CN209088539U - 延长mos管使用寿命的保护电路结构 - Google Patents

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曹骞
王坤
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Abstract

本实用新型涉及一种延长MOS管使用寿命的保护电路结构,包括RC保护电路,一端与MOS管的漏极相连接,另一端与MOS管的源极相连接;MOS管的栅极与控制管脚相连接;MOS管的漏极正向偏置;MOS管的源极反向偏置。采用了本实用新型的延长MOS管使用寿命的保护电路结构,改善了常用的MOS管保护器件在电路断电后,由于反向瞬态感应电动势的存在对MOS管的破坏作用,基于阻容放电特性,在MOS管两端加阻容保护电路,使瞬态感应电动势破坏作用消失,成本低,操作简便,适用范围较为广泛。

Description

延长MOS管使用寿命的保护电路结构
技术领域
本实用新型涉及MOS管领域,尤其涉及MOS管保护领域,具体是指一种延长MOS管使用寿命的保护电路结构。
背景技术
MOS管具有耐电压高,低导通阻抗的特性(导通阻抗20mΩ),当断电后,电路中存在反向瞬态感应电动势,此电动势造成MOS管被破坏,延缓MOS管使用寿命,本实用新型基于阻容放电特性,在MOS管两端加阻容保护电路,使瞬态感应电动势破坏作用消失。
实用新型内容
本实用新型的目的是克服了上述现有技术的缺点,提供了一种成本低、操作简便、适用范围较为广泛的延长MOS管使用寿命的保护电路结构。
为了实现上述目的,本实用新型的延长MOS管使用寿命的保护电路结构如下:
该延长MOS管使用寿命的保护电路结构,其主要特点是,所述的电路结构包括RC保护电路,一端与MOS管的漏极相连接,另一端与MOS管的源极相连接;MOS管的栅极与控制管脚相连接;MOS管的漏极正向偏置;MOS管的源极反向偏置。
较佳地,所述的RC保护电路包括电阻和电容,所述的电阻和电容串联跨接于所述的MOS管的漏极与源极之间。
较佳地,所述的电阻的电阻值可以为KΩ级。
较佳地,所述的电容的电容值可以为pF级。
采用了本实用新型的延长MOS管使用寿命的保护电路结构,改善了常用的MOS管保护器件在电路断电后,由于反向瞬态感应电动势的存在对MOS管的破坏作用,基于阻容放电特性,在MOS管两端加阻容保护电路,使瞬态感应电动势破坏作用消失,成本低,操作简便,适用范围较为广泛。
附图说明
图1为本实用新型的延长MOS管使用寿命的保护电路结构的电路结构图。
具体实施方式
为了能够更清楚地描述本实用新型的技术内容,下面结合具体实施例来进行进一步的描述。
该延长MOS管使用寿命的保护电路结构,其中,所述的系统包括RC保护电路,一端与MOS管的漏极(D极)相连接,另一端与MOS管的源极(S极)相连接;MOS管的栅极(G极)与控制管脚相连接;该MOS管的漏极正向偏置;MOS管的源极反向偏置。
作为本实用新型的优选实施方式,所述的RC保护电路包括电阻R和电容C,所述的电阻R和电容C串联跨接于所述的MOS管的漏极与源极之间。
作为本实用新型的优选实施方式,所述的电阻R的电阻值可以为KΩ级,也可以根据需要选择其它合适的阻值。
作为本实用新型的优选实施方式,其中,所述的电容C的电容值可以为pF级,也可以根据需要选择其它合适的阻值。
本实用新型的具体实施方式中,如图1所示,MOS管保护电路,栅极接控制管脚,漏极正向偏置,源极反向偏置,电路断电瞬间由于感应电动势的存在。源极会正偏,漏极反向偏置,此时MOS管器件会被破坏,减少MOS管使用寿命.本实用新型在电路漏极,源极之间加RC保护电路,可以起到保护电路,减小反向瞬态感应电动势对MOS管的破坏作用。
如图1,断电后反向感应电动势通过电阻R对电容C充电,充电作用的存在抵消了反向电动势对MOS管的破坏作用。
取值:电阻R取值K级,电容C取值pF级。
采用了本实用新型的延长MOS管使用寿命的保护电路结构,改善了常用的MOS管保护器件在电路断电后,由于反向瞬态感应电动势的存在对MOS管的破坏作用,基于阻容放电特性,在MOS管两端加阻容保护电路,使瞬态感应电动势破坏作用消失,成本低,操作简便,适用范围较为广泛。
在此说明书中,本实用新型已参照其特定的实施例作了描述。但是,很显然仍可以作出各种修改和变换而不背离本实用新型的精神和范围。因此,说明书和附图应被认为是说明性的而非限制性的。

Claims (4)

1.一种延长MOS管使用寿命的保护电路结构,其特征在于,所述的电路结构包括RC保护电路,一端与MOS管的漏极相连接,另一端与MOS管的源极相连接;MOS管的栅极与控制管脚相连接;MOS管的漏极正向偏置;MOS管的源极反向偏置。
2.根据权利要求1所述的延长MOS管使用寿命的保护电路结构,其特征在于,所述的RC保护电路包括电阻(R)和电容(C),所述的电阻(R)和电容(C)串联跨接于所述的MOS管的漏极与源极之间。
3.根据权利要求2所述的延长MOS管使用寿命的保护电路结构,其特征在于,所述的电阻(R)的电阻值为KΩ级。
4.根据权利要求2所述的延长MOS管使用寿命的保护电路结构,其特征在于,所述的电容(C)的电容值为pF级。
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