CN202688511U - 一种制造半导体晶粒的晶棒 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及致冷件生产技术领域，涉及一种半成品，是一种制造半导体晶粒的晶棒，包括晶棒本体，其特征是：所述的晶棒本体截面是方形或矩形的六面体结构，所述的晶棒本体的截面是80mm×80mm，所述的晶棒本体的长度是250mm，这样的晶棒具有产率高、生产成本低、减少浪费的优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及致冷件生产技术领域，涉及一种半成品，具体地说是涉及一种制造半导体晶粒的晶棒。
背景技术
现有技术中，由于晶棒的成型都是在玻璃管中成型的，晶棒都是圆柱的形状，这样的晶棒具有产出的晶粒产率低，材料浪费严重的缺点，增加了生产成本。
发明内容
本实用新型的目的就是针对上述缺点，提供一种产率高、生产成本低、减少浪费的制造半导体晶粒的晶棒。
本实用新型的技术方案是这样实现的：一种制造半导体晶粒的晶棒，包括晶棒本体，其特征是：所述的晶棒本体截面是方形或矩形的六面体结构。
进一步的讲，所述的晶棒本体的截面是80mm×80mm。
进一步的讲，所述的晶棒本体的长度是250mm。
本实用新型的有益效果是：这样的晶棒具有产率高、生产成本低、减少浪费的优点。
附图说明
图1是本实用新型制造半导体晶粒的晶棒的结构示意图。
其中：1、晶棒本体。
L——晶棒本体的长度。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步的描述。
如图1所示，一种制造半导体晶粒的晶棒，包括晶棒本体1，其特征是：所述的晶棒本体1截面是方形或矩形的六面体结构。
进一步的讲，所述的晶棒本体1的截面是80mm×80mm。
进一步的讲，所述的晶棒本体1的长度L是250mm。
这样的晶棒在切割成晶粒时产出率最高。
Claims (3)
1.一种制造半导体晶粒的晶棒，包括晶棒本体，其特征是：所述的晶棒本体截面是方形或矩形的六面体结构。
2.根据权利要求1所述的晶棒，其特征是：所述的晶棒本体的截面是80mm×80mm。
3.根据权利要求1或2所述的晶棒，其特征是：所述的晶棒本体的长度是250mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201220315559 CN202688511U (zh) | 2012-06-15 | 2012-06-15 | 一种制造半导体晶粒的晶棒 |
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| CN 201220315559 CN202688511U (zh) | 2012-06-15 | 2012-06-15 | 一种制造半导体晶粒的晶棒 |
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| CN202688511U true CN202688511U (zh) | 2013-01-23 |
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|---|---|
| CN (1) | CN202688511U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015043099A1 (zh) * | 2013-09-26 | 2015-04-02 | 中国科学院半导体研究所 | 形成截面为多边形的具有辨识或倒角的晶棒、衬底方法及晶棒和衬底 |
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2012
- 2012-06-15 CN CN 201220315559 patent/CN202688511U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015043099A1 (zh) * | 2013-09-26 | 2015-04-02 | 中国科学院半导体研究所 | 形成截面为多边形的具有辨识或倒角的晶棒、衬底方法及晶棒和衬底 |
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Granted publication date: 20130123 Termination date: 20130615 |