CN202688442U - 易插型石墨舟 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及真空镀膜设备技术领域，尤其是一种易插型石墨舟。其包括舟体、舟片、支脚、上电极和下电极，舟片设置在舟体内，支脚安装在舟体底部，上电极和下电极分别位于舟体的上部和下部，舟片上设有切口。在舟片的两端间隔设置楔形切口，为插、取硅片提供了方便，避免了破损，从而大大提高了硅片镀膜生产效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及真空镀膜设备技术领域，尤其是一种易插型石墨舟。
背景技术
PECVD是等离子体增强化学气相沉积技术的简称，其原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。石墨舟是其中的重要部件，直接影响到电场的分布、等离子的产生、气流的走向、膜的品质等。现有的石墨舟由于舟片紧凑，作业员在插、取硅片时会产生碎片的现象，影响了硅片镀膜生产效率。
实用新型内容
为了克服现有的石墨舟插、取硅片时易发生碎片现象，影响硅片镀膜生产效率的不足，本实用新型提供了一种易插型石墨舟。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种易插型石墨舟，包括舟体、舟片、支脚、上电极和下电极，舟片设置在舟体内，支脚安装在舟体底部，上电极和下电极分别位于舟体的上部和下部，舟片上设有切口。
根据本实用新型的另一个实施例，进一步包括切口为楔形，外口较内口宽。
根据本实用新型的另一个实施例，进一步包括切口间隔分布在舟片两端。
本实用新型的有益效果是，在舟片的两端间隔设置楔形切口，为插、取硅片提供了方便，避免了破损，从而大大提高了硅片镀膜生产效率。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图。
图中1. 舟体，2. 舟片，3. 支脚，4. 上电极，5. 下电极，6. 切口。
具体实施方式
如图1是本实用新型的结构示意图，一种易插型石墨舟，包括舟体1、舟片2、支脚3、上电极4和下电极5，舟片2设置在舟体1内，支脚3安装在舟体1底部，上电极4和下电极5分别位于舟体1的上部和下部，舟片2上设有切口6。切口6为楔形，外口较内口宽。切口6间隔分布在舟片2两端。
在舟片2的两端间隔设置楔形切口6，使用时，先将硅片的一角由切口6处插入，再沿着舟片2之间的插槽全部插入，为插、取硅片提供了方便，避免了破损，从而大大提高了硅片镀膜生产效率。
Claims (3)
1.一种易插型石墨舟，包括舟体（1）、舟片（2）、支脚（3）、上电极（4）和下电极（5），舟片（2）设置在舟体（1）内，支脚（3）安装在舟体（1）底部，上电极（4）和下电极（5）分别位于舟体（1）的上部和下部，其特征是，各舟片（2）之间设有切口（6）。
2.根据权利要求1所述的易插型石墨舟，其特征是，切口（6）为楔形，外口较内口宽。
3.根据权利要求1所述的易插型石墨舟，其特征是，切口（6）间隔分布在舟片（2）两端。
Priority Applications (1)
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| CN 201220306929 CN202688442U (zh) | 2012-06-28 | 2012-06-28 | 易插型石墨舟 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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2012
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