CN207896947U - 利用pn结反向漏电流温度特性实现高温关断的控制电路 - Google Patents

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刘明阳
肖满成
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Abstract

本实用新型属于电路保护技术领域,特别涉及利用PN结反向漏电流温度特性实现高温关断的控制电路,包括:二极管的第一端经第二电阻连接电源正极,二极管的第二端接地;开关控制单元的第一端经第一电阻连接电源正极,开关控制单元的第二端接地,开关控制单元的第三端连接在上二极管的第一端与第二电阻之间;开关第一端连接电源正极,开关第二端连接受保护电路,开关的第三端连接在开干控制单元的第一端和第一电阻之间。本实用新型利用PN结漏电流的温度特性,通过开关控制单元根据漏电电流大小控制开关的通断,在高温时自我关断,从而实现温度较高时对受保护电路的保护。本实用新型具有电路简单,无需单独的供电电路,功耗低,成本低,损耗低等优点。

Description

利用PN结反向漏电流温度特性实现高温关断的控制电路
技术领域
本发明属于电源切换电路技术领域,特别涉及利用PN结反向漏电流温度特性实现高温关断的控制电路。
背景技术
目前,市面上需要温度控制的电路,一般都会采用机械感温开关,但体积大,成本高,不利于固定和生产,另外也有采用温度传感器对温度进行监控的,但电路复杂,功耗大,成本高。
发明内容
针对以上问题,本发明旨在提供利用PN结反向漏电流温度特性实现高温关断的控制电路。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供利用PN结反向漏电流温度特性实现高温关断的控制电路,包括:
二极管,所述二极管的第一端经第二电阻连接电源正极,所述二极管的第二端接地;
开关控制单元,所述开关控制单元的第一端经第一电阻连接电源正极,所述开关控制单元的第二端接地,所述开关控制单元的第三端连接在上所述二极管的第一端与第二电阻之间;
开关,所述开关第一端连接电源正极,所述开关第二端连接受保护电路,所述开关的第三端连接在所述开干控制单元的第一端和第一电阻之间。
进一步的,所述开关控制单元为三极管,所述开关控制单元的第一端、第二端和第三端分别为所述三级管的集电极,发射极和基极。
更进一步的,所述开关为MOS管开关,所述开关的第一端、第二端和第三端分别为所述MOS管开关的源极,漏极和栅极。
再者,所述开关的第一端和第二端在开关控制单元的第一控制信号作用下导通,并在所述开关控制单元的第二控制信号下断开。
本发明利用PN结反向漏电流温度特性实现高温关断的控制电路,包括:二极管,所述二极管的第一端经第二电阻连接电源正极,所述二极管的第二端接地;开关控制单元,所述开关控制单元的第一端经第一电阻连接电源正极,所述开关控制单元的第二端接地,所述开关控制单元的第三端连接在上所述二极管的第一端与第二电阻之间;开关,所述开关第一端连接电源正极,所述开关第二端连接受保护电路,所述开关的第三端连接在所述开干控制单元的第一端和第一电阻之间。本发明利用PN结漏电流的温度特性,通过开关控制单元根据漏电电流大小控制开关的通断,在高温时自我关断,从而实现温度较高时对受保护电路的保护。本发明具有电路简单,无需单独的供电电路,功耗低,成本低,损耗低等优点。
附图说明
图1为利用PN结反向漏电流温度特性实现高温关断的控制电路示意图。
具体实施方式
以下结合图1具体说明本发明提供的利用PN结反向漏电流温度特性实现高温关断的控制电路。
如图1所示,本发明提供利用PN结反向漏电流温度特性实现高温关断的控制电路,包括:
二极管D1,所述二极管D1的第一端经第二电阻R2连接电源正极,所述二极管D1的第二端接地;
开关控制单元Q1,所述开关控制单元Q1的第一端经第一电阻R1连接电源正极,所述开关控制单元Q1的第二端接地,所述开关控制单元Q1的第三端连接在上所述二极管D1的第一端与第二电阻R2之间;
开关,所述开关第一端连接电源正极,所述开关第二端连接受保护电路,所述开关的第三端连接在所述开干控制单元的第一端和第一电阻R1之间。
进一步的,所述开关控制单元Q1为三极管,所述开关控制单元Q1的第一端、第二端和第三端分别为所述三级管的集电极,发射极和基极。
更进一步的,所述开关为MOS管开关,所述开关的第一端、第二端和第三端分别为所述MOS管开关的源极,漏极和栅极。
再者,所述开关的第一端和第二端在开关控制单元Q1的第一控制信号作用下导通,并在所述开关控制单元Q1的第二控制信号下断开。
具体原理如下:本发明利用二极管反向漏电流随温度升高而增大的特性来实现电路的高温保护。
当温度正常时,二极管漏电流Ir小,此时流过三极管的基极电流(Ib)大,满足三极管的饱和导通条件,三极管Q1处于导通状态,开关管(PMOS)在第一控制信号作用下导通,受保护电路处于工作状态。由于二极管反向漏电流随温度升高而增大的特性,所以当温度T升高时二极管的反向漏电流Ir增大,根据基尔霍夫电压电流定律,流过三极管的基极电流(Ib)随之变小,当温度T上升到温度门限值Tth时,二极管反向漏电流Ir增大到IRmax,而流过三极管基极的电流接近0,因而三极管Q1将处于关断状态,开关管(PMOS)在第二控制信号作用下断开,受保护电路停止工作,温度不再上升,从而达到高温保护的目的。
本发明利用PN结反向漏电流温度特性实现高温关断的控制电路,包括:二极管,所述二极管的第一端经第二电阻连接电源正极,所述二极管的第二端接地;开关控制单元,所述开关控制单元的第一端经第一电阻连接电源正极,所述开关控制单元的第二端接地,所述开关控制单元的第三端连接在上所述二极管的第一端与第二电阻之间;开关,所述开关第一端连接电源正极,所述开关第二端连接受保护电路,所述开关的第三端连接在所述开干控制单元的第一端和第一电阻之间。本发明利用PN结漏电流的温度特性,通过开关控制单元根据漏电电流大小控制开关的通断,在高温时自我关断,从而实现温度较高时对受保护电路的保护。本发明具有电路简单,无需单独的供电电路,功耗低,成本低,损耗低等优点。
以上所述仅为本发明的实施方式,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (4)

1.利用PN结反向漏电流温度特性实现高温关断的控制电路,其特征在于,包括:
二极管,所述二极管的第一端经第二电阻连接电源正极,所述二极管的第二端接地;
开关控制单元,所述开关控制单元的第一端经第一电阻连接电源正极,所述开关控制单元的第二端接地,所述开关控制单元的第三端连接在上所述二极管的第一端与第二电阻之间;
开关,所述开关第一端连接电源正极,所述开关第二端连接受保护电路,所述开关的第三端连接在所述开关控制单元的第一端和第一电阻之间。
2.如权利要求1所述的利用PN结反向漏电流温度特性实现高温关断的控制电路,其特征在于,所述开关控制单元为三极管,所述开关控制单元的第一端、第二端和第三端分别为所述三极管的集电极,发射极和基极。
3.如权利要求1或2任意一项所述的利用PN结反向漏电流温度特性实现高温关断的控制电路,其特征在于,所述开关为MOS管开关,所述开关的第一端、第二端和第三端分别为所述MOS管开关的源极,漏极和栅极。
4.如权利要求1所述的利用PN结反向漏电流温度特性实现高温关断的控制电路,其特征在于,所述开关的第一端和第二端在开关控制单元的第一控制信号作用下导通,并在所述开关控制单元的第二控制信号下断开。
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CN105841831A (zh) * 2015-02-03 2016-08-10 精工半导体有限公司 过热检测电路及电源装置

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