CN202997936U - 一种高升压电路、太阳能逆变器与太阳能电池系统 - Google Patents

一种高升压电路、太阳能逆变器与太阳能电池系统 Download PDF

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CN202997936U CN 201220196156 CN201220196156U CN202997936U CN 202997936 U CN202997936 U CN 202997936U CN 201220196156 CN201220196156 CN 201220196156 CN 201220196156 U CN201220196156 U CN 201220196156U CN 202997936 U CN202997936 U CN 202997936U
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郑崇峰
邱齐
梁志刚
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Abstract

本实用新型公开了一种高升压电路、太阳能逆变器与太阳能电池系统，其中，该高升压电路包括直流输入电压
Figure DEST_PATH_IMAGE002
，与所述直流输入电压
Figure 887158DEST_PATH_IMAGE002
连接、且用于输出直流输出电压
Figure DEST_PATH_IMAGE004
的变换器单元，以及配合连接在所述变换器单元的原边与副边之间的变压器单元；所述变压器单元，用于将所述变换器单元的原边与副边进行隔离；和/或，用于基于所述变换器单元原边的输入电压，对该变换器单元副边的输出电压进行升压处理。本实用新型所述高升压电路、太阳能逆变器与太阳能电池系统，可以克服现有技术中成本高、额外损耗大、能量转换效率低与环保性差等缺陷，以实现成本低、额外损耗小、能量转换效率高与环保性好的优点。

Description

一种高升压电路、太阳能逆变器与太阳能电池系统
技术领域
本实用新型涉及电子器件，具体地，涉及一种高升压电路、太阳能逆变器与太阳能电池系统。 
背景技术
随着世界能源越来越紧缺，节能减排、绿色高效已是现今电子产品的主流发展方向；为了降低制造成本与生产成本，很多电子产品都在能源转换方面需要高效率，低成本，高可靠性。如何能够更高效的利用新能源，比如太阳能、风能与生物化学能，也越来越受到人们的关注。 
众所周知，功率元件如功率二极管与功率场效应管（MOS）等，都是电压越高价格越贵；允许通过的电流越大，所用器件的成本越高。那么，由功率元件构成的变换器，工作于高压、大电流情况下，会产生更多的损耗，这将大大降低变换器的效率。 
在实现本实用新型的过程中，发明人发现现有技术中至少存在成本高、额外损耗大、能量转换效率低与环保性差等缺陷。 
实用新型内容
本实用新型的目的在于，针对上述问题，提出一种高升压电路、太阳能逆变器与太阳能电池系统，以实现成本低、额外损耗小、能量转换效率高与环保性好的优点。 
本实用新型的另一目的在于，提出一种基于上述高升压电路的太阳能逆变器。 
本实用新型的再一目的在于，提出一种基于上述高升压电路的太阳能电池系统。 
为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种高升压电路，包括直流输入电压 
Figure DEST_PATH_RE-877709DEST_PATH_IMAGE001
，与所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-318180DEST_PATH_IMAGE001
连接、且用于输出直流或准交流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-265276DEST_PATH_IMAGE002
的变换器单元，以及配合连接在所述变换器单元的原边与副边之间的变压器单元； 
所述变压器单元，用于将所述变换器单元的原边与副边进行隔离；和/或，用于基于所述变换器单元原边的输入电压，对该变换器单元副边的输出电压进行升压处理。
进一步地，所述变换器单元包括第1至第n变换器，所述变压器单元包括分别配合连接在所述第1至第n变换器中相应变换器的原边与副边之间的第1至第n变压器； 
所述第1至第n变压器，分别用于将所述第1至第n变换器中相应变换器的原边与副边进行隔离，和/或，用于实现升压；
在所述第1至第n变换器的原边，所述第1至第n变换器远离相应变压器的输入一侧并联，所述第1至第n变换器靠近相应变压器的一侧分别与相应变压器的原边线圈连接；
在所述第1至第n变换器的副边，所述第1至第n变换器远离相应变压器的输出一侧串联，所述第1至第n变换器靠近相应变压器的一侧分别与相应变压器的副边线圈连接；n为自然数。
进一步地，所述第1至第n变换器工作于交错并联模式，即第1至第n变换器之间彼此相位错开的度数为360/n。 
进一步地，当n=2时，所述第1至第n变换器包括第1有源箝位反激变换器与第2有源箝位反激变换器，所述第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2； 
所述第1有源箝位反激变换器，包括第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-532309DEST_PATH_IMAGE003
、第1箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-793526DEST_PATH_IMAGE004
、第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1、第1变压器漏感或额外添加的电感Lr1、第1箝位电容CCX1、第1输出二极管、第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-38870DEST_PATH_IMAGE009
、以及第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-265452DEST_PATH_IMAGE003
与第1箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-569394DEST_PATH_IMAGE004
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-172414DEST_PATH_IMAGE010
与；
所述第2有源箝位反激变换器，包括第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-714833DEST_PATH_IMAGE012
、第2箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-443754DEST_PATH_IMAGE013
、第2变压器原边励磁电感或者电感Lm2、第2变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-879601DEST_PATH_IMAGE015
、第2箝位电容CCX2、第2输出二极管、第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-172807DEST_PATH_IMAGE018
、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-587608DEST_PATH_IMAGE012
与第2箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-592473DEST_PATH_IMAGE013
的寄生二极管或二极管与
Figure DEST_PATH_RE-280386DEST_PATH_IMAGE020
；其中：
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-752955DEST_PATH_IMAGE001
的第1连接端，经第1箝位电容后，与第1箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-713007DEST_PATH_IMAGE004
的漏极、以及第1箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-937315DEST_PATH_IMAGE004
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-828173DEST_PATH_IMAGE011
的阴极连接；依次经第1变压器漏感或额外添加的电感Lr1及第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1后，与第1箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-412104DEST_PATH_IMAGE004
的源极、第1箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-656003DEST_PATH_IMAGE004
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-675037DEST_PATH_IMAGE011
的阳极、第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-309281DEST_PATH_IMAGE003
的漏极、以及第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-140971DEST_PATH_IMAGE003
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-301694DEST_PATH_IMAGE010
的阴极连接；经第2箝位电容
Figure DEST_PATH_RE-927847DEST_PATH_IMAGE016
后，与第2箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-111704DEST_PATH_IMAGE013
的漏极、以及第2箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-45287DEST_PATH_IMAGE013
的寄生二极管或二极管的阴极连接；以及，依次经第2变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-60833DEST_PATH_IMAGE015
及第2变压器原边励磁电感或者电感后，与第2箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-639899DEST_PATH_IMAGE013
的源极、第2箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-712897DEST_PATH_IMAGE013
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-244635DEST_PATH_IMAGE020
的阳极、第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-606346DEST_PATH_IMAGE012
的漏极、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-317950DEST_PATH_IMAGE012
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-42193DEST_PATH_IMAGE019
的阴极连接；
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-243367DEST_PATH_IMAGE001
的第2连接端，与第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-826795DEST_PATH_IMAGE003
的源极、第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-917591DEST_PATH_IMAGE003
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-699602DEST_PATH_IMAGE010
的阳极、第2功率半导体开关的源极、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-142402DEST_PATH_IMAGE012
的寄生二极管或二极管的阳极连接；
所述第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-661687DEST_PATH_IMAGE003
的栅极、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-142347DEST_PATH_IMAGE012
的栅极，用于输入占空比为
Figure DEST_PATH_RE-965946DEST_PATH_IMAGE021
的脉冲信号；第1箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-416519DEST_PATH_IMAGE004
的栅极、以及第2箝位电容
Figure DEST_PATH_RE-110806DEST_PATH_IMAGE016
的栅极，用于输入占空比为
Figure DEST_PATH_RE-90263DEST_PATH_IMAGE022
的脉冲信号；
所述第1变压器T1的原边线圈，并联在第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1的两端；第1变压器T1副边线圈的第1连接端，与第1输出二极管的阳极连接；第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-705680DEST_PATH_IMAGE008
的阴极，经第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-590460DEST_PATH_IMAGE009
后与第1变压器T1副边线圈的第2连接端、以及及第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-857493DEST_PATH_IMAGE017
的阴极连接；
所述第2变压器T2的原边线圈，并联在第2变压器原边励磁电感或者电感Lm2的两端；第2变压器T2副边线圈的第1连接端，与第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-351371DEST_PATH_IMAGE017
的阳极连接；第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-610314DEST_PATH_IMAGE017
的阴极，经第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-364643DEST_PATH_IMAGE018
后与第2变压器T2副边线圈的第2连接端连接；
所述第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-960709DEST_PATH_IMAGE008
与第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-546411DEST_PATH_IMAGE009
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-976256DEST_PATH_IMAGE002
的第1端子，第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-781663DEST_PATH_IMAGE017
与第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-119103DEST_PATH_IMAGE018
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-762574DEST_PATH_IMAGE002
的第2端子；
所述第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-160058DEST_PATH_IMAGE003
、第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-951296DEST_PATH_IMAGE012
、第1箝位开关、以及第2箝位开关，至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET、绝缘栅极双极型晶体管IGBT与二极管中的至少一种。
进一步地，当n=2时，所述第1至第n变换器包括第1正激变换器与第2正激变换器，所述第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2； 
所述第1正激变换器，包括第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-129096DEST_PATH_IMAGE003
、第1变压器原边励磁电感或者电感为变压器原边励磁电感或者电感Lm1、第1变压器漏感或额外添加的电感Lr1、第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-236095DEST_PATH_IMAGE008
、第1输出滤波电容
Figure DEST_PATH_RE-742425DEST_PATH_IMAGE023
、第1输出整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-180360DEST_PATH_IMAGE024
、第1输出滤波电感
Figure DEST_PATH_RE-663294DEST_PATH_IMAGE025
、以及第1功率半导体开关的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-373947DEST_PATH_IMAGE010
；
所述第2正激变换器，包括第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-299177DEST_PATH_IMAGE012
、第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-87267DEST_PATH_IMAGE014
、第2变压器漏感或额外添加的电感、第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-698694DEST_PATH_IMAGE017
、第2输出滤波电容
Figure DEST_PATH_RE-970275DEST_PATH_IMAGE026
、第2输出整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-60591DEST_PATH_IMAGE027
、第2输出滤波电感
Figure DEST_PATH_RE-242174DEST_PATH_IMAGE028
、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-983909DEST_PATH_IMAGE012
的寄生二极管或二极管；其中：
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-512160DEST_PATH_IMAGE001
的第1连接端，依次经第1变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-876145DEST_PATH_IMAGE006
及第1变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-862818DEST_PATH_IMAGE005
后，与第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-515516DEST_PATH_IMAGE003
的漏极、以及第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-744372DEST_PATH_IMAGE003
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-634968DEST_PATH_IMAGE010
的阴极连接；以及，依次经第2变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-494339DEST_PATH_IMAGE015
及第2变压器原边励磁电感或者电感Lm2后，与第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-27400DEST_PATH_IMAGE012
的漏极、以及第2功率半导体开关的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-835398DEST_PATH_IMAGE019
的阴极连接；
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-790585DEST_PATH_IMAGE001
的第2连接端，与第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-564506DEST_PATH_IMAGE003
的源极、第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-55792DEST_PATH_IMAGE003
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-256966DEST_PATH_IMAGE010
的阳极、第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-466493DEST_PATH_IMAGE012
的源极、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-716209DEST_PATH_IMAGE012
的寄生二极管或二极管的阳极连接；
所述第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-135875DEST_PATH_IMAGE003
的栅极、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-206599DEST_PATH_IMAGE012
的栅极，均用于输入占空比相同的脉冲信号；
所述第1变压器T1的原边线圈，并联在第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1的两端；第1变压器T1副边线圈的第1连接端，与第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-725884DEST_PATH_IMAGE008
的阳极连接；第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-268861DEST_PATH_IMAGE008
的阴极，与第1输出整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-561302DEST_PATH_IMAGE024
的阴极连接，并依次经第1输出滤波电感
Figure DEST_PATH_RE-480717DEST_PATH_IMAGE025
及第1输出滤波电容
Figure DEST_PATH_RE-237320DEST_PATH_IMAGE023
后、与第1输出整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-452663DEST_PATH_IMAGE024
的阳极及第1变压器T1副边线圈的第2连接端连接；
所述第2变压器T2的原边线圈，并联在第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-497979DEST_PATH_IMAGE014
的两端；第2变压器T2副边线圈的第1连接端，与第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-158768DEST_PATH_IMAGE017
的阳极连接；第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-566616DEST_PATH_IMAGE017
的阴极，与第2输出整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-654657DEST_PATH_IMAGE027
的阴极连接，并依次经第2输出滤波电感
Figure DEST_PATH_RE-984007DEST_PATH_IMAGE028
及第2输出滤波电容
Figure DEST_PATH_RE-758408DEST_PATH_IMAGE026
后、与第2输出整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-161708DEST_PATH_IMAGE027
的阳极及第2变压器T2副边线圈的第2连接端连接；
所述第1输出整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-482967DEST_PATH_IMAGE024
的阳极，经第2输出滤波电感
Figure DEST_PATH_RE-299614DEST_PATH_IMAGE028
后与第2输出整流二极管的阳极连接；第1输出滤波电感
Figure DEST_PATH_RE-622328DEST_PATH_IMAGE025
与第1输出滤波电容的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-857579DEST_PATH_IMAGE002
的第1端子，第2输出滤波电感与第2输出滤波电容
Figure DEST_PATH_RE-900808DEST_PATH_IMAGE026
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-298291DEST_PATH_IMAGE002
的第2端子；
所述第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-590994DEST_PATH_IMAGE003
、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-669809DEST_PATH_IMAGE012
，至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET、绝缘栅极双极型晶体管IGBT与二极管中的至少一种。
进一步地，当n=2时，所述第1至第n变换器包括第1反激变换器与第2反激变换器，所述第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2； 
所述第1反激变换器，包括第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-230103DEST_PATH_IMAGE003
、第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1、第1变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-14705DEST_PATH_IMAGE006
、第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-959527DEST_PATH_IMAGE008
、第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-875793DEST_PATH_IMAGE009
、以及第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-818341DEST_PATH_IMAGE003
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-521855DEST_PATH_IMAGE010
；
所述第2反激变换器，包括第2功率半导体开关、第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-336413DEST_PATH_IMAGE014
、第2变压器漏感或额外添加的电感、第2输出二极管、第2输出电容、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-286997DEST_PATH_IMAGE012
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-633665DEST_PATH_IMAGE019
；其中：
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-108508DEST_PATH_IMAGE001
的第1连接端，依次经第1变压器漏感或额外添加的电感及第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1后，与第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-196178DEST_PATH_IMAGE003
的漏极、以及第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-96001DEST_PATH_IMAGE003
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-724429DEST_PATH_IMAGE010
的阴极连接；以及，依次经第2变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-324300DEST_PATH_IMAGE015
及第2变压器原边励磁电感或者电感后，与第2功率半导体开关的漏极、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-566428DEST_PATH_IMAGE012
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-784920DEST_PATH_IMAGE019
的阴极连接；
所述直流输入电压的第2连接端，与第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-754592DEST_PATH_IMAGE003
的源极、第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-193664DEST_PATH_IMAGE003
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-63399DEST_PATH_IMAGE010
的阳极、第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-31356DEST_PATH_IMAGE012
的源极、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-189804DEST_PATH_IMAGE012
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-250209DEST_PATH_IMAGE019
的阳极连接；
所述第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-380976DEST_PATH_IMAGE003
的栅极、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-582150DEST_PATH_IMAGE012
的栅极，均用于输入占空比相同的脉冲信号；
所述第1变压器T1的原边线圈，并联在第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1的两端；第1变压器T1副边线圈的第1连接端，与第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-41393DEST_PATH_IMAGE008
的阳极连接；第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-26666DEST_PATH_IMAGE008
的阴极，经第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-602004DEST_PATH_IMAGE009
后与第1变压器T1副边线圈的第2连接端、以及第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-531783DEST_PATH_IMAGE017
的阴极连接；
所述第2变压器T2的原边线圈，并联在第2变压器原边励磁电感或者电感Lm2的两端；第2变压器T2副边线圈的第1连接端，与第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-487287DEST_PATH_IMAGE017
的阳极连接；第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-531728DEST_PATH_IMAGE017
的阴极，经第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-886486DEST_PATH_IMAGE018
后与第2变压器T2副边线圈的第2连接端连接；
所述第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-743584DEST_PATH_IMAGE008
与第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-562504DEST_PATH_IMAGE009
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-777847DEST_PATH_IMAGE002
的第1端子，第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-88743DEST_PATH_IMAGE017
与第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-343006DEST_PATH_IMAGE018
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-517898DEST_PATH_IMAGE002
的第2端子；
所述第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-668257DEST_PATH_IMAGE003
、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-935290DEST_PATH_IMAGE012
，至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET、绝缘栅极双极型晶体管IGBT与二极管中的至少一种。
进一步地，当n=2时，所述第1至第n变换器包括第1低端箝位反激变换器与第2低端箝位反激变换器，所述第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2； 
所述第1低端箝位反激变换器，包括第1控制开关
Figure DEST_PATH_RE-930928DEST_PATH_IMAGE003
、第1箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-599806DEST_PATH_IMAGE004
、第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1、第1变压器漏感或额外添加的电感Lr1、第1箝位电容CCX1、以及第1输出二极管与第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-788473DEST_PATH_IMAGE009
；
所述第2低端箝位反激变换器，包括第2控制开关
Figure DEST_PATH_RE-92416DEST_PATH_IMAGE012
、第2箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-196900DEST_PATH_IMAGE013
、第2变压器原边励磁电感或者电感Lm2、第2变压器漏感或额外添加的电感Lr2、第2箝位电容CCX2、以及第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-734006DEST_PATH_IMAGE017
与第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-497563DEST_PATH_IMAGE018
；其中：
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-3631DEST_PATH_IMAGE001
的第1连接端，依次经第1变压器漏感或额外添加的电感Lr1及第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1后，与第1控制开关的控制端连接，并经第1箝位电容
Figure DEST_PATH_RE-628678DEST_PATH_IMAGE007
后与第1箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-128930DEST_PATH_IMAGE004
的控制端连接；以及，依次经第2变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-877443DEST_PATH_IMAGE015
及第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-84433DEST_PATH_IMAGE014
后，与第2控制开关
Figure DEST_PATH_RE-260200DEST_PATH_IMAGE012
的控制端连接，并经第2箝位电容
Figure DEST_PATH_RE-749212DEST_PATH_IMAGE016
后与第2箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-239100DEST_PATH_IMAGE013
的控制端连接；
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-425230DEST_PATH_IMAGE001
的第2连接端，与第1控制开关的固定端、第1箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-482627DEST_PATH_IMAGE004
的固定端、第2控制开关
Figure DEST_PATH_RE-510626DEST_PATH_IMAGE012
的固定端、以及第2箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-754526DEST_PATH_IMAGE013
的固定端连接；
所述第1控制开关
Figure DEST_PATH_RE-272095DEST_PATH_IMAGE003
的控制端、以及第2控制开关
Figure DEST_PATH_RE-234234DEST_PATH_IMAGE012
的控制端，用于输入占空比为的脉冲信号；第1箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-665795DEST_PATH_IMAGE029
的控制端、以及第2箝位开关的控制端，用于输入占空比为
Figure DEST_PATH_RE-272543DEST_PATH_IMAGE022
的脉冲信号；
所述第1变压器T1的原边线圈，并联在第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1的两端；第1变压器T1副边线圈的第1连接端，与第1输出二极管的阳极连接；第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-221672DEST_PATH_IMAGE008
的阴极，经第1输出电容后与第1变压器T1副边线圈的第2连接端、以及第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-800738DEST_PATH_IMAGE017
的阴极连接；
所述第2变压器T2的原边线圈，并联在第2变压器原边励磁电感或者电感Lm2的两端；第2变压器T2副边线圈的第1连接端，与第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-779376DEST_PATH_IMAGE017
的阳极连接；第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-937825DEST_PATH_IMAGE017
的阴极，经第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-711746DEST_PATH_IMAGE018
后与第2变压器T2副边线圈的第2连接端连接；
所述第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-842513DEST_PATH_IMAGE008
与第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-981370DEST_PATH_IMAGE009
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-863000DEST_PATH_IMAGE002
的第1端子，第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-502929DEST_PATH_IMAGE017
与第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-550520DEST_PATH_IMAGE018
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-860278DEST_PATH_IMAGE002
的第2端子；
所述第1控制开关
Figure DEST_PATH_RE-665423DEST_PATH_IMAGE003
、第2控制开关
Figure DEST_PATH_RE-282612DEST_PATH_IMAGE012
、第1箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-122392DEST_PATH_IMAGE004
、以及第2箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-603052DEST_PATH_IMAGE013
，至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET、绝缘栅极双极型晶体管IGBT与二极管中的至少一种。
进一步地，所述变换器单元包括变换器，以及配合连接在所述变换器的原边与副边之间的第1至第n变压器； 
所述第1至第n变压器，用于将所述变换器的原边与副边进行隔离，和/或，用于实现升压；
所述第1至第n变压器的原边线圈并联后，与变换器的原边连接；第1至第n变压器的副边线圈串联后，与变换器的副边连接；n为自然数。
进一步地，当n=2时，所述变换器包括有源箝位反激变换器，所述第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2； 
所述有源箝位反激变换器，包括功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-223389DEST_PATH_IMAGE030
、箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-877224DEST_PATH_IMAGE031
、第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1、第2变压器原边励磁电感或者电感Lm2、变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-894487DEST_PATH_IMAGE032
、箝位电容CCX、第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-369647DEST_PATH_IMAGE008
、第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-51165DEST_PATH_IMAGE017
、第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-380515DEST_PATH_IMAGE009
、第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-579415DEST_PATH_IMAGE018
、以及功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-800357DEST_PATH_IMAGE030
与箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-856037DEST_PATH_IMAGE031
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-610367DEST_PATH_IMAGE034
与
Figure DEST_PATH_RE-675275DEST_PATH_IMAGE035
；其中：
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-260977DEST_PATH_IMAGE001
的第1连接端，经箝位电容
Figure DEST_PATH_RE-425242DEST_PATH_IMAGE033
后，与箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-230649DEST_PATH_IMAGE031
的漏极、以及箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-36931DEST_PATH_IMAGE031
的寄生二极管或二极管的阴极连接；依次经变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-874623DEST_PATH_IMAGE032
、以及并联的第1变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-400282DEST_PATH_IMAGE005
与第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-308458DEST_PATH_IMAGE014
后，与箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-540856DEST_PATH_IMAGE031
的源极、箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-374820DEST_PATH_IMAGE031
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-387775DEST_PATH_IMAGE035
的阳极、功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-270280DEST_PATH_IMAGE030
的漏极、以及功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-248863DEST_PATH_IMAGE030
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-191411DEST_PATH_IMAGE034
的阴极连接；
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-894925DEST_PATH_IMAGE001
的第2连接端，与功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-440176DEST_PATH_IMAGE030
的源极、以及功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-709483DEST_PATH_IMAGE030
的寄生二极管或二极管的阳极连接；
所述功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-311945DEST_PATH_IMAGE030
的栅极，用于输入占空比为
Figure DEST_PATH_RE-598570DEST_PATH_IMAGE021
的脉冲信号；箝位开关的栅极，用于输入占空比为
Figure DEST_PATH_RE-6734DEST_PATH_IMAGE022
的脉冲信号；
所述第1变压器T1的原边线圈，并联在第1变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-481578DEST_PATH_IMAGE005
的两端；第1变压器T1副边线圈的第1连接端，与第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-73359DEST_PATH_IMAGE008
的阳极连接；第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-520521DEST_PATH_IMAGE008
的阴极，经第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-975773DEST_PATH_IMAGE009
后与第1变压器T1副边线圈的第2连接端、以及及第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-469071DEST_PATH_IMAGE017
的阴极连接；
所述第2变压器T2的原边线圈，并联在第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-97498DEST_PATH_IMAGE014
的两端；第2变压器T2副边线圈的第1连接端，与第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-399167DEST_PATH_IMAGE017
的阳极连接；第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-589102DEST_PATH_IMAGE017
的阴极，经第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-772959DEST_PATH_IMAGE018
后与第2变压器T2副边线圈的第2连接端连接；
所述第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-142760DEST_PATH_IMAGE008
与第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-361252DEST_PATH_IMAGE009
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-220623DEST_PATH_IMAGE002
的第1端子，第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-393241DEST_PATH_IMAGE017
与第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-301154DEST_PATH_IMAGE018
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-498786DEST_PATH_IMAGE002
的第2端子；
所述功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-42243DEST_PATH_IMAGE030
、以及箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-200692DEST_PATH_IMAGE031
，至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET、绝缘栅极双极型晶体管IGBT与二极管中的至少一种。
进一步地，当n=2时，所述变换器包括正激变换器，所述第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2； 
所述正激变换器，包括功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-974612DEST_PATH_IMAGE030
、变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-839800DEST_PATH_IMAGE032
、第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1、第2变压器原边励磁电感或者电感Lm1、第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-969059DEST_PATH_IMAGE008
、第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-547807DEST_PATH_IMAGE017
、第1输出滤波电容
Figure DEST_PATH_RE-857566DEST_PATH_IMAGE023
、第2输出滤波电容
Figure DEST_PATH_RE-990607DEST_PATH_IMAGE026
、第1输出整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-607795DEST_PATH_IMAGE024
、第2输出整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-509892DEST_PATH_IMAGE027
、第1输出滤波电感
Figure DEST_PATH_RE-990552DEST_PATH_IMAGE025
、第2输出滤波电感
Figure DEST_PATH_RE-610889DEST_PATH_IMAGE028
、以及功率半导体开关的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-522793DEST_PATH_IMAGE034
；其中：
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-705513DEST_PATH_IMAGE001
的第1连接端，经变压器漏感或额外添加的电感Lr、以及并联的第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1与第2变压器原边励磁电感或者电感Lm1后，与功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-64764DEST_PATH_IMAGE030
的漏极、以及功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-394114DEST_PATH_IMAGE030
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-655331DEST_PATH_IMAGE034
的阴极连接；
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-887992DEST_PATH_IMAGE001
的第2连接端，与功率半导体开关的源极、以及功率半导体开关的寄生二极管或二极管的阳极连接；功率半导体开关的栅极，均用于输入脉冲信号；
所述第1变压器T1的原边线圈，并联在第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1的两端；第1变压器T1副边线圈的第1连接端，与第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-380601DEST_PATH_IMAGE008
的阳极连接；第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-718041DEST_PATH_IMAGE008
的阴极，与第1输出整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-423829DEST_PATH_IMAGE024
的阴极连接，并依次经第1输出滤波电感
Figure DEST_PATH_RE-758996DEST_PATH_IMAGE025
及第1输出滤波电容
Figure DEST_PATH_RE-51699DEST_PATH_IMAGE023
后、与第1输出整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-396093DEST_PATH_IMAGE024
的阳极及第1变压器T1副边线圈的第2连接端连接；
所述第2变压器T2的原边线圈，并联在第2变压器原边励磁电感或者电感Lm2的两端；第2变压器T2副边线圈的第1连接端，与第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-587088DEST_PATH_IMAGE017
的阳极连接；第2输出二极管的阴极，与第2输出整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-972295DEST_PATH_IMAGE027
的阴极连接，并依次经第2输出滤波电感
Figure DEST_PATH_RE-387096DEST_PATH_IMAGE028
及第2输出滤波电容
Figure DEST_PATH_RE-391961DEST_PATH_IMAGE026
后、与第2输出整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-892213DEST_PATH_IMAGE027
的阳极及第2变压器T2副边线圈的第2连接端连接；
所述第1输出整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-876611DEST_PATH_IMAGE024
的阳极，经第2输出滤波电感
Figure DEST_PATH_RE-349181DEST_PATH_IMAGE028
后与第2输出整流二极管的阳极连接；第1输出滤波电感与第1输出滤波电容
Figure DEST_PATH_RE-799120DEST_PATH_IMAGE023
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-424399DEST_PATH_IMAGE002
的第1端子，第2输出滤波电感
Figure DEST_PATH_RE-708749DEST_PATH_IMAGE028
与第2输出滤波电容
Figure DEST_PATH_RE-183593DEST_PATH_IMAGE026
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-273909DEST_PATH_IMAGE002
的第2端子；
所述功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-455491DEST_PATH_IMAGE030
，至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET、绝缘栅极双极型晶体管IGBT与二极管中的至少一种。
进一步地，当n=2时，所述变换器包括反激变换器，所述第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2； 
所述反激变换器，包括功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-707481DEST_PATH_IMAGE030
、变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-436665DEST_PATH_IMAGE032
、第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1、第2变压器原边励磁电感或者电感Lm2、第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-586390DEST_PATH_IMAGE008
、第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-537290DEST_PATH_IMAGE017
、第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-907092DEST_PATH_IMAGE009
、第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-860004DEST_PATH_IMAGE018
、以及功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-719376DEST_PATH_IMAGE030
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-390529DEST_PATH_IMAGE034
；其中：
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-127803DEST_PATH_IMAGE001
的第1连接端，经变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-138484DEST_PATH_IMAGE032
、以及并联的第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1与第2变压器原边励磁电感或者电感Lm2后，与功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-101127DEST_PATH_IMAGE030
的漏极、以及功率半导体开关的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-731271DEST_PATH_IMAGE034
的阴极连接；
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-377016DEST_PATH_IMAGE001
的第2连接端，与功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-626731DEST_PATH_IMAGE030
的源极、以及功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-674322DEST_PATH_IMAGE030
的寄生二极管或二极管的阳极连接；功率半导体开关的栅极，用于输入脉冲信号；
所述第1变压器T1的原边线圈，并联在第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1的两端；第1变压器T1副边线圈的第1连接端，与第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-838006DEST_PATH_IMAGE008
的阳极连接；第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-272661DEST_PATH_IMAGE008
的阴极，经第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-565102DEST_PATH_IMAGE009
后与第1变压器T1副边线圈的第2连接端、以及第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-923664DEST_PATH_IMAGE017
的阴极连接；
所述第2变压器T2的原边线圈，并联在第2变压器原边励磁电感或者电感的两端；第2变压器T2副边线圈的第1连接端，与第2输出二极管的阳极连接；第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-236200DEST_PATH_IMAGE017
的阴极，经第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-195191DEST_PATH_IMAGE018
后与第2变压器T2副边线圈的第2连接端连接；
所述第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-743984DEST_PATH_IMAGE008
与第1输出电容的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-286009DEST_PATH_IMAGE002
的第1端子，第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-48691DEST_PATH_IMAGE017
与第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-717570DEST_PATH_IMAGE018
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-835568DEST_PATH_IMAGE002
的第2端子；
所述功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-652214DEST_PATH_IMAGE030
，至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET、绝缘栅极双极型晶体管IGBT与二极管中的至少一种。
进一步地，当n=2时，所述变换器包括低端箝位反激变换器，所述第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2； 
所述低端箝位反激变换器，包括控制开关
Figure DEST_PATH_RE-941289DEST_PATH_IMAGE030
、箝位开关、变压器漏感或额外添加的电感Lr、第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1、第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-598218DEST_PATH_IMAGE014
、箝位电容
Figure DEST_PATH_RE-71050DEST_PATH_IMAGE033
、第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-265271DEST_PATH_IMAGE008
、第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-56509DEST_PATH_IMAGE017
、第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-699106DEST_PATH_IMAGE009
与第2输出电容；其中：
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-765468DEST_PATH_IMAGE001
的第1连接端，经变压器漏感或额外添加的电感Lr、以及并联的第1变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-552606DEST_PATH_IMAGE005
与第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-170669DEST_PATH_IMAGE014
后，与控制开关的控制端连接，并经箝位电容
Figure DEST_PATH_RE-36305DEST_PATH_IMAGE033
后与箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-519239DEST_PATH_IMAGE031
的控制端连接；
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-54126DEST_PATH_IMAGE001
的第2连接端，与控制开关
Figure DEST_PATH_RE-964313DEST_PATH_IMAGE030
的固定端、以及箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-889544DEST_PATH_IMAGE031
的固定端连接；
所述控制开关
Figure DEST_PATH_RE-677633DEST_PATH_IMAGE030
的控制端，用于输入占空比为
Figure DEST_PATH_RE-270289DEST_PATH_IMAGE021
的脉冲信号；箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-413694DEST_PATH_IMAGE031
的控制端，用于输入占空比为
Figure DEST_PATH_RE-888538DEST_PATH_IMAGE022
的脉冲信号；
所述第1变压器T1的原边线圈，并联在第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1的两端；第1变压器T1副边线圈的第1连接端，与第1输出二极管的阳极连接；第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-726940DEST_PATH_IMAGE008
的阴极，经第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-689080DEST_PATH_IMAGE009
后与第1变压器T1副边线圈的第2连接端、以及第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-830691DEST_PATH_IMAGE017
的阴极连接；
所述第2变压器T2的原边线圈，并联在第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-991414DEST_PATH_IMAGE014
的两端；第2变压器T2副边线圈的第1连接端，与第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-679884DEST_PATH_IMAGE017
的阳极连接；第2输出二极管的阴极，经第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-586DEST_PATH_IMAGE018
后与第2变压器T2副边线圈的第2连接端连接；
所述第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-156761DEST_PATH_IMAGE008
与第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-812870DEST_PATH_IMAGE009
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-484023DEST_PATH_IMAGE002
的第1端子，第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-657516DEST_PATH_IMAGE017
与第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-668197DEST_PATH_IMAGE018
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-199935DEST_PATH_IMAGE002
的第2端子；
所述控制开关
Figure DEST_PATH_RE-296067DEST_PATH_IMAGE030
、以及箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-804408DEST_PATH_IMAGE031
，至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET、绝缘栅极双极型晶体管IGBT与二极管中的至少一种。
进一步地，当n=2时，所述变换器包括硬开关全桥电路，所述第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2； 
所述硬开关全桥电路，包括第1至第4控制开关Q1-Q4、第1至第4整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-719778DEST_PATH_IMAGE037
-
Figure DEST_PATH_RE-31810DEST_PATH_IMAGE038
、变压器漏感或额外添加的电感Lr、第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1、第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-226928DEST_PATH_IMAGE014
、以及滤波电容；其中：
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-356000DEST_PATH_IMAGE001
的第1连接端，与第1控制开关的控制端及第2控制开关
Figure DEST_PATH_RE-394680DEST_PATH_IMAGE031
的控制端连接；直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-251778DEST_PATH_IMAGE001
的第2连接端，与第3控制开关的固定端及第4控制开关
Figure DEST_PATH_RE-456680DEST_PATH_IMAGE036
的固定端连接；
所述变压器漏感或额外添加的电感的第1连接端，与第2控制开关
Figure DEST_PATH_RE-959522DEST_PATH_IMAGE031
的固定端及第3控制开关
Figure DEST_PATH_RE-508316DEST_PATH_IMAGE040
的控制端连接；变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-160139DEST_PATH_IMAGE032
的第2连接端，经并联的第1变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-427172DEST_PATH_IMAGE005
与第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-360493DEST_PATH_IMAGE014
后，与第1控制开关
Figure DEST_PATH_RE-91689DEST_PATH_IMAGE030
的固定端及第4控制开关
Figure DEST_PATH_RE-350632DEST_PATH_IMAGE036
的控制端连接；
所述第1变压器T1的原边线圈，并联在第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1的两端；第2变压器T2的原边线圈，并联在第2变压器原边励磁电感或者电感Lm2的两端；
所述第1变压器T1副边线圈的第1连接端，与第1整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-427675DEST_PATH_IMAGE037
的阳极及第4整流二极管的阴极连接；第1变压器T1副边线圈的第2连接端，与第2变压器T2副边线圈的第1连接端连接；第2变压器T2副边线圈的第2连接端，与第2整流二极管的阳极及第3整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-436585DEST_PATH_IMAGE042
的阴极连接；
所述第1整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-814477DEST_PATH_IMAGE037
的阴极及第2整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-415223DEST_PATH_IMAGE038
的阴极，经滤波电容
Figure DEST_PATH_RE-442347DEST_PATH_IMAGE039
后，与第3整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-786741DEST_PATH_IMAGE042
的阳极及第4整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-550297DEST_PATH_IMAGE038
的阳极连接；滤波电容
Figure DEST_PATH_RE-56365DEST_PATH_IMAGE039
的两端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-272583DEST_PATH_IMAGE002
的第1端子与第2端子；
所述第1至第4控制开关Q1-Q4，至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET、绝缘栅极双极型晶体管IGBT与二极管中的至少一种。
进一步地，以上所述的高升压电路，还包括谐振电容
Figure DEST_PATH_RE-105912DEST_PATH_IMAGE043
，所述谐振电容
Figure DEST_PATH_RE-543847DEST_PATH_IMAGE043
连接在变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-782106DEST_PATH_IMAGE032
、与第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1及第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-102546DEST_PATH_IMAGE014
的公共端之间。 
进一步地，当n=2时，所述变换器包括Push-Pull推挽电路，所述第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2； 
所述Push-Pull推挽电路，包括第1至第2控制开关Q1-Q2、第1至第4输出二极管D1-D4、第1至第2输出电感L1-L2、以及第1至第2输出电容C1-C2；其中：
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-325848DEST_PATH_IMAGE001
的第1连接端，与第1变压器T1原边线圈的中心抽头及第2变压器T2原边线圈的中心抽头连接；直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-891959DEST_PATH_IMAGE001
的第1连接端，与第1控制开关
Figure DEST_PATH_RE-928048DEST_PATH_IMAGE030
的固定端及第2控制开关的固定端连接；
所述第1控制开关
Figure DEST_PATH_RE-941320DEST_PATH_IMAGE030
的控制端，与第1变压器T1原边线圈的第1连接端及第2变压器T2原边线圈的第1连接端连接；第2控制开关的控制端，与第1变压器T1原边线圈的第2连接端及第2变压器T2原边线圈的第2连接端连接；
所述第1变压器T1副边线圈的第1连接端，与第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-326351DEST_PATH_IMAGE037
的阳极连接；第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-123406DEST_PATH_IMAGE037
的阴极，与第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-732242DEST_PATH_IMAGE041
的阴极连接，并经第1输出电感、第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-713153DEST_PATH_IMAGE039
及第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-681109DEST_PATH_IMAGE046
后与第2变压器T2副边线圈的中心抽头连接；第1变压器T1副边线圈的第2连接端，与第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-341023DEST_PATH_IMAGE041
的阳极连接；第1变压器T1副边线圈的中心抽头，与第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-52627DEST_PATH_IMAGE039
及第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-183394DEST_PATH_IMAGE046
的公共端连接；
所述第2变压器T2副边线圈的第1连接端，与第3输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-384568DEST_PATH_IMAGE042
的阳极连接；第3输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-702417DEST_PATH_IMAGE042
的阴极，与第4输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-280029DEST_PATH_IMAGE038
的阴极连接，并经第2输出电感
Figure DEST_PATH_RE-327619DEST_PATH_IMAGE045
后与第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-637378DEST_PATH_IMAGE039
及第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-442523DEST_PATH_IMAGE046
的公共端连接；
所述第1输出电感
Figure DEST_PATH_RE-59711DEST_PATH_IMAGE044
与第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-899491DEST_PATH_IMAGE039
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-380151DEST_PATH_IMAGE002
的第1端子，第2变压器T2副边线圈的中心抽头为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-203751DEST_PATH_IMAGE002
的第2端子；
所述第1至第2控制开关Q1-Q2，至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET、绝缘栅极双极型晶体管IGBT与二极管中的至少一种。
同时，本实用新型采用的另一技术方案是：一种基于以上所述的高升压电路的太阳能逆变器，至少包括基于高升压电路的高升压变换器、全桥逆变模块、驱动器、带有最大功率点跟踪MPPT功能的逆变器控制器、连接在所述逆变器控制器输入端的太阳能电池板、以及电网侧电压源vgvid，其中： 
所述高升压变换器的输入端，与太阳能电池板连接；高升压变换器的输出端，依次经驱动器及全桥逆变模块后，与电网侧电压源vgvid并联，并输出并网电流的有效值IGRID至电网；
所述逆变器控制器，用于提供输出电流的控制参考值，使得逆变器输入端连接的太阳能电池板工作在最大功率点。
同时，本实用新型采用的再一技术方案是：一种基于以上所述的高升压电路的太阳能电池系统，至少包括发电装置、基于高升压电路的高升压变换器、全桥逆变模块、驱动器、带有最大功率点跟踪MPPT功能的逆变器控制器、以及电网侧电压源vgvid和/或电器设备，其中： 
所述发电装置的输出端，分别与高升压变换器及逆变器控制器连接；逆变器控制器经驱动器后，分别与高升压变换器及全桥逆变模块连接；高升压变换器与全桥逆变模块连接；全桥逆变模块的输出端，与电网侧电压源vgvid和/或电器设备并联。
进一步地，所述发电装置，至少包括并行设置的太阳能组件与辅助电源。 
本实用新型各实施例的高升压电路、太阳能逆变器与太阳能电池系统，由于该高升压电路包括直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-406882DEST_PATH_IMAGE001
，与直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-169564DEST_PATH_IMAGE001
连接、且用于输出直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-838443DEST_PATH_IMAGE002
的变换器单元，以及配合连接在变换器单元的原边与副边之间的变压器单元；变压器单元，用于将变换器单元的原边与副边进行隔离；和/或，用于基于变换器单元原边的输入电压，对该变换器单元副边的输出电压进行升压处理；可以在一些需要将低压电通过高升压比转换为高压电的场合，该结构不仅可以降低整个能源转换电路的成本，还能降低转换装置的损耗，提高效率，非常适合于越来越多的高升压应用场合，如太阳能微型逆变器，车载逆变器还有一些蓄电池供电的场合；从而可以克服现有技术中成本高、额外损耗大、能量转换效率低与环保性差的缺陷，以实现成本低、额外损耗小、能量转换效率高与环保性好的优点。 
本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。 
下面通过附图和实施例，对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。 
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中： 
图1为本实用新型高升压电路第一种结构的电气原理示意图；
图2为本实用新型高升压电路第二种结构的电气原理示意图；
图3为两个有源箝位反激电路在图1中应用的电气原理示意图；
图4为基于图3的交错并联工作开关信号相位关系示意图；
图5为有源箝位反激电路在图2中应用的电气原理示意图；
图6为正激变换器在图1中应用的电气原理示意图；
图7为正激变换器在图2中应用的电气原理示意图；
图8为普通反激电路在图1中应用的电气原理示意图；
图9为普通反激电路在图2中应用的电气原理示意图；
图10为低端箝位反激变换器在图1中应用的电气原理示意图；
图11为低端箝位反激变换器在图2中应用的电气原理示意图；
图12为硬开关全桥电路在图2中应用的电气原理示意图；
图13为LLC电路在图2中应用的电气原理示意图；
图14为Push-Pull电路在图2中应用的电气原理示意图；
图15为基于高升压电路的太阳能逆变器的电气原理示意图；
图16为基于高升压电路的太阳能电池系统的电气原理示意图。
结合附图，本实用新型实施例中附图标记如下： 
1-太阳能组件。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。 
高升压电路实施例
实施例一
根据本实用新型实施例，提供了一种高升压电路。本实施例包括直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-831806DEST_PATH_IMAGE001
，与直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-648453DEST_PATH_IMAGE001
连接、且用于输出直流或准交流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-651044DEST_PATH_IMAGE002
的变换器单元，以及配合连接在变换器单元的原边与副边之间的变压器单元；该变压器单元，用于将变换器单元的原边与副边进行隔离；和/或，用于基于变换器单元原边的输入电压，对该变换器单元副边的输出电压进行升压处理。
上述实施例的高升压电路，在一些需要将低压电通过高升压比转换为高压电的场合，该高升压电路不仅可以降低整个能源转换电路的成本，还能降低转换装置的损耗，提高效率，非常适合于越来越多的高升压应用场合，如太阳能微型逆变器、车载逆变器、以及一些蓄电池供电的场合。 
如图1所示，提供了一种高升压电路的第一种结构。在图1中，上述变换器单元包括第1至第n变换器，上述变压器单元包括分别配合连接在第1至第n变换器中相应变换器的原边与副边之间的第1至第n变压器；第1至第n变压器，分别用于将第1至第n变换器中相应变换器的原边与副边进行隔离，和/或，用于实现升压； 
在上述第1至第n变换器的原边，第1至第n变换器远离相应变压器的输入一侧并联，第1至第n变换器靠近相应变压器的一侧分别与相应变压器的原边线圈连接；在第1至第n变换器的副边，第1至第n变换器远离相应变压器的输出一侧串联，第1至第n变换器靠近相应变压器的一侧分别与相应变压器的副边线圈连接；n为自然数。
在上述实施例中，上述第1至第n变换器工作于交错并联模式，即第1至第n变换器之间彼此相位错开的度数为360/n，n为自然数。 
在图1所示的高升压电路的第一种结构中，第1变换器、第2变换器…第n变换器都是一样的，都是由一个变压器将原副边隔离开来，变压器不仅可以实现隔离，还能实现升压。将各个变换器的原边并联起来，而副边串联起来，这样对于每个变换器来说，它都只需要处理一小部分能量。众所周知，功率元件如功率二极管，功率场效应管（MOS）等都是电压越高价格越贵；允许通过的电流越大，成本越高，因此本实用新型的最终目的就是将高压的特性转换为低压，而将大电流的特性转换为小电流，从而降低成本。而变换器工作于高压情况下，会产生更多的损耗，这将大大降低变换器的效率，因此本实用新型的主要想法就是通过将变换器的原边并联，副边串联来降低整个变换器的成本，同时提高效率。 
由图1所示的结构，可以发现： 
  Vin=Vin1+Vin2+…+Vinn                  （1）
     Iin=Iin1+Iin2+…+Iinn                （2）
   V0=V01+V02+…+V0n                  （3）
 I0=I01=I02=…=I0n                    （4）
也就是说，当使用上述结构工作时，并联的输入端对于每个变换器来说，其输入电压都是一样的，而输入电流却被平均的分配到了n个变换器中。对于变换器中的开关，一般二极管上的损耗是流过它的电流乘以它的导通电压：
   Pdiode=Idiode*VF-diode                      （5）
如果使用n个变换器来并联，则二极管上的损耗降低为原来的n分之一，当然总的二极管损耗是不变的，只是用n个二极管来分配原来的大电流，而分配开电流后，原来需要使用的大电流二极管可以被小电流二极管替代，而n个小电流的二极管的总成本一般都小于一个大电流的二极管成本。再者分散的损耗将有利于散热，增加变换器的可靠性。
同样的，变换器中还存在开关场效应晶体管（MOS）等元件，它们上面的导通损耗等于： 
     PMOS=Rds-on-MOS*IMOS 2                （6）
依据上式可知，n个变换器的分流，可以让每个变换器中开关器件流过的电流变化为原来的n分之一，由于开关器件的损耗直接由它的导通电阻决定，在保持导通电阻不变的情况下，则损耗变化为原来的n平方分之一。总的损耗变化为原来的 n x (1/n)2=1/n，由此，变换器的总损耗降低，效率提高。当然，也可以使用成本更加低廉的小电流开关器件来替代原来高成本的大电流开关器件，比如，每个小电流器件的导通电阻为原来大器件的n倍。那么，总的损耗会维持不变，但同样的，n个小电流的开关器件很多时候价格还比一个大电流的开关器件要低，因此变换器的成本得到降低，再就是同二极管的原理一样，分散的损耗将更加有利于变换器的热处理，增加变换器的可靠性。
再来看副边，由于副边的串联结构，高压被平均的分配到各个变换器的输出，则每个变换器的输出电压只有总电压的n分之一。这样，对于每个变换器可以使用低电压的器件。同样的，由于低压器件的成本较低，这不仅可以降低成本，还能很好的分散热量，提高变化器的可靠性，降低损耗。 
图1所示的结构还有一个优点：自动功率均分。就是说，对于第1变换器、第2变换器…第n变换器，每个变换器处理的功率都是一样的，原理如下： 
由于副边的输出是串联结构，所以输出的电流是一样的，如公式（4）所示，而变换器中传输的电流其实就是输出电流，此时变压器的副边传输的电流就是一样的，再根据变压器原副边电流的关系，可以得出变压器原边的电流也是一样的，同样的，输入电流都会通过变压器传送到副边（如果不传送到副边则内部会有很多无功电流，这样的电流会产生数很大损耗，这违背了变换器传送能量的本质），所以变压器原边的电流就是输入电流，由于变压器的副边电流等于输出电流，而原边电流和副边电流满足匝比关系，因此，每个变换器都是一样匝比的时候，变压器原边的电流就是一样的，此时表明，输入侧的电流就是一样的。而原边的并联结构导致了输入侧的电压都是一样的，则对于每台变换器，输入电压一样，输入电流也一样，则他们传送的功率也就是一样的，这种结构可以实现自动的功率均分功能。
上述实施例最大的特点就是输入电流均分，输出电压均分，同时第1变换器、第2变换器…第n变换器都是功率均等的。同样的想法还可以应用在同一个变换器内部使用多个变压器。变压器的损耗由它的绕线电阻损耗和磁芯损耗组成，原边并联的结构可以减少原边每个绕组的电流，每个变压器传输的能量也为原来的1/n，从而可以用多个小磁芯。这在实际中有重大意义：磁芯体积越大，生产工艺要求越高，成本也越高。而且磁芯体积无法随便做大，每种形状和材质的磁芯都有一个最大尺寸限制。在很多场合，无法找到满足传输功率要求的单个磁芯。这样，通过利用多个变压器原边并联，副边串联，可以化整为零，使用容易生产加工的小磁芯。从另外一个角度分析，当使用多个小变压器时，往往等效的总窗口面积和绕线空间会比使用单个大磁芯要大。原副边可以考虑用更粗的绕线。特别是副边的绕组串联，理论上可以减小副边的绕组匝数，也就减小了副边绕组线长。总的来说就是减小了原副边的绕组的导通电阻。根据公式（7），可以知道绕组线圈的损耗会降低： 
   Pwinding=    Rwinding     * Iwinding 2           （7）
实施例二
根据本实用新型实施例，提供了一种高升压电路。如图3所示，当n=2时，第1至第n变换器包括第1有源箝位反激变换器与第2有源箝位反激变换器，第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2；
上述第1有源箝位反激变换器，包括第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-828209DEST_PATH_IMAGE003
、第1箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-599856DEST_PATH_IMAGE004
、第1变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-816074DEST_PATH_IMAGE005
、第1变压器漏感或额外添加的电感、第1箝位电容
Figure DEST_PATH_RE-910118DEST_PATH_IMAGE007
、第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-852666DEST_PATH_IMAGE008
、第1输出电容、以及第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-602895DEST_PATH_IMAGE003
与第1箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-809886DEST_PATH_IMAGE004
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-47969DEST_PATH_IMAGE010
与；
上述第2有源箝位反激变换器，包括第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-259825DEST_PATH_IMAGE012
、第2箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-586901DEST_PATH_IMAGE013
、第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-605672DEST_PATH_IMAGE014
、第2变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-581981DEST_PATH_IMAGE015
、第2箝位电容
Figure DEST_PATH_RE-609980DEST_PATH_IMAGE016
、第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-791562DEST_PATH_IMAGE017
、第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-512394DEST_PATH_IMAGE018
、以及第2功率半导体开关与第2箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-634120DEST_PATH_IMAGE013
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-935788DEST_PATH_IMAGE019
与
Figure DEST_PATH_RE-561941DEST_PATH_IMAGE020
；其中：
上述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-683481DEST_PATH_IMAGE001
的第1连接端，经第1箝位电容
Figure DEST_PATH_RE-628783DEST_PATH_IMAGE007
后，与第1箝位开关的漏极、以及第1箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-644329DEST_PATH_IMAGE004
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-253165DEST_PATH_IMAGE011
的阴极连接；依次经第1变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-161078DEST_PATH_IMAGE006
及第1变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-234077DEST_PATH_IMAGE005
后，与第1箝位开关的源极、第1箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-360482DEST_PATH_IMAGE004
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-635867DEST_PATH_IMAGE011
的阳极、第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-501055DEST_PATH_IMAGE003
的漏极、以及第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-905492DEST_PATH_IMAGE003
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-488920DEST_PATH_IMAGE010
的阴极连接；经第2箝位电容
Figure DEST_PATH_RE-4215DEST_PATH_IMAGE016
后，与第2箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-723909DEST_PATH_IMAGE013
的漏极、以及第2箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-892722DEST_PATH_IMAGE013
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-25763DEST_PATH_IMAGE020
的阴极连接；以及，依次经第2变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-79170DEST_PATH_IMAGE015
及第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-918950DEST_PATH_IMAGE014
后，与第2箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-963392DEST_PATH_IMAGE013
的源极、第2箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-521412DEST_PATH_IMAGE013
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-112930DEST_PATH_IMAGE020
的阳极、第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-869534DEST_PATH_IMAGE012
的漏极、以及第2功率半导体开关的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-628728DEST_PATH_IMAGE019
的阴极连接；
上述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-23937DEST_PATH_IMAGE001
的第2连接端，与第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-838310DEST_PATH_IMAGE003
的源极、第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-723089DEST_PATH_IMAGE003
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-990122DEST_PATH_IMAGE010
的阳极、第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-189023DEST_PATH_IMAGE012
的源极、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-421683DEST_PATH_IMAGE012
的寄生二极管或二极管的阳极连接；
上述第1功率半导体开关的栅极、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-171967DEST_PATH_IMAGE012
的栅极，用于输入占空比为
Figure DEST_PATH_RE-554407DEST_PATH_IMAGE021
的脉冲信号；第1箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-984251DEST_PATH_IMAGE004
的栅极、以及第2箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-288194DEST_PATH_IMAGE013
的栅极，用于输入占空比为
Figure DEST_PATH_RE-815515DEST_PATH_IMAGE022
的脉冲信号；
上述第1变压器T1的原边线圈，并联在第1变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-458986DEST_PATH_IMAGE005
的两端；第1变压器T1副边线圈的第1连接端，与第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-357934DEST_PATH_IMAGE008
的阳极连接；第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-86855DEST_PATH_IMAGE008
的阴极，经第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-431249DEST_PATH_IMAGE009
后与第1变压器T1副边线圈的第2连接端、以及及第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-929226DEST_PATH_IMAGE017
的阴极连接；
上述第2变压器T2的原边线圈，并联在第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-700873DEST_PATH_IMAGE014
的两端；第2变压器T2副边线圈的第1连接端，与第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-651512DEST_PATH_IMAGE017
的阳极连接；第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-393072DEST_PATH_IMAGE017
的阴极，经第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-745556DEST_PATH_IMAGE018
后与第2变压器T2副边线圈的第2连接端连接；
上述第1输出二极管与第1输出电容的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-608972DEST_PATH_IMAGE002
的第1端子，第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-633605DEST_PATH_IMAGE017
与第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-747054DEST_PATH_IMAGE018
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-672285DEST_PATH_IMAGE002
的第2端子；
上述第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-958910DEST_PATH_IMAGE003
、第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-20407DEST_PATH_IMAGE012
、第1箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-304758DEST_PATH_IMAGE004
、以及第2箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-779601DEST_PATH_IMAGE013
，至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET、绝缘栅极双极型晶体管IGBT与二极管中的至少一种。
将两个反激电路的输入并联，输出串联，则形成图3所示结构，如前面介绍，输入由于是低压，电流比较大，并联的结构减少了各个反激电路的电流，降低损耗，分散热量，增加电路的可靠性。而副边是高压，串联的结构降低了各个反激的输出电压，D11和D12可以使用低压的二极管，价格便宜很多，而且变压器的匝比也可以降低，减少副边的匝数，直接效果是减小变压器绕组的电阻，降低绕组损耗，进一步提高效率。原本使用一个反激电路实现同样的升压，变压器的原边与副边的匝数比是1：N，而使用原边并联，副边串联的结构后，可以将原来变压器的匝数比降低为2：N，减少变压器体积。 
图3所示有源箝位反激变换电路是典型的一类隔离的又可升压的电路，在太阳能微型逆变器中得到广泛应用。由于单块太阳能电池板电压比较低，而逆变电路需要并网，则需要用到高升压电路，这种高升压电路的输入电压很低，输出电压很高，而输入电流比较大，输出电流很小，因此使用本实用新型可以很好的降低损耗，提高变换器效率，还能减少成本。 
图3所示的两个反激电路还可以工作于交错并联模式，这不仅可以减少输入端电流的纹波，减少电容上的纹波损耗，还能减少输出纹波，降低后级逆变电路输出电流的纹波，减少输出电流的谐波。所谓的交错并联模式，是指图3中的两组功率开关（即第1功率半导体开关和第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-989183DEST_PATH_IMAGE012
），交替180度（即第1至第2变换器之间彼此相位错开的度数为360度/2=180度）工作，其开关信号关系图参见图4。 
进一步的扩展图3所示结构，我们还可以使用n个反激电路原边并联，副边串联使用，可以再进一步减少各个反激电路原边的电流，也可以进一步减少副边电压，减少损耗，提高电路效率。不过实际系统中需要综合考虑增加的体积和低压MOS，变压器等的成本。 
实施例三
根据本实用新型实施例，提供了一种高升压电路。如图6所示，当n=2时，第1至第n变换器包括第1正激变换器与第2正激变换器，第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2；
上述第1正激变换器，包括第1功率半导体开关、第1变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-140996DEST_PATH_IMAGE005
、第1变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-707106DEST_PATH_IMAGE006
、第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-572556DEST_PATH_IMAGE008
、第1输出滤波电容
Figure DEST_PATH_RE-933130DEST_PATH_IMAGE023
、第1输出整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-320249DEST_PATH_IMAGE024
、第1输出滤波电感
Figure DEST_PATH_RE-955630DEST_PATH_IMAGE025
、以及第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-846226DEST_PATH_IMAGE003
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-502335DEST_PATH_IMAGE010
；
上述第2正激变换器，包括第2功率半导体开关、第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-284663DEST_PATH_IMAGE014
、第2变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-357661DEST_PATH_IMAGE015
、第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-325617DEST_PATH_IMAGE017
、第2输出滤波电容
Figure DEST_PATH_RE-421749DEST_PATH_IMAGE026
、第2输出整流二极管、第2输出滤波电感
Figure DEST_PATH_RE-562323DEST_PATH_IMAGE028
、以及第2功率半导体开关的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-346925DEST_PATH_IMAGE019
；其中：
上述直流输入电压的第1连接端，依次经第1变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-581915DEST_PATH_IMAGE006
及第1变压器原边励磁电感或者电感后，与第1功率半导体开关的漏极、以及第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-78121DEST_PATH_IMAGE003
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-980218DEST_PATH_IMAGE010
的阴极连接；以及，依次经第2变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-460878DEST_PATH_IMAGE015
及第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-753319DEST_PATH_IMAGE014
后，与第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-174198DEST_PATH_IMAGE012
的漏极、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-868485DEST_PATH_IMAGE012
的寄生二极管或二极管的阴极连接；
上述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-830941DEST_PATH_IMAGE001
的第2连接端，与第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-226151DEST_PATH_IMAGE003
的源极、第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-774944DEST_PATH_IMAGE003
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-722040DEST_PATH_IMAGE010
的阳极、第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-989073DEST_PATH_IMAGE012
的源极、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-187973DEST_PATH_IMAGE012
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-653590DEST_PATH_IMAGE019
的阳极连接；
上述第1功率半导体开关的栅极、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-230644DEST_PATH_IMAGE012
的栅极，均用于输入占空比相同的脉冲信号；
上述第1变压器T1的原边线圈，并联在第1变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-967656DEST_PATH_IMAGE005
的两端；第1变压器T1副边线圈的第1连接端，与第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-553358DEST_PATH_IMAGE008
的阳极连接；第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-983202DEST_PATH_IMAGE008
的阴极，与第1输出整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-21565DEST_PATH_IMAGE024
的阴极连接，并依次经第1输出滤波电感
Figure DEST_PATH_RE-562268DEST_PATH_IMAGE025
及第1输出滤波电容
Figure DEST_PATH_RE-268056DEST_PATH_IMAGE023
后、与第1输出整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-603222DEST_PATH_IMAGE024
的阳极及第1变压器T1副边线圈的第2连接端连接；
上述第2变压器T2的原边线圈，并联在第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-895926DEST_PATH_IMAGE014
的两端；第2变压器T2副边线圈的第1连接端，与第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-974740DEST_PATH_IMAGE017
的阳极连接；第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-472718DEST_PATH_IMAGE017
的阴极，与第2输出整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-244365DEST_PATH_IMAGE027
的阴极连接，并依次经第2输出滤波电感
Figure DEST_PATH_RE-460582DEST_PATH_IMAGE028
及第2输出滤波电容后、与第2输出整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-554626DEST_PATH_IMAGE027
的阳极及第2变压器T2副边线圈的第2连接端连接；
上述第1输出整流二极管的阳极，经第2输出滤波电感
Figure DEST_PATH_RE-997426DEST_PATH_IMAGE028
后与第2输出整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-981825DEST_PATH_IMAGE027
的阳极连接；第1输出滤波电感
Figure DEST_PATH_RE-454394DEST_PATH_IMAGE025
与第1输出滤波电容
Figure DEST_PATH_RE-302265DEST_PATH_IMAGE023
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-289812DEST_PATH_IMAGE002
的第1端子，第2输出滤波电感与第2输出滤波电容
Figure DEST_PATH_RE-903513DEST_PATH_IMAGE026
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-187864DEST_PATH_IMAGE002
的第2端子；
上述第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-600391DEST_PATH_IMAGE003
、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-425127DEST_PATH_IMAGE012
，至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET、绝缘栅极双极型晶体管IGBT与二极管中的至少一种。
实施例四
根据本实用新型实施例，提供了一种高升压电路。如图8所示，当n=2时，第1至第n变换器包括第1反激变换器与第2反激变换器，第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2；
上述第1反激变换器，包括第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-606710DEST_PATH_IMAGE003
、第1变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-61962DEST_PATH_IMAGE005
、第1变压器漏感或额外添加的电感、第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-91677DEST_PATH_IMAGE008
、第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-127766DEST_PATH_IMAGE009
、以及第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-19499DEST_PATH_IMAGE003
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-406618DEST_PATH_IMAGE010
；
上述第2反激变换器，包括第2功率半导体开关、第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-526070DEST_PATH_IMAGE014
、第2变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-323124DEST_PATH_IMAGE015
、第2输出二极管、第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-167769DEST_PATH_IMAGE018
、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-178451DEST_PATH_IMAGE012
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-146407DEST_PATH_IMAGE019
；其中：
上述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-630539DEST_PATH_IMAGE001
的第1连接端，依次经第1变压器漏感或额外添加的电感及第1变压器原边励磁电感或者电感后，与第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-408505DEST_PATH_IMAGE003
的漏极、以及第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-991933DEST_PATH_IMAGE003
的寄生二极管或二极管的阴极连接；以及，依次经第2变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-289240DEST_PATH_IMAGE015
及第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-598998DEST_PATH_IMAGE014
后，与第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-669722DEST_PATH_IMAGE012
的漏极、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-785446DEST_PATH_IMAGE012
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-625226DEST_PATH_IMAGE019
的阴极连接；
上述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-105886DEST_PATH_IMAGE001
的第2连接端，与第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-962109DEST_PATH_IMAGE003
的源极、第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-819206DEST_PATH_IMAGE003
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-513493DEST_PATH_IMAGE010
的阳极、第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-430633DEST_PATH_IMAGE012
的源极、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-475950DEST_PATH_IMAGE012
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-871159DEST_PATH_IMAGE019
的阳极连接；
上述第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-279006DEST_PATH_IMAGE003
的栅极、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-367048DEST_PATH_IMAGE012
的栅极，均用于输入占空比相同的脉冲信号；
上述第1变压器T1的原边线圈，并联在第1变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-634081DEST_PATH_IMAGE005
的两端；第1变压器T1副边线圈的第1连接端，与第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-629719DEST_PATH_IMAGE008
的阳极连接；第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-298598DEST_PATH_IMAGE008
的阴极，经第1输出电容后与第1变压器T1副边线圈的第2连接端、以及第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-610073DEST_PATH_IMAGE017
的阴极连接；
上述第2变压器T2的原边线圈，并联在第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-612664DEST_PATH_IMAGE014
的两端；第2变压器T2副边线圈的第1连接端，与第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-136049DEST_PATH_IMAGE017
的阳极连接；第2输出二极管的阴极，经第2输出电容后与第2变压器T2副边线圈的第2连接端连接；
上述第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-144959DEST_PATH_IMAGE008
与第1输出电容的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-185914DEST_PATH_IMAGE002
的第1端子，第2输出二极管与第2输出电容的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-553944DEST_PATH_IMAGE002
的第2端子；
上述第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-60012DEST_PATH_IMAGE003
、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-840011DEST_PATH_IMAGE012
，至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET、绝缘栅极双极型晶体管IGBT与二极管中的至少一种。
实施例五
根据本实用新型实施例，提供了一种高升压电路。如图10所示，当n=2时，第1至第n变换器包括第1低端箝位反激变换器与第2低端箝位反激变换器，第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2；
上述第1低端箝位反激变换器，包括第1控制开关、第1箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-75000DEST_PATH_IMAGE004
、第1变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-17549DEST_PATH_IMAGE005
、第1变压器漏感或额外添加的电感、第1箝位电容
Figure DEST_PATH_RE-141680DEST_PATH_IMAGE007
、以及第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-207725DEST_PATH_IMAGE008
与第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-199470DEST_PATH_IMAGE009
；
上述第2低端箝位反激变换器，包括第2控制开关
Figure DEST_PATH_RE-124701DEST_PATH_IMAGE012
、第2箝位开关、第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-941664DEST_PATH_IMAGE014
、第2变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-226015DEST_PATH_IMAGE015
、第2箝位电容
Figure DEST_PATH_RE-232017DEST_PATH_IMAGE016
、以及第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-260016DEST_PATH_IMAGE017
与第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-441598DEST_PATH_IMAGE018
；其中：
上述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-959167DEST_PATH_IMAGE001
的第1连接端，依次经第1变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-858990DEST_PATH_IMAGE006
及第1变压器原边励磁电感或者电感后，与第1控制开关
Figure DEST_PATH_RE-13253DEST_PATH_IMAGE003
的控制端连接，并经第1箝位电容
Figure DEST_PATH_RE-639406DEST_PATH_IMAGE007
后与第1箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-760946DEST_PATH_IMAGE004
的控制端连接；以及，依次经第2变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-255381DEST_PATH_IMAGE015
及第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-411556DEST_PATH_IMAGE014
后，与第2控制开关
Figure DEST_PATH_RE-208611DEST_PATH_IMAGE012
的控制端连接，并经第2箝位电容
Figure DEST_PATH_RE-879764DEST_PATH_IMAGE016
后与第2箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-787677DEST_PATH_IMAGE013
的控制端连接；
上述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-798358DEST_PATH_IMAGE001
的第2连接端，与第1控制开关
Figure DEST_PATH_RE-330096DEST_PATH_IMAGE003
的固定端、第1箝位开关的固定端、第2控制开关
Figure DEST_PATH_RE-137832DEST_PATH_IMAGE012
的固定端、以及第2箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-534178DEST_PATH_IMAGE013
的固定端连接；
上述第1控制开关
Figure DEST_PATH_RE-673036DEST_PATH_IMAGE003
的控制端、以及第2控制开关
Figure DEST_PATH_RE-990884DEST_PATH_IMAGE012
的控制端，用于输入占空比为
Figure DEST_PATH_RE-506179DEST_PATH_IMAGE021
的脉冲信号；第1箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-350507DEST_PATH_IMAGE029
的控制端、以及第2箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-660266DEST_PATH_IMAGE013
的控制端，用于输入占空比为
Figure DEST_PATH_RE-465411DEST_PATH_IMAGE022
的脉冲信号；
上述第1变压器T1的原边线圈，并联在第1变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-581135DEST_PATH_IMAGE005
的两端；第1变压器T1副边线圈的第1连接端，与第1输出二极管的阳极连接；第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-465356DEST_PATH_IMAGE008
的阴极，经第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-23377DEST_PATH_IMAGE009
后与第1变压器T1副边线圈的第2连接端、以及第2输出二极管的阴极连接；
上述第2变压器T2的原边线圈，并联在第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-637078DEST_PATH_IMAGE014
的两端；第2变压器T2副边线圈的第1连接端，与第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-350956DEST_PATH_IMAGE017
的阳极连接；第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-130693DEST_PATH_IMAGE017
的阴极，经第2输出电容后与第2变压器T2副边线圈的第2连接端连接；
上述第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-402591DEST_PATH_IMAGE008
与第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-225054DEST_PATH_IMAGE009
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-492087DEST_PATH_IMAGE002
的第1端子，第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-254769DEST_PATH_IMAGE017
与第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-923648DEST_PATH_IMAGE018
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-917011DEST_PATH_IMAGE002
的第2端子；
上述第1控制开关
Figure DEST_PATH_RE-936920DEST_PATH_IMAGE003
、第2控制开关
Figure DEST_PATH_RE-939511DEST_PATH_IMAGE012
、第1箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-462896DEST_PATH_IMAGE004
、以及第2箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-486216DEST_PATH_IMAGE013
，至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET、绝缘栅极双极型晶体管IGBT与二极管中的至少一种。
实施例六
根据本实用新型实施例，提供了一种高升压电路的第二种结构。如图2所示，变换器单元包括变换器，以及配合连接在变换器的原边与副边之间的第1至第n变压器；第1至第n变压器，用于将变换器的原边与副边进行隔离，和/或，用于实现升压；第1至第n变压器的原边线圈并联后，与变换器的原边连接；第1至第n变压器的副边线圈串联后，与变换器的副边连接；n为自然数。
与图1所示的结构相类似，图2所示的结构为同一个变换器内部使用多个变压器原边并联、副边串联的结构。 
对于图2，我们可以让一个反激电路使用两颗变压器，原边并联，副边串联，其主要目的是降低单颗变压器处理的功率，降低单颗变压器上的线损耗和磁芯损耗，提高变压器的效率，直接效果是提高变换器的效率，减少变压器体积。 
实施例七
根据本实用新型实施例，提供了一种高升压电路。如图5所示，当n=2时，变换器包括有源箝位反激变换器，第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2；
上述有源箝位反激变换器，包括功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-727841DEST_PATH_IMAGE030
、箝位开关、第1变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-708753DEST_PATH_IMAGE005
、第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-873280DEST_PATH_IMAGE014
、变压器漏感或额外添加的电感、箝位电容
Figure DEST_PATH_RE-681016DEST_PATH_IMAGE033
、第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-975731DEST_PATH_IMAGE008
、第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-747378DEST_PATH_IMAGE017
、第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-698017DEST_PATH_IMAGE009
、第2输出电容、以及功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-995323DEST_PATH_IMAGE030
与箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-937871DEST_PATH_IMAGE031
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-438123DEST_PATH_IMAGE034
与
Figure DEST_PATH_RE-124319DEST_PATH_IMAGE035
；其中：
上述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-331309DEST_PATH_IMAGE001
的第1连接端，经箝位电容
Figure DEST_PATH_RE-8541DEST_PATH_IMAGE033
后，与箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-933771DEST_PATH_IMAGE031
的漏极、以及箝位开关的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-750735DEST_PATH_IMAGE035
的阴极连接；依次经变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-769506DEST_PATH_IMAGE032
、以及并联的第1变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-182033DEST_PATH_IMAGE005
与第2变压器原边励磁电感或者电感后，与箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-250669DEST_PATH_IMAGE031
的源极、箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-705921DEST_PATH_IMAGE031
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-340165DEST_PATH_IMAGE035
的阳极、功率半导体开关的漏极、以及功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-270261DEST_PATH_IMAGE030
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-896414DEST_PATH_IMAGE034
的阴极连接；
上述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-581735DEST_PATH_IMAGE001
的第2连接端，与功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-951537DEST_PATH_IMAGE030
的源极、以及功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-107712DEST_PATH_IMAGE030
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-967083DEST_PATH_IMAGE034
的阳极连接；
上述功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-575919DEST_PATH_IMAGE030
的栅极，用于输入占空比为
Figure DEST_PATH_RE-483832DEST_PATH_IMAGE021
的脉冲信号；箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-556831DEST_PATH_IMAGE031
的栅极，用于输入占空比为
Figure DEST_PATH_RE-524787DEST_PATH_IMAGE022
的脉冲信号；
上述第1变压器T1的原边线圈，并联在第1变压器原边励磁电感或者电感的两端；第1变压器T1副边线圈的第1连接端，与第1输出二极管的阳极连接；第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-260027DEST_PATH_IMAGE008
的阴极，经第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-398885DEST_PATH_IMAGE009
后与第1变压器T1副边线圈的第2连接端、以及及第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-546094DEST_PATH_IMAGE017
的阴极连接；
上述第2变压器T2的原边线圈，并联在第2变压器原边励磁电感或者电感的两端；第2变压器T2副边线圈的第1连接端，与第2输出二极管的阳极连接；第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-356422DEST_PATH_IMAGE017
的阴极，经第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-427146DEST_PATH_IMAGE018
后与第2变压器T2副边线圈的第2连接端连接；
上述第1输出二极管与第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-179387DEST_PATH_IMAGE009
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-660047DEST_PATH_IMAGE002
的第1端子，第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-218067DEST_PATH_IMAGE017
与第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-871902DEST_PATH_IMAGE018
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-566189DEST_PATH_IMAGE002
的第2端子；
上述功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-483329DEST_PATH_IMAGE030
、以及箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-838567DEST_PATH_IMAGE031
，至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET、绝缘栅极双极型晶体管IGBT与二极管中的至少一种。
实施例八
根据本实用新型实施例，提供了一种高升压电路。如图7所示，当n=2时，变换器包括正激变换器，第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2；
上述正激变换器，包括功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-233776DEST_PATH_IMAGE030
、变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-110465DEST_PATH_IMAGE032
、第1变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-932928DEST_PATH_IMAGE005
、第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-199961DEST_PATH_IMAGE005
、第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-461178DEST_PATH_IMAGE008
、第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-130057DEST_PATH_IMAGE017
、第1输出滤波电容
Figure DEST_PATH_RE-123421DEST_PATH_IMAGE023
、第2输出滤波电容
Figure DEST_PATH_RE-940067DEST_PATH_IMAGE026
、第1输出整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-677079DEST_PATH_IMAGE024
、第2输出整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-200464DEST_PATH_IMAGE027
、第1输出滤波电感
Figure DEST_PATH_RE-194090DEST_PATH_IMAGE025
、第2输出滤波电感
Figure DEST_PATH_RE-435716DEST_PATH_IMAGE028
、以及功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-710839DEST_PATH_IMAGE030
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-619889DEST_PATH_IMAGE034
；其中：
上述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-955056DEST_PATH_IMAGE001
的第1连接端，经变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-683977DEST_PATH_IMAGE032
、以及并联的第1变压器原边励磁电感或者电感与第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-119824DEST_PATH_IMAGE005
后，与功率半导体开关的漏极、以及功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-904426DEST_PATH_IMAGE030
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-786932DEST_PATH_IMAGE034
的阴极连接；
上述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-139415DEST_PATH_IMAGE001
的第2连接端，与功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-645745DEST_PATH_IMAGE030
的源极、以及功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-83680DEST_PATH_IMAGE030
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-504297DEST_PATH_IMAGE034
的阳极连接；功率半导体开关的栅极，均用于输入脉冲信号；
上述第1变压器T1的原边线圈，并联在第1变压器原边励磁电感或者电感的两端；第1变压器T1副边线圈的第1连接端，与第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-77864DEST_PATH_IMAGE008
的阳极连接；第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-364489DEST_PATH_IMAGE008
的阴极，与第1输出整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-425986DEST_PATH_IMAGE024
的阴极连接，并依次经第1输出滤波电感
Figure DEST_PATH_RE-710336DEST_PATH_IMAGE025
及第1输出滤波电容
Figure DEST_PATH_RE-185180DEST_PATH_IMAGE023
后、与第1输出整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-776961DEST_PATH_IMAGE024
的阳极及第1变压器T1副边线圈的第2连接端连接；
上述第2变压器T2的原边线圈，并联在第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-958543DEST_PATH_IMAGE014
的两端；第2变压器T2副边线圈的第1连接端，与第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-413795DEST_PATH_IMAGE017
的阳极连接；第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-313618DEST_PATH_IMAGE017
的阴极，与第2输出整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-738783DEST_PATH_IMAGE027
的阴极连接，并依次经第2输出滤波电感
Figure DEST_PATH_RE-40452DEST_PATH_IMAGE028
及第2输出滤波电容
Figure DEST_PATH_RE-401026DEST_PATH_IMAGE026
后、与第2输出整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-164976DEST_PATH_IMAGE027
的阳极及第2变压器T2副边线圈的第2连接端连接；
上述第1输出整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-534777DEST_PATH_IMAGE024
的阳极，经第2输出滤波电感
Figure DEST_PATH_RE-425373DEST_PATH_IMAGE028
后与第2输出整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-488007DEST_PATH_IMAGE027
的阳极连接；第1输出滤波电感
Figure DEST_PATH_RE-258693DEST_PATH_IMAGE025
与第1输出滤波电容
Figure DEST_PATH_RE-995967DEST_PATH_IMAGE023
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-6648DEST_PATH_IMAGE002
的第1端子，第2输出滤波电感
Figure DEST_PATH_RE-240183DEST_PATH_IMAGE028
与第2输出滤波电容
Figure DEST_PATH_RE-336315DEST_PATH_IMAGE026
的公共端为直流输出电压的第2端子；
上述功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-772162DEST_PATH_IMAGE030
，至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET、绝缘栅极双极型晶体管IGBT与二极管中的至少一种。
图7为图5在仅用变压器实现升压功能的扩展实施例。在图7中所提到使用正激变换器来实现这样的原边并联而副边串联的高升压电路，同样可以用多个正激变换器或多个变压器组合来实现，只是需要根据元器件的综合成本和效率规格来整体考虑。 
实施例九
根据本实用新型实施例，提供了一种高升压电路。如图9所示，当n=2时，变换器包括反激变换器，第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2；
上述反激变换器，包括功率半导体开关、变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-494447DEST_PATH_IMAGE032
、第1变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-806480DEST_PATH_IMAGE005
、第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-791753DEST_PATH_IMAGE014
、第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-101512DEST_PATH_IMAGE008
、第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-736018DEST_PATH_IMAGE017
、第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-851742DEST_PATH_IMAGE009
、第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-691522DEST_PATH_IMAGE018
、以及功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-172181DEST_PATH_IMAGE030
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-526939DEST_PATH_IMAGE034
；其中：
上述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-384037DEST_PATH_IMAGE001
的第1连接端，经变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-78324DEST_PATH_IMAGE032
、以及并联的第1变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-729885DEST_PATH_IMAGE005
与第2变压器原边励磁电感或者电感后，与功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-232727DEST_PATH_IMAGE030
的漏极、以及功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-345302DEST_PATH_IMAGE030
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_RE-433344DEST_PATH_IMAGE034
的阴极连接；
上述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-700377DEST_PATH_IMAGE001
的第2连接端，与功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-899277DEST_PATH_IMAGE030
的源极、以及功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-568156DEST_PATH_IMAGE030
的寄生二极管或二极管的阳极连接；功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-440483DEST_PATH_IMAGE030
的栅极，用于输入脉冲信号；
上述第1变压器T1的原边线圈，并联在第1变压器原边励磁电感或者电感的两端；第1变压器T1副边线圈的第1连接端，与第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-700880DEST_PATH_IMAGE008
的阳极连接；第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-193041DEST_PATH_IMAGE008
的阴极，经第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-169087DEST_PATH_IMAGE009
后与第1变压器T1副边线圈的第2连接端、以及第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-709790DEST_PATH_IMAGE017
的阴极连接；
上述第2变压器T2的原边线圈，并联在第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-917043DEST_PATH_IMAGE014
的两端；第2变压器T2副边线圈的第1连接端，与第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-252209DEST_PATH_IMAGE017
的阳极连接；第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-981131DEST_PATH_IMAGE017
的阴极，经第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-122262DEST_PATH_IMAGE018
后与第2变压器T2副边线圈的第2连接端连接；
上述第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-620240DEST_PATH_IMAGE008
与第1输出电容的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-404842DEST_PATH_IMAGE002
的第1端子，第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-287347DEST_PATH_IMAGE017
与第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-639831DEST_PATH_IMAGE018
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-644696DEST_PATH_IMAGE002
的第2端子；
上述功率半导体开关
Figure DEST_PATH_RE-82631DEST_PATH_IMAGE030
，至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET、绝缘栅极双极型晶体管IGBT与二极管中的至少一种。
实施例十
根据本实用新型实施例，提供了一种高升压电路。如图11所示，当n=2时，变换器包括低端箝位反激变换器，第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2；
上述低端箝位反激变换器，包括控制开关
Figure DEST_PATH_RE-67030DEST_PATH_IMAGE030
、箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-539599DEST_PATH_IMAGE031
、变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-653049DEST_PATH_IMAGE032
、第1变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-578280DEST_PATH_IMAGE005
、第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-802588DEST_PATH_IMAGE014
、箝位电容
Figure DEST_PATH_RE-988718DEST_PATH_IMAGE033
、第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-273069DEST_PATH_IMAGE008
、第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-747913DEST_PATH_IMAGE017
、第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-510332DEST_PATH_IMAGE009
与第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-255697DEST_PATH_IMAGE018
；其中：
上述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-710949DEST_PATH_IMAGE001
的第1连接端，经变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-610772DEST_PATH_IMAGE032
、以及并联的第1变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-239199DEST_PATH_IMAGE005
与第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-275288DEST_PATH_IMAGE014
后，与控制开关
Figure DEST_PATH_RE-901442DEST_PATH_IMAGE030
的控制端连接，并经箝位电容
Figure DEST_PATH_RE-350878DEST_PATH_IMAGE033
后与箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-455100DEST_PATH_IMAGE031
的控制端连接；
上述直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-611275DEST_PATH_IMAGE001
的第2连接端，与控制开关
Figure DEST_PATH_RE-470646DEST_PATH_IMAGE030
的固定端、以及箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-79482DEST_PATH_IMAGE031
的固定端连接；
上述控制开关
Figure DEST_PATH_RE-252975DEST_PATH_IMAGE030
的控制端，用于输入占空比为的脉冲信号；箝位开关
Figure DEST_PATH_RE-795394DEST_PATH_IMAGE031
的控制端，用于输入占空比为
Figure DEST_PATH_RE-891526DEST_PATH_IMAGE022
的脉冲信号；
上述第1变压器T1的原边线圈，并联在第1变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-603130DEST_PATH_IMAGE005
的两端；第1变压器T1副边线圈的第1连接端，与第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-733897DEST_PATH_IMAGE008
的阳极连接；第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-872754DEST_PATH_IMAGE008
的阴极，经第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-315237DEST_PATH_IMAGE009
后与第1变压器T1副边线圈的第2连接端、以及第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-564952DEST_PATH_IMAGE017
的阴极连接；
上述第2变压器T2的原边线圈，并联在第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-612543DEST_PATH_IMAGE014
的两端；第2变压器T2副边线圈的第1连接端，与第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-922301DEST_PATH_IMAGE017
的阳极连接；第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-993026DEST_PATH_IMAGE017
的阴极，经第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-46432DEST_PATH_IMAGE018
后与第2变压器T2副边线圈的第2连接端连接；
上述第1输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-461713DEST_PATH_IMAGE008
与第1输出电容
Figure DEST_PATH_RE-942373DEST_PATH_IMAGE009
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-297131DEST_PATH_IMAGE002
的第1端子，第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-154228DEST_PATH_IMAGE017
与第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-910832DEST_PATH_IMAGE018
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_RE-624710DEST_PATH_IMAGE002
的第2端子；
上述控制开关
Figure DEST_PATH_RE-670026DEST_PATH_IMAGE030
、以及箝位开关，至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET、绝缘栅极双极型晶体管IGBT与二极管中的至少一种。
实施例十一
根据本实用新型实施例，提供了一种高升压电路。如图12所示，当n=2时，变换器包括硬开关全桥电路，第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2；
上述硬开关全桥电路，包括第1至第4控制开关Q1-Q4、第1至第4整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-657519DEST_PATH_IMAGE037
-
Figure DEST_PATH_RE-590840DEST_PATH_IMAGE038
、变压器漏感或额外添加的电感、第1变压器原边励磁电感或者电感、第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-69729DEST_PATH_IMAGE014
、以及滤波电容
Figure DEST_PATH_RE-72320DEST_PATH_IMAGE039
；其中：
上述直流输入电压的第1连接端，与第1控制开关
Figure DEST_PATH_RE-386069DEST_PATH_IMAGE030
的控制端及第2控制开关
Figure DEST_PATH_RE-627694DEST_PATH_IMAGE031
的控制端连接；直流输入电压
Figure DEST_PATH_RE-230714DEST_PATH_IMAGE001
的第2连接端，与第3控制开关
Figure DEST_PATH_RE-608606DEST_PATH_IMAGE040
的固定端及第4控制开关
Figure DEST_PATH_RE-209351DEST_PATH_IMAGE036
的固定端连接；
上述变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-735010DEST_PATH_IMAGE032
的第1连接端，与第2控制开关
Figure DEST_PATH_RE-79404DEST_PATH_IMAGE031
的固定端及第3控制开关
Figure DEST_PATH_RE-577382DEST_PATH_IMAGE040
的控制端连接；变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-647231DEST_PATH_IMAGE032
的第2连接端，经并联的第1变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-863449DEST_PATH_IMAGE005
与第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-745954DEST_PATH_IMAGE014
后，与第1控制开关
Figure DEST_PATH_RE-364017DEST_PATH_IMAGE030
的固定端及第4控制开关
Figure DEST_PATH_RE-40986DEST_PATH_IMAGE036
的控制端连接；
上述第1变压器T1的原边线圈，并联在第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1的两端；第2变压器T2的原边线圈，并联在第2变压器原边励磁电感或者电感的两端；
上述第1变压器T1副边线圈的第1连接端，与第1整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-723838DEST_PATH_IMAGE037
的阳极及第4整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-899604DEST_PATH_IMAGE038
的阴极连接；第1变压器T1副边线圈的第2连接端，与第2变压器T2副边线圈的第1连接端连接；第2变压器T2副边线圈的第2连接端，与第2整流二极管的阳极及第3整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-612925DEST_PATH_IMAGE042
的阴极连接；
上述第1整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-2318DEST_PATH_IMAGE057
的阴极及第2整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-348985DEST_PATH_IMAGE038
的阴极，经滤波电容
Figure DEST_PATH_RE-495933DEST_PATH_IMAGE039
后，与第3整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-586249DEST_PATH_IMAGE057
的阳极及第4整流二极管
Figure DEST_PATH_RE-331613DEST_PATH_IMAGE038
的阳极连接；滤波电容
Figure DEST_PATH_RE-52444DEST_PATH_IMAGE039
的两端为直流输出电压的第1端子与第2端子；
上述第1至第4控制开关
Figure DEST_PATH_RE-439749DEST_PATH_IMAGE057
-
Figure DEST_PATH_RE-39620DEST_PATH_IMAGE036
，至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET、绝缘栅极双极型晶体管IGBT与二极管中的至少一种。
基于图11，单纯考虑使用变压器的原边并联副边串联来降低原边电流和减少副边电压，还可以扩展为如下的一大类隔离型的DC/DC变换器，如图12所示硬开关全桥电路。图12的原边还可以工作于移向全桥模式，主要的核心还是变压器结构可以降低变压器损耗。 
实施例十二
与上述实施例不同的是，如图13所示，本实施例的高升压电路，还包括谐振电容，所述谐振电容
Figure DEST_PATH_RE-849630DEST_PATH_IMAGE043
连接在变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_RE-281749DEST_PATH_IMAGE032
、与第1变压器原边励磁电感或者电感及第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_RE-297295DEST_PATH_IMAGE014
的公共端之间。图13为LLC电路在图2所示结构中应用实施例。
实施例十三
根据本实用新型实施例，提供了一种高升压电路。如图14所示，当n=2时，变换器包括Push-Pull推挽电路，第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2；
上述Push-Pull推挽电路，包括第1至第2控制开关Q1-Q2、第1至第4输出二极管D1-D4、第1至第2输出电感L1-L2、以及第1至第2输出电容C1-C2；其中：
上述直流输入电压Vin的第1连接端，与第1变压器T1原边线圈的中心抽头及第2变压器T2原边线圈的中心抽头连接；直流输入电压Vin的第1连接端，与第1控制开关
Figure DEST_PATH_RE-127607DEST_PATH_IMAGE030
的固定端及第2控制开关Q2的固定端连接；
上述第1控制开关Q1的控制端，与第1变压器T1原边线圈的第1连接端及第2变压器T2原边线圈的第1连接端连接；第2控制开关Q2的控制端，与第1变压器T1原边线圈的第2连接端及第2变压器T2原边线圈的第2连接端连接；
上述第1变压器T1副边线圈的第1连接端，与第1输出二极管D1的阳极连接；第1输出二极管D1的阴极，与第2输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-800476DEST_PATH_IMAGE041
的阴极连接，并经第1输出电感
Figure DEST_PATH_RE-391994DEST_PATH_IMAGE044
、第1输出电容C1及第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-269001DEST_PATH_IMAGE046
后与第2变压器T2副边线圈的中心抽头连接；第1变压器T1副边线圈的第2连接端，与第2输出二极管D2的阳极连接；第1变压器T1副边线圈的中心抽头，与第1输出电容C1及第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-117374DEST_PATH_IMAGE046
的公共端连接；
上述第2变压器T2副边线圈的第1连接端，与第3输出二极管D3的阳极连接；第3输出二极管D3的阴极，与第4输出二极管
Figure DEST_PATH_RE-468087DEST_PATH_IMAGE038
的阴极连接，并经第2输出电感
Figure DEST_PATH_RE-136965DEST_PATH_IMAGE045
后与第1输出电容C1及第2输出电容
Figure DEST_PATH_RE-460159DEST_PATH_IMAGE046
的公共端连接；
上述第1输出电感L1与第1输出电容的公共端为直流输出电压的第1端子，第2变压器T2副边线圈的中心抽头为直流输出电压V0的第2端子；
上述第1至第2控制开关Q1-Q2，至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET、绝缘栅极双极型晶体管IGBT与二极管中的至少一种。
在上述各高升压电路实施例中，将这种电路的低压侧使用并联连接，而高压侧使用串联连接，低压侧的并联可以分流，而高压侧的串联可以降压，有效的降低了单个变换器处理的功率，可以减少损耗，分散热量，增加电路的可靠性，降低成本，提高效率，在一些需要用到高升压电路的场合有很大的好处，比如说太阳能微型逆变器与车载逆变器等。 
太阳能逆变器实施例
根据本实用新型实施例，如图15所示，提供了一种基于上述高升压电路实施例的太阳能逆变器。在本实施例中，太阳能逆变器至少包括基于高升压电路的高升压变换器、全桥逆变模块、驱动器、带有最大功率点跟踪MPPT功能的逆变器控制器、连接在所述逆变器控制器输入端的太阳能电池板、以及电网侧电压源vgvid，其中：
上述高升压变换器的输入端，与太阳能电池板连接；高升压变换器的输出端，依次经驱动器及全桥逆变模块后，与电网侧电压源vgvid并联，并输出并网电流的有效值IGRID至电网；
上述逆变器控制器，用于提供输出电流的控制参考值，使得逆变器输入端连接的太阳能电池板工作在最大功率点。
太阳能电池系统实施例
根据本实用新型实施例，如图16所示，提供了一种基于上述高升压电路实施例的太阳能电池系统。在本实施例中，太阳能电池系统至少包括发电装置、基于高升压电路的高升压变换器、全桥逆变模块、驱动器、带有最大功率点跟踪MPPT功能的逆变器控制器、以及电网侧电压源vgvid和/或电器设备，其中：
上述发电装置的输出端，分别与高升压变换器及逆变器控制器连接；逆变器控制器经驱动器后，分别与高升压变换器及全桥逆变模块连接；高升压变换器与全桥逆变模块连接；全桥逆变模块的输出端，与电网侧电压源vgvid和/或电器设备并联。
在上述实施例中，发电装置，至少包括并行设置的太阳能组件1与辅助电源。 
最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。  

Claims (18)

1.一种高升压电路，其特征在于，包括直流输入电压 
Figure DEST_PATH_DEST_PATH_IMAGE002
，与所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_644833DEST_PATH_IMAGE002
连接、且用于输出直流或准交流输出电压
Figure DEST_PATH_DEST_PATH_IMAGE004
的变换器单元，以及配合连接在所述变换器单元的原边与副边之间的变压器单元；
所述变压器单元，用于将所述变换器单元的原边与副边进行隔离；和/或，用于基于所述变换器单元原边的输入电压，对该变换器单元副边的输出电压进行升压处理。
2.根据权利要求1所述的高升压电路，其特征在于，所述变换器单元包括第1至第n变换器，所述变压器单元包括分别配合连接在所述第1至第n变换器中相应变换器的原边与副边之间的第1至第n变压器；
所述第1至第n变压器，分别用于将所述第1至第n变换器中相应变换器的原边与副边进行隔离，和/或，用于实现升压；
在所述第1至第n变换器的原边，所述第1至第n变换器远离相应变压器的输入一侧并联，所述第1至第n变换器靠近相应变压器的一侧分别与相应变压器的原边线圈连接；
在所述第1至第n变换器的副边，所述第1至第n变换器远离相应变压器的输出一侧串联，所述第1至第n变换器靠近相应变压器的一侧分别与相应变压器的副边线圈连接；n为自然数。
3.根据权利要求2所述的高升压电路，其特征在于，所述第1至第n变换器工作于交错并联模式，即第1至第n变换器之间彼此相位错开的度数为360/n。
4.根据权利要求2或3所述的高升压电路，其特征在于，当n=2时，所述第1至第n变换器包括第1有源箝位反激变换器与第2有源箝位反激变换器，所述第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2；
所述第1有源箝位反激变换器，包括第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_DEST_PATH_IMAGE006
、第1箝位开关
Figure DEST_PATH_DEST_PATH_IMAGE008
、第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1、第1变压器漏感或额外添加的电感Lr1、第1箝位电容
Figure DEST_PATH_DEST_PATH_IMAGE014
、第1输出二极管
Figure DEST_PATH_DEST_PATH_IMAGE016
、第1输出电容
Figure DEST_PATH_DEST_PATH_IMAGE018
、以及第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_499656DEST_PATH_IMAGE006
与第1箝位开关
Figure DEST_PATH_279393DEST_PATH_IMAGE008
的寄生二极管或二极管与
Figure DEST_PATH_DEST_PATH_IMAGE022
；
所述第2有源箝位反激变换器，包括第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_DEST_PATH_IMAGE024
、第2箝位开关
Figure DEST_PATH_DEST_PATH_IMAGE026
、第2变压器原边励磁电感或者电感Lm2、第2变压器漏感或额外添加的电感Lr2、第2箝位电容
Figure DEST_PATH_DEST_PATH_IMAGE032
、第2输出二极管、第2输出电容、以及第2功率半导体开关与第2箝位开关
Figure DEST_PATH_741172DEST_PATH_IMAGE026
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_DEST_PATH_IMAGE038
与
Figure DEST_PATH_DEST_PATH_IMAGE040
；其中：
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_875219DEST_PATH_IMAGE002
的第1连接端，经第1箝位电容CCX1后，与第1箝位开关
Figure DEST_PATH_341153DEST_PATH_IMAGE008
的漏极、以及第1箝位开关
Figure DEST_PATH_72348DEST_PATH_IMAGE008
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_65712DEST_PATH_IMAGE022
的阴极连接；依次经第1变压器漏感或额外添加的电感Lr1及第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1后，与第1箝位开关
Figure DEST_PATH_893488DEST_PATH_IMAGE008
的源极、第1箝位开关
Figure DEST_PATH_323332DEST_PATH_IMAGE008
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_627275DEST_PATH_IMAGE022
的阳极、第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_902398DEST_PATH_IMAGE006
的漏极、以及第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_545869DEST_PATH_IMAGE006
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_881035DEST_PATH_IMAGE020
的阴极连接；经第2箝位电容
Figure DEST_PATH_924471DEST_PATH_IMAGE032
后，与第2箝位开关
Figure DEST_PATH_3286DEST_PATH_IMAGE026
的漏极、以及第2箝位开关
Figure DEST_PATH_501263DEST_PATH_IMAGE026
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_335227DEST_PATH_IMAGE040
的阴极连接；以及，依次经第2变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_285865DEST_PATH_IMAGE030
及第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_168371DEST_PATH_IMAGE028
后，与第2箝位开关
Figure DEST_PATH_333904DEST_PATH_IMAGE026
的源极、第2箝位开关
Figure DEST_PATH_276452DEST_PATH_IMAGE026
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_714387DEST_PATH_IMAGE040
的阳极、第2功率半导体开关的漏极、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_669890DEST_PATH_IMAGE024
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_783340DEST_PATH_IMAGE038
的阴极连接；
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_20155DEST_PATH_IMAGE002
的第2连接端，与第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_244463DEST_PATH_IMAGE006
的源极、第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_305960DEST_PATH_IMAGE006
的寄生二极管或二极管的阳极、第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_65154DEST_PATH_IMAGE024
的源极、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_93153DEST_PATH_IMAGE024
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_274736DEST_PATH_IMAGE038
的阳极连接；
所述第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_277458DEST_PATH_IMAGE006
的栅极、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_177281DEST_PATH_IMAGE024
的栅极，用于输入占空比为
Figure DEST_PATH_DEST_PATH_IMAGE042
的脉冲信号；第1箝位开关
Figure DEST_PATH_805708DEST_PATH_IMAGE008
的栅极、以及第2箝位开关
Figure DEST_PATH_107377DEST_PATH_IMAGE026
的栅极，用于输入占空比为
Figure DEST_PATH_DEST_PATH_IMAGE044
的脉冲信号；
所述第1变压器T1的原边线圈，并联在第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1的两端；第1变压器T1副边线圈的第1连接端，与第1输出二极管
Figure DEST_PATH_993803DEST_PATH_IMAGE016
的阳极连接；第1输出二极管
Figure DEST_PATH_363604DEST_PATH_IMAGE016
的阴极，经第1输出电容后与第1变压器T1副边线圈的第2连接端、以及及第2输出二极管
Figure DEST_PATH_113572DEST_PATH_IMAGE034
的阴极连接；
所述第2变压器T2的原边线圈，并联在第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_722407DEST_PATH_IMAGE028
的两端；第2变压器T2副边线圈的第1连接端，与第2输出二极管
Figure DEST_PATH_708949DEST_PATH_IMAGE034
的阳极连接；第2输出二极管
Figure DEST_PATH_719630DEST_PATH_IMAGE034
的阴极，经第2输出电容
Figure DEST_PATH_687586DEST_PATH_IMAGE036
后与第2变压器T2副边线圈的第2连接端连接；
所述第1输出二极管与第1输出电容
Figure DEST_PATH_557639DEST_PATH_IMAGE018
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_422827DEST_PATH_IMAGE004
的第1端子，第2输出二极管
Figure DEST_PATH_873269DEST_PATH_IMAGE034
与第2输出电容
Figure DEST_PATH_456697DEST_PATH_IMAGE036
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_706413DEST_PATH_IMAGE004
的第2端子；
所述第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_691686DEST_PATH_IMAGE006
、第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_63762DEST_PATH_IMAGE024
、第1箝位开关
Figure DEST_PATH_134486DEST_PATH_IMAGE008
、以及第2箝位开关
Figure DEST_PATH_187893DEST_PATH_IMAGE026
，至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET、绝缘栅极双极型晶体管IGBT与二极管中的至少一种。
5.根据权利要求2或3所述的高升压电路，其特征在于，当n=2时，所述第1至第n变换器包括第1正激变换器与第2正激变换器，所述第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2；
所述第1正激变换器，包括第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_840722DEST_PATH_IMAGE006
、第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1、第1变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_613823DEST_PATH_IMAGE012
、第1输出二极管
Figure DEST_PATH_533237DEST_PATH_IMAGE016
、第1输出滤波电容
Figure DEST_PATH_DEST_PATH_IMAGE046
、第1输出整流二极管
Figure DEST_PATH_DEST_PATH_IMAGE048
、第1输出滤波电感
Figure DEST_PATH_DEST_PATH_IMAGE050
、以及第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_542038DEST_PATH_IMAGE006
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_193599DEST_PATH_IMAGE020
；
所述第2正激变换器，包括第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_238916DEST_PATH_IMAGE024
、第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_696442DEST_PATH_IMAGE028
、第2变压器漏感或额外添加的电感、第2输出二极管
Figure DEST_PATH_333277DEST_PATH_IMAGE034
、第2输出滤波电容、第2输出整流二极管
Figure DEST_PATH_DEST_PATH_IMAGE054
、第2输出滤波电感、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_475676DEST_PATH_IMAGE024
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_674576DEST_PATH_IMAGE038
；其中：
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_77876DEST_PATH_IMAGE002
的第1连接端，依次经第1变压器漏感或额外添加的电感Lr1及第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1后，与第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_139745DEST_PATH_IMAGE006
的漏极、以及第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_663130DEST_PATH_IMAGE006
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_155291DEST_PATH_IMAGE020
的阴极连接；以及，依次经第2变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_131337DEST_PATH_IMAGE030
及第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_672040DEST_PATH_IMAGE028
后，与第2功率半导体开关的漏极、以及第2功率半导体开关的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_254965DEST_PATH_IMAGE038
的阴极连接；
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_333780DEST_PATH_IMAGE002
的第2连接端，与第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_831757DEST_PATH_IMAGE006
的源极、第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_652339DEST_PATH_IMAGE006
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_868557DEST_PATH_IMAGE020
的阳极、第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_813379DEST_PATH_IMAGE024
的源极、以及第2功率半导体开关的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_108411DEST_PATH_IMAGE038
的阳极连接；
所述第1功率半导体开关的栅极、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_780012DEST_PATH_IMAGE024
的栅极，均用于输入占空比相同的脉冲信号；
所述第1变压器T1的原边线圈，并联在第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1的两端；第1变压器T1副边线圈的第1连接端，与第1输出二极管
Figure DEST_PATH_162769DEST_PATH_IMAGE016
的阳极连接；第1输出二极管
Figure DEST_PATH_87999DEST_PATH_IMAGE016
的阴极，与第1输出整流二极管
Figure DEST_PATH_623892DEST_PATH_IMAGE048
的阴极连接，并依次经第1输出滤波电感
Figure DEST_PATH_950968DEST_PATH_IMAGE050
及第1输出滤波电容
Figure DEST_PATH_235319DEST_PATH_IMAGE046
后、与第1输出整流二极管
Figure DEST_PATH_710162DEST_PATH_IMAGE048
的阳极及第1变压器T1副边线圈的第2连接端连接；
所述第2变压器T2的原边线圈，并联在第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_472582DEST_PATH_IMAGE028
的两端；第2变压器T2副边线圈的第1连接端，与第2输出二极管
Figure DEST_PATH_467214DEST_PATH_IMAGE034
的阳极连接；第2输出二极管的阴极，与第2输出整流二极管
Figure DEST_PATH_822289DEST_PATH_IMAGE054
的阴极连接，并依次经第2输出滤波电感
Figure DEST_PATH_450716DEST_PATH_IMAGE056
及第2输出滤波电容
Figure DEST_PATH_801320DEST_PATH_IMAGE052
后、与第2输出整流二极管
Figure DEST_PATH_427473DEST_PATH_IMAGE054
的阳极及第2变压器T2副边线圈的第2连接端连接；
所述第1输出整流二极管
Figure DEST_PATH_876909DEST_PATH_IMAGE048
的阳极，经第2输出滤波电感
Figure DEST_PATH_981131DEST_PATH_IMAGE056
后与第2输出整流二极管
Figure DEST_PATH_137306DEST_PATH_IMAGE054
的阳极连接；第1输出滤波电感
Figure DEST_PATH_747410DEST_PATH_IMAGE050
与第1输出滤波电容
Figure DEST_PATH_418563DEST_PATH_IMAGE046
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_592055DEST_PATH_IMAGE004
的第1端子，第2输出滤波电感
Figure DEST_PATH_602737DEST_PATH_IMAGE056
与第2输出滤波电容
Figure DEST_PATH_882277DEST_PATH_IMAGE052
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_978409DEST_PATH_IMAGE004
的第2端子；
所述第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_486751DEST_PATH_IMAGE006
、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_617518DEST_PATH_IMAGE024
，至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET、绝缘栅极双极型晶体管IGBT与二极管中的至少一种。
6.根据权利要求2或3所述的高升压电路，其特征在于，当n=2时，所述第1至第n变换器包括第1反激变换器与第2反激变换器，所述第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2；
所述第1反激变换器，包括第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_569425DEST_PATH_IMAGE006
、第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1、第1变压器漏感或额外添加的电感Lr1、第1输出二极管
Figure DEST_PATH_752954DEST_PATH_IMAGE016
、第1输出电容、以及第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_133437DEST_PATH_IMAGE006
的寄生二极管或二极管；
所述第2反激变换器，包括第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_964307DEST_PATH_IMAGE024
、第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_756551DEST_PATH_IMAGE028
、第2变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_48992DEST_PATH_IMAGE030
、第2输出二极管、第2输出电容
Figure DEST_PATH_662693DEST_PATH_IMAGE036
、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_127304DEST_PATH_IMAGE024
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_234937DEST_PATH_IMAGE038
；其中：
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_630146DEST_PATH_IMAGE002
的第1连接端，依次经第1变压器漏感或额外添加的电感Lr1及第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1后，与第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_848528DEST_PATH_IMAGE006
的漏极、以及第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_781849DEST_PATH_IMAGE006
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_513045DEST_PATH_IMAGE020
的阴极连接；以及，依次经第2变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_771988DEST_PATH_IMAGE030
及第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_260738DEST_PATH_IMAGE028
后，与第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_76379DEST_PATH_IMAGE024
的漏极、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_599764DEST_PATH_IMAGE024
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_764029DEST_PATH_IMAGE038
的阴极连接；
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_67971DEST_PATH_IMAGE002
的第2连接端，与第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_608674DEST_PATH_IMAGE006
的源极、第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_986566DEST_PATH_IMAGE006
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_898896DEST_PATH_IMAGE020
的阳极、第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_362238DEST_PATH_IMAGE024
的源极、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_706632DEST_PATH_IMAGE024
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_266926DEST_PATH_IMAGE038
的阳极连接；
所述第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_772994DEST_PATH_IMAGE006
的栅极、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_989212DEST_PATH_IMAGE024
的栅极，均用于输入占空比相同的脉冲信号；
所述第1变压器T1的原边线圈，并联在第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1的两端；第1变压器T1副边线圈的第1连接端，与第1输出二极管
Figure DEST_PATH_37250DEST_PATH_IMAGE016
的阳极连接；第1输出二极管
Figure DEST_PATH_714219DEST_PATH_IMAGE016
的阴极，经第1输出电容
Figure DEST_PATH_214471DEST_PATH_IMAGE018
后与第1变压器T1副边线圈的第2连接端、以及第2输出二极管
Figure DEST_PATH_900667DEST_PATH_IMAGE034
的阴极连接；
所述第2变压器T2的原边线圈，并联在第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_107657DEST_PATH_IMAGE028
的两端；第2变压器T2副边线圈的第1连接端，与第2输出二极管
Figure DEST_PATH_535621DEST_PATH_IMAGE034
的阳极连接；第2输出二极管
Figure DEST_PATH_460852DEST_PATH_IMAGE034
的阴极，经第2输出电容后与第2变压器T2副边线圈的第2连接端连接；
所述第1输出二极管
Figure DEST_PATH_74553DEST_PATH_IMAGE016
与第1输出电容
Figure DEST_PATH_358904DEST_PATH_IMAGE018
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_505851DEST_PATH_IMAGE004
的第1端子，第2输出二极管
Figure DEST_PATH_346899DEST_PATH_IMAGE034
与第2输出电容
Figure DEST_PATH_528482DEST_PATH_IMAGE036
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_983734DEST_PATH_IMAGE004
的第2端子；
所述第1功率半导体开关
Figure DEST_PATH_883557DEST_PATH_IMAGE006
、以及第2功率半导体开关
Figure DEST_PATH_511984DEST_PATH_IMAGE024
，至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET、绝缘栅极双极型晶体管IGBT与二极管中的至少一种。
7.根据权利要求2或3所述的高升压电路，其特征在于，当n=2时，所述第1至第n变换器包括第1低端箝位反激变换器与第2低端箝位反激变换器，所述第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2；
所述第1低端箝位反激变换器，包括第1控制开关
Figure DEST_PATH_548073DEST_PATH_IMAGE006
、第1箝位开关
Figure DEST_PATH_174227DEST_PATH_IMAGE008
、第1变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_607351DEST_PATH_IMAGE010
、第1变压器漏感或额外添加的电感
Figure DEST_PATH_977153DEST_PATH_IMAGE012
、第1箝位电容
Figure DEST_PATH_133327DEST_PATH_IMAGE014
、以及第1输出二极管与第1输出电容
Figure DEST_PATH_601535DEST_PATH_IMAGE018
；
所述第2低端箝位反激变换器，包括第2控制开关
Figure DEST_PATH_509448DEST_PATH_IMAGE024
、第2箝位开关
Figure DEST_PATH_333179DEST_PATH_IMAGE026
、第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_301135DEST_PATH_IMAGE028
、第2变压器漏感或额外添加的电感、第2箝位电容
Figure DEST_PATH_171188DEST_PATH_IMAGE032
、以及第2输出二极管
Figure DEST_PATH_301955DEST_PATH_IMAGE034
与第2输出电容
Figure DEST_PATH_440812DEST_PATH_IMAGE036
；其中：
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_758661DEST_PATH_IMAGE002
的第1连接端，依次经第1变压器漏感或额外添加的电感Lr1及第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1后，与第1控制开关
Figure DEST_PATH_883502DEST_PATH_IMAGE006
的控制端连接，并经第1箝位电容CCX1后与第1箝位开关
Figure DEST_PATH_804371DEST_PATH_IMAGE008
的控制端连接；以及，依次经第2变压器漏感或额外添加的电感Lr2及第2变压器原边励磁电感或者电感Lm2后，与第2控制开关
Figure DEST_PATH_495880DEST_PATH_IMAGE024
的控制端连接，并经第2箝位电容CCX2后与第2箝位开关
Figure DEST_PATH_109581DEST_PATH_IMAGE026
的控制端连接；
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_761142DEST_PATH_IMAGE002
的第2连接端，与第1控制开关
Figure DEST_PATH_540880DEST_PATH_IMAGE006
的固定端、第1箝位开关
Figure DEST_PATH_247673DEST_PATH_IMAGE008
的固定端、第2控制开关
Figure DEST_PATH_62046DEST_PATH_IMAGE024
的固定端、以及第2箝位开关
Figure DEST_PATH_946825DEST_PATH_IMAGE026
的固定端连接；
所述第1控制开关
Figure DEST_PATH_213858DEST_PATH_IMAGE006
的控制端、以及第2控制开关
Figure DEST_PATH_225808DEST_PATH_IMAGE024
的控制端，用于输入占空比为
Figure DEST_PATH_894686DEST_PATH_IMAGE042
的脉冲信号；第1箝位开关的控制端、以及第2箝位开关
Figure DEST_PATH_950367DEST_PATH_IMAGE026
的控制端，用于输入占空比为的脉冲信号；
所述第1变压器T1的原边线圈，并联在第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1的两端；第1变压器T1副边线圈的第1连接端，与第1输出二极管的阳极连接；第1输出二极管
Figure DEST_PATH_783488DEST_PATH_IMAGE016
的阴极，经第1输出电容后与第1变压器T1副边线圈的第2连接端、以及第2输出二极管的阴极连接；
所述第2变压器T2的原边线圈，并联在第2变压器原边励磁电感或者电感Lm2的两端；第2变压器T2副边线圈的第1连接端，与第2输出二极管
Figure DEST_PATH_419819DEST_PATH_IMAGE034
的阳极连接；第2输出二极管的阴极，经第2输出电容
Figure DEST_PATH_539140DEST_PATH_IMAGE036
后与第2变压器T2副边线圈的第2连接端连接；
所述第1输出二极管
Figure DEST_PATH_771538DEST_PATH_IMAGE016
与第1输出电容
Figure DEST_PATH_543185DEST_PATH_IMAGE018
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_556140DEST_PATH_IMAGE004
的第1端子，第2输出二极管
Figure DEST_PATH_438646DEST_PATH_IMAGE034
与第2输出电容
Figure DEST_PATH_604179DEST_PATH_IMAGE036
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_546727DEST_PATH_IMAGE004
的第2端子；
所述第1控制开关
Figure DEST_PATH_46979DEST_PATH_IMAGE006
、第2控制开关
Figure DEST_PATH_733175DEST_PATH_IMAGE024
、第1箝位开关
Figure DEST_PATH_254680DEST_PATH_IMAGE008
、以及第2箝位开关
Figure DEST_PATH_368129DEST_PATH_IMAGE026
，至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET、绝缘栅极双极型晶体管IGBT与二极管中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的高升压电路，其特征在于，所述变换器单元包括变换器，以及配合连接在所述变换器的原边与副边之间的第1至第n变压器；
所述第1至第n变压器，用于将所述变换器的原边与副边进行隔离，和/或，用于实现升压；
所述第1至第n变压器的原边线圈并联后，与变换器的原边连接；第1至第n变压器的副边线圈串联后，与变换器的副边连接；n为自然数。
9.根据权利要求8所述的高升压电路，其特征在于，当n=2时，所述变换器包括有源箝位反激变换器，所述第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2；
所述有源箝位反激变换器，包括功率半导体开关
Figure DEST_PATH_DEST_PATH_IMAGE060
、箝位开关
Figure DEST_PATH_DEST_PATH_IMAGE062
、第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1、第2变压器原边励磁电感或者电感Lm2、变压器漏感或额外添加的电感Lr、箝位电容
Figure DEST_PATH_DEST_PATH_IMAGE066
、第1输出二极管
Figure DEST_PATH_94011DEST_PATH_IMAGE016
、第2输出二极管
Figure DEST_PATH_175100DEST_PATH_IMAGE034
、第1输出电容
Figure DEST_PATH_587627DEST_PATH_IMAGE018
、第2输出电容、以及功率半导体开关
Figure DEST_PATH_610258DEST_PATH_IMAGE060
与箝位开关
Figure DEST_PATH_127827DEST_PATH_IMAGE062
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_DEST_PATH_IMAGE068
与
Figure DEST_PATH_DEST_PATH_IMAGE070
；其中：
所述直流输入电压的第1连接端，经箝位电容CCX后，与箝位开关
Figure DEST_PATH_819730DEST_PATH_IMAGE062
的漏极、以及箝位开关
Figure DEST_PATH_445883DEST_PATH_IMAGE062
的寄生二极管或二极管的阴极连接；依次经变压器漏感或额外添加的电感、以及并联的第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1与第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_264355DEST_PATH_IMAGE028
后，与箝位开关
Figure DEST_PATH_873191DEST_PATH_IMAGE062
的源极、箝位开关
Figure DEST_PATH_781104DEST_PATH_IMAGE062
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_854102DEST_PATH_IMAGE070
的阳极、功率半导体开关的漏极、以及功率半导体开关
Figure DEST_PATH_918190DEST_PATH_IMAGE060
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_442844DEST_PATH_IMAGE068
的阴极连接；
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_308031DEST_PATH_IMAGE002
的第2连接端，与功率半导体开关
Figure DEST_PATH_446889DEST_PATH_IMAGE060
的源极、以及功率半导体开关
Figure DEST_PATH_92634DEST_PATH_IMAGE060
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_607929DEST_PATH_IMAGE068
的阳极连接；
所述功率半导体开关
Figure DEST_PATH_327623DEST_PATH_IMAGE060
的栅极，用于输入占空比为的脉冲信号；箝位开关
Figure DEST_PATH_22620DEST_PATH_IMAGE062
的栅极，用于输入占空比为
Figure DEST_PATH_76027DEST_PATH_IMAGE044
的脉冲信号；
所述第1变压器T1的原边线圈，并联在第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1的两端；第1变压器T1副边线圈的第1连接端，与第1输出二极管
Figure DEST_PATH_458784DEST_PATH_IMAGE016
的阳极连接；第1输出二极管
Figure DEST_PATH_16804DEST_PATH_IMAGE016
的阴极，经第1输出电容
Figure DEST_PATH_421371DEST_PATH_IMAGE018
后与第1变压器T1副边线圈的第2连接端、以及及第2输出二极管
Figure DEST_PATH_115658DEST_PATH_IMAGE034
的阴极连接；
所述第2变压器T2的原边线圈，并联在第2变压器原边励磁电感或者电感Lm2的两端；第2变压器T2副边线圈的第1连接端，与第2输出二极管
Figure DEST_PATH_812536DEST_PATH_IMAGE034
的阳极连接；第2输出二极管
Figure DEST_PATH_270062DEST_PATH_IMAGE034
的阴极，经第2输出电容
Figure DEST_PATH_84434DEST_PATH_IMAGE036
后与第2变压器T2副边线圈的第2连接端连接；
所述第1输出二极管
Figure DEST_PATH_218481DEST_PATH_IMAGE016
与第1输出电容
Figure DEST_PATH_485514DEST_PATH_IMAGE018
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_684414DEST_PATH_IMAGE004
的第1端子，第2输出二极管
Figure DEST_PATH_415610DEST_PATH_IMAGE034
与第2输出电容
Figure DEST_PATH_408974DEST_PATH_IMAGE036
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_163303DEST_PATH_IMAGE004
的第2端子；
所述功率半导体开关
Figure DEST_PATH_713364DEST_PATH_IMAGE060
、以及箝位开关
Figure DEST_PATH_236750DEST_PATH_IMAGE062
，至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET、绝缘栅极双极型晶体管IGBT与二极管中的至少一种。
10.根据权利要求8所述的高升压电路，其特征在于，当n=2时，所述变换器包括正激变换器，所述第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2；
所述正激变换器，包括功率半导体开关
Figure DEST_PATH_666594DEST_PATH_IMAGE060
、变压器漏感或额外添加的电感Lr、第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1、第2变压器原边励磁电感或者电感Lm1、第1输出二极管
Figure DEST_PATH_527093DEST_PATH_IMAGE016
、第2输出二极管
Figure DEST_PATH_256014DEST_PATH_IMAGE034
、第1输出滤波电容
Figure DEST_PATH_334829DEST_PATH_IMAGE046
、第2输出滤波电容、第1输出整流二极管、第2输出整流二极管
Figure DEST_PATH_118873DEST_PATH_IMAGE054
、第1输出滤波电感
Figure DEST_PATH_814428DEST_PATH_IMAGE050
、第2输出滤波电感
Figure DEST_PATH_166912DEST_PATH_IMAGE056
、以及功率半导体开关
Figure DEST_PATH_109460DEST_PATH_IMAGE060
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_547395DEST_PATH_IMAGE068
；其中：
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_30329DEST_PATH_IMAGE002
的第1连接端，经变压器漏感或额外添加的电感Lr、以及并联的第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1与第2变压器原边励磁电感或者电感Lm1后，与功率半导体开关
Figure DEST_PATH_77471DEST_PATH_IMAGE060
的漏极、以及功率半导体开关的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_485635DEST_PATH_IMAGE068
的阴极连接；
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_898162DEST_PATH_IMAGE002
的第2连接端，与功率半导体开关
Figure DEST_PATH_739210DEST_PATH_IMAGE060
的源极、以及功率半导体开关的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_110466DEST_PATH_IMAGE068
的阳极连接；功率半导体开关
Figure DEST_PATH_72606DEST_PATH_IMAGE060
的栅极，均用于输入脉冲信号；
所述第1变压器T1的原边线圈，并联在第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1的两端；第1变压器T1副边线圈的第1连接端，与第1输出二极管
Figure DEST_PATH_940385DEST_PATH_IMAGE016
的阳极连接；第1输出二极管
Figure DEST_PATH_615473DEST_PATH_IMAGE016
的阴极，与第1输出整流二极管
Figure DEST_PATH_2592DEST_PATH_IMAGE048
的阴极连接，并依次经第1输出滤波电感
Figure DEST_PATH_372393DEST_PATH_IMAGE050
及第1输出滤波电容
Figure DEST_PATH_325306DEST_PATH_IMAGE046
后、与第1输出整流二极管
Figure DEST_PATH_122361DEST_PATH_IMAGE048
的阳极及第1变压器T1副边线圈的第2连接端连接；
所述第2变压器T2的原边线圈，并联在第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_731196DEST_PATH_IMAGE028
的两端；第2变压器T2副边线圈的第1连接端，与第2输出二极管
Figure DEST_PATH_717738DEST_PATH_IMAGE034
的阳极连接；第2输出二极管的阴极，与第2输出整流二极管
Figure DEST_PATH_696375DEST_PATH_IMAGE054
的阴极连接，并依次经第2输出滤波电感
Figure DEST_PATH_854824DEST_PATH_IMAGE056
及第2输出滤波电容
Figure DEST_PATH_566428DEST_PATH_IMAGE052
后、与第2输出整流二极管
Figure DEST_PATH_431616DEST_PATH_IMAGE054
的阳极及第2变压器T2副边线圈的第2连接端连接；
所述第1输出整流二极管
Figure DEST_PATH_882058DEST_PATH_IMAGE048
的阳极，经第2输出滤波电感
Figure DEST_PATH_465486DEST_PATH_IMAGE056
后与第2输出整流二极管
Figure DEST_PATH_777519DEST_PATH_IMAGE054
的阳极连接；第1输出滤波电感
Figure DEST_PATH_762792DEST_PATH_IMAGE050
与第1输出滤波电容
Figure DEST_PATH_72551DEST_PATH_IMAGE046
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_956324DEST_PATH_IMAGE004
的第1端子，第2输出滤波电感
Figure DEST_PATH_9731DEST_PATH_IMAGE056
与第2输出滤波电容
Figure DEST_PATH_849511DEST_PATH_IMAGE052
的公共端为直流输出电压的第2端子；
所述功率半导体开关
Figure DEST_PATH_684929DEST_PATH_IMAGE060
，至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET、绝缘栅极双极型晶体管IGBT与二极管中的至少一种。
11.根据权利要求8所述的高升压电路，其特征在于，当n=2时，所述变换器包括反激变换器，所述第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2；
所述反激变换器，包括功率半导体开关
Figure DEST_PATH_542027DEST_PATH_IMAGE060
、变压器漏感或额外添加的电感Lr、第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1、第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_310022DEST_PATH_IMAGE028
、第1输出二极管、第2输出二极管、第1输出电容
Figure DEST_PATH_155115DEST_PATH_IMAGE018
、第2输出电容
Figure DEST_PATH_422148DEST_PATH_IMAGE036
、以及功率半导体开关
Figure DEST_PATH_683365DEST_PATH_IMAGE060
的寄生二极管或二极管；其中：
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_657192DEST_PATH_IMAGE002
的第1连接端，经变压器漏感或额外添加的电感Lr、以及并联的第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1与第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_734236DEST_PATH_IMAGE028
后，与功率半导体开关
Figure DEST_PATH_977129DEST_PATH_IMAGE060
的漏极、以及功率半导体开关
Figure DEST_PATH_15492DEST_PATH_IMAGE060
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_882428DEST_PATH_IMAGE068
的阴极连接；
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_525899DEST_PATH_IMAGE002
的第2连接端，与功率半导体开关
Figure DEST_PATH_923382DEST_PATH_IMAGE060
的源极、以及功率半导体开关
Figure DEST_PATH_465353DEST_PATH_IMAGE060
的寄生二极管或二极管
Figure DEST_PATH_606485DEST_PATH_IMAGE068
的阳极连接；功率半导体开关
Figure DEST_PATH_104462DEST_PATH_IMAGE060
的栅极，用于输入脉冲信号；
所述第1变压器T1的原边线圈，并联在第1变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_922114DEST_PATH_IMAGE010
的两端；第1变压器T1副边线圈的第1连接端，与第1输出二极管
Figure DEST_PATH_138332DEST_PATH_IMAGE016
的阳极连接；第1输出二极管
Figure DEST_PATH_83154DEST_PATH_IMAGE016
的阴极，经第1输出电容
Figure DEST_PATH_435638DEST_PATH_IMAGE018
后与第1变压器T1副边线圈的第2连接端、以及第2输出二极管
Figure DEST_PATH_191236DEST_PATH_IMAGE034
的阴极连接；
所述第2变压器T2的原边线圈，并联在第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_629170DEST_PATH_IMAGE028
的两端；第2变压器T2副边线圈的第1连接端，与第2输出二极管
Figure DEST_PATH_112104DEST_PATH_IMAGE034
的阳极连接；第2输出二极管
Figure DEST_PATH_584674DEST_PATH_IMAGE034
的阴极，经第2输出电容
Figure DEST_PATH_432544DEST_PATH_IMAGE036
后与第2变压器T2副边线圈的第2连接端连接；
所述第1输出二极管
Figure DEST_PATH_672289DEST_PATH_IMAGE016
与第1输出电容
Figure DEST_PATH_896597DEST_PATH_IMAGE018
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_223673DEST_PATH_IMAGE004
的第1端子，第2输出二极管与第2输出电容的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_745287DEST_PATH_IMAGE004
的第2端子；
所述功率半导体开关，至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET、绝缘栅极双极型晶体管IGBT与二极管中的至少一种。
12.根据权利要求8所述的高升压电路，其特征在于，当n=2时，所述变换器包括低端箝位反激变换器，所述第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2；
所述低端箝位反激变换器，包括控制开关
Figure DEST_PATH_195171DEST_PATH_IMAGE060
、箝位开关、变压器漏感或额外添加的电感Lr、第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1、第2变压器原边励磁电感或者电感Lm2、箝位电容CCX、第1输出二极管
Figure DEST_PATH_188590DEST_PATH_IMAGE016
、第2输出二极管
Figure DEST_PATH_344765DEST_PATH_IMAGE034
、第1输出电容
Figure DEST_PATH_141819DEST_PATH_IMAGE018
与第2输出电容
Figure DEST_PATH_812972DEST_PATH_IMAGE036
；其中：
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_986465DEST_PATH_IMAGE002
的第1连接端，经变压器漏感或额外添加的电感Lr、以及并联的第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1与第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_874283DEST_PATH_IMAGE028
后，与控制开关的控制端连接，并经箝位电容后与箝位开关
Figure DEST_PATH_652249DEST_PATH_IMAGE062
的控制端连接；
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_235677DEST_PATH_IMAGE002
的第2连接端，与控制开关
Figure DEST_PATH_485393DEST_PATH_IMAGE060
的固定端、以及箝位开关
Figure DEST_PATH_785181DEST_PATH_IMAGE062
的固定端连接；
所述控制开关
Figure DEST_PATH_94939DEST_PATH_IMAGE060
的控制端，用于输入占空比为
Figure DEST_PATH_165664DEST_PATH_IMAGE042
的脉冲信号；箝位开关
Figure DEST_PATH_281387DEST_PATH_IMAGE062
的控制端，用于输入占空比为的脉冲信号；
所述第1变压器T1的原边线圈，并联在第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1的两端；第1变压器T1副边线圈的第1连接端，与第1输出二极管
Figure DEST_PATH_707317DEST_PATH_IMAGE016
的阳极连接；第1输出二极管
Figure DEST_PATH_564415DEST_PATH_IMAGE016
的阴极，经第1输出电容后与第1变压器T1副边线圈的第2连接端、以及第2输出二极管
Figure DEST_PATH_972580DEST_PATH_IMAGE034
的阴极连接；
所述第2变压器T2的原边线圈，并联在第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_17896DEST_PATH_IMAGE028
的两端；第2变压器T2副边线圈的第1连接端，与第2输出二极管
Figure DEST_PATH_413105DEST_PATH_IMAGE034
的阳极连接；第2输出二极管
Figure DEST_PATH_961898DEST_PATH_IMAGE034
的阴极，经第2输出电容
Figure DEST_PATH_361524DEST_PATH_IMAGE036
后与第2变压器T2副边线圈的第2连接端连接；
所述第1输出二极管
Figure DEST_PATH_628558DEST_PATH_IMAGE016
与第1输出电容
Figure DEST_PATH_561879DEST_PATH_IMAGE018
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_293074DEST_PATH_IMAGE004
的第1端子，第2输出二极管
Figure DEST_PATH_552017DEST_PATH_IMAGE034
与第2输出电容
Figure DEST_PATH_40767DEST_PATH_IMAGE036
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_856408DEST_PATH_IMAGE004
的第2端子；
所述控制开关
Figure DEST_PATH_379793DEST_PATH_IMAGE060
、以及箝位开关，至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET、绝缘栅极双极型晶体管IGBT与二极管中的至少一种。
13.根据权利要求8所述的高升压电路，其特征在于，当n=2时，所述变换器包括硬开关全桥电路，所述第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2；
所述硬开关全桥电路，包括第1至第4控制开关Q1-Q4、第1至第4整流二极管D1-D4、变压器漏感或额外添加的电感Lr、第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1、第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_681855DEST_PATH_IMAGE028
、以及滤波电容C1；其中：
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_207514DEST_PATH_IMAGE002
的第1连接端，与第1控制开关
Figure DEST_PATH_551908DEST_PATH_IMAGE060
的控制端及第2控制开关
Figure DEST_PATH_862935DEST_PATH_IMAGE062
的控制端连接；直流输入电压
Figure DEST_PATH_369002DEST_PATH_IMAGE002
的第2连接端，与第3控制开关
Figure DEST_PATH_DEST_PATH_IMAGE080
的固定端及第4控制开关
Figure DEST_PATH_647537DEST_PATH_IMAGE072
的固定端连接；
所述变压器漏感或额外添加的电感Lr的第1连接端，与第2控制开关
Figure DEST_PATH_194111DEST_PATH_IMAGE062
的固定端及第3控制开关的控制端连接；变压器漏感或额外添加的电感Lr的第2连接端，经并联的第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1与第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_264518DEST_PATH_IMAGE028
后，与第1控制开关
Figure DEST_PATH_377967DEST_PATH_IMAGE060
的固定端及第4控制开关
Figure DEST_PATH_303198DEST_PATH_IMAGE072
的控制端连接；
所述第1变压器T1的原边线圈，并联在第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1的两端；第2变压器T2的原边线圈，并联在第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_729948DEST_PATH_IMAGE028
的两端；
所述第1变压器T1副边线圈的第1连接端，与第1整流二极管
Figure DEST_PATH_14299DEST_PATH_IMAGE074
的阳极及第4整流二极管
Figure DEST_PATH_161247DEST_PATH_IMAGE076
的阴极连接；第1变压器T1副边线圈的第2连接端，与第2变压器T2副边线圈的第1连接端连接；第2变压器T2副边线圈的第2连接端，与第2整流二极管的阳极及第3整流二极管
Figure DEST_PATH_DEST_PATH_IMAGE084
的阴极连接；
所述第1整流二极管
Figure DEST_PATH_492041DEST_PATH_IMAGE074
的阴极及第2整流二极管
Figure DEST_PATH_735940DEST_PATH_IMAGE076
的阴极，经滤波电容
Figure DEST_PATH_191193DEST_PATH_IMAGE078
后，与第3整流二极管
Figure DEST_PATH_343213DEST_PATH_IMAGE084
的阳极及第4整流二极管的阳极连接；滤波电容
Figure DEST_PATH_820779DEST_PATH_IMAGE078
的两端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_761446DEST_PATH_IMAGE004
的第1端子与第2端子；
所述第1至第4控制开关Q1-Q4，至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET、绝缘栅极双极型晶体管IGBT与二极管中的至少一种。
14.根据权利要求13所述的高升压电路，其特征在于，还包括谐振电容
Figure DEST_PATH_DEST_PATH_IMAGE086
，所述谐振电容连接在变压器漏感或额外添加的电感Lr、与第1变压器原边励磁电感或者电感Lm1及第2变压器原边励磁电感或者电感
Figure DEST_PATH_660449DEST_PATH_IMAGE028
的公共端之间。
15.根据权利要求8所述的高升压电路，其特征在于，当n=2时，所述变换器包括Push-Pull推挽电路，所述第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2；
所述Push-Pull推挽电路，包括第1至第2控制开关Q1-Q2、第1至第4输出二极管D1-D4、第1至第2输出电感L1-L2、以及第1至第2输出电容C1-C2；其中：
所述直流输入电压
Figure DEST_PATH_965714DEST_PATH_IMAGE002
的第1连接端，与第1变压器T1原边线圈的中心抽头及第2变压器T2原边线圈的中心抽头连接；直流输入电压
Figure DEST_PATH_609796DEST_PATH_IMAGE002
的第1连接端，与第1控制开关
Figure DEST_PATH_125091DEST_PATH_IMAGE060
的固定端及第2控制开关
Figure DEST_PATH_172682DEST_PATH_IMAGE062
的固定端连接；
所述第1控制开关
Figure DEST_PATH_482440DEST_PATH_IMAGE060
的控制端，与第1变压器T1原边线圈的第1连接端及第2变压器T2原边线圈的第1连接端连接；第2控制开关
Figure DEST_PATH_287585DEST_PATH_IMAGE062
的控制端，与第1变压器T1原边线圈的第2连接端及第2变压器T2原边线圈的第2连接端连接；
所述第1变压器T1副边线圈的第1连接端，与第1输出二极管
Figure DEST_PATH_154041DEST_PATH_IMAGE074
的阳极连接；第1输出二极管的阴极，与第2输出二极管
Figure DEST_PATH_536798DEST_PATH_IMAGE082
的阴极连接，并经第1输出电感、第1输出电容
Figure DEST_PATH_686337DEST_PATH_IMAGE078
及第2输出电容后与第2变压器T2副边线圈的中心抽头连接；第1变压器T1副边线圈的第2连接端，与第2输出二极管
Figure DEST_PATH_609348DEST_PATH_IMAGE082
的阳极连接；第1变压器T1副边线圈的中心抽头，与第1输出电容及第2输出电容
Figure DEST_PATH_846611DEST_PATH_IMAGE092
的公共端连接；
所述第2变压器T2副边线圈的第1连接端，与第3输出二极管
Figure DEST_PATH_474033DEST_PATH_IMAGE084
的阳极连接；第3输出二极管
Figure DEST_PATH_358812DEST_PATH_IMAGE084
的阴极，与第4输出二极管
Figure DEST_PATH_625845DEST_PATH_IMAGE076
的阴极连接，并经第2输出电感
Figure DEST_PATH_139260DEST_PATH_IMAGE090
后与第1输出电容
Figure DEST_PATH_808139DEST_PATH_IMAGE078
及第2输出电容
Figure DEST_PATH_863819DEST_PATH_IMAGE092
的公共端连接；
所述第1输出电感
Figure DEST_PATH_618149DEST_PATH_IMAGE088
与第1输出电容
Figure DEST_PATH_620740DEST_PATH_IMAGE078
的公共端为直流输出电压
Figure DEST_PATH_957174DEST_PATH_IMAGE004
的第1端子，第2变压器T2副边线圈的中心抽头为直流输出电压
Figure DEST_PATH_121439DEST_PATH_IMAGE004
的第2端子；
所述第1至第2控制开关Q1-Q2，至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET、绝缘栅极双极型晶体管IGBT与二极管中的至少一种。
16.一种基于权利要求1所述的高升压电路的太阳能逆变器，其特征在于，至少包括基于高升压电路的高升压变换器、全桥逆变模块、驱动器、带有最大功率点跟踪MPPT功能的逆变器控制器、连接在所述逆变器控制器输入端的太阳能电池板、以及电网侧电压源vgvid，其中：
所述高升压变换器的输入端，与太阳能电池板连接；高升压变换器的输出端，依次经驱动器及全桥逆变模块后，与电网侧电压源vgvid并联，并输出并网电流的有效值IGRID至电网；
所述逆变器控制器，用于提供输出电流的控制参考值，使得逆变器输入端连接的太阳能电池板工作在最大功率点。
17.一种基于权利要求1所述的高升压电路的太阳能电池系统，其特征在于，至少包括发电装置、基于高升压电路的高升压变换器、全桥逆变模块、驱动器、带有最大功率点跟踪MPPT功能的逆变器控制器、以及电网侧电压源vgvid和/或电器设备，其中：
所述发电装置的输出端，分别与高升压变换器及逆变器控制器连接；逆变器控制器经驱动器后，分别与高升压变换器及全桥逆变模块连接；高升压变换器与全桥逆变模块连接；全桥逆变模块的输出端，与电网侧电压源vgvid和/或电器设备并联。
18.根据权利要求17所述的太阳能电池系统，其特征在于，所述发电装置，至少包括并行设置的太阳能组件与辅助电源。
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