意图；

图7为图5所述液晶显示装置的各位置处的透光率。

具体实施方式

下面结合说明书附图以及实施例对本实用新型阵列基板做进一步的说明。

如图4所示，本实施例阵列基板，包括衬底11以及交替分布在所述衬底11上的公共电极13与像素电极14，所述公共电极13与像素电极14之间设有绝缘的凸起10。

上述结构，在通电时，公共电极13与像素电极14之间可以形成基本上平行于衬底11的电场，且各处平行衬底11的电场强度可认为相对于现有同型号、同尺寸的阵列基板的电场强度是不变。不同的是在本实施例中所述的阵列基板上设有凸起10，凸起10用于调整组成液晶显示装置后液晶层的厚度，从而通过液晶厚度的改变，改善局部液晶过度偏转以及局部液晶偏转不够的问题，从而提高液晶透光率的均一性，从而提高液晶层的整体透光率。

在具体的实施过程中，所述凸起的各处的厚度可以根据水平电场强度、液晶厚度以及液晶偏转幅度进行设置，而整体上是中间厚两边薄。

进一步地，所述凸起10由所述公共电极和所述像素电极水平连线的两端，向公共电极与像素电极水平连线的中点平滑拱起。由于公共电极以及像素电极在各处形成的平行于衬底的水平电场强度的变化是平滑的——无阶跃变化的，故在本实施例中进一步的固定了所述凸起10从低到高也设置成平滑变化的，而不是存在截面呈三角形的凸起，从而能进一步的保证有更多的液晶层位于偏转幅度最佳处。所述凸起为有机树脂或通过构图工艺制作的绝缘层或玻璃。

具体地，所述凸起的仅需保证中间高两边低或于此同时保证上表面平滑变化即可，然而在本实施例进一步的规定了所述凸起截面呈小半圆状（即凸起上表面形成的弧状为劣弧）或半椭圆状或波浪状。或者其上表面呈开口向下的抛物线状等。采用上述形状时，加工简便，制作方便。

本实施例上述基础上，进行了进一步的优化，具体的如下：

所述凸起10与所述衬底11为一体成型形成的连体结构。这样成型简便，没有添加新的制作步骤。所述衬底11可以是玻璃衬底也可以是树脂衬底，若所述衬底11为玻璃衬底，则所述凸起10的材质为玻璃，所述衬底为树脂衬底，则所述凸起的材质为树脂。

在具体的设置过程中，所述凸起10与所述衬底11单独设置，具体的如所述凸起10为透过构图工艺形成的钝化层。

下面结合说明书附图以及实施例对本实用新型阵列基板做进一步的说明。

如图5所示，本实施例液晶显示装置，包括第一基板11、第二基板12以及位于第一基板11与第二基板12之间的液晶层，所述第一基板11为上述实施例中任一所述的阵列基板。由图示可知公共电极13与像素电极14之间设有中间高两边低的凸起，而由于所述凸起的设置，使得位于第一基板11与第二基板12之间的空间的厚度发生了变化，使得在像素电极14与公共电极13之间的位置薄，靠近公共电极13以及像素电极14处薄，这样就针对现有的结构中在公共电极13与像素电极14处液晶层厚度过大导致液晶偏转幅度过大，像素电极或公共电极附近区域处液晶层厚度过小导致液晶偏转幅度不足，导致液晶平均透光率过低的问题进行了改良，通过液晶厚度的改变，减少或杜绝液晶偏转幅度过大，减少液晶偏转幅度不足的，从而提高了液晶层整体的透光率，从而可以提升液晶显示装置的亮度。

图6的横坐标对应的是图5中阵列基板的各位置处，纵坐标对应的各位置液晶厚度对应的偏转幅度，直线B为最佳偏转幅度；从图6与图2的比较可知，在图6中，明显的与最佳偏转幅度重叠的液晶多，从而透光率也高。具体的如图7所示，由于与最佳偏转幅度重叠的液晶多，平均透光率也高了，从而本实施例所述液晶显示装置具有透光率高的优点。

所示显示装置可以是任意将公共电极以及像素电极分布在同一基板上的显示装置，具体如IPS显示装置，而上述装置由于将驱使液晶层偏转的电极设置在同一基板上，导致透光率较低，而本实用新型通过改变阵列基板的形状，使各处液晶层在进行图像显示获得使液晶层透光率较高的偏转幅度，从而达到了提高透光率的效果。

以上实施方式仅用于说明本实用新型，而并非对本实用新型的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本实用新型的范畴，本实用新型的专利保护范围应由权利要求限定。

Claims (6)

1.一种阵列基板，包括衬底，其特征在于，所述衬底上交替分布有公共电极以及像素电极；所述公共电极与所述像素电极之间设有绝缘的凸起。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述凸起由所述公共电极处和所述像素电极水平连线的两端，向所述公共电极和所述像素电极水平连线的中点处平滑拱起。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述凸起截面呈半圆状、半椭圆状或波浪状。

4.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述凸起与所述衬底为一体成型形成的连体结构。

5.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述凸起为设置在所述衬底上的钝化层。

6.一种液晶显示装置，包括第一基板、第二基板以及位于第一基板与第二基板之间的液晶层，其特征在于，所述第一基板为如权利要求1-5任一所述的阵列基板。

Images