CN203133001U - 俄歇电子能谱分析设备 - Google Patents
俄歇电子能谱分析设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203133001U CN203133001U CN 201320094039 CN201320094039U CN203133001U CN 203133001 U CN203133001 U CN 203133001U CN 201320094039 CN201320094039 CN 201320094039 CN 201320094039 U CN201320094039 U CN 201320094039U CN 203133001 U CN203133001 U CN 203133001U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- auger electron
- electron spectroscopy
- probe
- analytical equipment
- conducting probe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种俄歇电子能谱分析设备，包括：真空腔室、电子枪、能量分析器、导电探针及探针控制器。所述电子枪设置于真空腔室的内部，能量分析器与真空腔室连接，所述导电探针设置于真空腔室的内部，所述探针控制器设置于真空腔室的外部，并与所述导电探针连接。本实用新型提供的俄歇电子能谱分析设备采用导电探针消除俄歇电子能谱分析中的荷电效应，从而能够得到清晰准确的分析结果。
Description
技术领域
本实用新型涉及集成电路设备技术领域，特别涉及一种俄歇电子能谱分析设备。
背景技术
俄歇电子能谱分析（AES）是一种利用俄歇效应的检测方法，其工作原理是通过一定能量的电子束轰击样品，使样品表层的电子电离，产生俄歇电子，通过收集和分析进入真空的俄歇电子对样品做定性定量的分析。因为俄歇电子具有相应的特征能量，不同的物质其俄歇电子的特征能量是不同的。因此，收集和分析从表层逃逸的俄歇电子，就可以确定样品的元素、含量及样品表面信息。俄歇电子能谱分析（AES）设备就是按照上述检测方法进行表面元素检测的设备。俄歇电子能谱分析（AES）设备一般包括真空腔室、电子枪和能量分析器。其中，电子枪设置于真空腔室的内部，能量分析器与真空腔室连接。检测过程如下：样品置于真空腔室中，真空腔室中的电子枪发射电子束轰击样品，样品的表面产生俄歇电子，俄歇电子从样品表面逸出进入真空，能量分析器收集和分析真空腔室内的俄歇电子的特征能量，得到俄歇电子能谱。俄歇电子能谱分析（AES）设备具有表面灵敏度高、束斑小等优点，因此广泛应用于半导体制造中。
但是，在俄歇电子能谱分析（AES）中，样品的导电性能对分析结果有很大的影响，导电性差的样品在电子束的作用下，样品表面会产生一定的负电荷积累，这就是俄歇电子能谱分析（AES）中的荷电效应。金属等导电性好的材料不会出现荷电效应，但是半导体材料的导电性能比较差，一般都会出现荷电效应。荷电效应会造成俄歇电子峰的漂移，严重时甚至得不到俄歇电子能谱，无法进行分析。
基此，如何消除荷电效应对俄歇电子能谱分析的影响成为本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种俄歇电子能谱分析设备以解决现有技术中荷电效应影响俄歇电子能谱分析的问题。
为解决上述问题，本实用新型提供一种俄歇电子能谱分析设备，包括；
真空腔室、电子枪、能量分析器、导电探针及探针控制器；
所述电子枪设置于真空腔室的内部，能量分析器与真空腔室连接；
所述导电探针设置于真空腔室的内部；
所述探针控制器设置于真空腔室的外部，并与所述导电探针连接。
优选的，在所述的俄歇电子能谱分析设备中，所述导电探针连接一固定电位。
优选的，在所述的俄歇电子能谱分析设备中，所述导电探针接地。
优选的，在所述的俄歇电子能谱分析设备中，所述导电探针由金属或合金制成。
优选的，在所述的俄歇电子能谱分析设备中，所述金属是钨。
优选的，在所述的俄歇电子能谱分析设备中，所述金属是铂金。
优选的，在所述的俄歇电子能谱分析设备中，所述导电探针为纳米探针。
优选的，在所述的俄歇电子能谱分析设备中，所述导电探针为微米探针。
优选的，在所述的俄歇电子能谱分析设备中，所述能量分析器包括探头和分析主机；
所述探头设置于真空腔室的内部，并与分析主机连接。
综上所述，本实用新型提供的俄歇电子能谱分析设备采用导电探针消除俄歇电子能谱分析中的荷电效应，从而能够得到清晰准确的分析结果。
附图说明
图1是本实用新型实施例的一种俄歇电子能谱分析设备的结构示意图；
图2是现有技术中未用导电探针消除荷电效应进行俄歇电子能谱分析的俄歇电子能谱；
图3是本实用新型实施例的一种俄歇电子能谱分析设备使用导电探针消除荷电效应后进行分析的俄歇电子能谱。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出一种俄歇电子能谱分析设备作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。
经过研究发现，无论是使用导电性良好的Al箔或者In箔等包裹样品，还是在样品表面镀Pt或者C等导电性薄膜，或者用导电性较好的银胶或者碳胶在检测区域建立导电通道，都无法做到既消除荷电效应又不会带来杂质影响俄歇电子能谱分析。即现有技术中采取了很多措施，但是对于消除荷电效应一直没有能够取得很好的效果。
为此，本申请提供了一种俄歇电子能谱分析设备，在本申请提供的俄歇电子能谱分析设备中，采用导电探针消除俄歇电子能谱分析中的荷电效应，从而能够得到清晰准确的分析结果。具体方案如下：
请参考图1，其为本实用新型实施例的一种俄歇电子能谱分析设备的结构示意图。如图1所示，所述俄歇电子能谱分析设备10包括：真空腔室1、电子枪2、能量分析器3、导电探针4及探针控制器5；
所述电子枪2设置于真空腔室1的内部，能量分析器3与真空腔室1连接；
其中，所述导电探针4设置于真空腔室1的内部；
所述探针控制器5设置于真空腔室1的外部，并与所述导电探针4连接。
具体的，俄歇电子能谱分析设备10包括真空腔室1、电子枪2和能量分析器3，其中电子枪2设置于真空腔室1的内部，真空腔室1与能量分析器3连接。具体的，当对样品进行俄歇电子能谱分析时，将样品放置在真空腔室1的内部，电子枪2产生的电子束轰击样品，样品产生俄歇电子，俄歇电子从样品表层逸出进入真空，能量分析器3收集和分析俄歇电子的特征能量，得到俄歇电子能谱，从而得到分析结果。俄歇电子能谱分析设备10还包括导电探针4和探针控制器5，其中，导电探针4设置于真空腔室1的内部，导电探针4连接一固定电位，也可以直接接地。导电探针4由导电性能优良的材料制成，比如金属或合金。在本实用新型实施例中，导电探针4由钨制成，钨不但具有良好的导电性而且硬度大，由钨制成的导电探针4非常耐用。当然，导电探针4也可以由其他金属制成，比如铂金，铂金制成的导电探针4同样具有良好的导电性能。而与导电探针4连接的探针控制器5设置于真空腔室1的外部，探针控制器5具有三个控制按钮，三个控制按钮分别控制导电探针4的X坐标、Y坐标和Z坐标的位置。通过调整这三个控制按钮，可以移动导电探针4的位置。
导电探针4为微米探针或纳米探针，与样品接触的面积非常小，一般在3um*3um以下。因为导电探针4与样品接触的面积非常小，所以移动导电探针4靠近检测区域不会对检测区域造成影响。导电探针4靠近检测区域的位置并与样品接触，能够消除检测区域的静电荷，却不会干扰分析。
请继续参考图1，如图1所示，能量分析器3包括探头6和分析主机7，其中探头6设置于真空腔室1的内部，探头6和分析主机7连接。
如果将现有技术中的俄歇电子能谱分析设备改造成能够消除荷电效应的俄歇电子能谱分析设备10，设备改造非常简单，只需要在机台外部增加探针控制器5，探针控制器5连接导电探针4并将导电探针4接地即可，设备改造不会影响机台内部的其他部件。
使用本实用新型俄歇电子能谱分析设备10时，首先将样品放置于真空腔室1的内部，并使其位于电子枪2的下面，之后启动电子枪2轰击样品。然后，通过真空腔室1外部的探针控制器5移动导电探针4，将接地的导电探针4靠近检测区域并与样品接触，检测区域上累积的静电荷通过导电探针4导出，消除荷电效应。然后，由靠近样品检测区域的探头6收集样品表面逸出的俄歇电子。接着，与探头6连接的分析主机7开始分析俄歇电子的特征能量，从而得到有效的俄歇电子能谱分析结果。
请参考图2，其为现有技术中未用导电探针消除荷电效应进行俄歇电子能谱分析的俄歇电子能谱。如图2所示，俄歇电子能谱中俄歇电子峰被完全覆盖（A），俄歇电子峰出现漂移（B）。
请参考图3，其为本实用新型实施例的一种俄歇电子能谱分析设备使用导电探针消除荷电效应后进行分析的俄歇电子能谱。如图3所示，俄歇电子能谱中俄歇电子峰非常清晰，俄歇电子峰也未出现漂移。
可见，使用导电探针4消除荷电效应效果非常明显，本实用新型实施例的俄歇电子能谱分析设备10通过导电探针4能够消除荷电效应，从而得到清晰准确的分析结果。
综上可见，本实用新型俄歇电子能谱分析设备采用导电探针消除荷电效应，能够避免荷电效应对俄歇电子能谱分析的影响。
上述描述仅是对本实用新型较佳实施例的描述，并非对本实用新型范围的任何限定，本实用新型领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
Claims (9)
1.一种俄歇电子能谱分析设备，其特征在于，包括：真空腔室、电子枪、能量分析器、导电探针及探针控制器；
所述电子枪设置于真空腔室的内部，能量分析器与真空腔室连接；
所述导电探针设置于真空腔室的内部；
所述探针控制器设置于真空腔室的外部，并与所述导电探针连接。
2.如权利要求1所述的俄歇电子能谱分析设备，其特征在于，所述导电探针连接一固定电位。
3.如权利要求2所述的俄歇电子能谱分析设备，其特征在于，所述导电探针接地。
4.如权利要求1所述的俄歇电子能谱分析设备，其特征在于，所述导电探针由金属或合金制成。
5.如权利要求4所述的俄歇电子能谱分析设备，其特征在于，所述金属是钨。
6.如权利要求4所述的俄歇电子能谱分析设备，其特征在于，所述金属是铂金。
7.如权利要求1至6中任一项所述的俄歇电子能谱分析设备，其特征在于，所述导电探针为纳米探针。
8.如权利要求1至6中任一项所述的俄歇电子能谱分析设备，其特征在于，所述导电探针为微米探针。
9.如权利要求1所述的俄歇电子能谱分析设备，其特征在于，所述能量分析器包括探头和分析主机；
所述探头设置于真空腔室的内部，并与分析主机连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201320094039 CN203133001U (zh) | 2013-03-01 | 2013-03-01 | 俄歇电子能谱分析设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201320094039 CN203133001U (zh) | 2013-03-01 | 2013-03-01 | 俄歇电子能谱分析设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203133001U true CN203133001U (zh) | 2013-08-14 |
Family
ID=48940973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201320094039 Expired - Fee Related CN203133001U (zh) | 2013-03-01 | 2013-03-01 | 俄歇电子能谱分析设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203133001U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103424633A (zh) * | 2013-08-30 | 2013-12-04 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 一种超短电子脉冲脉宽测量装置及方法 |
-
2013
- 2013-03-01 CN CN 201320094039 patent/CN203133001U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103424633A (zh) * | 2013-08-30 | 2013-12-04 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 一种超短电子脉冲脉宽测量装置及方法 |
| CN103424633B (zh) * | 2013-08-30 | 2015-12-30 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 一种超短电子脉冲脉宽测量装置及方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102945786B (zh) | 具有减噪功能的平板型高场非对称波形离子迁移谱仪 | |
| CN101782621B (zh) | 一种在电缆护层故障探测中判断故障点方位的方法和装置 | |
| Battistel et al. | Analysis and mitigation of the artefacts in electrochemical impedance spectroscopy due to three-electrode geometry | |
| CN102723254B (zh) | 平板型高场非对称波形离子迁移谱仪的聚焦装置及方法 | |
| CN102650663B (zh) | 一种获取等离子体伏安特性曲线方法 | |
| CN102176403B (zh) | 平板结构高场非对称波形离子迁移谱仪的离子聚焦方法 | |
| CN103983903A (zh) | 利用示波器检测射频信号的变电站全站局部放电定位方法 | |
| CN102539527A (zh) | 一种基于超声波检测的gis局部放电模式识别方法 | |
| CN104090217A (zh) | 隔膜击穿电压测试装置及测试方法 | |
| CN102636553A (zh) | 纸基电喷雾离子迁移谱分析方法 | |
| CN205692794U (zh) | 一种用于观察三维原子探针试样的透射电镜样品台 | |
| CN103779170B (zh) | 一种电喷雾离子源装置 | |
| CN102081067B (zh) | 碳纳米管薄膜电离式二氧化氮传感器及其浓度测量方法 | |
| CN105510197A (zh) | 一体集成式微型平板大气细粒子谱测量装置及其测量方法 | |
| CN203133001U (zh) | 俄歇电子能谱分析设备 | |
| CN103854948A (zh) | 高场非对称和吸入式复合离子迁移谱仪 | |
| US20160153937A1 (en) | Ion Mobility Separation Device | |
| CN202840243U (zh) | 一种离子风气流加速装置及其电流密度测试装置 | |
| WO2014063569A1 (zh) | 用于直流输电下离子流场分布特性测量的测量系统 | |
| CN108269729A (zh) | 一种平板式结构高场不对称波形离子迁移谱联用仪 | |
| CN102856794A (zh) | 一种离子风气流加速装置及其电流密度测试装置 | |
| CN102478545A (zh) | 一种平板式差分式离子迁移谱 | |
| CN107331597A (zh) | 基质辅助激光解析电离飞行时间质谱仪的离子推斥方法 | |
| CN102455306B (zh) | 对半导体器件结构的焊垫进行俄歇分析的方法 | |
| CN114088690A (zh) | 一种开放环境下气体杂质的分析检测装置及方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20130814 Termination date: 20190301 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |