CN202898600U - 单晶炉用坩埚盖 - Google Patents

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左洪波
张学军
郑海涛
丁广博
吴俣
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Harbin Qiuguan Photoelectric Technology Co ltd
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HARBIN AURORA SAPPHIRE CO Ltd
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Abstract

本实用新型提供了一种单晶炉用坩埚盖,它采用圆形多层钼片制成,多层钼片上开有圆形中心孔,中心孔直径由上到下逐渐变小,多层钼片采用多组钼螺栓和配套钼螺母连接并固定,多层钼片间通过钼螺母隔开。本实用新型通过合理设计钼片层数、厚度、间距、中心孔尺寸分布等,有利于形成均匀稳定的温场,同时在合理控制成本的基础上,制得的坩埚盖具有一定的结构强度和较长的使用寿命。

Description

单晶炉用坩埚盖
(一)技术领域
本实用新型属于大尺寸蓝宝石单晶生长炉技术,具体涉及大尺寸蓝宝石单晶的单晶炉用坩埚盖。 
(二)背景技术
蓝宝石是一种氧化铝(Al2O3)单晶,属于六方晶系,其硬度很高,莫氏硬度为9,仅次于金刚石。它还具有耐腐蚀、耐高温、光学透过性好等优点,可以用在各种极端或特殊环境中作为窗口材料。另外,蓝宝石相较目前其它半导体衬底材料,具有较好的性价比,因此在半导体照明方面得到广泛应用。 
随着精密微电子技术、半导体照明技术、航空航天、及红外军事装备等领域的不断发展对生长出蓝宝石晶锭的质量、尺寸提出了更高的要求。尤其是光学级大尺寸蓝宝石材料,由于其具有性能稳定、市场需求量大、综合利用率及产品附加值高等特点,成为近年国内外研究开发和产业化热点。低成本、高品质地生长大尺寸蓝宝石晶体是当前面临的迫切任务,其生长技术也成为世界各国关注的难点和重点之一。 
蓝宝石晶体生长温度约为2050℃,在生长蓝宝石单晶,尤其是大尺寸蓝宝石单晶时,为保持炉内温度,控制合理的温度梯度,对保温系统的要求较为苛刻。保温结构包括坩埚盖、上下隔热屏、保温筒、保温填料需要等。由于蓝宝石单晶的生长温度高,因此,要求保温材料具有较高的机械和热负载能力。加强低温区的保温, 控制温度梯度和高温区的过热温度, 以保证晶体不开裂, 生长界面稳定与熔体不局部成核结晶。 
另外,生长高品质、高熔点的蓝宝石晶体,要求生长环境相对纯净。若采用低熔点材料保温,在高温生长环境下会挥发,并进入晶体内部。虽然部分杂质(例如炭杂质)可以通过退火工艺可以消除,但杂质取出后所留下的原子空位却无法消除,对晶体品质造成不良影响。 
坩埚盖位于坩埚的上方,接受热辐射最多。坩埚盖上方设有上隔热屏,其外部即为普通不锈钢制作的炉盖。为保持炉内温度、防止过高的温度对炉壳造成损害,坩埚盖必须有很好的隔热效果。另外,坩埚盖上需要预留出籽晶插孔及观察窗的位置,坩埚盖的设计对于整个温场的控制非常重要,这就要求我们必须开发出符合生产要求的坩埚盖。 
(三)实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种能够形成均匀稳定的温场,径向温度梯度分布合理的能够生长31kg以上大尺寸蓝宝石单晶的单晶炉用坩埚盖。 
本实用新型的目的是这样实现的:它采用圆形多层钼片1制成,多层钼片1上开有圆形中心孔4,中心孔直径由上到下逐渐变小。多层钼片采用多组钼螺栓2和配套钼螺母3连接并固定,多层钼片1间通过钼螺母3隔开。 
本实用新型还有这样一些技术特征: 
1、所述的多层钼片采用金属钼制成,钼片数量为5~10片,外径为250~400mm,最上层1~2片厚度为2~3mm,最下层1~2片厚度为3~5mm,中间层钼片厚度为1~2mm;  
2、所述的多层钼片上开有圆形中心孔,中心孔与上隔热屏圆形中心孔同心。中心孔直径从上到下逐渐缩小,最上层钼片圆形中心孔直径100~200mm,从上到下每层钼片中心孔直径比上一层小5~20mm;  
3、所述的多层钼片用钼螺栓相连,钼片之间用高度为5~12mm的钼螺母隔开,6~10个钼螺栓均匀分布在距圆周10~20mm处;  
4、所述的多层钼片从上至下,分别以2~5层为最上层,以相同方式用6~10个钼螺栓依次连结固定2~6层、3~6层、4~6层及5~6层钼片,相邻两层钼片之间同样用相应数量的钼螺母分隔钼片; 
5、所述的钼螺栓相邻层交错分布,钼螺栓螺杆位于距上面一层钼片圆形中心孔圆周的5~10mm处。 
本实用新型的有益效果在于: 
1. 由于在真空环境下主要以热辐射形式传热,通过调整钼片厚度、间距以及圆形中间孔尺寸,能够获得均匀稳定的温场,形成适合于31kg以上大尺寸蓝宝石生长的径向温度梯度,大大提高了大尺寸蓝宝石晶体质量。 
2. 晶体在2000℃左右的高温下生长,且生长时间长,坩埚盖下层所处区域温度最高,因此会有较多的钼挥发。采用上面1~2层钼片较厚、中间较薄、下面1~2层最后的结构,这样即可以保证坩埚盖具有一定的结构强度,同时又可以合理控制成本,延长整个坩埚盖的使用寿命。 
3. 由于多层钼片从上到下内部孔径逐渐减小,从上至下钼片,依次以其为最上层,用钼螺栓及螺母连接固定其下所有层,可以起到对钼片较好的定位支撑作用,防止钼片在反复加热冷却过程中的变形。这样既可以尽量减少内部温场的变化,又可以延长坩埚盖的使用寿命。 
4. 从下到上每层钼片圆形中心孔直径逐渐增大,形成一定的锥角,不但可以观察单晶炉内长晶过程,还可以使坩埚内熔体中心位置上方散热相对较快,形成冷心,有利于生长过程中的引晶。 
综上所述,本实用新型能够提供生长高质量大尺寸蓝宝石单晶所需的温场条件,具有结 构简单、使用寿命长,温场分布更合理等优点。因而本实用新型具有广阔的应用前景,该技术的推广应用能够创造出明显的社会效益和经济效益。 
(四)附图说明
图1为本实用新型结构示意图; 
图2为图1的剖视图。 
(五)具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的说明: 
结合图1-2,本实施例中坩埚盖采用圆形多层钼片1制成,多层钼片1上开有圆形中心孔4,中心孔直径由上到下逐渐变小。多层钼片1间采用钼螺栓2和配套钼螺母3连接并固定,多层钼片1间通过钼螺母3隔开。钼片外径为320mm,最上层钼片内径为260mm,向下每层钼片内径依次比上一层减小16mm;最上面2层钼片厚度2mm,最下面2层钼片厚度为4mm,中间4层钼片厚度为1mm;钼片之间用高度为10mm的钼螺母隔开,依次以1~5层为最上层,用钼螺栓连结其下所有钼片,中间用钼螺母分隔。每组分别有8个固定钼螺栓均匀分布在距圆周15mm处,螺栓直径5mm,长度为85mm,下层钼螺栓分布于上层钼螺栓中间位置。这种坩埚盖适合于能够生长重量为31公斤大尺寸蓝宝石单晶的单晶炉。 

Claims (6)

1.一种单晶炉用坩埚盖,其特征在于它采用圆形多层钼片制成,多层钼片上开有圆形中心孔,中心孔直径由上到下逐渐变小,多层钼片采用多组钼螺栓和配套钼螺母连接并固定,多层钼片间通过钼螺母隔开。
2.根据权利要求1所述的单晶炉用坩埚盖,其特征在于所述的多层钼片采用金属钼制成,钼片数量为5~10片,外径为250~400mm,最上层1~2片厚度为2~3mm,最下层1~2片厚度为3~5mm,中间层钼片厚度为1~2mm。
3.根据权利要求2所述的单晶炉用坩埚盖,其特征在于所述的圆形中心孔与上隔热屏圆形中心孔同心,最上层钼片圆形中心孔直径100~200mm,从上到下每层钼片中心孔直径比上一层小5~20mm。
4.根据权利要求3所述的单晶炉用坩埚盖,其特征在于所述的多层钼片之间用高度为5~12mm的钼螺母隔开,6~10个钼螺栓均匀分布在距圆周10~20mm处。
5.根据权利要求4所述的单晶炉用坩埚盖,其特征在于所述的多层钼片从上至下分别以2~5层为最上层,以相同方式用6~10个钼螺栓依次连结固定2~6层、3~6层、4~6层及5~6层钼片,相邻两层钼片之间同样用相应数量的钼螺母分隔钼片。
6.根据权利要求5所述的单晶炉用坩埚盖,其特征在于所述的钼螺栓相邻层交错分布,钼螺栓螺杆位于距上面一层钼片圆形中心孔圆周的5~10mm处。 
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CN111996597A (zh) * 2020-08-31 2020-11-27 四川晶科能源有限公司 一种单晶炉及其上保温筒

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GR01 Patent grant
PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right

Denomination of utility model: Crucible cover for single crystal furnace

Effective date of registration: 20131129

Granted publication date: 20130424

Pledgee: Heilongjiang Keli Technology Investment Guarantee Co.,Ltd.

Pledgor: Harbin Aurora Sapphire Co.,Ltd.

Registration number: 2013230000025

PLDC Enforcement, change and cancellation of contracts on pledge of patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20171130

Address after: 150001 Harbin, Nangang, West District, large straight street, No. 357

Patentee after: HARBIN QIUGUAN PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY CO.,LTD.

Address before: 150001 Nangang District, Heilongjiang, and Hing Road, No. 116, Harbin

Patentee before: Harbin Aurora Sapphire Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20130424

CX01 Expiry of patent term