CN203352149U - 一种驱动芯片保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种驱动芯片保护电路，包括驱动芯片U1、二极管D1和场效应管Q1，驱动芯片U1的驱动输出端接二极管D1的负极，场效应管Q1的栅极接二极管D1的正极，二极管D1的正极经稳压管ZD2接地；二极管D1的正极接稳压管ZD2的阴极，稳压管ZD2的阳极接地，二极管D1的正极与场效应管Q1的栅极之间连接有快断保险管FU，二极管D1的负极经稳压管ZD1接地；二极管D1的负极接稳压管ZD1的阴极，稳压管ZD1的阳极接地，当场效应管Q1击穿损坏时，场效应管Q1栅极的高压首先经快断保险管FU加到稳压管ZD2的阴极，使稳压管ZD2击穿。同时产生的大电流使快断保险管FU迅速熔断，使高压不至于加到驱动芯片U1的驱动输出端。有效地保护驱动芯片U1不致损坏。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种电源电路，具体地说,涉及一种适用于LED照明灯电源的驱动芯片保护电路,属于电子技术领域。
背景技术
目前，如图1所示，传统LED照明灯电源的驱动电路包括驱动芯片U1、场效应管Q1及开关变压器T，驱动芯片U1的7脚，即驱动输出端经反接的二极管D1接场效应管Q1的栅极，场效应管Q1的源极经电阻R2接地，二极管D1并联有电阻R1，场效应管Q1的栅极经电阻R4接地，场效应管Q1的漏极接二极管D2的正极、开关变压器T初级线圈的一端，二极管D2的负极经并联的电阻R3、电容C1接开关变压器T初级线圈的另一端和电源。
在实现本实用新型过程中，实用新型人发现现有技术中至少存在以下问题：由于场效应管Q1为易损件，容易发生击穿损坏，在场效应管Q1击穿的同时，场效应管Q1漏极的高压直接加到栅极，并经电阻R1、二极管D1加到驱动芯片U1 的驱动输出端，使驱动芯片U1损坏，安全性差，提高了使用成本。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是针对以上不足，提供一种安全性高、使用成本低的驱动芯片保护电路。
为解决以上技术问题，本实用新型采用以下技术方案：一种驱动芯片保护电路，包括驱动芯片U1、二极管D1和场效应管Q1，驱动芯片U1的驱动输出端接二极管D1的负极，场效应管Q1的栅极接二极管D1的正极，其特征在于：所述二极管D1的正极经稳压管ZD2接地；
所述二极管D1的正极接稳压管ZD2的阴极，稳压管ZD2的阳极接地。
一种优化方案，所述二极管D1的正极与场效应管Q1的栅极之间连接有快断保险管FU。
另一种优化方案，所述二极管D1的负极经稳压管ZD1接地；
所述二极管D1的负极接稳压管ZD1的阴极，稳压管ZD1的阳极接地。
本实用新型采用以上技术方案后，与现有技术相比，具有以下优点：当场效应管Q1击穿损坏时，场效应管Q1栅极的高压首先经快断保险管FU 加到稳压管ZD2的阴极，使稳压管ZD2击穿。同时产生的大电流使快断保险管FU 迅速熔断，使高压不至于加到驱动芯片U1 的驱动输出端。有效地保护驱动芯片U1不致损坏，为保险起见，在驱动芯片U1的驱动输出端再接一稳压管ZD1，使保护作用更加可靠。
下面结合附图和实施例对本实用新型进行详细说明。
附图说明
附图1是现有技术中驱动电路的电路图；
附图2是本实用新型实施例中驱动芯片保护电路的电路原理图。
具体实施方式
实施例，如图2所示，一种驱动芯片保护电路，包括驱动芯片U1、场效应管Q1及开关变压器T，驱动芯片U1的7脚，即驱动芯片U1的驱动输出端经反接的二极管D1接场效应管Q1的栅极，二极管D1的正极接场效应管Q1的栅极，二极管D1的负极接驱动芯片U1的驱动输出端，场效应管Q1的源极经电阻R2接地，二极管D1并联有电阻R1，场效应管Q1的栅极经电阻R4接地，场效应管Q1的漏极接二极管D2的正极、开关变压器T初级线圈的一端，二极管D2的负极经并联的电阻R3、电容C1接开关变压器T初级线圈的另一端和电源，二极管D1的正极接稳压管ZD2的阴极，稳压管ZD2的阳极接地，二极管D2的负极接稳压管ZD1的阴极，稳压管ZD1的阳极接地，二极管D1的正极与场效应管Q1的栅极之间连接有快断保险管FU，驱动芯片U1的型号为SA7527 。
当场效应管Q1击穿损坏时，场效应管Q1栅极的高压首先经快断保险管FU 加到稳压管ZD2的阴极，使稳压管ZD2击穿。同时产生的大电流使快断保险管FU 迅速熔断，使高压不至于加到驱动芯片U1 的驱动输出端。有效地保护驱动芯片U1不致损坏，为保险起见，在驱动芯片U1的驱动输出端再接一稳压管ZD1，使保护作用更加可靠。
本领域技术人员应该认识到，上述的具体实施方式只是示例性的，是为了使本领域技术人员能够更好的理解本实用新型内容，不应理解为是对本实用新型保护范围的限制，只要是根据本实用新型技术方案所作的改进，均落入本实用新型的保护范围。
Claims (3)
1.一种驱动芯片保护电路，包括驱动芯片U1、二极管D1和场效应管Q1，驱动芯片U1的驱动输出端接二极管D1的负极，场效应管Q1的栅极接二极管D1的正极，其特征在于：所述二极管D1的正极经稳压管ZD2接地；
所述二极管D1的正极接稳压管ZD2的阴极，稳压管ZD2的阳极接地。
2.如权利要求1所述的一种驱动芯片保护电路，其特征在于：所述二极管D1的正极与场效应管Q1的栅极之间连接有快断保险管FU。
3.如权利要求1或2所述的一种驱动芯片保护电路，其特征在于：所述二极管D1的负极经稳压管ZD1接地；
所述二极管D1的负极接稳压管ZD1的阴极，稳压管ZD1的阳极接地。
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2013
- 2013-06-22 CN CN 201320359455 patent/CN203352149U/zh not_active Expired - Fee Related
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