CN202661915U - 欠压锁定电路 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种欠压锁定电路。欠压锁定电路包括温度补偿型电源采样电路、电压比较电路、迟滞反馈电路和输出整形驱动电路：所述温度补偿型电源采样电路是产生具有温度补偿特性的基准电压同时对所加的电压进行采样；所述电压比较电路是对所述采样的电压与所述温度补偿型电源采样电路产生的具有温度补偿的基准电压进行比较；所述迟滞反馈电路是对电压比较电路输出的电压信号进行迟滞反馈，产生电压迟滞回差特性；所述输出整形驱动电路是把电压比较电路输出的电压信号整形出适合芯片处理的信号，同时增加驱动能力。利用本实用新型可以更好地提高系统的可靠性和稳定性。

Description

欠压锁定电路
技术领域
本实用新型涉及欠压锁定电路，尤其涉及到带有温度补偿的欠压锁定电路。
背景技术
为了提高系统的可靠性和稳定性，芯片内部常集成欠压锁定电路。欠压锁定电路的实质就是通过比较一个基准电压和电源的采样电压，输出一个控制信号去控制芯片是否正常工作。传统的欠压锁定电路翻转阈值会随着温度的变化而变化，从而造成系统不稳定；同时传统的欠压锁定电路没有滞回功能，这样会导致系统反复开关现象。
发明内容
本实用新型旨在解决现有技术的不足，提供一种稳定性很高的带有温度补偿的欠压锁定电路。
欠压锁定电路，包括温度补偿型电源采样电路、电压比较电路、迟滞反馈电路和输出整形驱动电路：
所述温度补偿型电源采样电路是产生具有温度补偿特性的基准电压同时对所加的电压进行采样；
所述电压比较电路是对所述采样的电压与所述温度补偿型电源采样电路产生的具有温度补偿的基准电压进行比较；
所述迟滞反馈电路是对电压比较电路输出的电压信号进行迟滞反馈，产生电压迟滞回差特性；
所述输出整形驱动电路是把电压比较电路输出的电压信号整形出适合芯片处理的信号，同时增加驱动能力。
所述温度补偿型电源采样电路包括启动电路、第一偏置电流、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一PNP管、第二PNP管：
所述启动电路是提供给所述温度补偿型电源采样电路电流进行启动；
所述第一偏置电流是提供给所述温度补偿型电源采样电路提供电流；
所述第一偏置电流的一端接电源，另一端接第一电阻的一端；
所述第一电阻的一端接所述第一偏置电流，另一端接所述第二电阻的一端；
所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端，另一端接所述第三电阻的一端和所述第四电阻的一端；
所述第三电阻的一端接所述第二电阻的一端和所述第四电阻的一端，另一端接所述第一PNP管的发射极；
所述第四电阻的一端接所述第三电阻的一端和所述第二电阻的一端，另一端接所述第五电阻的一端；
所述第五电阻的一端接所述第四电阻的一端，另一端接所述第二PNP管的发射极；
所述第一PNP管的基极和集电极接地，发射极接所述第三电阻的一端；
所述第二PNP管的基极和集电极接地，发射极接所述第五电阻的一端；
所述电压比较电路的正端接所述第四电阻的一端和所述第五电阻的一端，负端接所述第三电阻的一端和所述第一PNP管的发射极，输出端接所述迟滞反馈电路的输入端和所述输出整形驱动电路的输入端。
所述迟滞反馈电路包括第一反相器、第二反相器和第一PMOS管：
所述第一反相器的输入端接所述电压比较电路的输出端和所述输出整形驱动电路的输入端，输出端接所述第二反相器的输入端；
所述第二反相器的输入端所述第一反相器的输出端，输出端接所述第一PMOS管的栅极；
所述第一PMOS管的栅极接所述第二反相器的输出端，源极接电源和所述第一电阻的一端，漏极接所述第一电阻的另一端。
所述输出整形驱动电路由迟滞反相器组成，输入端接所述电压比较电路的输出端和所述迟滞反馈电路的输入端，输出端接芯片内部所控制的电路。
带有温度补偿的欠压锁定电路的工作原理如下：
(1)上电后，启动电路开始工作，启动电路产生电流，提供给温度补偿型电源采样电路电流，使温度补偿和基准电压电路开始工作，利用第一PNP管和第二PNP管之间的VBE差值，这个差值降在第五电阻上产生电流，这个电流在第四电阻上产生电压等于具有有温度补偿特性的基准电压。
(2)电压比较电路对(1)采样的电压与产生的基准电压进行比较；当采样的电压高于产生的基准电压时，电压比较电路输出端为高电平，此时第一PMOS管的栅极电压为高电平，第一PMOS管不导通，迟滞反馈电路不会起作用；当(1)采样的电压低于产生的基准电压时，电压比较电路输出端为低电平，此时第一PMOS管的栅极电压为低电平，第一PMOS管导通，迟滞反馈电路会起作用；这时产生迟滞回差特性。
(3)迟滞反馈电路对(2)比较产生的电压迟滞反馈，产生电压迟滞回差特性；当电压比较电路输出端为高电平，迟滞反馈电路不会起作用；电压比较电路输出端为低电平，迟滞反馈电路会起作用。
(4)输出整形驱动电路对(3)输出的电压信号整形出适合芯片处理的信号，同时增加驱动能力。
利用本实用新型提供的欠压锁定电路能更好地提高系统的可靠性和稳定性。
附图说明
图1为本实用新型的带有温度补偿的欠压锁定电路的结构图。
图2为本实用新型的带有温度补偿的欠压锁定电路的电路图。
图3为温度补偿的基准电压随温度的变化图。
图4为本实用新型的欠压锁定电路电压迟滞变化图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型内容进一步说明。
欠压锁定电路，如图1、图2所示，包括温度补偿型电源采样电路11、电压比较电路12、迟滞反馈电路13和输出整形驱动电路14：
所述温度补偿型电源采样电路11是产生具有温度补偿特性的基准电压同时对所加的电压进行采样；
所述电压比较电路12是对所述采样的电压与所述温度补偿型电源采样电路11产生的具有温度补偿的基准电压进行比较；
所述迟滞反馈电路13是对电压比较电路输出的电压信号进行迟滞反馈，产生电压迟滞回差特性；
所述输出整形驱动电路14是把电压比较电路输出的电压信号整形出适合芯片处理的信号，同时增加驱动能力。
所述温度补偿型电源采样电路11包括启动电路37、第一偏置电流31、第一电阻R25、第二电阻R24、第三电阻R22、第四电阻R23、第五电阻R21、第一PNP管Q1、第二PNP管Q2：
所述启动电路37是提供给所述温度补偿型电源采样电路11电流进行启动；
所述第一偏置电流31是提供给所述温度补偿型电源采样电路11提供电流；
所述第一偏置电流31的一端接电源VCC，另一端接第一电阻R25的一端；
所述第一电阻R25的一端接所述第一偏置电流31，另一端接所述第二电阻R24的一端；
所述第二电阻R24的一端接所述第一电阻R25的一端，另一端接所述第三电阻R22的一端和所述第四电阻R23的一端；
所述第三电阻R22的一端接所述第二电阻R24的一端和所述第四电阻R23的一端，另一端接所述第一PNP管Q1的发射极；
所述第四电阻R23的一端接所述第三电阻R22的一端和所述第二电阻R24的一端，另一端接所述第五电阻R21的一端；
所述第五电阻R21的一端接所述第四电阻R23的一端，另一端接所述第二PNP管Q2的发射极；
所述第一PNP管Q1的基极和集电极接地，发射极接所述第三电阻R22的一端；
所述第二PNP管Q2的基极和集电极接地，发射极接所述第五电阻R21的一端；
所述电压比较电路12的正端接所述第四电阻R23的一端和所述第五电阻R21的一端，负端接所述第三电阻R22的一端和所述第一PNP管Q1的发射极，输出端接所述迟滞反馈电路13的输入端和所述输出整形驱动电路14的输入端。
所述迟滞反馈电路13包括第一反相器40、第二反相器41和第一PMOS管43：
所述第一反相器40的输入端接所述电压比较电路12的输出端23和所述输出整形驱动电路14的输入端，输出端接所述第二反相器41的输入端；
所述第二反相器41的输入端所述第一反相器40的输出端，输出端接所述第一PMOS管43的栅极；
所述第一PMOS管43的栅极接所述第二反相器41的输出端，源极接电源和所述第一电阻R25的一端，漏极接所述第一电阻R25的另一端。
所述输出整形驱动电路14由迟滞反相器39组成，输入端接所述电压比较电路12的输出端和所述迟滞反馈电路13的输入端，输出端24接芯片内部所控制的电路。
图3为温度补偿的基准电压随温度的变化图。
图4为本实用新型的欠压锁定电路电压迟滞回差变化图。
本实用新型公开了一种欠压锁定电路，并且参照附图描述了本实用新型的具体实施方式和效果。应该理解到的是：上述实施例只是对本实用新型的说明，而不是对本实用新型的限制，任何不超出本实用新型实质精神范围内的发明创造，均落入本实用新型保护范围之内。

Claims (5)

1.欠压锁定电路，其特征在于包括温度补偿型电源采样电路、电压比较电路、迟滞反馈电路和输出整形驱动电路：
所述温度补偿型电源采样电路是产生具有温度补偿特性的基准电压同时对所加的电压进行采样；
所述电压比较电路是对所述采样的电压与所述温度补偿型电源采样电路产生的具有温度补偿的基准电压进行比较；
所述迟滞反馈电路是对电压比较电路输出的电压信号进行迟滞反馈，产生电压迟滞回差特性；
所述输出整形驱动电路是把电压比较电路输出的电压信号整形出适合芯片处理的信号，同时增加驱动能力。
2.如权利要求1所述欠压锁定电路，其特征在于所述温度补偿型电源采样电路包括启动电路、第一偏置电流、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一PNP管、第二PNP管：
所述启动电路是提供给所述温度补偿型电源采样电路电流进行启动；
所述第一偏置电流是提供给所述温度补偿型电源采样电路提供电流；
所述第一偏置电流的一端接电源，另一端接第一电阻的一端；
所述第一电阻的一端接所述第一偏置电流，另一端接所述第二电阻的一端；
所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端，另一端接所述第三电阻的一端和所述第四电阻的一端；
所述第三电阻的一端接所述第二电阻的一端和所述第四电阻的一端，另一端接所述第一PNP管的发射极；
所述第四电阻的一端接所述第三电阻的一端和所述第二电阻的一端，另一端接所述第五电阻的一端；
所述第五电阻的一端接所述第四电阻的一端，另一端接所述第二PNP管的发射极；
所述第一PNP管的基极和集电极接地，发射极接所述第三电阻的一端；
所述第二PNP管的基极和集电极接地，发射极接所述第五电阻的一端；
3.如权利要求1所述欠压锁定电路，其特征在于所述电压比较电路的正端接所述第四电阻的一端和所述第五电阻的一端，负端接所述第三电阻的一端和所述第一PNP管的发射极，输出端接所述迟滞反馈电路的输入端和所述输出整形驱动电路的输入端。
4.如权利要求1所述欠压锁定电路，其特征在于所述迟滞反馈电路包括第一反相器、第二反相器和第一PMOS管： 
所述第一反相器的输入端接所述电压比较电路的输出端和所述输出整形驱动电路的输入端，输出端接所述第二反相器的输入端；
所述第二反相器的输入端所述第一反相器的输出端，输出端接所述第一PMOS管的栅极；
所述第一PMOS管的栅极接所述第二反相器的输出端，源极接电源和所述第一电阻的一端，漏极接所述第一电阻的另一端。
5.如权利要求1所述欠压锁定电路，其特征在于所述输出整形驱动电路由迟滞反相器组成，输入端接所述电压比较电路的输出端和所述迟滞反馈电路的输入端，输出端接芯片内部所控制的电路。 
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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