CN202679327U - 一种能够抑制传导发射和辐射发射的emi滤波器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种能够抑制传导发射和辐射发射的EMI滤波器，期结构为双腔体屏蔽结构，电路部分由设置在一个腔体内的传导发射部分滤波器和设置在另一个腔体内的辐射发射部分滤波器组成；所述辐射发射部分滤波器是由连接器、X2Y电容安装板、上磁珠、下磁珠、上馈通电容、下馈通电容组成的π型滤波电路，所述连接器和X2Y电容安装板构成滤波连接器，所述连接器的输出线分别与上磁珠和下磁珠连接，所述上磁珠和下磁珠分别与上馈通电容和下馈通电容连接，所述传导发射部分滤波器和所述辐射发射部分滤波器是通过上馈通电容和下馈通电容相互连接，本实用新型的优点是可同时解决抑制传导发射和辐射发射的世界性技术难题，具有较强的实用价值和现实意义。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种能够抑制传导发射和辐射发射的EMI滤波器，属于电磁兼容性技术领域。
背景技术
电磁干扰(EMI)是指任何能中断、阻碍、降低或限制通信设备的电磁能量，EMI的传播可以通过辐射(自由空间中的电磁波)和电源系统、信号线进行传导，电源系统的EMI传导有两个模式，共模(非对称)传导路径是线和中性导线与参考地或地之间的电流，差模(对称)传导路径是线和中性导线之间的电压。目前，电子设备的设计者和制造商高度关注电磁兼容性有两个方面的原因：一方面是基于设备或系统在其电磁环境中能正常工作的要求；另一方面是基于设备或系统具有不对该环境中任何事物构成不能承受的电磁骚扰能力的要求。因此当前对电子设备EMI干扰的控制已经成为一个日益重要的技术问题。
目前，现有的EMI滤波器技术，只能抑制传导发射(conducted emission简称CE)，但是却不能克服辐射发射(radiated emission简称RE)。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种能够同时克服传导发射和辐射发射技术问题的EMI滤波器。
本实用新型的结构为双腔体屏蔽结构，电路部分由设置在一个腔体内的传导发射部分滤波器和设置在另一个腔体内的辐射发射部分滤波器组成；所述传导发射部分滤波器和目前传统EMI滤波器类同，主要抑制10kHz-30MHz频段的电磁干扰；所述辐射发射部分滤波器是由连接器、X2Y电容安装板、上磁珠、下磁珠、上馈通电容、下馈通电容组成的π型滤波电路，所述连接器和X2Y电容安装板构成滤波连接器，所述X2Y电容安装板上安装了X2Y电容，所述连接器的输出线分别与上磁珠和下磁珠连接，所述上磁珠和下磁珠分别与上馈通电容和下馈通电容连接，所述传导发射部分滤波器和所述辐射发射部分滤波器是通过上馈通电容和下馈通电容相互连接。所述上磁珠和下磁珠均可以由电感替代，所述辐射发射部分滤波器主要用于防止电磁泄漏，主要抑制30MHz-18GHz频段及以上的电磁干扰。
此外，当本实用新型所述的连接器为塑封外壳时，需对连接器另外增设专用屏蔽外壳，在这种情况下，本实用新型就形成多腔体结构。
本实用新型的优点是可同时解决抑制传导发射和辐射发射的世界性技术难题，具有较强的实用价值和现实意义。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进行详细描述。如图1所示，本实用新型的结构为双腔体屏蔽结构，电路部分由设置在一个腔体内的传导发射部分滤波器和设置在另一个腔体内的辐射发射部分滤波器组成；所述传导发射部分滤波器和目前传统EMI滤波器类同，主要抑制10kHz-30MHz频段的电磁干扰；所述辐射发射部分滤波器是由连接器1、X2Y电容安装板2、上磁珠3、下磁珠4、上馈通电容5、下馈通电容6等组成的π型滤波电路，连接器1和X2Y电容安装板2构成滤波连接器，X2Y电容安装板2上安装了X2Y电容，连接器1的输出线分别与上磁珠3和下磁珠4连接，上磁珠3和下磁珠4分别与上馈通电容5和下馈通电容6连接，所述传导发射部分滤波器和所述辐射发射部分滤波器是通过上馈通电容5和下馈通电容6相互连接，上磁珠3和下磁珠4均可以由电感替代。
在本实用新型实施例中，所述滤波连接器可以采用直流滤波连接器或交流滤波连接器。根据电源和各种信号的不同传输要求，X2Y电容安装板2可以采用不同容值的X2Y电容，经测试显示，X2Y电容高频性能远远超出常规电容器.测试信号可提供广阔的频率范围，直至微波频段。而且X2Y电容两电极的容量极其平衡。
以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型公开的范围内，能够轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型权利要求的保护范围内。
Claims (2)
1.一种能够抑制传导发射和辐射发射的EMI滤波器，其特征在于，其结构为双腔体屏蔽结构，电路部分由设置在一个腔体内的传导发射部分滤波器和设置在另一个腔体内的辐射发射部分滤波器组成；所述辐射发射部分滤波器是由连接器、X2Y电容安装板、上磁珠、下磁珠、上馈通电容、下馈通电容组成的π型滤波电路，所述连接器和X2Y电容安装板构成滤波连接器，所述X2Y电容安装板上安装了X2Y电容，所述连接器的输出线分别与上磁珠和下磁珠连接，所述上磁珠和下磁珠分别与上馈通电容和下馈通电容连接，所述传导发射部分滤波器和所述辐射发射部分滤波器是通过上馈通电容和下馈通电容相互连接。
2.根据权利要求1所述的一种能够抑制传导发射和辐射发射的EMI滤波器，其特征在于，所述上磁珠和下磁珠均由电感替代。
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2012
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Cited By (2)
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| CN102624354B (zh) * | 2012-04-26 | 2015-03-11 | 成都必控科技股份有限公司 | 一种能够抑制传导发射和辐射发射的emi滤波器 |
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Legal Events
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| GR01 | Patent grant | ||
| AV01 | Patent right actively abandoned |
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|
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