CN202309512U - 变频器电磁干涉的抑制结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种变频器电磁干涉的抑制结构,包括:变频器和主接触器;所述的变频器的三相输出与主接触器相连;在所述的变频器输出端的U、V、W导线上分别穿过至少一个低磁导率铁氧体小磁环;再将U、V、W导线一起穿过至少一个低磁导率铁氧体大磁环;本实用新型的有益效果是:在不改变现有的变频器内外部结构及电气结构基础上,通过在变频器三相输出端导线穿过一个有大小铁氧体磁环组成的电磁干扰抑制网络结构,能抑制变频器绝大部分高频电磁干扰信号,减少对外部电子设备的干扰,而且价格低廉。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种变频器,尤其涉及该变频器的驱动输出结构。
背景技术
由于变频器中的逆变部分是通过高速半导体开关来产生一定宽度和极性的SPWM控制信号,这种具有突变沿的脉冲信号会产生很强的电磁干扰,尤其是输出电流,它们将以各种方式把自己的能量传播出去,形成对其线路及设备的干扰,因此要采取抑制措施。一般来说,形成电磁干扰(EMI)须具备电磁干扰源、电磁干扰途径、对电磁干扰敏感的系统等三个要素。总原则是抑制和消除干扰源、切断干扰对系统的耦合通道、降低系统对干扰信号的敏感性。在工程上,具体措施可采用隔离、滤波、屏蔽、接地等方法。如何设计一种成本较低廉、效果较好的变频器电磁干涉抑制结构是技术人员要考虑的。
发明内容
本实用新型需要解决的技术问题是提供了一种变频器电磁干涉的抑制结构,旨在解决上述的问题。
为了解决上述技术问题,本实用新型是通过以下技术方案实现的:
本实用新型包括:变频器和主接触器;所述的变频器的三相输出与主接触器相连;在所述的变频器输出端的U、V、W导线上分别穿过至少一个低磁导率铁氧体小磁环;再将U、V、W导线一起穿过至少一个低磁导率铁氧体大磁环。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:在不改变现有的变频器内外部结构及电气结构基础上,通过在变频器三相输出端导线穿过一个有大小铁氧体磁环组成的电磁干扰抑制网络结构,能抑制变频器绝大部分高频电磁干扰信号,减少对外部电子设备的干扰,而且价格低廉。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述:
由图1可见:本实用新型包括:变频器1和主接触器2;所述的变频器1的三相输出与主接触器2相连;在所述的变频器输出端的U、V、W导线上分别穿过至少一个低磁导率铁氧体小磁环11;再将U、V、W导线一起穿过至少一个低磁导率铁氧体大磁环12。
本实用新型利用铁氧体磁性材料能抑制电磁干扰的特性,根据要抑制干扰频率,在变频器三相电源输出端U、V、W导线上分别穿过低磁导率小铁氧体磁环,用来抑制变频器输出的共模电磁干扰;然后将U、V、W导线一起穿过另一个低磁导率大铁氧体磁环,用来抑制变频器输出的差模电磁干扰。
本实用新型中所使用的大小铁氧体磁环数量根据变频器输出功率不同而不同,最小配置是三个小磁环和一个大磁环组成一个基本抑制电磁干扰网络结构。由于变频器的电磁干扰属于高频部分,所以在选择磁环时选用低磁导率的铁氧体磁环,并且体积越大,抑制效果越好。
Claims (1)
1.一种变频器电磁干涉的抑制结构,包括:变频器和主接触器;所述的变频器的三相输出与主接触器相连;其特征在于:在所述的变频器输出端的U、V、W导线上分别穿过至少一个低磁导率铁氧体小磁环;再将U、V、W导线一起穿过至少一个低磁导率铁氧体大磁环。
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