CN202795320U - 一种具有柔性透明导电薄膜的电容触摸屏 - Google Patents
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Abstract
本技术提供一种柔性可卷曲、厚度薄、重量轻、表面电阻小、高透光、低色度的具有柔性透明导电薄膜的电容触摸屏,它包括柔性透明薄膜基材;在柔性透明薄膜基材上表面上依次层叠有第一Nb2O5薄膜层、第一Nb2Ox(0<x<5)薄膜层、第一SiO2薄膜层、第一SiOx(0<x<2)薄膜层、第一ITO薄膜层;在柔性透明薄膜基材下表面上有第二ITO薄膜层。
Description
技术领域
本技术涉及电容型触摸屏,具体地说,是一种柔性透明电容型触摸屏。
背景技术
常规的电容型触摸屏是在透明导电玻璃两侧涂敷有ITO薄膜层(镀膜导电玻璃),ITO薄膜层作为工作面, 四个角上引出电极,内层ITO为屏蔽层以保证良好的工作环境。当手指触摸在触控屏表面上时,由于人体电场和导电玻璃表面ITO薄膜层形成以一个耦合电容,对于高频电流来说,电容是直接导体,于是手指从接触点吸走一个很小的电流。这个电流分别从触控屏四角上的电极中流出,并且流经这四个电极的电流与手指到四角的距离成正比,控制器通过对这四个电流比例的精确计算,得出触摸点的位置信息。
常规的电阻型触摸屏是由透明导电薄膜和透明导电玻璃(或透明导电薄膜)以导电膜面相对,中间以圆柱形的间隔支撑。在透明导电薄膜上用手或笔等施加压力使导电膜相接触。在导电膜上施加电压,通过控制电路判断出这个接触点的位置。
这种电阻型触摸屏因为制造方式的简易性,价格的适当性,接触点判断的准确性等的优点,比起光学方式或超音波方式,这种触摸屏应用广泛。缺点是不能同时感受到多接触点的判断,不能感受手指移动方式。
常规的电容型触摸屏较电阻型触摸屏触点敏感,但因为制作基材为透明导电玻璃板,其厚度、重量均受玻璃基材所限。玻璃基材太薄,强度受到影响,受到外界压力、或弯曲时触摸屏易碎、或破损。同时因为静电感应的特殊要求,通常要求增加两侧透明ITO薄膜层厚度,降低电阻值低。由此而影响到其透光性能,造成色度b*偏高,全光线透光率偏低。
作为一透明导电薄膜的制造方式,在透明的薄膜基材上使用物理方式沉积氧化锡铟(ITO)。但是这种透明导电薄膜上氧化锡铟薄膜的附着耐久性很差,在高温处理后的表面电阻有很大的变化。
发明内容
本技术的目的在是针对玻璃型电容触摸屏厚度厚、重量过重、透光率、不能卷曲的问题,提供一种柔性可卷曲、厚度薄、重量轻、表面电阻小、高透光、低色度的电容型触摸屏。
本技术的具有柔性导电薄膜的电容型触摸屏,包括柔性透明薄膜基材1;在柔性透明薄膜基材1上表面上依次层叠有第一Nb2O5薄膜层2、第一Nb2Ox(0<x<5)薄膜层3、第一SiO2薄膜层4、第一SiOx(0<x<2)薄膜层5、第一ITO薄膜层6;在柔性透明薄膜基材1下表面上有第二ITO薄膜层7。
上述的电容型触摸屏,它还包括位于柔性透明薄膜基材1上表面与Nb2O5薄膜层2之间的第一树脂薄膜层8,位于柔性透明薄膜基材1下表面与第二ITO薄膜层7之间的第二树脂薄膜层9。第一树脂薄膜层8或第二树脂薄膜层9能够使得膜层的附着性能增加。第一树脂薄膜层8或第二树脂薄膜层9可以是丙烯酸树脂薄膜层。
上述的电容型触摸屏,它还包括柔性透明薄膜基材1下表面与第二ITO薄膜层7之间的依次层叠的第二Nb2O5薄膜层12、第二Nb2Ox(0<x<5)薄膜层13、第二SiO2薄膜层14、第二SiOx(0<x<2)薄膜层15。
上述的电容型触摸屏,柔性透明薄膜基材1为PET薄膜基材。
上述的电容型触摸屏,柔性透明薄膜基材1厚度为5㎛-250㎛。柔性透明薄膜基材的厚度未满5 ㎛的时候,在柔性透明薄膜基材上依靠物理沉积覆膜的时候,基膜如同皱纹纸一样加工很难制成的,厚度超过250 ㎛的时候,基膜非常硬,不适合触摸屏的特性。
上述的电容型触摸屏,第一SiO2薄膜层4厚度为0.5nm-150nm。当第一SiO2薄膜厚度低于5nm时,则达不到防划耐磨、阻断水分渗透的目的。厚度超过200nm时将使得透明性能降低。第一SiO2薄膜层增加了第一ITO薄膜层的附着力,同时阻断了柔性透明薄膜基材的水分的渗透。即使在高温处理的环境下,也使得第一ITO薄膜层的表面电阻变化减小。
上述的电容型触摸屏,第一SiOx(0<x<2)薄膜层5厚度为0.5nm-150nm。
上述的电容型触摸屏,第一Nb2O5薄膜层2厚度为0.5nm-150nm。
上述的电容型触摸屏,第一Nb2Ox(0<x<5)薄膜层3厚度为0.5nm-150nm。
本技术的有益效果:
一、轻薄。由于柔性透明薄膜基材与玻璃基板相比具有韧性大、比重小的特点,本技术采用柔性透明薄膜作为基材,与玻璃型电容触摸屏相比,厚度更薄、重量轻。
二、柔软。由于基材采用柔性透明薄膜,柔软,可卷曲,可应用于柔性显示器件,如电子纸等。
三、由于增加了Nb2O5、SiO2及其非完全氧化物薄膜层组合,减少了光线的反射。相对没有这种多层薄膜结构的触摸屏,本技术的触摸屏具有相对高的全光线透过率。
四、同时由于Nb2O5、SiO2及其非完全氧化物薄膜层组合,更加有利于增宽透过光谱的范围,全光线透过率增加,有助于降低色度值b*。本技术相对没有Nb2O5、SiO2及其非完全氧化物薄膜组合的触摸屏而言,其电阻值相同的情况下,色度b*小,全光线透光率更高。
附图说明
图1是多层薄膜结构的触摸屏示意图。
图2是含硬化表面柔性透明导电薄膜电容型触摸屏示意图。
图3是双面镀膜柔性透明导电薄膜电容型触摸屏示意图。
具体实施方式
实施例1:
参见图2所示,
1、在厚度是188 ㎛的PET薄膜基材1的两面,将丙烯酸树脂使用湿式印刷的方法覆膜。覆膜后采用热风干燥,用紫外线方式硬化,在PET薄膜基材两面分别形成厚度约5 ㎛的第一树脂薄膜层8或第二树脂薄膜层9。
2、在第一树脂薄膜层8表面,使用反应磁控溅射镀膜的方式形成厚度5nm的第一Nb2O5薄膜层2。接着,在第一Nb2O5薄膜层2上通过反应磁控溅射镀膜的方法形成15nm的第一Nb2Ox(0<x<5)薄膜层3;同样使用反应磁控溅射镀膜的方法,在第一Nb2Ox(0<x<5)薄膜层3形成厚度70nm的第一SiO2薄膜层4,在第一SiO2薄膜层4上形成20nm厚的第一SiOx(0<x<2)薄膜层5。最后在第一SiOx(0<x<2)薄膜层5上使用同样方法形成厚度25nm的第一ITO薄膜层6,在第二树脂薄膜层9使用同样方法形成的第二ITO薄膜层7。
实施例2:
实施例2与实施例1不同之处在于:第一Nb2O5薄膜层2、第一Nb2Ox(0<x<5)薄膜层3、第一SiO2薄膜层4、第一SiOx(0<x<2)薄膜层5、第一ITO薄膜层6的厚度分别为:10nm、10nm、80nm、30nm、30nm。
实施例3:
实施例3与实施例1不同之处在于:第一Nb2O5薄膜层2、第一Nb2Ox(0<x<5)薄膜层3、第一SiO2薄膜层4、第一SiOx(0<x<2)薄膜层5、第一ITO薄膜层6的厚度分别为:15nm、5nm、60nm、20nm、30nm。
实施例4:
实施例4与实施例1不同之处在于:第一Nb2O5薄膜层2、第一Nb2Ox(0<x<5)薄膜层3、第一SiO2薄膜层4、第一SiOx(0<x<2)薄膜层5、第一ITO薄膜层6的厚度分别为:10nm、10nm、90nm、30nm、30nm。
实施例5:
参见图1所示的一种具有柔性导电薄膜的电容型触摸屏,在柔性透明薄膜基材1上表面上依次层叠有第一Nb2O5薄膜层2、第一Nb2Ox(0<x<5)薄膜层3、第一SiO2薄膜层4、第一SiOx(0<x<2)薄膜层5、第一ITO薄膜层6;在柔性透明薄膜基材1下表面上有第二ITO薄膜层7。
实施例6:
参见图3所示,
1、在厚度是25 ㎛的PET薄膜基材1的两面,将丙烯酸树脂使用湿式印刷的方法覆膜。覆膜后采用热风干燥,用紫外线方式硬化,在PET薄膜基材两面分别形成厚度约5 ㎛的第一树脂薄膜层8或第二树脂薄膜层9。
2、在第一树脂薄膜层8表面,使用反应磁控溅射镀膜的方式形成厚度5nm的第一Nb2O5薄膜层2。接着,在第一Nb2O5薄膜层2上通过反应磁控溅射镀膜的方法形成15nm的第一Nb2Ox(0<x<5)薄膜层3;同样使用反应磁控溅射镀膜的方法,在第一Nb2Ox(0<x<5)薄膜层3形成厚度70nm的第一SiO2薄膜层4,在第一SiO2薄膜层4上形成20nm厚的第一SiOx(0<x<2)薄膜层5。最后在第一SiOx(0<x<2)薄膜层5上使用同样方法形成厚度25nm的第一ITO薄膜层6。
3、在第二树脂薄膜层9上使用反应磁控溅射镀膜的方法,依次形成10nm厚的第二Nb2O5薄膜层12、10nm厚的第二Nb2Ox(0<x<5)薄膜层13、90nm厚的第二SiO2薄膜层14、30nm厚的第二SiOx(0<x<2)薄膜层15、30nm厚的第二ITO薄膜层7。
利用反应磁控溅射方式形成Nb2Ox薄膜层、Nb2O5薄膜层;其中Nb2Ox中X值在0-5之间,其折射率在2.2至2.6之间。SiO2薄膜层与ITO薄膜层之间增加一层Si非完全氧化物层,即SiOx(0<x<2)薄膜层。利用反应磁控溅射工艺,改变沉积SiOx薄膜层氧化程度,获得折射率从2.74逐渐变化到1.58(λ=1550nm)的SiOx渐变折射率薄膜材料,更有助于提高光线的透光性能。SiOx薄膜厚度在0.5nm到 150nm,其厚度未满0.5 nm时,很难形成连续性的薄膜,超过150nm的话,将造成薄膜光线透光性降低。
对实施例1-4进行测试:
通过Minolta CM-3600D光学分析测量装置,测定全光线透光率Tr和色度b*。使用4点探针分析装置,测定常温下的表面电阻值;各在150℃、1个小时热处理之后的表面电阻。结果见表1。
本技术提供了一种柔性透明电容型触摸屏。这种柔性透明电容型触摸屏除了厚度薄、重量轻外,b*值性能更加优越,全光线透光率更高,除应用于手机、游戏机、导航仪、掌上机等,可适用于柔性显示器,比如电子纸等。
表1
Claims (9)
1.一种具有柔性透明导电薄膜的电容触摸屏,其特征在于,包括柔性透明薄膜基材(1);在柔性透明薄膜基材(1)上表面上依次层叠有第一Nb2O5薄膜层(2)、第一Nb2Ox(0<x<5)薄膜层(3)、第一SiO2薄膜层(4)、第一SiOx(0<x<2)薄膜层(5)、第一ITO薄膜层(6);在柔性透明薄膜基材(1)下表面上有第二ITO薄膜层(7)。
2.如权利要求1所述的电容触摸屏,其特征在于,它还包括位于柔性透明薄膜基材(1)上表面与Nb2O5薄膜层(2)之间的第一树脂薄膜层(8),位于柔性透明薄膜基材(1)下表面与第二ITO薄膜层(7)之间的第二树脂薄膜层(9)。
3.如权利要求1所述的电容触摸屏,其特征在于,它还包括柔性透明薄膜基材(1)下表面与第二ITO薄膜层(7)之间的依次层叠的第二Nb2O5薄膜层(12)、第二Nb2Ox(0<x<5)薄膜层(13)、第二SiO2薄膜层(14)、第二SiOx(0<x<2)薄膜层(15)。
4.如权利要求1、2或3所述的电容触摸屏,其特征在于,柔性透明薄膜基材(1)为PET薄膜基材。
5.如权利要求1、2或3所述的电容触摸屏,其特征在于,柔性透明薄膜基材(1)厚度为5μm-250μm。
6.如权利要求1、2或3所述的电容触摸屏,其特征在于,第一SiO2薄膜层(4)厚度为0.5nm-150nm。
7.如权利要求1、2或3所述的电容触摸屏,其特征在于,第一SiOx(0<x<2)薄膜层(5)厚度为0.5nm-150nm。
8.如权利要求1、2或3所述的电容触摸屏,其特征在于,第一Nb2O5薄膜层(2)厚度为0.5nm-150nm。
9.如权利要求1、2或3所述的电容触摸屏,其特征在于,第一Nb2Ox(0<x<5)薄膜层(3)厚度为0.5nm-150nm。
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