CN206850491U - 超级电容充放电检测电路 - Google Patents
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Abstract
一种超级电容充放电检测电路,包括超级电容C1,超级电容C1的一端接地,超级电容C1的另一端连接有微电流充电电源V1和场效应管Q1源极,场效应管Q1漏极分别连接有电阻R1和场效应管Q2漏极,电阻R1串联有电阻R2和电阻R3,所述场效应管Q2源极连接有场效应管Q3源极,场效应管Q3漏极连接于电阻R1和电阻R2之间,电阻R2和电阻R3之间连接场效应管Q4栅极,电阻R3另一端连接场效应管Q4栅极,场效应管Q4漏极分别连接场效应管Q2栅极和场效应管Q3栅极,场效应管Q4漏极和场效应管Q1源极之间连接负载接口P1。本实用新型采用场效应管作为检测控制元件,利用其高输入阻抗的特性,实现0采样输入电流,利用其存在Vg(th)特性,配合外接高兆欧电阻,实现检测电压可设定。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种超级电容充放电检测电路。
背景技术
目前,在一些微能量收集发电装置(诸如温差发电,震动发电,噪声发电),由于输出功率小,不能直接向负载供电,需要通过长时间对电容充电,才可以积聚能量,满足负载间隙工作需求。
另外,在一些微能量收集发电装置,由于输出功率小,常规的电压检测手段,例如使用电压比较器,由于芯片的工作时存在静态电流,该静态电流将导致电容无法充电;因此,需要一种极低功耗的检测手段,实现电容电压的检测。
实用新型内容
本实用新型要解决上述现有技术存在的问题,提供一种超级电容充放电检测控制方法,使得电路整机的待机功耗纳瓦数量级,提高电容的充电效率;避免进入无效充电状态,缩短充电时间。
本实用新型解决其技术问题采用的技术方案:这种超级电容充放电检测电路,包括超级电容C1,超级电容C1的一端接地,超级电容C1的另一端为电源正极并连接有微电流充电电源V1和场效应管Q1源极,场效应管Q1漏极分别连接有电阻R1和场效应管Q2漏极,电阻R1串联有电阻R2和电阻R3,所述场效应管Q2源极连接有场效应管Q3源极,场效应管Q3漏极连接于电阻R1和电阻R2之间,电阻R2和电阻R3之间连接场效应管Q4栅极,电阻R3另一端连接场效应管Q4源极,场效应管Q4源极接地,场效应管Q4漏极分别连接场效应管Q2栅极和场效应管Q3栅极,场效应管Q4漏极和场效应管Q1源极之间连接负载接口P1,负载接口P1外接CC2530无线发射模块。
为了进一步完善,电阻R1、电阻R2和电阻R3均为高兆欧姆电阻。高兆欧姆电阻从超级电容两端获取极小的放电电流,有利于减少电容的充电时间。
进一步完善,场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3和场效应管Q4P均采用沟道增强型MOS场效应管。相比普通三极管,场效应管为电压控制型器件,驱动功率更小;相比结型场效应管,绝缘栅型场效应管的漏电阻更大,漏电流更小。
本实用新型有益的效果是:本实用新型采用场效应管作为检测控制元件,利用其高输入阻抗的特性,实现0采样输入电流;采用电阻作为检测元件,使得检测电流降低到纳安数量级;利用场效应管存在的开启电压Vg(th)的特性,配合高兆欧姆分压,使得检测电源的起始放电电压及结束放电电压可设可控。
附图说明
图1为本实用新型的电路原理图;
图2为本实用新型的原理框图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步说明:
参照附图:本实施例中超级电容充放电检测电路,包括超级电容C1,超级电容C1的一端接地,超级电容C1的另一端连接有微电流充电电源V1和场效应管Q1源极,场效应管Q1漏极分别连接有电阻R1和场效应管Q2漏极,电阻R1串联有电阻R2和电阻R3,所述场效应管Q2源极连接有场效应管Q3源极,场效应管Q3漏极连接于电阻R1和电阻R2之间,电阻R2和电阻R3之间连接场效应管Q4栅极,电阻R3另一端连接场效应管Q4栅极,场效应管Q4漏极分别连接场效应管Q2栅极和场效应管Q3栅极,场效应管Q4漏极和场效应管Q1源极之间连接负载接口P1。电阻R1、电阻R2和电阻R3均为高兆欧姆电阻。场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3和场效应管Q4P均采用沟道增强型MOS场效应管。
这种超级电容充放电检测控制方法,采用分阶段电压检测,检测控制方法如下:
1.0<VCC<Vgs(th),Q1截止,电路消耗电流=0
2.Vgs(th)<VCC<(R1+R2+R3)*Vg(th)/R3,Q1导通,Q2、Q3、Q4,截止,电路消耗电流VCC/(R1+R2+R3)
本例负载为CC2430无线发射芯片,其工作电压范围为2.0V——3.6V;本应用参数选择上限电压为3.5V,下限电压为2.2V。
Q1,Q2,Q3选择AO3401,Vg(th)典型值为-1V;Q4选择Bss138,Vg(th)典型值为1V。
取R1=130M,R2=120M,R3=100M,电路充电时,电路静态电流为2.85nA-10nA;小于一般比较器静态电流(例如TL081A静态工作电流典型值为1.4mA最大值可达2.5mA;)
3.VCC>(R1+R2+R3)*Vg(th)/R3接通负载,开始放电,放电电流主要由负载决定;
4.VCC*(R2)*/(R2+R3)>Vg(th)接通负载,放电,放电电流主要由负载决定;
5.VCC*(R2)*/(R2+R3)>Vg(th)关闭负载,停止放电,电路消耗电流VCC/(R1+R2+R3)。
虽然本实用新型已通过参考优选的实施例进行了图示和描述,但是,本专业普通技术人员应当了解,在权利要求书的范围内,可作形式和细节上的各种各样变化。
Claims (3)
1.一种超级电容充放电检测电路,包括超级电容C1,其特征是:所述超级电容C1的一端接地,超级电容C1的另一端为电源正极并连接有微电流充电电源V1和场效应管Q1源极,场效应管Q1漏极分别连接有电阻R1和场效应管Q2漏极,电阻R1串联有电阻R2和电阻R3,所述场效应管Q2源极连接有场效应管Q3源极,场效应管Q3漏极连接于电阻R1和电阻R2之间,电阻R2和电阻R3之间连接场效应管Q4栅极,电阻R3另一端连接场效应管Q4源极,场效应管Q4源极接地,场效应管Q4漏极分别连接场效应管Q2栅极和场效应管Q3栅极,场效应管Q4漏极和场效应管Q1源极之间连接负载接口P1,负载接口P1外接CC2530无线发射模块。
2.根据权利要求1所述的超级电容充放电检测电路,其特征是:所述电阻R1、电阻R2和电阻R3均为高兆欧姆电阻。
3.根据权利要求1所述的超级电容充放电检测电路,其特征是:所述场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3和场效应管Q4均采用沟道增强型MOS场效应管。
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CN107181303A (zh) * | 2017-06-29 | 2017-09-19 | 浙江机电职业技术学院 | 超级电容充放电检测电路及其检测控制方法 |
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2017
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Cited By (2)
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CN107181303A (zh) * | 2017-06-29 | 2017-09-19 | 浙江机电职业技术学院 | 超级电容充放电检测电路及其检测控制方法 |
CN107181303B (zh) * | 2017-06-29 | 2023-04-28 | 浙江机电职业技术学院 | 超级电容充放电检测电路及其检测控制方法 |
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