CN202817920U - 中大功率无线供电装置 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种中大功率无线供电装置,要解决的技术问题是提高工作效率,减小体积,方便生产调试,降低生产成本。本实用新型包括用于产生电磁波的供电装置和用于接收电磁波并将其转换为电能的受电装置组成,所述供电装置由自动检测控制单元、小功率单元、功率放大单元、发射线圈和指示单元组成,所述受电装置由接收线圈和受电单元组成,功率放大单元的电流通过发射线圈产生电磁波,当接收线圈靠近发射线圈时,接收线圈通过电磁耦合方式与发射线圈无线连接,接收线圈产生电流并通过受电单元为用电设备供电。与现有技术相比,采用盘形的线圈做为供受电线圈,降低Q值并且获得较大功率的传输;提高装置的工作效率,能够适合大规模生产,生产成本低。

Description

中大功率无线供电装置
技术领域
本实用新型涉及一种供电装置,特别是一种中大功率无线供电装置。
背景技术
目前无线供电装置并没有在市场上大规模的生产及销售,其主要原因有:1.装置供电输出端的Q值太高,调试比较困难;2.不能解决在装置体积小的情况下,装置发热的问题;3.线圈的体积过大,不适合生产便携式产品;4.效率不高;5.成本高;基于上述原因,导致无线供电装置无法在便携式领域中大规模生产及使用,而且由于其效率低,导致耗电量大。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种中大功率无线供电装置,要解决的技术问题是提高工作效率,减小体积,方便生产调试,降低生产成本。
为解决上述问题,本实用新型采用以下技术方案:一种中大功率无线供电装置,包括用于产生电磁波的供电装置和用于接收电磁波并将其转换为电能的受电装置组成,所述供电装置由自动检测控制单元、小功率单元、功率放大单元、发射线圈和指示单元组成,自动检测控制单元与小功率单元、功率放大单元和指示单元连接;小功率单元连接功率放大单元;功率放大单元连接发射线圈;
所述受电装置由接收线圈和受电单元组成,接收线圈连接受电单元,功率放大单元的电流通过发射线圈产生电磁波,当接收线圈靠近发射线圈时,接收线圈通过电磁耦合方式与发射线圈无线连接,接收线圈产生电流并通过受电单元为用电设备供电。
本实用新型所述的发射线圈和接收线圈分别由漆包线分别绕成扁平的单层或双层的圆环盘状结构构成。
本实用新型所述的发射线圈和接收线圈的无线供电距离≤10mm。
本实用新型所述的电磁波的频率范围为50K-500KHZ。
本实用新型所述的自动检测控制单元的Vcc端输入24V电压后分别连接第一电容的正极、第一电阻的输入端、第一运算放大器的电源正极、第十五电阻、第二运算放大器的电源正极;第一电容的负极接地,第一电阻的输出端接三端稳压器的1脚;三端稳压器的2脚接地,3脚分五路,第一路经第二电阻接第一发光二极管的正极,第一发光二极管的负极接地;第二路接第一三极管的发射极;第三路经第二电容接地;第四路经第三电容接地;第五路接第一时基芯片的4脚。第一时基芯片的5脚经第四电容接地,6脚分别接第二二极管的负极、第一电位器的一端、第一电位器的滑动臂、第五电容的正极以及第一时基芯片的2脚;第五电容的负极接地。第一电位器的另一端经第三二极管接第二电位器的滑动臂、第二电位器的一端、第四电阻的一端以及第一时基芯片的7脚。第二电位器的另一端接第二二极管的正极,第四电阻的另一端分别接第一时基芯片的8脚和4脚;第一时基芯片的1脚接地;3脚分两路,第一路经第五电阻接地,第二路经第五二极管接第六电阻的一端和接第六二极管的负极;第二三极管的集电极经第三电阻接第一三极管的基极,第二三极管的发射极接地;第一三极管的集电极经第二十一电容接地;第六二极管的正极分两路,一路经第七电阻、第七电容接地,另一路经第七电阻、第八电阻和第四二极管分别连接第一运算放大器的输出端和第九电阻的一端;第一运算放大器的电源负极接地,同相输入端经第十四电阻、第七二极管分别接第十三电阻和第十五电阻的另一端;第十三电阻的另一端接地;第一运算放大器的反向输入端接第九电阻的另一端和经第十六电阻接第十七电阻的一端、第二十九电阻的一端和第二运算放大器的输出端相连;第二运算放大器的电源负极接地,同相输入端分别连接第三十电阻的一端和第二十六电阻的一端,第三十电阻的另一端接地;第二运算放大器的反向输入端分别连接第二十九电阻的另一端和第二十七电阻的一端,第二十七电阻的另一端经第二十八电阻接地;Vcc端经第十六电容接地。
本实用新型所述的小功率单元的第二时基芯片的4脚分三路,第一路经第十一电阻接自动检测控制单元的第一三极管的集电极和第二十一电容,第二路经第八二极管接地,第三路接第二时基芯片的8脚;第一三极管的集电极经小功率单元的第二十二电容接地;第二时基芯片的2脚经第十电容接地,2脚连接第三电位器的一端和滑动臂;第二时基芯片的3脚分别连接第三电位器的另一端和第十二电阻的一端,第十二电阻的另一端接第三三极管的基极,集电极接自动检测控制单元的第一三极管的集电极,发射极经第十八电阻接地;第二时基芯片的5脚经第九电容接地,6脚分两路,一路经第十电阻接7脚,另一路经第十电容接地,第二时基芯片的1脚接地。
本实用新型所述的功率放大单元的第十九电阻的一端连接自动检测控制单元的第一三极管的集电极,第十九电阻另一端分别经第十一电容接地、经第二十一电阻接地和连接第二十电阻的一端;第二十电阻的另一端分别经第十二电容接小功率单元的第三三极管的发射极、连接第四三极管的基极;第四三极管的发发射极接地,集电极分别连接第一线圈的一端、第十三电容的一端和第十四电容的一端;第一线圈的另一端、第十三电容的另一端均连接自动检测控制单元的第一三极管的集电极;第十四电容的另一端分别连接第二十四电阻的一端和场效应管的栅极;第二十四电阻的另一端分三路,第一路经第十五电容接地,第二路经第二十二电阻接地,第三路经第二十三电阻连接自动检测控制单元的第一三极管的集电极;场效应管的源极接地,漏极分两路,一路经第十七电容分别连接第十八电容的一端和第二十五电阻的一端,另一路连发射线圈的一端,发射线圈的另一端连接第十八电容的一端,第十八电容的另一端接地;第二十五电阻的另一端分别连接自动检测控制单元的第二十六电阻的另一端和Vcc端;所述自动检测控制单元的第二十七电阻的另一端经第十八电容接地。
本实用新型所述的指示单元的第六三极管的集电极连接自动检测控制单元的Vcc脚,自动检测控制单元的第十七电阻的另一端接第六三极管的基极,发射极经第九二极管分别连接第十一二极管的负极以及经第三十一电阻接第十发光二极管的正极;第十一二极管的正极连接第十三二极管的负极以及经第三十二电阻连接第十二发光二极管的正极;第十三二极管的正极连接第十五二极管的负极以及经第三十三电阻接第十四发光二极管的正极;第十五二极管的正极连接第十七二极管的负极以及经第三十四电阻接第十六发光二极管的正极;第十七二极管的正极连接第十九二极管的负极以及经第三十五电阻接第十八发光二极管的正极;第十九二极管的正极经第三十六电阻接第二十发光二极管的正极,第二十发光二极管的负极连接第十八发光二极管、第十六发光二极管、第十四发光二极管、第十二发光二极管以及第十发光二极管的负极。
本实用新型所述的受电单元的整流桥的2脚经第四线圈接第十九电容的正极和接DCOUT1脚,第十九电容的负极连接DCOUT2脚;整流桥的4脚接DCOUT2脚;1脚分别连接接收线圈的一端和第二十电容的一端;接收线圈的另一端和第二十电容的另一端接整流桥的3脚,该DCOUT1脚和DCOUT2脚与用电设备连接。
本实用新型所述的发射线圈和接收线圈的外径为40mm,内径为10mm的单层线圈,所述漆包线直径为0.6mm;三端稳压器采用7812型三端稳压集成电路;第一三极管采用8550型PNP晶体三极管、第二三极管、第三三极管采用8050型NPN晶体三极管;第一时基芯片和第二时基芯片采用NE555型8脚时基集成电路;第二、第三、第四、第五、第六、第七二极管采用4148型半导体二极管;第八二极管采用5.1V稳压二极管、第九二极管采用9.1V稳压二极管;第十一二极管、第十三二极管、第十五二极管、第十七二极管、第十九二极管采用2V稳压二极管;第六三极管采用NPN型三极管;第四三极管采用13003型三极管;场效应管采用IRF640型的耗尽型N-MOS场效应管;第一运算放大器和第二运算放大器采用LM358型双运算放大器。
本实用新型与现有技术相比,采用盘形的线圈做为供受电线圈,频率范围在50-500KHz的电磁波作为能量传送,能够满足电磁辐射标准,降低Q值并且获得较大功率的传输;采用自动检测控制单元能够自动检测装置的供电与断电时间,提高装置的工作效率,能够适合大规模生产,生产成本低。
附图说明
图1是本实用新型的电路结构框图。
图2是本实用新型的电路图。
图3是本实用新型的供受电线圈的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步详细说明。
如图1所示,本实用新型的中大功率无线供电装置由用于产生电磁波的供电装置和用于接收电磁波并将其转换为电能的受电装置组成,其中:
供电装置由自动检测控制单元、小功率单元、功率放大单元、发射线圈和指示单元组成,自动检测控制单元与小功率单元、功率放大单元连接;自动检测控制单元还与指示单元连接,小功率单元连接功率放大单元;功率放大单元连接发射线圈;
受电装置由接收线圈和受电单元组成,所述发射线圈和接收线圈是由两条漆包线分别绕成扁平的单层或双层的圆环盘状结构,接收线圈连接受电单元,功率放大单元的电流通过发射线圈产生电磁波,当接收线圈靠近发射线圈时,接收线圈通过电磁耦合方式与发射线圈无线连接,接收线圈产生电流并通过受电单元为用电设备供电。
所述用电设备是现有技术中的用电的电器,例如手机、热水壶等常规设备。
所述发射线圈与接收线圈同心且处于平行时,接收线圈产生电流。
所述发射线圈和接收线圈的无线供电距离≤10mm。
如图2所示,所述自动检测控制单元的Vcc端输入24V电压后分别连接第一电容C1的正极、第一电阻R1的输入端、第一运算放大器U4的电源正极、第十五电阻R15、第二运算放大器U5的电源正极;第一电容C1的负极接地,第一电阻R1的输出端接三端稳压器U1的1脚(Vin);三端稳压器U1的2脚接地(GND),3脚(Vout)分五路,第一路经第二电阻R2接第一发光二极管D1的正极,第一发光二极管D1的负极接地;第二路接第一三极管Q1的发射极;第三路经第二电容C2接地;第四路经第三电容C3接地;第五路接第一时基芯片U2的4脚。第一时基芯片U2的5脚经第四电容接地,6脚分别接第二二极管D2的负极、第一电位器VR1的一端、第一电位器VR1的滑动臂、第五电容C5的正极以及第一时基芯片U2的2脚;第五电容C5的负极接地。第一电位器VR1的另一端经第三二极管D3接第二电位器VR2的滑动臂、第二电位器VR2的一端、第四电阻R4的一端以及第一时基芯片U2的7脚。第二电位器VR2的另一端接第二二极管D2的正极,第四电阻R4的另一端分别接第一时基芯片U2的8脚和4脚;第一时基芯片U2的1脚接地;3脚分两路,第一路经第五电阻R5接地,第二路经第五二极管D5接第六电阻R6的一端和接第六二极管D6的负极;第二三极管Q2的集电极经第三电阻R3接第一三极管Q1的基极,第二三极管Q2的发射极接地;第一三极管Q1的集电极经第二十一电容C21接地;第六二极管D6的正极分两路,一路经第七电阻R7、第七电容接地,另一路经第七电阻R7、第八电阻R8和第四二极管D4分别连接第一运算放大器U4的输出端和第九电阻R9的一端;第一运算放大器U4的电源负极接地,同相输入端经第十四电阻R14、第七二极管D7分别接第十三电阻R13和第十五电阻R15的另一端;第十三电阻R13的另一端接地;第一运算放大器U4的反向输入端接第九电阻R9的另一端和经第十六电阻R16接第十七电阻R17的一端、第二十九电阻R29的一端和第二运算放大器U5的输出端相连;第二运算放大器U5的电源负极接地,同相输入端分别连接第三十电阻R30的一端和第二十六电阻R26的一端,第三十电阻R30的另一端接地;第二运算放大器U5的反向输入端分别连接第二十九电阻R29的另一端和第二十七电阻R27的一端,第二十七电阻R27的另一端经第二十八电阻R28接地;Vcc端经第十六电容C16接地;
在此电路中,放大电路由第二运算放大器U5、第二十六电阻R26、第二十七电阻R27、第二十八电阻R28、第二十九电阻R29和第三十电阻R30组成;比较电路由第一运算放大器U4与第十三电阻R13、第十四电阻R14、第十五电阻R15、第七二极管D7、第九电阻R9和第十六电阻R16组成;电源控制开关由第一三极管Q1和第二三极管Q2经第三电阻R3相连后组成;
小功率单元的第二时基芯片U3的4脚分三路,第一路经第十一电阻R11接自动检测控制单元的第一三极管Q1的集电极和第二十一电容C21,第二路经第八二极管D8接地,第三路接第二时基芯片U3的8脚;第一三极管Q1的集电极经小功率单元的第二十二电容C22接地;第二时基芯片U3的2脚经第十电容C10接地,2脚连接第三电位器VR3的一端和滑动臂;第二时基芯片U3的3脚分别连接第三电位器VR3的另一端和第十二电阻R12的一端,第十二电阻R12的另一端接第三三极管Q3的基极,集电极接自动检测控制单元的第一三极管Q1的集电极,发射极经第十八电阻R18接地;第二时基芯片U3的5脚经第九电容接地,6脚分两路,一路经第十电阻R10接7脚,另一路经第十电容C10接地,第二时基芯片U3的1脚接地;
功率放大单元的第十九电阻R19的一端连接自动检测控制单元的第一三极管Q1的集电极,另一端分别经第十一电容C11接地、经第二十一电阻R21接地和连接第二十电阻R20的一端;第二十电阻R20的另一端分别经第十二电容C12接小功率单元的第三三极管Q3的发射极、连接第四三极管Q4的基极;第四三极管Q4的发射极接地,集电极分别连接第一线圈L1的一端、第十三电容C13的一端和第十四电容C14的一端;第一线圈L1的另一端、第十三电容C13的另一端均连接自动检测控制单元的第一三极管Q1的集电极;第十四电容C14的另一端分别连接第二十四电阻R24的一端和场效应管Q5的栅极;第二十四电阻R24的另一端分三路,第一路经第十五电容C15接地,第二路经第二十二电阻R22接地,第三路经第二十三电阻R23连接自动检测控制单元的第一三极管Q1的集电极;场效应管Q5的源极接地,漏极分两路,一路经第十七电容C17分别连接第十八电容C18的一端和第二十五电阻R25的一端,另一路连发射线圈L2的一端,发射线圈L2的另一端连接第十八电容C18的一端,第十八电容C18的另一端接地;第二十五电阻R25的另一端分别连接自动检测控制单元的第二十六电阻R26的另一端和Vcc端;所述自动检测控制单元的第二十七电阻的另一端经第十八电容C18接地;
指示单元的第六三极管Q6的集电极连接自动检测控制单元的Vcc脚,自动检测控制单元的第十七电阻R17的另一端接第六三极管Q6的基极,发射极经第九二极管D9分别连接第十一二极管D11的负极以及经第三十一电阻R31接第十发光二极管D10的正极;第十一二极管D11的正极连接第十三二极管D13的负极以及经第三十二电阻R32连接第十二发光二极管D12的正极;第十三二极管D13的正极连接第十五二极管D15的负极以及经第三十三电阻R33接第十四发光二极管D14的正极;第十五二极管D15的正极连接第十七二极管D17的负极以及经第三十四电阻R34接第十六发光二极管D16的正极;第十七二极管D17的正极连接第十九二极管D19的负极以及经第三十五电阻R35接第十八发光二极管D18的正极;第十九二极管D19的正极经第三十六电阻R36接第二十发光二极管D20的正极,第二十发光二极管D20的负极连接第十八发光二极管D18、第十六发光二极管D16、第十四发光二极管D14、第十二发光二极管D12以及第十发光二极管D10的负极;
受电单元的整流桥BR的2脚经第四线圈L4接第十九电容C19的正极和接DCOUT1脚,DCOUT1脚连接用电设备;第十九电容C19的负极连接DCOUT2脚;整流桥BR的4脚接DCOUT2脚,DCOUT2脚连接用电设备;1脚分别连接接收线圈L3的一端和第二十电容C20的一端;接收线圈L3的另一端和第二十电容C20的另一端接整流桥BR的3脚,该DCOUT1脚和DCOUT2脚与用电设备连接。
如图3所示,发射线圈和接收线圈由现有技术的漆包线绕成单层或双层重叠的圆环盘状结构,其圆心为空心,以获得大功率的高效率传输,线圈下端的两个触角与功率放大单元及受电单元连接,频率范围为50K-500KHZ的电磁波。
作为最佳实施例:漆包线直径为0.6mm,发射线圈L2和接收线圈L3的外径为40mm,内径为10mm的单层线圈,电感量为1OUH,通过电流为2安培;三端稳压器采用7812型三端稳压集成电路;第一三极管Q1采用8550型PNP晶体三极管、第二三极管Q2、第三三极管Q3采用8050型NPN晶体三极管;第一时基芯片U2和第二时基芯片U3采用NE555型8脚时基集成电路;第二、第三、第四、第五、第六、第七二极D1-D7管采用4148型半导体二极管;第八二极管采用5.1V稳压二极管、第九二极管采用9.1V稳压二极管、第十一、第十三、第十五、第十七、第十九二极管采用2V稳压二极管;第六三极管Q6采用NPN型三极管;第四三极管Q4采用13003型三极管;场效应管Q5采用IRF640型的耗尽型N-MOS场效应管;第一运算放大器U4和第二运算放大器U5采用LM358型双运算放大器。
本实用新型的工作原理如下:自动检测控制单元的Vcc输入24V,加电后,第一双运算放大器U4和第二双运算放大器U5工作,经第二十五电阻R25向场效应管Q5的漏极和发射线圈L2供电,此时场效应管Q5和发射线圈L2处于待机状态;24V电压经三端稳压器U1降压、稳压后输出12V稳定电压,向第一时基芯片U2供电,第一时基芯片U2输出脉冲信号,调节第一电位器VR1和第二电位器VR2使脉冲周期为10S,占空比为1/10,即高电平为1S,低电平为9S的脉冲信号,用于控制由第一三极管Q1和第二三极管Q2组成的电源控制开关,当脉冲高电平时,第一三极管Q1导通,向第二时基芯片U3、第三三极管Q3、第四三极管Q4和场效应管Q5供电,在无负载时,设置第十九R19、第二十一电阻R21、第二十二电阻R22和第二十三电阻R23使电流在200mA以内,调节第三电位器VR3使第二时基芯片U3的振荡频率在255KHZ;第二运算放大器U5与第二十六至三十电阻R26-R30组成放大电路,放大来自第二十五电阻R25两端的电压,而第一运算放大器U4与第十三至第十五电阻R13-R15及第七二极管D7,第九电阻R9和第十六电阻R16组成比较电路,比较来自放大电路放大后的电压;当接收线圈L3远离发射线圈L2不在电磁辐射范围内时,即系统为空载,系统电流较小,流过第二十五电阻R25的电流产生的压降经第二运算放大器U5放大后不足以翻转比较电路,无法驱动指示单元的LED,则1S后第一三极管Q1关闭,系统重新回到待机状态。
当接收线圈L3在发射线圈L2的电磁辐射范围内时,并且接收线圈L3平行放在发射线圈线圈L2上方2mm内处,并使其处于同心时,系统处于负载待机状态,来自第一时基芯片U2输出脉冲信号控制第一三极管Q1导通瞬间,流过第二十五电阻R25的电流产生的压降经第二运算放大器U5放大后翻转比较电路,输出的高电平通过第四二极管D4、第八电阻R8、第七电阻R7和第六二极管D6控制第一三极管Q1处于并保持导通状态,这时来自第一时基芯片U2的脉冲信号不起作用;因为第六电阻R6与第六二极管D6的连接处在比较电路的第一运算放大器U4翻转前一直是高电平,这种状态并不以通过第五二极管D5的来自第一时基芯片U2的脉冲状态而改变.且第一运算放大器U4输出的高电平同时给第七电容C7充电,调整第七电容C7和第七电阻R7的值,使第一运算放大器U4输出低电平后,第一三极管Q1能够保持导通状态,例如:3分钟(也可以是其它时间)以确保接收线圈L3与发射线圈L2临时短时间移动时,系统仍然保持工作;同时,系统在工作时,第二运算放大器U5放大输出端的电压通过第六三极管Q6驱动指示单元的LED灯,LED灯点亮的个数反映第二运算放大器U5放大输出电压的高低,根据LED灯的开启个数反映接收线圈L3是否摆放在最佳位置;通过调整第十三电阻R13和第十五电阻R15能改变比较器基准电压,用以控制系统在多大功率时进入工作状态。
本实用新型采用频率范围为50K—500KHZ的电磁波作能量传送,这是因为在此频率范围内元器件价格低廉,线圈体积小,并Q值可适当降低,生产时很容易匹配;本实用新型可保证供受电线圈距离10mm以内,功率50W时传输效率高于50%,2mm内时甚至超过80%.另外,由于采用小线圈,在此频率范围内的电磁幅射非常微弱,很容易满足各国的电磁幅射标准。

Claims (10)

1.一种中大功率无线供电装置,包括用于产生电磁波的供电装置和用于接收电磁波并将其转换为电能的受电装置组成,其特征在于:所述供电装置由自动检测控制单元、小功率单元、功率放大单元、发射线圈和指示单元组成,自动检测控制单元与小功率单元、功率放大单元和指示单元连接;小功率单元连接功率放大单元;功率放大单元连接发射线圈;
所述受电装置由接收线圈和受电单元组成,接收线圈连接受电单元,功率放大单元的电流通过发射线圈产生电磁波,当接收线圈靠近发射线圈时,接收线圈通过电磁耦合方式与发射线圈无线连接,接收线圈产生电流并通过受电单元为用电设备供电。
2.根据权利要求1所述的中大功率无线供电装置,其特征在于:所述发射线圈和接收线圈分别由漆包线分别绕成扁平的单层或双层的圆环盘状结构构成。
3.根据权利要求2所述的中大功率无线供电装置,其特征在于:所述发射线圈和接收线圈的无线供电距离≤10mm。
4.根据权利要求3所述的中大功率无线供电装置,其特征在于:所述电磁波的频率范围为50K-500KHZ。
5.根据权利要求4所述的中大功率无线供电装置,其特征在于:所述自动检测控制单元的Vcc端输入24V电压后分别连接第一电容(C1)的正极、第一电阻(R1)的输入端、第一运算放大器(U4)的电源正极、第十五电阻(R15)、第二运算放大器(U5)的电源正极;第一电容(C1)的负极接地,第一电阻(R1)的输出端接三端稳压器(U1)的1脚(Vin);三端稳压器(U1)的2脚接地(GND),3脚(Vout)分五路,第一路经第二电阻(R2)接第一发光二极管(D1)的正极,第一发光二极管(D1)的负极接地;第二路接第一三极管(Q1)的发射极;第三路经第二电容(C2)接地;第四路经第三电容(C3)接地;第五路接第一时基芯片(U2)的4脚。第一时基芯片(U2)的5脚经第四电容接地,6脚分别接第二二极管(D2)的负极、第一电位器(VR1)的一端、第一电位器(VR1)的滑动臂、第五电容(C5)的正极以及第一时基芯片(U2)的2脚;第五电容(C5)的负极接地。第一电位器(VR1)的另一端经第三二极管(D3)接第二电位器(VR2)的滑动臂、第二电位器(VR2)的一端、第四电阻(R4)的一端以及第一时基芯片(U2)的7脚。第二电位器(VR2)的另一端接第二二极管(D2)的正极,第四电阻(R4)的另一端分别接第一时基芯片(U2)的8脚和4脚;第一时基芯片(U2)的1脚接地;3脚分两路,第一路经第五电阻(R5)接地,第二路经第五二极管(D5)接第六电阻(R6)的一端和接第六二极管(D6)的负极;第二三极管(Q2)的集电极经第三电阻(R3)接第一三极管(Q1)的基极,第二三极管(Q2)的发射极接地;第一三极管(Q1)的集电极经第二十一电容(C21)接地;第六二极管(D6)的正极分两路,一路经第七电阻(R7)、第七电容接地,另一路经第七电阻(R7)、第八电阻(R8)和第四二极管(D4)分别连接第一运算放大器(U4)的输出端和第九电阻(R9)的一端;第一运算放大器(U4)的电源负极接地,同相输入端经第十四电阻(R14)、第七二极管(D7)分别接第十三电阻(R13)和第十五电阻(R15)的另一端;第十三电阻(R13)的另一端接地;第一运算放大器(U4)的反向输入端接第九电阻(R9)的另一端和经第十六电阻(R16)接第十七电阻(R17)的一端、第二十九电阻(R29)的一端和第二运算放大器(U5)的输出端相连;第二运算放大器(U5)的电源负极接地,同相输入端分别连接第三十电阻(R30)的一端和第二十六电阻(R26)的一端,第三十电阻(R30)的另一端接地;第二运算放大器(U5)的反向输入端分别连接第二十九电阻(R29)的另一端和第二十七电阻(R27)的一端,第二十七电阻(R27)的另一端经第二十八电阻(R28)接地;Vcc端经第十六电容(C16)接地。
6.根据权利要求5所述的中大功率无线供电装置,其特征在于:所述小功率单元的第二时基芯片(U3)的4脚分三路,第一路经第十一电阻(R11)接自动检测控制单元的第一三极管(Q1)的集电极和第二十一电容(C21),第二路经第八二极管(D8)接地,第三路接第二时基芯片(U3)的8脚;第一三极管(Q1)的集电极经小功率单元的第二十二电容(C22)接地;第二时基芯片(U3)的2脚经第十电容(C10)接地,2脚连接第三电位器(VR3)的一端和滑动臂;第二时基芯片(U3)的3脚分别连接第三电位器(VR3)的另一端和第十二电阻(R12)的一端,第十二电阻(R12)的另一端接第三三极管(Q3)的基极,集电极接自动检测控制单元的第一三极管(Q1)的集电极,发射极经第十八电阻(R18)接地;第二时基芯片(U3)的5脚经第九电容接地,6脚分两路,一路经第十电阻(R10)接7脚,另一路经第十电容(C10)接地,第二时基芯片(U3)的1脚接地。
7.根据权利要求6所述的中大功率无线供电装置,其特征在于:所述功率放大单元的第十九电阻(R19)的一端连接自动检测控制单元的第一三极管(Q1)的集电极,第十九电阻(R19)另一端分别经第十一电容(C11)接地、经第二十一电阻(R21)接地和连接第二十电阻(R20)的一端;第二十电阻(R20)的另一端分别经第十二电容(C12)接小功率单元的第三三极管(Q3)的发射极、连接第四三极管(Q4)的基极;第四三极管(Q4)的发发射极接地,集电极分别连接第一线圈(L1)的一端、第十三电容(C13)的一端和第十四电容(C14)的一端;第一线圈(L1)的另一端、第十三电容(C13)的另一端均连接自动检测控制单元的第一三极管(Q1)的集电极;第十四电容(C14)的另一端分别连接第二十四电阻(R24)的一端和场效应管(Q5)的栅极;第二十四电阻(R24)的另一端分三路,第一路经第十五电容(C15)接地,第二路经第二十二电阻(R22)接地,第三路经第二十三电阻(R23)连接自动检测控制单元的第一三极管(Q1)的集电极;场效应管(Q5)的源极接地,漏极分两路,一路经第十七电容(C17)分别连接第十八电容(C18)的一端和第二十五电阻(R25)的一端,另一路连发射线圈(L2)的一端,发射线圈(L2)的另一端连接第十八电容(C18)的一端,第十八电容(C18)的另一端接地;第二十五电阻(R25)的另一端分别连接自动检测控制单元的第二十六电阻(R26)的另一端和Vcc端;所述自动检测控制单元的第二十七电阻(R27)的另一端经第十八电容(C18)接地。
8.根据权利要求7所述的中大功率无线供电装置,其特征在于:所述指示单元的第六三极管(Q6)的集电极连接自动检测控制单元的Vcc脚,自动检测控制单元的第十七电阻(R17)的另一端接第六三极管(Q6)的基极,发射极经第九二极管(D9)分别连接第十一二极管(D11)的负极以及经第三十一电阻(R31)接第十发光二极管(D10)的正极;第十一二极管(D11)的正极连接第十三二极管(D13)的负极以及经第三十二电阻(R32)连接第十二发光二极管(D12)的正极;第十三二极管(D13)的正极连接第十五二极管(D15)的负极以及经第三十三电阻(R33)接第十四发光二极管(D14)的正极;第十五二极管(D15)的正极连接第十七二极管(D17)的负极以及经第三十四电阻(R34)接第十六发光二极管(D16)的正极;第十七二极管(D17)的正极连接第十九二极管(D19)的负极以及经第三十五电阻(R35)接第十八发光二极管(D18)的正极;第十九二极管(D19)的正极经第三十六电阻(R36)接第二十发光二极管(D20)的正极,第二十发光二极管(D20)的负极连接第十八发光二极管(D18)、第十六发光二极管(D16)、第十四发光二极管(D14)、第十二发光二极管(D12)以及第十发光二极管(D10)的负极。
9.根据权利要求8所述的中大功率无线供电装置,其特征在于:所述受电单元的整流桥(BR)的2脚经第四线圈(L4)接第十九电容(C19)的正极和接DCOUT1脚,第十九电容(C19)的负极连接DCOUT2脚;整流桥(BR)的4脚接DCOUT2脚;1脚分别连接接收线圈(L3)的一端和第二十电容(C20)的一端;接收线圈(L3)的另一端和第二十电容(C20)的另一端接整流桥(BR)的3脚,该DCOUT1脚和DCOUT2脚与用电设备连接。
10.根据权利要求9所述的中大功率无线供电装置,其特征在于:发射线圈(L2)和接收线圈(L3)的外径为40mm,内径为10mm的单层线圈,所述漆包线直径为0.6mm;三端稳压器(U1)采用7812型三端稳压集成电路;第一三极管(Q1)采用8550型PNP晶体三极管、第二三极管(Q2)、第三三极管(Q3)采用8050型NPN晶体三极管;第一时基芯片(U2)和第二时基芯片(U3)采用NE555型8脚时基集成电路;第二、第三、第四、第五、第六、第七二极管(D1-D7)采用4148型半导体二极管;第八二极管(D8)采用5.1V稳压二极管、第九二极管(D9)采用9.1V稳压二极管;第十一二极管(D11)、第十三二极管(D13)、第十五二极管(D15)、第十七二极管(D17)、第十九二极管(D19)采用2V稳压二极管;第六三极管(Q6)采用NPN型三极管;第四三极管(Q4)采用13003型三极管;场效应管(Q5)采用IRF640型的耗尽型N-MOS场效应管;第一运算放大器(U4)和第二运算放大器(U5)采用LM358型双运算放大器。
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