CN203150079U - 一种用于液晶驱动电路的防倒灌电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了智能电网领域的一种用于液晶驱动电路的防倒灌电路，包括阴极接液晶驱动电路接地端的可控硅电路、第一电阻、二极管和第二电阻，所述可控硅电路、所述二极管和所述第一电阻形成该防倒灌电路的第一回路，所述二极管的输出端为该防倒灌电路的接线端，该防倒灌电路还包括一个NDMOS开关管，该NDMOS开关管、所述第二电阻和所述可控硅电路构成该防倒灌电路的第二回路。其技术效果是：该防倒灌电路可能够确保可控硅电路触发电压的范围，使可控硅电路能对输入滤波器数据输入端或者时钟信号输入端的瞬间ESD电压的变化及时准确响应，从而保护整个液晶驱动电路。

Description

一种用于液晶驱动电路的防倒灌电路

技术领域

本实用新型涉及智能电网领域的一种用于液晶驱动电路的防倒灌电路。 

背景技术

防倒灌电路是液晶驱动电路中的重要保护电路，液晶驱动电路中，输入滤波器的数据输入端（SDA）和时钟信号输入端（SCL）各接有一个防倒灌电路。防倒灌电路的作用是：在输入滤波器接收基于I2C协议的信号时，防止反向电流流入输入滤波器，防止输入滤波器和液晶驱动电路中的其它器件受到损伤。 

目前的防倒灌电路，如图1所示，包括阴极接液晶驱动电路接地端的的可控硅电路41、第一电阻42，第二电阻45、第一二极管51和第二二极管52，其中第一二极管51的输入端连接可控硅电路41的阴极，第一二极管51的输出端连接第一电阻42，第一电阻42连接可控硅电路41的阳极，构成该防倒灌电路的第一回路。第一二极管51的输出端为该防倒灌电路的接线端，用于连接输入滤波器的数据输入端或时钟信号输入端。第二二极管52的输入端连接可控硅电路41的阴极，第二二极管52的输出端连接第二电阻45，第二电阻45连接可控硅电路41的阳极，构成该防倒灌电路的第二回路。正常的信号输入液晶驱动电路中的输入滤波器时，不会触发该可控硅电路41，可控硅电路41处于截止状态，液晶驱动电路正常工作。当该输入滤波器的数据输入端或者时钟信号输入端瞬间的ESD电压（静电释放电压）大于可控硅电路41的触发电压时，可控硅电路41触发，第一二极管51和第二二极管52均处于饱和导通状态，在该输入滤波器的数据输入端或者时钟信号输入端和液晶驱动电路的接地端之间形成 一个快速放电的通路，电流从可控硅电路41的阳极流入，从可控硅电路41的阴极流向液晶驱动电路的接地端（VSS端），起到保护的效果。 

这样的设计存在的缺陷是：可控硅电路41触发电压的范围无法有效地进行控制，可控硅电路41在该触发的时候无法及时准确响应，不该触发的时候又经常误触发，影响了液晶驱动电路的正常运行。 

实用新型内容

本实用新型的目的是为了克服现有技术的不足，提供一种用于液晶驱动电路的防倒灌电路，其能够确保可控硅电路触发电压的范围，使可控硅电路能对输入滤波器数据输入端或者时钟信号输入端瞬间的ESD电压的变化及时准确响应，从而保护整个液晶驱动电路。 

实现上述目的的一种技术方案是：一种用于液晶驱动电路的防倒灌电路，包括阴极接液晶驱动电路接地端的可控硅电路、第一电阻、二极管和第二电阻，所述可控硅电路、所述二极管和所述第一电阻形成该防倒灌电路的第一回路，所述二极管的输出端为该防倒灌电路的接线端，该防倒灌电路还包括一个NDMOS开关管，该NDMOS开关管、所述第二电阻和所述可控硅电路构成该防倒灌电路的第二回路。 

进一步的，所述可控硅电路包括一根型PNP型三极管和一根型NPN型三极管，所述PNP型三极管的发射极和基极通过第三电阻连接，所述NPN型三极管的发射极和基极通过第四电阻连接，所述PNP型三极管的集电极接所述NPN型三极管的基极，所述NPN型三极管的集电极接所述PNP型三极管的基极，所述PNP型三极管的发射极作为该可控硅电路的阳极，所述NPN型三极管的发射极为该可控硅电路的阴极。 

进一步的，所述第一电阻的阻值至少为所述第二电阻的10倍。 

采用了本实用新型的一种用于液晶驱动电路的防倒灌电路的技术方案，即第二回路是由可控硅电路、NDMOS开关管和第二电阻组成的防倒灌电路的技术方案。其技术效果是：该防倒灌电路可能够确保可控硅电路触发电压的范围，使可控硅电路能对输入滤波器数据输入端或者时钟信号输入端瞬间的ESD电压变化及时准确响应，从而保护整个液晶驱动电路。 

附图说明

图1为现有技术的一种用于液晶驱动电路的防倒灌电路的示意图。 

图2为本实用新型的一种用于液晶驱动电路的防倒灌电路的示意图。 

图3为图2为本实用新型的一种用于液晶驱动电路的防倒灌电路中可控硅电路的示意图。 

具体实施方式

请参阅图2和图3，本实用新型的发明人为了能更好地对本实用新型的技术方案进行理解，下面通过具体地实施例，并结合附图进行详细地说明： 

请参阅图2和图3，本实用新型的一种用于液晶驱动电路的防倒灌电路包括：可控硅电路41、第一电阻42、第二电阻45、一个二极管43和一个NDMOS管44（N沟道型MOS管）。其中可控硅电路41的阴极（Cathode）接液晶驱动电路的接地端。二极管43的输入端接可控硅电路41的阴极，二极管43的输出端接第一电阻42，第一电阻42接可控硅电路41的阳极（Anode），从而构成了该防倒灌电路的第一回路。NDMOS管44的源极接可控硅电路41的阴极，NDMOS管44的漏极接第二电阻45，第二电阻45接可控硅电路41的阳极，从而构成了该防倒灌电路的第二回路。该防倒灌电路上还设有一个接线端，接线端是用来连接液晶驱动电路上输入滤波器的数据输入端（SDA）或时钟信号输入端（SCL）的。二极管43的输出端为该防倒灌电路的接线端。 

本实用新型的防倒灌电路的工作原理如下：液晶驱动电路正常工作时，输入液晶驱动电路的输入滤波器的信号为正常信号，可控硅电路41不会被触发，可控硅电路41处于截止状态。当该输入滤波器的数据输入端（SDA）或时钟信号输入端（SCL）瞬间产生的ESD电压（静电释放电压）大于可控硅电路41的触发电压时，可控硅电路41因被触发而开启，二极管43和NDMOS管44均处于饱和导通状态，由此形成一个快速放电的通路，快速释放的电流从可控硅电路41的阳极流入，再从可控硅电路41的阴极 流向液晶驱动电路的接地端，防止由于静电释放而引起的反向电流倒灌进入液晶驱动电路的输入滤波器，对液晶驱动电路起到防止电流倒灌和静电保护的效果。由于该防倒灌电路的第二回路中采用NDMOS管44代替传统的二极管，这有利于提高对可控硅电路41触发电压范围控制的准确性，使可控硅电路41能对所述输入滤波器数据输入端或者时钟信号输入端瞬间的ESD电压的变化及时准确响应，满足智能电表使用的需要。本实施例中，该防倒灌电路的维持电流大约为70ma，该防倒灌电路能够保证所述输入滤波器的数据输入端（SDA）或时钟信号输入端（SCL）外围的反向电流不会对液晶驱动电路的功能造成影响，从而保证整个液晶驱动电路满足智能电网应用的需要。 

请参阅图3，本实施例中的可控硅电路41包括一根PNP型三极管P5和一根NPN型三极管N5，PNP型三极管P5的发射极和基极通过第三电阻46连接，NPN型三极管N5的发射极和基极通过第四电阻47连接，NPN型三极管N5的集电极接PNP型三极管P5的基极，PNP型三极管P5的集电极接NPN型三极管N5的基极，PNP型三极管P5的发射极作为该可控硅电路41的阳极，NPN型三极管N5的发射极为可控硅电路41的阴极。快速释放的电流从PNP管P5的发射极流入可控硅电路41，再从NPN管N5的发射极流出可控硅电路41，流向液晶驱动电路的接地端。 

为了进一步提高可控硅电路41触发电压范围控制的准确性，第一电阻42的阻值为第二电阻45阻值的10倍以上。 

本技术领域中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本实用新型，而并非用作为对本实用新型的限定，只要在本实用新型的实质精神范围内，对以上所述实施例的变化、变型都将落在本实用新型的权利要求书范围内。 

Claims (3)

1.一种用于液晶驱动电路的防倒灌电路，包括阴极接液晶驱动电路接地端的可控硅电路（41）、第一电阻（42）、二极管（43）和第二电阻（45），所述可控硅电路（41）、所述二极管（43）和所述第一电阻（42）形成该防倒灌电路的第一回路，所述二极管（43）的输出端为该防倒灌电路的接线端，其特征在于： 

该防倒灌电路还包括一个NDMOS开关管（44），该NDMOS开关管（44）、所述第二电阻（45）和所述可控硅电路（41）构成该防倒灌电路的第二回路。 

2.根据权利要求1所述的一种用于液晶驱动电路的防倒灌电路，其特征在于：所述可控硅电路（41）包括一根PNP型三极管（P5）和一根NPN型三极管（N5），所述PNP型三极管（P5）的发射极和基极通过第三电阻（46）连接，所述NPN型三极管（N5）的发射极和基极通过第四电阻（47）连接，所述NPN型三极管（N5）的集电极接所述PNP型三极管（P5）的基极，所述PNP型三极管（P5）的集电极接所述NPN型三极管（N5）的基极，所述PNP型三极管（P5）的发射极作为该可控硅电路（41）的阳极，所述NPN型三极管（N5）的发射极为该可控硅电路（41）的阴极。 

3.根据权利要求1或2所述的一种用于液晶驱动电路的防倒灌电路，其特征在于：所述第一电阻（42）的阻值至少为所述第二电阻（45）的10倍。 

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