CN202799346U - 一种反接保护自激震荡高频变换电路 - Google Patents
一种反接保护自激震荡高频变换电路 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种反接保护自激震荡高频变换电路，主要由场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2，以及与场效应晶体管Q1和场效应晶体管Q2相并联的耦合整流电路组成，其特征在于：在场效应晶体管Q1的集电极与场效应晶体管Q2的源极之间还串接有反接保护电路。本实用新型通过自激震荡电路与反接保护电路的配合，能够确保自激震荡电路的结构安全，能有效降低事故发生的概率。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种高频变换电路，具体是指一种反接保护自激震荡高频变换电路。
背景技术
目前，荧光灯和节能灯是人们经常要使用的电器，由于这些电器都是通过灯丝加热或灯丝电离气体来发光的，因此在使用时都需要用到电子镇流器。但目前人们所使用的电子镇流器内部的自激震荡高频变换电路都不具有反接保护功能，因此在当电源出现反接时，这些电压的峰值反电势便会损坏该自激震荡高频变换电路，进而击穿电子镇流器，损坏电器设备
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术中自激震荡高频变换电路不具有反接保护功能的缺陷，提供一种反接保护自激震荡高频变换电路。
本实用新型的目的通过下述技术方案实现： 一种反接保护自激震荡高频变换电路，主要由场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2，以及与场效应晶体管Q1和场效应晶体管Q2相并联的耦合整流电路组成，且在场效应晶体管Q1的集电极与场效应晶体管Q2的源极之间还串接有反接保护电路。
进一步地，与场效应晶体管Q1相并联的耦合整流电路主要由连接在场效应晶体管Q1的栅极与漏极之间的电感线圈L3，以及相互串接后再与电感线圈L3两端相连接的二极管DT1和二极管DT2组成。
与场效应晶体管Q2相并联的耦合整流电路主要由连接在场效应晶体管Q2的栅极与漏极之间的电感线圈L2，以及相互串接后再与电感线圈L2两端相连接的二极管DT3和二极管DT4组成。
所述反接保护电路由顺次串接的继电器K、二极管DT7、熔断器F及电感线圈L1，以及与继电器K相并联的二极管DT8组成；同时，在场效应晶体管Q1与场效应晶体管Q2的连接点之间还串接有继电器K的常开触点。
本实用新型较现有技术相比，具有以下优点及有益效果：
（1）本实用新型整体结构非常简单，便于推广和应用。
（2）本实用新型的电路中具有反接保护电路，因此即便在电源接反时，电源的峰值电压也不会击穿电器设备，从而延长电器设备的使用寿命。
（3）本实用新型通过自激震荡电路与反接保护电路的配合，能够确保自激震荡电路的结构安全，能有效降低事故发生的概率。
附图说明
图1为本实用新型的整体结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型作进一步地详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此。
实施例
如图1所示，本实用新型的电路包括场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2、两个耦合整流电路以及一个反接保护电路。其中，场效应晶体管Q1的源极与场效应晶体管Q2的集电极相连接。所述的两个耦合整流电路分别与场效应晶体管Q1和场效应晶体管Q2相并联；所述的反接保护电路则串接在场效应晶体管Q1的集电极与场效应晶体管Q2的源极之间。
如图所示，与场效应晶体管Q1相并联的耦合整流电路主要由连接在场效应晶体管Q1的栅极与漏极之间的电感线圈L3，以及相互串接后再与电感线圈L3两端相连接的二极管DT1和二极管DT2组成；而与场效应晶体管Q2相并联的耦合整流电路主要由连接在场效应晶体管Q2的栅极与漏极之间的电感线圈L2，以及相互串接后再与电感线圈L2两端相连接的二极管DT3和二极管DT4组成。
所述反接保护电路则由顺次串接的继电器K、二极管DT7、熔断器F及电感线圈L1，以及与继电器K相并联的二极管DT8组成。同时，在场效应晶体管Q1与场效应晶体管Q2的连接点之间还串接有继电器K的常开触点。
如上所述，便可以很好的实现本实用新型。
Claims (4)
1.一种反接保护自激震荡高频变换电路，主要由场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2，以及与场效应晶体管Q1和场效应晶体管Q2相并联的耦合整流电路组成，其特征在于：在场效应晶体管Q1的集电极与场效应晶体管Q2的源极之间还串接有反接保护电路。
2.根据权利要求1所述的一种反接保护自激震荡高频变换电路，其特征在于：与场效应晶体管Q1相并联的耦合整流电路主要由连接在场效应晶体管Q1的栅极与漏极之间的电感线圈L3，以及相互串接后再与电感线圈L3两端相连接的二极管DT1和二极管DT2组成。
3.根据权利要求1所述的一种反接保护自激震荡高频变换电路，其特征在于：与场效应晶体管Q2相并联的耦合整流电路主要由连接在场效应晶体管Q2的栅极与漏极之间的电感线圈L2，以及相互串接后再与电感线圈L2两端相连接的二极管DT3和二极管DT4组成。
4.根据权利要求1～3任一项所述的一种反接保护自激震荡高频变换电路，其特征在于：所述反接保护电路由顺次串接的继电器K、二极管DT7、熔断器F及电感线圈L1，以及与继电器K相并联的二极管DT8组成；同时，在场效应晶体管Q1与场效应晶体管Q2的连接点之间还串接有继电器K的常开触点。
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