CN202737833U - 一种防止mos管误导通电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种防止MOS管误导通电路，包括MOS管Q3及其内部寄生的栅源极间电容Cgs、栅漏极间电容Cgd和漏源极间电容Cds，还包括电阻R1和R2、三极管Q1和Q2，所述三极管Q2的基极串联电阻R2后连接到栅漏极间电容Cgd，三极管Q2的集电极也连接到栅漏极间电容Cgd，三极管Q2的发射极连接到栅源极间电容Cgs；三极管Q1的基极串联电阻R1后连接到三极管Q2的集电极以及栅漏极间电容Cgd与栅源极间电容Cgs之间，三极管Q1的发射极连接三极管Q2的发射极后再连接到栅源极间电容Cgs。采用本实用新型可以有效的防止MOS管误导通又不会影响MOS管的开关速度。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种MOS管电路，特别涉及一种防止MOS管误导通电路。
背景技术
现有技术中的MOS管Q3内部的寄生的分布电容主要包括栅源极间电容Cgs，栅漏极间电容Cgd，漏源极间电容Cds。如图1所示。由于功率MOS管内部寄生分布电容的耦合作用，在MOS管关断状态下，瞬间加在MOS管漏源极的电压极容易通过电容Cgd、Cgs在MOS管的栅源极GS间的耦合一个电压使得Vgs大于MOS管最低的栅源导通压降Vth，引起功率MOS管的误导通，损坏MOS管。上述问题目前的解决方法为：在MOS管的外部栅源极GS之间并联一个电容C1如图2所示，以降低栅源极之间的耦合电压Vgs，使Vgs小于MOS管最低的栅源导通压降Vth，起到防止误导通的作用。但是这种方法存在一个严重问题：随着现在生产MOS管的Vth越做越低，在MOS管GS之间并联的电容就要求越来越大，而在GS之间并联电容会极大降低MOS管的导通及关断的速度，在高频电路里，这会大大增加MOS管的开关损耗，降低效率。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题，在于提供一种可以有效的防止MOS管误导通又不会影响MOS管的开关速度的防止MOS管误导通电路。
本实用新型是这样实现的：一种防止MOS管误导通电路，包括MOS管Q3及其内部寄生的栅源极间电容Cgs、栅漏极间电容Cgd和漏源极间电容Cds，其特征在于：还包括电阻R1和R2、三极管Q1和Q2，所述三极管Q2的基极串联电阻R2后连接到栅漏极间电容Cgd，三极管Q2的集电极也连接到栅漏极间电容Cgd，三极管Q2的发射极连接到栅源极间电容Cgs；三极管Q1的基极串联电阻R1后连接到三极管Q2的集电极以及栅漏极间电容Cgd与栅源极间电容Cgs之间，三极管Q1的发射极连接三极管Q2的发射极后再连接到栅源极间电容Cgs。
所述三极管Q2在MOS管的栅源极GS之间的耦合电压建立之前导通，从而将MOS管的栅源极GS间的电压Vgs钳位在三极管Q2的导通压降0.4—0.7V。
本实用新型的优点在于：可以在不降低MOS管的开关速度，不增加MOS管的开关损耗的情况下，以低成本的方式解决MOS管误导通的问题。无需在GS间并电容C1，只需要增加2个普通的三极管及2个电阻，可以有效的防止MOS管误导通又不会影响MOS管的开关速度。
附图说明
下面参照附图结合实施例对本实用新型作进一步的说明。
图1是MOS管及其内部寄生的分布电容的电路图。
图2是现有技术的一种防止MOS管误导通电路的连接图。
图3是本实用新型所述的防止MOS管误导通电路的连接图。
具体实施方式
请参阅图3，是本实用新型一种防止MOS管误导通电路的连接图，包括MOS管Q3及其内部寄生的栅源极间电容Cgs、栅漏极间电容Cgd和漏源极间电容Cds，其特征在于：还包括电阻R1和R2、三极管Q1和Q2，所述三极管Q2的基极串联电阻R2后连接到栅漏极间电容Cgd，三极管Q2的集电极也连接到栅漏极间电容Cgd，三极管Q2的发射极连接到栅源极间电容Cgs；三极管Q1的基极串联电阻R1后连接到三极管Q2的集电极以及栅漏极间电容Cgd与栅源极间电容Cgs之间，三极管Q1的发射极连接三极管Q2的发射极后再连接到栅源极间电容Cgs。
其工作原理如下：
1、在MOS管关处于关断状态下，即来自外部的驱动信号DRIVE上施加的驱动电压Vdrive=0，此时Q1截止，当有瞬间电压加在MOS管漏极D时，由于三极管导通速度极快，所以三极管Q2会在MOS管的栅源极GS之间的耦合电压建立之前导通，从而将MOS管的栅源极GS间的电压Vgs钳位在三极管Q2的导通压降0.4—0.7V左右，这个电压是远远小于MOS管最低的栅源导通压降Vth，所以MOS管肯定是不会误导通的。2、当MOS管要从关断变为导通时，来自外部的驱动信号DRIVE会施加一个驱动电压Vdrive并保证Vdrive>Vth，此时Q1会导通，Q2会截止，Vgs的钳位被释放，MOS管的栅源极GS间的电压Vgs=Vdrive>Vth，以保证MOS管能正常导通。
本实用新型在不降低MOS管的开关速度，不增加MOS管的开关损耗的情况下，以低成本的方式解决MOS管误导通的问题。无需在GS间并电容C1，只需要增加2个普通的三极管及2个电阻，即可实现发明目的。
Claims (2)
1.一种防止MOS管误导通电路，包括MOS管Q3及其内部寄生的栅源极间电容Cgs、栅漏极间电容Cgd和漏源极间电容Cds，其特征在于：还包括电阻R1和R2、三极管Q1和Q2，所述三极管Q2的基极串联电阻R2后连接到栅漏极间电容Cgd，三极管Q2的集电极也连接到栅漏极间电容Cgd，三极管Q2的发射极连接到栅源极间电容Cgs；三极管Q1的基极串联电阻R1后连接到三极管Q2的集电极以及栅漏极间电容Cgd与栅源极间电容Cgs之间，三极管Q1的发射极连接三极管Q2的发射极后再连接到栅源极间电容Cgs。
2.根据权利要求1 所述的防止MOS管误导通电路，其特征在于：所述三极管Q2在MOS管的栅源极GS之间的耦合电压建立之前导通，从而将MOS管的栅源极GS间的电压Vgs钳位在三极管Q2的导通压降0.4—0.7V。
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| CN 201220363693 CN202737833U (zh) | 2012-07-26 | 2012-07-26 | 一种防止mos管误导通电路 |
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| CN (1) | CN202737833U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11824526B2 (en) | 2021-04-16 | 2023-11-21 | Delta Electronics (Shanghai) Co., Ltd. | Circuit and control method for preventing false turn-on of semiconductor switching device |
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2012
- 2012-07-26 CN CN 201220363693 patent/CN202737833U/zh not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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