CN203218265U - 一种复合存储器 - Google Patents
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Abstract
如何结合各存储器的优点，集成在一起，形成复合的多态的存储器具有重要的意义。本实用新型提供一种复合存储器，包括衬底、电极、电阻型存储介质、永磁记录材料，其中，电阻型存储介质生长在电极上，永磁记录材料生长在电阻型存储介质上，电极、电阻型存储介质和永磁记录材料构成一个复合存储单元；复合存储单元形成的阵列生长在衬底上。本实用新型将磁存储器与电阻性存储器复合在一起，信息既可以存储在永磁记录材料中，也可以存储在电阻型存储介质中，形成了多态的存储器，在未来高密度的存储领域具有很好的应用前景。
Description
技术领域
本实用新型涉及存储器领域，尤其涉及到一种复合存储器。
背景技术
存储器包括磁存储器，光盘存储器等。随着科技的发展，现在出现了电阻型存储器。如何结合各存储器的优点，集成在一起，形成复合的多态的存储器具有重要的意义。
实用新型内容
本实用新型提供一种复合存储器，将磁存储器与电阻性存储器复合在一起，形成了多态的存储器，在未来高密度的存储领域具有很好的应用前景。本实用新型所处采取的技术方案为，一种复合存储器，包括衬底、电极、电阻型存储介质、永磁记录材料，其中，电阻型存储介质生长在电极上，永磁记录材料生长在电阻型存储介质上，电极、电阻型存储介质和永磁记录材料构成一个复合存储单元；复合存储单元形成的阵列生长在衬底上。
本实用新型将磁存储器与电阻性存储器复合在一起，信息既可以存储在永磁记录材料中，也可以存储在电阻型存储介质中，形成了多态的存储器，在未来高密度的存储领域具有很好的应用前景。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图中：1衬底、2电极、3电阻型存储介质、4永磁记录材料。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。
图1为本实用新型的结构示意图，衬底1、电极2、电阻型存储介质3、永磁记录材料4，其中，电阻型存储介质3生长在电极2上，永磁记录材料4生长在电阻型存储介质3上，电极2、电阻型存储介质3和永磁记录材料4构成一个复合存储单元；复合存储单元形成的阵列生长在衬底1上。本实用新型将磁存储器与电阻性存储器复合在一起，信息既可以存储在永磁记录材料4中，也可以存储在电阻型存储介质3中，形成了多态的存储器，在未来高密度的存储领域具有很好的应用前景。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (1)
1.一种复合存储器，包括衬底、电极、电阻型存储介质、永磁记录材料，其特征在于：
所述的电阻型存储介质生长在电极上，永磁记录材料生长在电阻型存储介质上，电极、电阻型存储介质和永磁记录材料构成一个复合存储单元；
所述的复合存储单元形成的阵列生长在衬底上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN 201320244952 CN203218265U (zh) | 2013-04-25 | 2013-04-25 | 一种复合存储器 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN 201320244952 CN203218265U (zh) | 2013-04-25 | 2013-04-25 | 一种复合存储器 |
Publications (1)
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Family
ID=49207776
Family Applications (1)
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| CN 201320244952 Expired - Fee Related CN203218265U (zh) | 2013-04-25 | 2013-04-25 | 一种复合存储器 |
Country Status (1)
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2013
- 2013-04-25 CN CN 201320244952 patent/CN203218265U/zh not_active Expired - Fee Related
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Granted publication date: 20130925 Termination date: 20140425 |