CN203232698U - 一种具有干扰防护的移动硬盘 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种具有干扰防护的移动硬盘，它包括移动硬盘的接口，所述的接口上连接有干扰防护电路，所述的干扰防护电路包括场效应管MOS1、场效应管MOS2、场效应管MOS3、可控硅整流器SCR、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、比较器和三极管。其优点是：电路结构简单，便于小型化集成，符合移动硬盘小型化发展方向。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种硬盘，更具体的说是涉及一种具有干扰防护的移动硬盘。
背景技术
移动硬盘作为信息存储的媒介之一，在现代社会其的作用越来越大。数据安全一直是移动存储用户最为关心的问题，也是人们衡量该类产品性能好坏的一个重要标准。移动硬盘以高速、大容量、轻巧便捷等优点赢得许多用户的青睐。移动硬盘的内部集成有许多电子元器件，来自外界的干扰对其有很大的杀伤力，导致内部数据的丢失，这将给人们带来严重的损失。由于其的便携，其也朝迷你小巧方向发展，但是由于其内部的电子结构复杂，不便于小型化集成，不符合这个方向。
实用新型内容
本实用新型提供一种具有干扰防护的移动硬盘，其电路结构简单，便于小型化集成，符合移动硬盘小型化发展方向。
为解决上述的技术问题，本实用新型采用以下技术方案：
一种具有干扰防护的移动硬盘，它包括移动硬盘的接口，所述的接口上连接有干扰防护电路，所述的干扰防护电路包括场效应管MOS1、场效应管MOS2、场效应管MOS3、可控硅整流器SCR、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、比较器和三极管，所述的场效应管MOS3的漏极同时与场效应管MOS2的漏极、电阻R1的一端、电阻R3的一端、电阻R4的一端相连，所述的场效应管MOS3的栅极与其的源极相连且同时连接在VDD上，所述的电阻R1的另一端串接在电阻R2上，且电阻R2的另一端接地，所述的电阻R3的另一端同时与三极管的基极和集电极相连，所述的三极管的发射极接地，所述的电阻R4的另一端连接在场效应管MOS1的源极上，所述的场效应管MOS1的漏极接地，栅极连接在比较器的输出端上，所述的比较器的一个输入端与三极管集电极相连，另一端连接在电阻R1和电阻R2之间，所述的可控硅整流器SCR的一端连接在场效应管MOS3的源极上，另一端同时连接在场效应管MOS2的栅极和源极上且接地。可控硅整流器SCR具有效率高、无机械噪声和磨损、响应速度快、体积小、重量轻等诸多优点。在实际的使用中，比较器的基准电压由三极管支路产生，干扰电压经过电阻分压输入到比较器进行检测，，比较器检测到过压后，输出信号开启开关场效应管MOS1，将干扰电流泄放。若未处理完全，场效应管MOS2、场效应管MOS3和可控硅整流器SCR再根据干扰电压的电性对其进行泄放，且场效应管MOS2、场效应管MOS3和可控硅整流器SCR可提供多条泄放通路。本电路采用10个电子元器件即可实现对干扰电流的泄放，其电路结构简单，集成时不会占用太多的空间，符合移动硬盘朝小型化发展的需求。
更进一步的技术方案是:
所述的场效应管MOS1和场效应管MOS3均为P型场效应管。
所述的场效应管MOS2为N型场效应管。
所述的电阻R4的阻值大于电阻R3的阻值。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
1、本实用新型可对作用于移动硬盘的干扰电路进行有效的泄放，避免干扰对移动硬盘的内部数据造成破坏，避免给人们带来损失。
2、本实用新型的电路结构简单，便于集成，集成时不会占用太多空间，符合移动硬盘小型化发展的方向。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明。
图1为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。本实用新型的实施方式包括但不限于下列实施例。
[实施例]
如图1所示的一种具有干扰防护的移动硬盘，它包括移动硬盘的接口，所述的接口上连接有干扰防护电路，所述的干扰防护电路包括场效应管MOS1、场效应管MOS2、场效应管MOS3、可控硅整流器SCR、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、比较器和三极管，所述的场效应管MOS3的漏极同时与场效应管MOS2的漏极、电阻R1的一端、电阻R3的一端、电阻R4的一端相连，所述的场效应管MOS3的栅极与其的源极相连且同时连接在VDD上，所述的电阻R1的另一端串接在电阻R2上，且电阻R2的另一端接地，所述的电阻R3的另一端同时与三极管的基极和集电极相连，所述的三极管的发射极接地，所述的电阻R4的另一端连接在场效应管MOS1的源极上，所述的场效应管MOS1的漏极接地，栅极连接在比较器的输出端上，所述的比较器的一个输入端与三极管集电极相连，另一端连接在电阻R1和电阻R2之间，所述的可控硅整流器SCR的一端连接在场效应管MOS3的源极上，另一端同时连接在场效应管MOS2的栅极和源极上且接地。
所述的场效应管MOS1和场效应管MOS3均为P型场效应管。
所述的场效应管MOS2为N型场效应管。
所述的电阻R4的阻值大于电阻R3的阻值。
如上所述即为本实用新型的实施例。本实用新型不局限于上述实施方式，任何人应该得知在本实用新型的启示下做出的结构变化，凡是与本实用新型具有相同或相近的技术方案，均落入本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种具有干扰防护的移动硬盘，它包括移动硬盘的接口，其特征在于：所述的接口上连接有干扰防护电路，所述的干扰防护电路包括场效应管MOS1、场效应管MOS2、场效应管MOS3、可控硅整流器SCR、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、比较器和三极管，所述的场效应管MOS3的漏极同时与场效应管MOS2的漏极、电阻R1的一端、电阻R3的一端、电阻R4的一端相连，所述的场效应管MOS3的栅极与其的源极相连且同时连接在VDD上，所述的电阻R1的另一端串接在电阻R2上，且电阻R2的另一端接地，所述的电阻R3的另一端同时与三极管的基极和集电极相连，所述的三极管的发射极接地，所述的电阻R4的另一端连接在场效应管MOS1的源极上，所述的场效应管MOS1的漏极接地，栅极连接在比较器的输出端上，所述的比较器的一个输入端与三极管集电极相连，另一端连接在电阻R1和电阻R2之间，所述的可控硅整流器SCR的一端连接在场效应管MOS3的源极上，另一端同时连接在场效应管MOS2的栅极和源极上且接地。
2.根据权利要求1所述的一种具有干扰防护的移动硬盘，其特征在于：所述的场效应管MOS1和场效应管MOS3均为P型场效应管。
3.根据权利要求2所述的一种具有干扰防护的移动硬盘，其特征在于：所述的场效应管MOS2为N型场效应管。
4.根据权利要求1所述的一种具有干扰防护的移动硬盘，其特征在于：所述的电阻R4的阻值大于电阻R3的阻值。
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| CN 201320261736 CN203232698U (zh) | 2013-05-15 | 2013-05-15 | 一种具有干扰防护的移动硬盘 |
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|---|---|---|---|---|
| CN103268771A (zh) * | 2013-05-15 | 2013-08-28 | 成都市宏山科技有限公司 | 具有干扰防护功能的移动硬盘 |
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- 2013-05-15 CN CN 201320261736 patent/CN203232698U/zh not_active Expired - Fee Related
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| CN103268771B (zh) * | 2013-05-15 | 2015-09-09 | 成都市宏山科技有限公司 | 具有干扰防护功能的移动硬盘 |
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| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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