CN202887025U - 检测电磁炉igbt壳温的温控装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种检测电磁炉IGBT壳温的温控装置,所述检测电磁炉IGBT壳温的温控装置,它包括散热器、IGBT单管、螺杆、导热片和热敏电阻,在散热器上设有IGBT单管,在IGBT单管上安装有螺杆,在螺杆上安装有导热片,在导热片的另一端连接有热敏电阻。本实用新型简单实用,在提高检温精度和减小工艺和组装的复杂性的同时也不会增加产品成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种温度控制装置,尤其是一种检测电磁炉IGBT壳温的温控装置。
背景技术
IGBT:绝缘栅双极晶体管,是MOS管和双极型晶体管的组合。同时具备双极性晶体管开关速度快、导通电阻小和MOS管输入阻抗高、驱动功率小、电流容量大的特点。
导热硅脂是一种有机材料,用于功率器件的导热和散热,保证器件的电气性能稳定。
热敏电阻是一种对温度敏感的半导体陶瓷材料,其阻值随温度的变化而变化。分正温度系数与负温度系数。
IGBT作为电磁炉的核心器件其重要性不言而喻,因此在电磁炉正常工作中,需要实时检测IGBT的壳温,防止IGBT管壳温度过高导致器件发生热失效。
现有的电磁炉第一种是没有配置相应的IGBT管壳温度保护装置。第二种电磁炉如附图1和图2的结构所示,在图1和图2中,1为散热器,2为IGBT单管,3为导热硅脂,4为热敏电阻;图1和图2的结构存在以下两种缺陷:
一、热敏电阻与散热器之间存在一层胶状的导热硅脂,因为导热硅脂本身存在热阻,因此热敏电阻感知的温度和IGBT管壳实际温度存在差异;
二、热敏电阻安装在散热器的背面这给安装上带来难度。
发明内容
本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种可以对电磁炉工作时的IGBT管壳温度进行实时检测、防止IGBT因温度过高而发生热失效的检测电磁炉IGBT壳温的温控装置。
按照本实用新型提供的技术方案,所述检测电磁炉IGBT壳温的温控装置,它包括散热器、IGBT单管、螺杆、导热片和热敏电阻,在散热器上设有IGBT单管,在IGBT单管上安装有螺杆,在螺杆上安装有导热片,在导热片的另一端连接有热敏电阻。
本实用新型简单实用,在提高检温精度和减小工艺和组装的复杂性的同时也不会增加产品成本。
附图说明
图1是现有技术中提及的第二种电磁炉的结构俯视示意图。
图2是图1的背面结构图。
图3是本发明的结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
如图3所示,本发明的检测电磁炉IGBT壳温的温控装置,它包括散热器1、IGBT单管2、螺杆5、导热片6和热敏电阻4,在散热器1上设有IGBT单管2,在IGBT单管2上安装有螺杆5,在螺杆5上安装有导热片6,在导热片6的另一端连接有热敏电阻4。
导热片6与热敏电阻4相固定,导热片6固定在螺杆5上,螺杆5固定在散热器1上,这样安装方便,同时较以前的安装结构,更能精确测量IGBT单管2的管壳温度。
本实用新型采用导热片6感知IGBT单管2的管壳温度的方式,导热片6将感知的IGBT单管2的管壳温度传递给热敏电阻4,通过热敏电阻4阻值的变化间接测量IGBT单管2的管壳温度,将热敏电阻4上变化的信号送入CPU,通过CPU的分析判定IGBT单管2的管壳温度是否出现异常,若IGBT单管2的管壳温度过高则通过降低电磁炉输出功率或停止加热等方式对IGBT单管2进行保护。
Claims (1)
1.一种检测电磁炉IGBT壳温的温控装置,其特征是:它包括散热器(1)、IGBT单管(2)、螺杆(5)、导热片(6)和热敏电阻(4),在散热器(1)上设有IGBT单管(2),在IGBT单管(2)上安装有螺杆(5),在螺杆(5)上安装有导热片(6),在导热片(6)的另一端连接有热敏电阻(4)。
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CN 201220589990 CN202887025U (zh) | 2012-11-09 | 2012-11-09 | 检测电磁炉igbt壳温的温控装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN108181018A (zh) * | 2018-01-12 | 2018-06-19 | 佛山市深宜达电器有限公司 | 功率管温度检测装置和电磁炉 |
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2012
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GR01 | Patent grant | ||
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Granted publication date: 20130417 |
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