CN203165892U - 同向阵列式整流桥堆 - Google Patents

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王双
王毅
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Abstract

同向阵列式整流桥堆。提供了一种结构紧凑，整体布局更加合理，进而有效降低产品体积和成本的同向阵列式整流桥堆。包括芯片一~四、框架一~四和跳线一~四，所述框架一~四由各自的本体和引脚构成，四只所述的框架呈对侧布局，其中所述框架一和框架三的本体呈矩形，相互之间保持绝缘距离、处于所述对侧布局的一侧；所述框架二和框架四的本体呈C形，相互之间呈咬合位置关系、且保持绝缘距离、处于所述对侧布局的另一侧；所述芯片一布设在所述框架一本体的正面，所述芯片二和芯片四分别布设在所述框架四本体的正面，所述芯片三布设在所述框架三本体的正面，所述芯片一~四的极性朝向一致。本实用新型中的产品质量稳定，成本大幅度降低。

Description

同向阵列式整流桥堆
技术领域
本实用新型涉及对单相二极管整流桥堆芯片结构的改进。
背景技术
现有技术中的单相二极管整流桥堆如图2所示，其具有两个引线框，由于结构关系，芯片一11和芯片四14的P面（小）朝下，芯片二12、芯片三13的N面（大面）朝下。这种结构形式在本领域沿用至今，在生产中需要操作者仔细分辨、摆放芯片，如有不慎摆放错误，则该成品即报废，需要操作者全神贯注，这使得操作者的劳动强度较大，生产效率较低。尽管大面和小面的面积相差不大，但在使用时，大面接近散热面能提升产品的散热效果。
本申请人2011-11-16递交的，公开号：CN202332840U，名称“单向整流桥堆”的专利文件中公开了一种单相二极管整流桥堆的结构。为克服了需要分辨芯片摆放方向的问题，调整了框架的结构，但是该案的结构设计，一是需要识别所述的角部是段差面还是锐角角部平面，从而完成PN结的焊接工作；二是框架的整体结构使得产品最终的平面面积大，体积大，结构松散，消耗的资源更多，产品的成本仍处于高位。
发明内容
本实用新型针对以上问题，提供了一种结构紧凑，整体布局更加合理，进而有效降低产品体积和成本的同向阵列式整流桥堆。
本实用新型的技术方案是：包括芯片一~四、框架一~四和跳线一~四，所述框架一~四由各自的本体和引脚构成，四只所述的框架呈对侧布局，其中所述框架一和框架三的本体呈矩形，相互之间保持绝缘距离、处于所述对侧布局的一侧；所述框架二和框架四的本体呈C形，相互之间呈咬合位置关系、且保持绝缘距离、处于所述对侧布局的另一侧；所述芯片一布设在所述框架一本体的正面，所述芯片二和芯片四分别布设在所述框架四本体的正面，所述芯片三布设在所述框架三本体的正面，所述芯片一~四的极性朝向一致；
所述跳线一连接芯片一的顶面和框架二的顶面，
所述跳线二连接框架一本体的顶面和芯片二的顶面，
所述跳线三连接框架二的顶面和芯片三的顶面，
所述跳线四连接框架三的顶面和芯片四的顶面。
所述芯片一~四的顶面和底面分别为P面和N面，
当所述芯片一~四的P面朝上时，框架一和三的引脚为交流引脚，框架二的引脚为负极、框架四的引脚为正极。
所述框架二和框架四的C形本体由长边、短边和连接边构成，
所述框架二的引脚在所述长边的边端向外延伸；
所述框架四的引脚在所述长边的根端向外延伸；
所述框架二的短边设在所述框架四的C形口中，所述框架四的短边设在所述框架二的C形口中。
本实用新型在框架平面布局上，采取的对侧布局，所有芯片的极性朝向一致。其中一侧采用了咬合形的布局结构，在更小的面积上实现整体桥路。在桥堆焊接加工时，将四个框架分别放置在规定位置，然后无需分辨极性将芯片一一焊接到位，最后再搭接跳线。整体的加工流程没有任何翻转步骤。本实用新型的优化结构布局精巧，大幅度降低了桥堆的平面面积，最终使产品更小巧、耗用的原料进一步降低，焊接效率高，操作节省人工，产品质量稳定，成本大幅度降低。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图，
图2是现有技术的结构示意图；
图中11是芯片一、12 是芯片二，13是芯片三，14是芯片四，21是框架一，22是框架二，23是框架三，24是框架四，31是跳线一，32是跳线二，33是跳线三，34是跳线四。
具体实施方式
本实用新型如图1所示，包括芯片一~四11~14、框架一~四21~24和跳线一~四31~34，所述框架一~四11~14由各自的本体和引脚构成，四只所述的框架呈对侧布局，其中所述框架一21和框架三23的本体呈矩形，相互之间保持绝缘距离、处于所述对侧布局的一侧；所述框架二22和框架四24的本体呈C形，相互之间呈咬合位置关系、且保持绝缘距离、处于所述对侧布局的另一侧；所述芯片一11布设在所述框架一21本体的正面，所述芯片二12和芯片四14分别布设在所述框架四24本体的正面，所述芯片三13布设在所述框架三23本体的正面，所述芯片一~四11~14的极性朝向一致；
所述跳线一31连接芯片一11的顶面和框架二22的顶面，
所述跳线二32连接框架一21本体的顶面和芯片二12的顶面，
所述跳线三33连接框架二22的顶面和芯片三13的顶面，
所述跳线四34连接框架三23的顶面和芯片四14的顶面。
所述芯片一~四的顶面和底面分别为P面和N面，
当所述芯片一~四的P面朝上时，框架一和三的引脚为交流引脚，框架二的引脚为负极、框架四的引脚为正极。
所述框架二和框架四的C形本体由长边、短边和连接边构成，
所述框架二的引脚在所述长边的边端向外延伸；
所述框架四的引脚在所述长边的根端向外延伸；
所述框架二的短边设在所述框架四的C形口中，所述框架四的短边设在所述框架二的C形口中。

Claims (3)

1.同向阵列式整流桥堆，包括芯片一~四、框架一~四和跳线一~四，所述框架一~四由各自的本体和引脚构成，其特征在于，四只所述的框架呈对侧布局，其中所述框架一和框架三的本体呈矩形，相互之间保持绝缘距离、处于所述对侧布局的一侧；所述框架二和框架四的本体呈C形，相互之间呈咬合位置关系、且保持绝缘距离、处于所述对侧布局的另一侧；所述芯片一布设在所述框架一本体的正面，所述芯片二和芯片四分别布设在所述框架四本体的正面，所述芯片三布设在所述框架三本体的正面，所述芯片一~四的极性朝向一致；
所述跳线一连接芯片一的顶面和框架二的顶面，
所述跳线二连接框架一本体的顶面和芯片二的顶面，
所述跳线三连接框架二的顶面和芯片三的顶面，
所述跳线四连接框架三的顶面和芯片四的顶面。
2.根据权利要求1所述的同向阵列式整流桥堆，其特征在于，所述芯片一~四的顶面和底面分别为P面和N面，
当所述芯片一~四的P面朝上时，框架一和三的引脚为交流引脚，框架二的引脚为负极、框架四的引脚为正极。
3.根据权利要求1或2所述的同向阵列式整流桥堆，其特征在于，所述框架二和框架四的C形本体由长边、短边和连接边构成，
所述框架二的引脚在所述长边的边端向外延伸；
所述框架四的引脚在所述长边的根端向外延伸；
所述框架二的短边设在所述框架四的C形口中，所述框架四的短边设在所述框架二的C形口中。
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GR01 Patent grant
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