CN102802329B - 多功能电子镇流保护电路 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种多功能电子镇流保护电路，其特征在于：由异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2，与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输入端均相连接的电阻R，与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输出端相连接的一级谐振保护电路，与异或门集成芯片U1相并联的振荡电路。本发明能确保输入电压在突变时，能很好的保护电子元器件，防止峰值击穿，从而延长电子产品的使用寿命。

Description

多功能电子镇流保护电路
技术领域
本发明涉及电子应用领域，具体是指一种多功能电子镇流保护电路。
背景技术
目前，荧光灯和节能灯是人们经常要使用的电器，由于这些电器都是通过灯丝加热或灯丝电离气体来发光的，因此在使用时都需要用到电子镇流器。但目前人们所使用的电子镇流器内部的电路既不具有良好的反电势保护功能、滤波整流功能和反接保护功能，因此当输入的电压因各种原因出现峰值突变、出现大量一、二次谐波时，该电子整流器便存在较大的安全隐患，不利于人们的广泛使用和推广。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中电子镇流器内部电路不具有良好的反电势保护功能、滤波整流功能和反接保护功能缺陷，提供一种多功能电子镇流保护电路。
本发明的目的通过下述技术方案实现：多功能电子镇流保护电路，由异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2，与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输入端均相连接的电阻R，与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输出端相连接的一级谐振保护电路，与异或门集成芯片U1相并联的振荡电路，与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输入端相连接的升压保护电路，与升压保护电路输入端相连接的稳压滤波电路，与谐振保护电路的输出端相连接的自激高频电路，以及与该自激高频电路的输出端相连接的二级谐振保护电路组成。
所述稳压滤波电路由电感L1、电感L2以及二极管D3和电容C1组成，所述二极管D3的N极和P极分别与电感L1和电感L2的一端相连后形成滤波输入端，电容C1的两端则分别与电感L1和电感L2的另一端相连后形成滤波输出端，同时在电感L1处并联有二极管D1，在电感L2处并联有二极管D2。
所述升压保护电路由相互串接的电阻R1和电容C2，一端连接在电阻R1和电容C2之间的双向触发二极管DB和二极管D4，以及串接在电阻R1的输入端与双向触发二极管DB的输出端之间的一级反接保护电路组成；而该一级反接保护电路由依次串接的熔断器F、二极管D6和继电器K1，以及与继电器K1相并联的二极管D5组成；所述熔断器F与电阻R1之间的连接点通过继电器K1的常开触点与电感L1与电容C1的连接点相连接，而电容C2的另一端则与电容C1与电感L2的连接点相连接。
所述的振荡电路由场效应晶体管Q1，一端与场效应晶体管Q1的栅极相连接、另一端与异或门集成芯片U1的输入端相连接的耦合滤波电路，以及与场效应晶体管Q1相并联的二极管D1组成；所述的耦合滤波电路由相互并联的电感L3和低频滤波电容CT组成；所述的一级谐振保护电路由场效应晶体管Q2，一端与场效应晶体管Q2的栅极相连接、另一端依次经电容C2、电容C4后与场效应晶体管Q2的漏极相连接的电容C1，串接在电容C1与电容C2的连接点与场效应晶体管Q2的漏极之间的电容C3，以及与电容C4相并联的电感L2组成；所述异或门集成芯片U1的一个输入端经电阻R2后与双向触发二极管DB的输出端相连接，另一个输入端则与升压保护电路中的二极管D4的N极相连接，其输出端则与电容C1和电容C2的连接点相连接；异或门集成芯片U2的一个输入端与电阻R2与异或门集成芯片U1的连接点相连接，另一个输入端与升压保护电路中的电容C2的另一端相连接，其输出端则与电容C2与电容C4的连接点相连接。
所述的自激高频电路包括场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2，与场效应晶体管Q1和场效应晶体管Q2相并联的耦合整流电路，以及反接保护电路；其中与场效应晶体管Q1相并联的耦合整流电路由连接在场效应晶体管Q1的栅极与漏极之间的电感线圈L43，相互串接后再与电感线圈L43两端相连接的二极管DT1和二极管DT2组成；与场效应晶体管Q2相并联的耦合整流电路主要由连接在场效应晶体管Q2的栅极与漏极之间的电感线圈L42，以及相互串接后再与电感线圈L42两端相连接的二极管DT3和二极管DT4组成；所述反接保护电路由顺次串接的继电器K2、二极管DT7、熔断器F2及电感线圈L41，以及与继电器K2相并联的二极管DT8组成；同时，场效应晶体管Q1与场效应晶体管Q2的连接点经继电器K2的常开触点后与一级谐振保护电路中的电感L2的一端相连接，电感线圈L41和电感线圈L42的次级端则与一级谐振保护电路中的电感L2的另一端相连接。
所述的二级谐振保护电路由场效应晶体管Q3，一端与场效应晶体管Q3的栅极相连接、另一端依次经电容C6、电容C8后与场效应晶体管Q3的漏极相连接的电容C5，串接在电容C5与电容C6的连接点与场效应晶体管Q3的漏极之间的电容C7，以及与电容C8相并联的电感L4组成。
本发明较现有技术相比，具有以下优点及有益效果：
（1）本发明的整体结构较为简单，其不仅具有反接保护功能和稳压滤波功能，而且还具有整流功能，因此即便在电源接反时，电源的峰值电压也不会击穿电器设备，从而延长电器设备的使用寿命。
（2）本发明通过自激高频电路与反接保护电路的配合，能够确保自激高频电路的结构安全，能有效降低事故发生的概率。
附图说明
图1为本发明的整体结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
实施例
如图1所示，本发明的电路结构主要由异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2，与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输入端均相连接的电阻R，与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输出端相连接的一级谐振保护电路，与异或门集成芯片U1相并联的振荡电路，与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输入端相连接的升压保护电路，与升压保护电路输入端相连接的稳压滤波电路，与谐振保护电路的输出端相连接的自激高频电路，以及与该自激高频电路的输出端相连接的二级谐振保护电路组成。
如图所示，为了确保实用效果，该稳压滤波电路由电感L1、电感L2以及二极管D3和电容C1组成，所述二极管D3的N极和P极分别与电感L1和电感L2的一端相连后形成滤波输入端，电容C1的两端则分别与电感L1和电感L2的另一端相连后形成滤波输出端，同时在电感L1处并联有二极管D1，在电感L2处并联有二极管D2。
所述升压保护电路由相互串接的电阻R1和电容C2，一端连接在电阻R1和电容C2之间的双向触发二极管DB和二极管D4，以及串接在电阻R1的输入端与双向触发二极管DB的输出端之间的一级反接保护电路组成；而该一级反接保护电路由依次串接的熔断器F、二极管D6和继电器K1，以及与继电器K1相并联的二极管D5组成；所述熔断器F与电阻R1之间的连接点通过继电器K1的常开触点与电感L1与电容C1的连接点相连接，而电容C2的另一端则与电容C1与电感L2的连接点相连接。
所述的振荡电路由场效应晶体管Q1，一端与场效应晶体管Q1的栅极相连接、另一端与异或门集成芯片U1的输入端相连接的耦合滤波电路，以及与场效应晶体管Q1相并联的二极管D1组成；所述的耦合滤波电路由相互并联的电感L3和低频滤波电容CT组成；所述的一级谐振保护电路由场效应晶体管Q2，一端与场效应晶体管Q2的栅极相连接、另一端依次经电容C2、电容C4后与场效应晶体管Q2的漏极相连接的电容C1，串接在电容C1与电容C2的连接点与场效应晶体管Q2的漏极之间的电容C3，以及与电容C4相并联的电感L2组成。
所述异或门集成芯片U1的一个输入端经电阻R2后与双向触发二极管DB的输出端相连接，另一个输入端则与升压保护电路中的二极管D4的N极相连接，其输出端则与电容C1和电容C2的连接点相连接；异或门集成芯片U2的一个输入端与电阻R2与异或门集成芯片U1的连接点相连接，另一个输入端与升压保护电路中的电容C2的另一端相连接，其输出端则与电容C2与电容C4的连接点相连接。
所述的自激高频电路包括场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2，与场效应晶体管Q1和场效应晶体管Q2相并联的耦合整流电路，以及反接保护电路；其中与场效应晶体管Q1相并联的耦合整流电路由连接在场效应晶体管Q1的栅极与漏极之间的电感线圈L43，相互串接后再与电感线圈L43两端相连接的二极管DT1和二极管DT2组成；与场效应晶体管Q2相并联的耦合整流电路主要由连接在场效应晶体管Q2的栅极与漏极之间的电感线圈L42，以及相互串接后再与电感线圈L42两端相连接的二极管DT3和二极管DT4组成。
所述反接保护电路由顺次串接的继电器K2、二极管DT7、熔断器F2及电感线圈L41，以及与继电器K2相并联的二极管DT8组成；同时，场效应晶体管Q1与场效应晶体管Q2的连接点经继电器K2的常开触点后与一级谐振保护电路中的电感L2的一端相连接，电感线圈L41和电感线圈L42的次级端则与一级谐振保护电路中的电感L2的另一端相连接。
所述的二级谐振保护电路由场效应晶体管Q3，一端与场效应晶体管Q3的栅极相连接、另一端依次经电容C6、电容C8后与场效应晶体管Q3的漏极相连接的电容C5，串接在电容C5与电容C6的连接点与场效应晶体管Q3的漏极之间的电容C7，以及与电容C8相并联的电感L4组成。
如上所述，便可以很好的实现本发明。

Claims (1)

1.多功能电子镇流保护电路，其特征在于：由异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2，与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输入端均相连接的电阻R，与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输出端相连接的一级谐振保护电路，与异或门集成芯片U1相并联的振荡电路，与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输入端相连接的升压保护电路，与升压保护电路输入端相连接的稳压滤波电路，与谐振保护电路的输出端相连接的自激高频电路，以及与该自激高频电路的输出端相连接的二级谐振保护电路组成；
所述稳压滤波电路由电感L1、电感L2以及二极管D3和电容C1组成，所述二极管D3的N极和P极分别与电感L1和电感L2的一端相连后形成滤波输入端，电容C1的两端则分别与电感L1和电感L2的另一端相连后形成滤波输出端，同时在电感L1处并联有二极管D1，在电感L2处并联有二极管D2；
所述升压保护电路由相互串接的电阻R1和电容C2，一端连接在电阻R1和电容C2之间的双向触发二极管DB和二极管D4，以及串接在电阻R1的输入端与双向触发二极管DB的输出端之间的一级反接保护电路组成；而该一级反接保护电路由依次串接的熔断器F、二极管D6和继电器K1，以及与继电器K1相并联的二极管D5组成；所述熔断器F与电阻R1之间的连接点通过继电器K1的常开触点与电感L1与电容C1的连接点相连接，而电容C2的另一端则与电容C1与电感L2的连接点相连接；
所述的振荡电路由场效应晶体管Q1，一端与场效应晶体管Q1的栅极相连接、另一端与异或门集成芯片U1的输入端相连接的耦合滤波电路，以及与场效应晶体管Q1相并联的二极管D1组成；所述的耦合滤波电路由相互并联的电感L3和低频滤波电容CT组成；所述的一级谐振保护电路由场效应晶体管Q2，一端与场效应晶体管Q2的栅极相连接、另一端依次经电容C2、电容C4后与场效应晶体管Q2的漏极相连接的电容C1，串接在电容C1与电容C2的连接点与场效应晶体管Q2的漏极之间的电容C3，以及与电容C4相并联的电感L2组成；所述异或门集成芯片U1的一个输入端经电阻R2后与双向触发二极管DB的输出端相连接，另一个输入端则与升压保护电路中的二极管D4的N极相连接，其输出端则与电容C1和电容C2的连接点相连接；异或门集成芯片U2的一个输入端与电阻R2与异或门集成芯片U1的连接点相连接，另一个输入端与升压保护电路中的电容C2的另一端相连接，其输出端则与电容C2与电容C4的连接点相连接；
所述的自激高频电路包括场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2，与场效应晶体管Q1和场效应晶体管Q2相并联的耦合整流电路，以及反接保护电路；其中与场效应晶体管Q1相并联的耦合整流电路由连接在场效应晶体管Q1的栅极与漏极之间的电感线圈L43，相互串接后再与电感线圈L43两端相连接的二极管DT1和二极管DT2组成；与场效应晶体管Q2相并联的耦合整流电路主要由连接在场效应晶体管Q2的栅极与漏极之间的电感线圈L42，以及相互串接后再与电感线圈L42两端相连接的二极管DT3和二极管DT4组成；所述反接保护电路由顺次串接的继电器K2、二极管DT7、熔断器F2及电感线圈L41，以及与继电器K2相并联的二极管DT8组成；同时，场效应晶体管Q1与场效应晶体管Q2的连接点经继电器K2的常开触点后与一级谐振保护电路中的电感L2的一端相连接，电感线圈L41和电感线圈L42的次级端则与一级谐振保护电路中的电感L2的另一端相连接；
所述的二级谐振保护电路由场效应晶体管Q3，一端与场效应晶体管Q3的栅极相连接、另一端依次经电容C6、电容C8后与场效应晶体管Q3的漏极相连接的电容C5，串接在电容C5与电容C6的连接点与场效应晶体管Q3的漏极之间的电容C7，以及与电容C8相并联的电感L4组成。
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