CN203071126U - 无机基板 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 53
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 53
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 29
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract 14
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 26
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 20
- 229910002114 biscuit porcelain Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 17
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 16
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- -1 pottery Substances 0.000 description 6
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 3
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 2
- 238000005524 ceramic coating Methods 0.000 description 2
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 230000004224 protection Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 2
- 235000012222 talc Nutrition 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 2
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002535 CuZn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003322 NiCu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003962 NiZn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008433 SnCU Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006750 UV protection Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 1
- 230000003712 anti-aging effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005474 detonation Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010285 flame spraying Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001000 nickel titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 230000000979 retarding effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
本实用新型公开了一种无机基板，包括底板，底板具第一表面和第二表面，在底板第一表面有至少一封装表面，在封装表面至少有一围堰和至少一导电电路；围堰采用与底板相同或不同的无机材料制成；导电电路包括至少一第一焊垫和至少一第二焊垫；底板有至少一与第一焊垫相连接的第一焊盘、连接第一焊盘和第一焊垫的第一互连金属、至少一与第二焊垫连接的第二焊盘、及连接第二焊盘和第二焊垫的第二互连金属；第一焊垫与第二焊垫位于围堰的内侧，第一焊盘与第二焊盘位于围堰的外侧。本实用新型无机基板具有结构简单、使用方便、制造成本低特点，适用于制备半导体发光光源，其制造方法流程短、步骤少，工艺和设备简单，适于大面积大批量低成本产业化生产。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种用于制备半导体发光光源的基板，进一步涉及一种采用全无机材料制备的适用于半导体发光光源的无机基板。
背景技术
随着发光效率的提升和制造成本的下降，半导体发光光源已被广泛应用于背光、显示和照明等领域。半导体发光光源包括有LED、COB、模组、灯板、灯条等多种类型。在不久的将来，半导体发光光源有可能替代传统光源成为普通照明的主要光源。
半导体发光光源中，一种常见的基板或LED支架结构有如图1所示，包括金属底板1，绝缘层2，焊垫3a、3b，焊盘3c、3d，互连金属3e、3f，半导体发光元件放置区4。焊垫3a、3b，焊盘3c、3d，互连金属3e、3f构成通常所说的基板导电电路。
所述金属底板1通常采用铝或铝合金，其导热系数>200W/mK；绝缘层2通常采用填充高导热填料的高分子材料（如中国专利CN201210246366.8、CN201110220802.X、CN201020694951.0、CN200810146884.6），厚度75~150微米，其导热系数<1.5W/mK。当半导体发光元件固定到半导体发光元件放置区4，并与所述导电电路完成相应的导电连接后，固定在绝缘层2表面的半导体发光元件产生的热量很难通过绝缘层2传导到金属底板1上。显然，绝缘层2成为整个半导体发光光源的导热瓶颈。
为了消除半导体发光光源的导热瓶颈，半导体发光元件放置区4可以直接设置在金属底板1表面。通过基于金属焊料的固晶方法，如共晶焊，放置在所述半导体发光元件放置区4上面的发光元件所产生的热量就可以很快传导到金属底板1上。由于金属底板1导电，把发光元件直接固定在底板1上会对可以使用的半导体发光元件的种类以及多元件之间的串并联带来限制。当半导体发光元件中的一电极与金属底板1导通时，又会对实际使用、安装以及安全带来不便和隐患。此外，绝缘层2所采用的有机高分子材料，其耐热、耐紫外光辐照、耐高电压冲击、耐老化及阻燃防火等级都比较差，不能满足作为普通照明光源，特别是在恶劣环境下使用的要求，往往会导致使用寿命短、衰减快及可靠性差等问题。
为了避免有机高分子材料作为绝缘层所带来的缺点，有通过对金属基板的表面处理，包括阳极氧化、微弧氧化，如中国专利CN200910065377.4、CN200610053598.6、CN200810026047.X、CN201010231866.5、CN201010231866.5、CN200620108149.2、CN200610033054.3、CN201010505050.7、美国专利US5859581，在金属基板表面形成无机绝缘层，但表面处理产生的绝缘层厚度均匀性差，基板面积越大，工艺控制难度就越大。高温下表面处理产生的多孔状绝缘层的绝缘性能不佳，制造过程耗能，且污染环境。
也有通过热喷涂法，包括等离子喷涂、电弧喷涂、爆炸喷涂、超音速喷涂，如中国专利CN201210240712.1、CN200910238895.1、CN200910238896.6，直接在金属基板上形成无机绝缘层，其绝缘性能优于单纯的阳极氧化层或微弧氧化层，但其工艺流程长，大面积喷涂厚度均匀性差、耗时、成本高，工艺设备复杂昂贵，难以维护保养。
也有采用激光选择性熔融涂敷在基板焊盘（电极）附近表面的玻璃陶瓷涂层制备无机绝缘层，如中国专利CN201010231866.5、CN201010231888.1。所述玻璃陶瓷层主要由玻璃相、陶瓷粉和有机载体混合组成。采用激光选择微小区域熔融玻璃陶瓷涂层并形成相应的绝缘层，可实现精细化加工，但不适合用在大面积基板表面形成玻璃陶瓷基绝缘层，且设备成本高，工艺复杂，不易控制与操作。
也有采用真空条件下的物理气相沉积法（PVD）在金属基板上制备无机绝缘层，如中国专利CN201210182211.2。所制备的绝缘层绝缘性能好，但沉积速度慢，成本高。从进腔体，抽真空，气相沉积，到回复大气压后出腔体，整个过程繁复，耗时，自动化程度低，工艺设备复杂昂贵，难以维护保养。受真空腔体尺寸局限，物理气相沉积法不适合应用于大批量产业化生产大尺寸基板。
由于在底板上制备所述无机绝缘层和高分子绝缘层以后，通常还要在所述绝缘层上制备导电电路，使得底板的形状通常只能局限于平板状，很难制备有凹凸起伏或带有围堰的基板或支架，给后续荧光粉涂敷和灌封体成形带来极大的不便，其应用范围受到很大的局限。
另一种常见的基板或LED支架结构有如图2所示，包括陶瓷底板21，焊垫22a、22b，焊盘22c、22d，互连金属22e、22f，半导体发光元件放置区23。焊垫22a、22b，焊盘22c、22d，互连金属22e、22f构成通常所说的基板导电电路。
如图2所示结构中，底板为陶瓷材料制成的底板，陶瓷包括高纯Al2O3、SiC、AlN及BeO，其具有很好的导热性能。如把所述的半导体发光元件直接放置于设置在所述底板21表面的半导体发光元件放置区23，所述发光元件所产生的热量可以直接传导到高导热性的陶瓷底板上。上述具有良好导热性能的陶瓷的烧结温度通常很高（1300℃-1600℃），如果所述导电电路通过与陶瓷共烧的方式制备在所述陶瓷表面，由于烧结温度高，只能采用如W、Mo等高熔点金属，制造成本很高。如果在烧结陶瓷后再制备所述导电电路，底板的形状通常只能局限于平板状，很难制备有凹凸起伏或带有围堰的基板或支架，给后续荧光粉涂敷和灌封体成形带来极大的不便，其应用范围受到很大的局限。
如果采用掺有玻璃成份的陶瓷来制作底板，其烧结温度可以降到800℃-1000℃，如果所述导电电路通过与陶瓷共烧的方式制备在所述陶瓷表面，可以采用如Cu、Ag、Au等常规金属，成本较低，工艺相对简单，但掺有玻璃成份的陶瓷其导热性能很差，导热系数仅3~8W/mK，与采用填充高导热填料的有机高分子作为绝缘层制备的金属基板（如图1所示）上的导热瓶颈相差无几。
掺有玻璃成份的陶瓷可以与金属材料共烧制备具有凹凸起伏或带有围堰的基板或支架。由于其掺有玻璃成份的陶瓷的导热性能很差，所以，所述半导体发光元件放置区通常还是设置在金属材料表面。为了使所述半导体发光元件与金属材料表面之间绝缘，在金属材料表面同样需要制备一绝缘层，而且所述绝缘层还能耐所述掺有玻璃成份的陶瓷的烧结温度。显然，高分子绝缘层不能满足要求，而目前常用的无机绝缘层的制备方法，如上面所述，存在着不足与缺陷。
在图1和图2所示的基板表面，围绕所述发光元件放置区4、23可以设置围堰，如中国专利CN201010261426.4、CN201020581078.4、CN201020296110.4。它们使用的材料都是有机高分子，如硅胶，环氧树脂。上述有机高分子基围堰材料的使用导致发光光源的耐热、耐紫外线辐照、耐高电压冲击、阻燃防火等性能下降。
显而易见，由图1和图2所示的基板结构及其制造方法都存在本质的缺陷和不足，无法解决基板结构和制造成本与基板综合性能（包括导热、耐热、耐紫外线辐照、耐高电压冲击、阻燃防火）之间的矛盾，所制备的半导体发光光源，特别是在恶劣环境下使用时，存在寿命短，衰减性，可靠性差，防火阻燃性能差，绝缘等级低等问题。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题在于，提供一种无机基板，所述基板不含任何有机高分子材料，结构简单，使用方便，具有优异的导热性能，适用于制备具有各种凹凸结构或围堰的基板或支架，满足各类半导体发光光源对耐高温、耐紫外线辐照、耐高电压冲击、防火阻燃方面的要求。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种无机基板，包括底板，所述底板具有第一表面和第二表面，在所述底板第一表面有至少一封装表面，在所述封装表面至少有一围堰和至少有一导电电路，在所述围堰内侧至少有一发光元件放置区；
所述围堰为采用与所述底板相同或不同的无机材料制成的无机围堰；
所述导电电路包括至少一第一焊垫和至少一第二焊垫；所述底板有至少一与所述第一焊垫相连接的第一焊盘、连接所述第一焊盘和所述第一焊垫的第一互连金属、至少一与所述第二焊垫相连接的第二焊盘、及连接所述第二焊盘和所述第二焊垫的第二互连金属；所述第一焊垫与所述第二焊垫位于所述围堰的内侧，所述第一焊盘与所述第二焊盘位于所述围堰的外侧。
优选的，在所述封装表面至少有一无机非金属绝缘层；
所述无机非金属绝缘层覆盖所述封装表面的全部或部分、或包括部分或全部所述封装表面的所述底板第一表面的全部或部分、或包括部分或全部所述封装表面的所述底板第一表面的全部或部分和所述底板第二表面的全部或部分；
所述导电电路，所述第一、第二焊盘及所述第一、第二互连金属的全部或部分设置在所述无机非金属绝缘层表面。
优选的，在所述围堰与所述封装表面之间至少有一无机粘接层，所述无机粘接层把所述围堰粘接在所述封装表面、所述封装表面的凸起处或所述封装表面的凹槽内。
优选的，设置所述第一焊盘的位置包括所述封装表面和除去所述封装表面以外的所述底板的所有侧面、第一表面、第二表面中的一个或多个；所述第一互连金属经过的位置包括所述封装表面、除去所述封装表面以外的所述底板的所有侧面、第一表面、第二表面、贯穿所述底板、贯穿所述围堰、贯穿所述围堰与所述封装表面连接处中的一个或多个；
或，所述第一焊盘为穿过所述底板与所述第一焊垫导电连接的第一针状物。
优选的，设置所述第二焊盘的位置包括所述封装表面和除去所述封装表面以外的所述底板的所有侧面、第一表面、第二表面中的一个或多个；所述第二互连金属经过的位置包括所述封装表面、除去所述封装表面以外的所述底板的所有侧面、第一表面、第二表面、贯穿所述底板、贯穿所述围堰、贯穿所述围堰与所述封装表面连接处中的一个或多个；
或，所述第二焊盘为穿过所述底板与所述第一焊垫导电连接的第二针状物。
优选的，所述封装表面为平坦光滑表面或包括凹凸平台的光滑表面。
实施本实用新型具有以下有益效果：本实用新型的无机基板，适用于制备具有各种凹凸结构或围堰的基板或支架。由于不含任何有机高分子材料，本实用新型的无机基板导热性能好，适合于制备各类大功率半导体发光光源；耐冷热冲击能力强，适合在高温、常温和低温环境中使用；抗紫外线辐照能力强，适合于户外露天场合使用；耐高电压冲击能力强，适用于制备高工作电压的半导体发光光源；用本实用新型的无机基板制备的半导体发光光源的阻燃防火及绝缘等级高，在各类普通照明领域使用时，具有安全等级高，使用寿命长，抗衰性能好等特点。本实用新型的无机基板的制造流程短、步骤少，工艺和设备简单，适合于大批量大面积低成本产业化生产。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中：
图1是一种常见的基板结构示意图；
图2是另一种常见的基板结构示意图；
图3是本实用新型的无机基板一实施例的结构示意图；
图4是本实用新型的无机基板另一实施例的结构示意图。
具体实施方式
如图3所示，本实用新型一实施例的无机基板，包括具有第一表面和第二表面的底板31，设置在底板31第一表面的至少一封装表面、至少一围堰33、至少一导电电路、至少一第一焊盘36a及至少一第二焊盘36b。围堰33及导电电路均设置在底板31的封装表面，导电电路包括至少一第一焊垫34a及至少一第二焊垫34b，还可包括至少一发光元件放置区37，该第一焊垫34a与第二焊垫34b彼此绝缘，并分别与第一焊盘36a及第二焊盘36b相连接，第一焊垫34a、第二焊垫34b及发光元件放置区37均位于围堰33的内侧，第一焊盘36a与第二焊盘36b位于围堰33的外侧。
在本实施例中，底板31为绝缘底板，采用陶瓷、玻璃及微晶玻璃中的一种或多种材料制成。由于底板31为绝缘底板，该第一焊垫34a、第二焊垫34b、第一焊盘36a及第二焊盘36b可通过金属箔层压、化学镀、电镀、溅射、蒸镀、丝网印刷、掩膜印刷方法中的一种或多种，直接制备在绝缘底板31表面。其中，第一焊垫34a与第二焊垫34b设置在底板31的封装表面上，
所述第一焊盘36a与第二焊盘36b的设置位置包括所述封装表面和除去所述封装表面以外的所述底板31的所有侧面、第一表面、第二表面中的一个或多个；且，第一焊盘36a可通过第一互连金属35a与第一焊垫34a导电连接，第二焊盘36b可通过第二互连金属35b与第二焊垫34b导电连接，所述第一互连金属35a与第二互连金属35b经过的位置包括所述封装表面、除去所述封装表面以外的所述底板31的所有侧面、第一表面、第二表面、贯穿所述底板、贯穿所述围堰33、贯穿所述围堰33与所述封装表面连接处中的一个或多个；或，所述第一焊盘36a与第二焊盘36b分别为穿过所述底板31与所述第一焊垫34a、第二焊垫34b导电连接的第一针状物与第二针状物。
封装表面为平坦光滑表面或包括凹凸平台的光滑表面。如图3所示，在本实施例中，封装表面位于底板31的第一表面，第一焊盘36a与第二焊盘36b分别设置在底板31的第二表面，第一互连金属35a贯穿底板31而连接第一焊垫34a与第一焊盘36a，第二互连金属35a贯穿底板31而连接第二焊垫34b与第二焊盘36b。在其他实施例中，第一焊盘36a可为呈针状的第一针状焊盘，其直接穿过底板31与第一焊垫34a导电连接；第二焊盘36b也可为呈针状的第二针状焊盘，其可直接穿过底板31与第二焊垫34b导电连接。
发光元件放置区37可以设置在所述底板31的封装表面，也可以设置在所述第一焊垫34a和/或第二焊垫34b的表面。当发光元件放置在所述第一焊垫34a和/或第二焊垫34b的表面时，通常是发光元件的电极与所述焊垫直接连接并电导通。
围堰33由无机材料制成，可包括金属、合金、陶瓷、玻璃及微晶玻璃中的一种或多种，其中的金属包括Fe、Al、Cu、Mo、W中的一种或多种；进一步地，可在围堰33内侧壁设有反射层以反射光线，反射层可采用Al、Ag及布拉格全反射层（DBR）中的一种或多种组合。
围堰33可预先制成后通过多种方式设置在底板31的封装表面、封装表面的凸起处或封装表面的凹槽内，所述围堰33可通过无机粘接层32牢固粘接在底板31的封装表面、封装表面凸起处或凹槽内；或者，所述围堰33通过采用包括静压键合、热压键合、共晶焊、超声压焊、纤焊方式中的一种或多种组合的方式粘贴在封装表面、封装表面凸起处或封装表面凹槽内；或者，所述围堰33通过包括卡扣、镶嵌中的一种或多种组合的方式固定在封装表面、封装表面凸起处或凹槽内；或者，在所述封装表面待设置围堰的位置上制作凹槽，在所述凹槽内制备无机粉层或无机胶层，通过加热在所述凹槽内形成凸起的无机围堰。
当基板的底板31、围堰33、无机粘接层32均采用透明的玻璃材料制成时，用该基板制成的半导体发光光源将呈现360°全方位出光。
在本实施例中，如图3所示，所述围堰33为预先制成，再通过无机粘接层32牢固粘接在底板31的封装表面、封装表面凸起处或封装表面凹槽内。
无机粘接层32为一层或多层结构，该无机粘接层32可由涂敷形成在底板31封装表面的无机粉层或无机胶层，经加热或在对所述无机粉层或无机胶层表面均匀施压的条件下加热，使所述无机粉层或无机胶层中的无机组份之间以及与其相接触的所述围堰33表面和所述底板31的封装表面之间发生固相扩散和界面键合，冷却后，形成所述无机粘接层32，并把所述围堰33粘贴在所述底板31的封装表面。无机粘接层32也可由涂敷形成在底板31封装表面的无机粉层或无机胶层，经加热或在对所述无机粉层或无机胶层表面均匀施压的条件下加热，所述无机粉层或无机胶层中的玻璃组份软化，使所述无机粉层或无机胶层中的无机组份之间以及与其相接触的所述围堰33表面和所述底板31的封装表面之间彼此熔合，冷却后，形成所述无机粘接层32，并把所述围堰33粘贴在所述底板31的封装表面。
当第一互连金属35a与第二互连金属35b位于封装表面上时，围堰33通过无机粘接层32于封装表面上方可粘接在第一互连金属35a及第二互连金属35b上。为防止短路，无机粘接层32优选无机非金属绝缘粘接层，或在所述第一互连金属35a及第二互连金属35b有一绝缘层。
所述无机粉层由包括玻璃粉、陶瓷粉、金属粉、合金粉、氧化物粉、氮化物粉中的一种或多种组成。所述无机胶层包括玻璃、陶瓷、金属、氧化物、氮化物中的一种或多种组份。
所述玻璃粉包括石英、硼硅酸盐、磷酸盐、铝硼硅酸盐、铝硅酸盐、铅硅酸盐、硅酸盐及微晶玻璃中的一种或多种；所述陶瓷粉包括滑石、镁橄榄石、锆英石、莫来石、堇青石、Al2O3、BeO、SiC、BN、AlN及Si3N4中的一种或多种；所述氧化物粉和氮化物粉包括SiO2、Si3N4、Al2O3、AlN、BN及BeO中的一种或多种；所述金属和合金粉包括Ag、Au、Al、Ni、Si、Fe、Cu、Cr、Mg、Co、Mo、Mn、Sn、Ti、W、In、Ge、NiCu、NiZn、NiTi、NiFeCo、SnCu、Wcu、AlSi、CuZn中的一种或多种。
如图4所示，本实用新型另一实施例的无机基板，其包括具有第一表面和第二表面的底板41、至少一围堰43、至少一导电电路、至少一第一焊盘46a及至少一第二焊盘46b。底板41的第一表面具有至少一封装表面，围堰43及导电电路均设置在底板的封装表面，导电电路包括至少一第一焊垫44a及至少一第二焊垫44b，还可包括至少一发光元件放置区47，该第一焊垫44a与第二焊垫44b彼此绝缘，并分别与第一焊盘46a及第二焊盘46b相连接，第一焊垫44a、第二焊垫44b及发光元件放置区47均位于围堰43的内侧，第一焊盘46a与第二焊盘46b位于围堰44的外侧。
第一焊垫44a通过第一互连金属45a与第一焊盘46a导电连接，第二焊垫44b通过第二互连金属45b与第二焊盘46b导电连接。
该实施例与图3所示实施例不同的在于，底板41为导电底板。围堰43的设置方式如上述实施例无机基板中所述，如图4所示的通过无机粘接层42设置在底板41的封装表面上；或者，所述围堰43通过采用包括静压键合、热压键合、共晶焊、回流焊、超声压焊、纤焊方式中的一种或多种组合的方式粘贴在封装表面、封装表面凸起处或封装表面凹槽内；或者，所述围堰43通过包括卡扣、镶嵌中的一种或多种组合的方式固定在封装表面、封装表面凸起处或封装表面凹槽内；或者，在所述封装表面待设置围堰43的位置上制作凹槽，在所述凹槽内制备无机粉层或无机胶层，通过加热在所述凹槽内形成凸起的无机围堰。
作为一种选择性实施方式，可在所述封装表面的全部或部分、或包括部分或全部所述封装表面的所述底板41第一表面的全部或部分、或包括部分或全部所述封装表面的所述底板41第一表面的全部或部分和所述底板41第二表面的全部或部分设置无机非金属绝缘层48，第一焊垫44a、第一焊盘46a、第一互连金属45a、第二焊垫44b、第二焊盘46b、第二互连金属45b、及发光元件放置区47全部或部分设置在无机非金属绝缘层48表面上。
该无机非金属绝缘层48为一层或多层结构，其制备方法与无机粘接层42相同。为具有绝缘特性，所述无机非金属绝缘层48不采用具导电特性的金属、合金、导电陶瓷。
该无机非金属绝缘层48可由涂敷形成在底板41封装表面的无机非金属绝缘粉层或无机非金属绝缘胶层，经加热或在对所述无机非金属绝缘粉层或无机非金属绝缘胶层表面均匀施压的条件下加热，使所述无机非金属绝缘粉层或无机非金属绝缘胶层中的无机组份之间以及与其相接触的所述底板41的封装表面之间发生固相扩散和界面键合，冷却后，形成所述无机非金属绝缘层48。无机非金属绝缘层48也可由涂敷形成在底板41封装表面的无机非金属绝缘粉层或无机非金属绝缘胶层，经加热或在对所述无机非金属绝缘粉层或无机非金属绝缘胶层表面均匀施压的条件下加热，所述无机非金属绝缘粉层或无机非金属绝缘胶层中的玻璃组份软化，使所述无机非金属绝缘粉层或无机非金属绝缘胶层中的无机组份之间以及与其相接触的所述底板41的封装表面之间彼此熔合，冷却后，形成所述无机非金属绝缘层48。
所述无机非金属绝缘粉层由包括玻璃粉、绝缘陶瓷粉、氧化物粉、氮化物粉中的一种或多种组成。所述无机非金属绝缘胶层包括玻璃、陶瓷、氧化物、氮化物中的一种或多种组份。
其中，玻璃粉包括石英、硼硅酸盐、磷酸盐、铝硼硅酸盐、铝硅酸盐、铅硅酸盐、硅酸盐及微晶玻璃中的一种或多种组合；陶瓷粉包括滑石、镁橄榄石、锆英石、莫来石、堇青石、Al2O3、BeO、BN、AlN及Si3N4中的一种或多种组合；氧化物和氮化物粉包括SiO2、Si3N4、Al2O3、AlN、BN及BeO中的一种或多种组合。
底板41可为金属底板，其可以采用Fe、Cu、Mo、Al、或它们的合金制成。在本实施例中，底板41的第一表面为封装表面，光滑平坦，适用于通过各种涂敷方法在封装表面形成厚度均匀的无机非金属绝缘层48。可以理解的是，封装表面也可是具有凹凸平台的光滑表面。
无机非金属绝缘层48可设有开口以露出底板41的部分封装表面，底板41露出的部分封装表面可设有反射层用以反射光源，反射层采用Al、Ag及布拉格全反射层（DBR）中的一种或多种材料形成。
该无机基板用于制备半导体发光光源时，发光元件设置在底板41封装表面上的发光元件放置区47，并与第一焊垫44a及第二焊垫44b导电连接，围堰43于底板41上位于发光元件的周围，可以方便荧光胶涂覆，灌封体成形，和光源光强在空间的分布等。
发光元件放置区47可以是平坦，也可以呈凹状或凸状，当发光元件放置区47呈凹状时，优选在其表面设反射层用以反射光线。所述发光元件放置区47也可以设置在第一、第二焊垫44a、44b表面，使发光元件上的电极和焊垫之间实现直接的导电连接。
可以理解的，上述各技术特征可以任意组合使用而不受限制。
以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (6)
1.一种无机基板，其特征在于，包括底板，所述底板具有第一表面和第二表面，在所述底板第一表面有至少一封装表面，在所述封装表面至少有一围堰和至少有一导电电路，在所述围堰内侧至少有一发光元件放置区；
所述围堰为采用与所述底板相同或不同的无机材料制成的无机围堰；
所述导电电路包括至少一第一焊垫和至少一第二焊垫；所述底板有至少一与所述第一焊垫相连接的第一焊盘、连接所述第一焊盘和所述第一焊垫的第一互连金属、至少一与所述第二焊垫相连接的第二焊盘、及连接所述第二焊盘和所述第二焊垫的第二互连金属；所述第一焊垫与所述第二焊垫位于所述围堰的内侧，所述第一焊盘与所述第二焊盘位于所述围堰的外侧。
2.根据权利要求1所述的无机基板，其特征在于，在所述封装表面至少有一无机非金属绝缘层；
所述无机非金属绝缘层覆盖所述封装表面的全部或部分、或包括部分或全部所述封装表面的所述底板第一表面的全部或部分、或包括部分或全部所述封装表面的所述底板第一表面的全部或部分和所述底板第二表面的全部或部分；
所述导电电路，所述第一、第二焊盘及所述第一、第二互连金属的全部或部分设置在所述无机非金属绝缘层表面。
3.根据权利要求1或2所述的无机基板，其特性在于，在所述围堰与所述封装表面之间至少有一无机粘接层，所述无机粘接层把所述围堰粘接在所述封装表面、所述封装表面的凸起处或所述封装表面的凹槽内。
4.根据权利要求3所述的无机基板，其特征在于，设置所述第一焊盘的位置包括所述封装表面和除去所述封装表面以外的所述底板的所有侧面、第一表面、第二表面中的一个或多个；所述第一互连金属经过的位置包括所述封装表面、除去所述封装表面以外的所述底板的所有侧面、第一表面、第二表面、贯穿所述底板、贯穿所述围堰、贯穿所述围堰与所述封装表面连接处中的一个或多个；
或，所述第一焊盘为穿过所述底板与所述第一焊垫导电连接的第一针状物。
5.根据权利要求3所述的无机基板，其特征在于，设置所述第二焊盘的位置包括所述封装表面和除去所述封装表面以外的所述底板的所有侧面、第一表面、第二表面中的一个或多个；所述第二互连金属经过的位置包括所述封装表面、除去所述封装表面以外的所述底板的所有侧面、第一表面、第二表面、贯穿所述底板、贯穿所述围堰、贯穿所述围堰与所述封装表面连接处中的一个或多个；
或，所述第二焊盘为穿过所述底板与所述第一焊垫导电连接的第二针状物。
6.根据权利要求3所述的无机基板，其特征在于，所述封装表面为平坦光滑表面或包括凹凸平台的光滑表面。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201320071293 CN203071126U (zh) | 2013-02-07 | 2013-02-07 | 无机基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201320071293 CN203071126U (zh) | 2013-02-07 | 2013-02-07 | 无机基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203071126U true CN203071126U (zh) | 2013-07-17 |
Family
ID=48769884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201320071293 Expired - Fee Related CN203071126U (zh) | 2013-02-07 | 2013-02-07 | 无机基板 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN203071126U (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2013
- 2013-02-07 CN CN 201320071293 patent/CN203071126U/zh not_active Expired - Fee Related
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