CN202816946U - 高像素影像传感器封装结构 - Google Patents

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劳景益
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Abstract

本实用新型涉及一种影像传感器结构，尤其是一种高像素影像传感器封装结构。它包括一基板，所述的基板上贴装有位于中部的CMOS传感器及位于边缘位置的电容电阻和驱动马达，所述的基板上设有一隔离墙底座，所述的隔离墙底座上对应基板上CMOS传感器、电容电阻和驱动马达的位置分别设有CMOS传感器空位、电容电阻空位及驱动马达空位，所述的CMOS传感器空位与电容电阻空位及驱动马达空位通过隔离墙隔断，所述的CMOS传感器空位上表面安装一玻璃片。本实用新型把电容电阻，驱动马达与CMOS影像传感器隔离，有效把锡珠，助焊剂，碎屑等脏污隔离在CMOS影像传感器外面，防止对影像传感器的污染、提高封装品质和良品率。

Description

高像素影像传感器封装结构
技术领域
本实用新型涉及一种影像传感器结构，尤其是一种高像素影像传感器封装结构。
背景技术
过去CMOS影像传感器的应用集中在200万像素以下，随着平板电脑，智慧手机的应用，背照式(BSI：Backside illumination)技术的与时俱进，像素微小化以及先进制程的技术突破，带动了CMOS影像传感器大举进军高像素(像素500万以上)应用市场，而芯片级封装(CSP：Chip Scale Package)在高像素CMOS影像传感器封装会有技术的缺陷与瓶颈，板上芯片(COB：ChipOn Board)封装必定是趋势。
然而目前绝大部分高像素CMOS影像传感器COB封装结构时电容电阻，驱动马达与CMOS影像传感器摆放在一起，中间没有采取隔离措施，电容电阻被动元件在SMT表面贴装工艺后会有锡珠，助焊剂，而锡珠，助焊剂很容易跑到CMOS影像传感器上面，清洁非常困难或无法清洁，这样在影像输出会产生污点等不良，加上结构设计时没有把光学中心偏移，传感器的倾斜等考虑到位，封装出来的产品对摄像头模组组装端组装困难，容易影像产生暗角，影像单边解析度模糊不良，对影像品质无法保证，封装良率降低。
发明内容
本实用新型提供一种可有效防止对影像传感器的污染、提高封装品质和良品率的高像素影像传感器封装结构。
为了实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：
它包括一基板，所述的基板上贴装有位于中部的CMOS传感器及位于边缘位置的电容电阻和驱动马达，所述的基板上设有一隔离墙底座，所述的隔离墙底座上对应基板上CMOS传感器、电容电阻和驱动马达的位置分别设有CMOS传感器空位、电容电阻空位及驱动马达空位，所述的CMOS传感器空位与电容电阻空位及驱动马达空位通过隔离墙隔断，所述的CMOS传感器空位上表面安装一玻璃片。
上述结构中，所述的电容电阻空位及驱动马达空位呈由隔离墙底座外壁向内凹陷的结构。
上述结构中，所述的隔离墙底座上传感器空位周边与玻璃片接触的位置设有胶水槽。
上述结构中，所述的驱动马达空位为凸字形结构。
由于采用了上述结构，本实用新型的高像素影像传感器封装结构采用隔墙结构，可以把电容电阻，驱动马达与CMOS影像传感器隔离，结构简单实用，可以有效把锡珠，助焊剂，碎屑等脏污隔离在CMOS影像传感器外面，保护了焊接过程中CMOS影响传感器的清洁，防止对影像传感器的污染、提高封装品质和良品率。
附图说明
图1是本实用新型实施例的爆炸结构示意图；
图2是本实用新型实施例的立体结构示意图；
图3是本实用新型实施例的隔离墙底座的立体结构示意图；
图4是本实用新型实施例的侧面结构示意图；
图5是图4的B-B截面图；
图6本实用新型实施例的封装步骤一结构示意图；
图7本实用新型实施例的封装步骤二结构示意图；
图8本实用新型实施例的封装步骤三结构示意图；
图9本实用新型实施例的封装步骤四结构示意图。
具体实施方式
如图1-5所示，本实施例的高像素影像传感器封装结构包括一基板1，所述的基板1上贴装有位于中部的CMOS传感器2及位于边缘位置的电容电阻3和驱动马达4，所述的基板1上设有一隔离墙底座5，所述的隔离墙底座5上对应基板上CMOS传感器2、电容电阻3和驱动马达4的位置分别设有CMOS传感器空位501、电容电阻空位502及驱动马达空位503，所述的CMOS传感器空位501与电容电阻空位502及驱动马达空位503通过隔离墙504隔断，所述的CMOS传感器空位上表面安装一玻璃片6。本实施例中基板上有两处电容电阻的贴装区，于是相应的隔离墙底座5上设有两处电容电阻空位502与两处电容电阻的贴装区对应。
为了简化隔离墙底座5的制造加工，所述的电容电阻空位及驱动马达空位呈由隔离墙底座外壁向内凹陷的结构。即本实施例中所述的CMOS传感器空位501是一个四周封闭的区域，所述的电容电阻空位502及驱动马达空位503是向外开放的区域。
由于在安装玻璃片时，一般使用胶水粘在隔离墙底座上，为了避免粘贴时由于挤压造成胶水从玻璃片与隔离墙底座的结合部溢出，留到基板1上的CMOS传感器2上对CMOS传感器2造成污染，本实施例中，所述的隔离墙底座5上传感器空位501周边与玻璃片6接触的位置设有胶水槽505。胶水涂在胶水槽505中，挤压时受侧壁遮挡无法溢出到CMOS传感器2上，而且可以沿着胶水槽505流向胶水较少的部位，使玻璃的粘贴更加均匀。
由于驱动马达占用的空间相比电容电阻要大，为了合理安排驱动马达及附近器件的安装和隔离，并避免其对其他部位产生干涉，本实施例中，所述的驱动马达空位503为凸字形结构。
本实施例的高像素影像传感器封装时一般包括4个步骤：
1、如图6所示，将电容电阻、驱动马达安装在基板1上后，将CMOS传感器贴装在基板1上；
2、如图7所示，对CMOS传感器2与基板1之间进行金线7焊接；
3、如图8所示，在已贴装CMOS传感器2的基板1上安装隔离墙底座5，使CMOS传感器2与电容电阻、驱动马达之间隔离；
4、如图9所示，在隔离墙底座5上贴装上玻璃片6，完成封装过程。
安装过程中，CMOS传感器后于电容电阻、驱动马达安装并在CMOS传感器贴装后立即安装隔离墙底座进行隔离，使得电容电阻和驱动马达的焊锡、焊珠不能进入CMOS传感器所在的空间，保护了CMOS传感器的清洁，提高了封装质量。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (4)

1.一种高像素影像传感器封装结构，其特征在于：包括一基板，所述的基板上贴装有位于中部的CMOS传感器及位于边缘位置的电容电阻和驱动马达，所述的基板上设有一隔离墙底座，所述的隔离墙底座上对应基板上CMOS传感器、电容电阻和驱动马达的位置分别设有CMOS传感器空位、电容电阻空位及驱动马达空位，所述的CMOS传感器空位与电容电阻空位及驱动马达空位通过隔离墙隔断，所述的CMOS传感器空位上表面安装一玻璃片。
2.如权利要求1所述的影像传感器封装结构，其特征在于：所述的电容电阻空位及驱动马达空位呈由隔离墙底座外壁向内凹陷的结构。
3.如权利要求2所述的影像传感器封装结构，其特征在于：所述的隔离墙底座上传感器空位周边与玻璃片接触的位置设有胶水槽。
4.如权利要求3所述的影像传感器封装结构，其特征在于：所述的驱动马达空位为凸字形结构。
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