CN202652171U - 可靠灵敏的igbt过流保护电路 - Google Patents
可靠灵敏的igbt过流保护电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN202652171U CN202652171U CN 201220285996 CN201220285996U CN202652171U CN 202652171 U CN202652171 U CN 202652171U CN 201220285996 CN201220285996 CN 201220285996 CN 201220285996 U CN201220285996 U CN 201220285996U CN 202652171 U CN202652171 U CN 202652171U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- igbt
- voltage
- resistance
- circuit
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种保护电路。目的是提供的保护电路具有灵敏度高的特点。技术方案是:可靠灵敏的IGBT过流保护电路,包括IGBT驱动芯片UB1、Vce采样电路及IGBT控制电路;其特征在于:过流保护电路还设有互感采样电路,互感采样电路由电流传感器T1、电阻RLF1、二极管DD2、电阻R2152、稳压管DQ11组成,电流传感器T1的输入端中,1号接线端接负载L,2号接线端与IGBT的集电极及Vce采样电路连接,电流传感器T1的输出端中,3号接线端分两路,一路经电阻RLF1接地,另一路通过依序串联的二极管DD2、电阻R2152、稳压管DQ11连接IGBT驱动芯片UB1的DESAT引脚,4号接线端接地。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种保护电路,具体是一种可靠的、具有高灵敏度的IGBT过流保护电路,适用于电磁加热技术领域。
背景技术
随着电磁加热技术在工业中的应用越来越广泛,电磁加热装置的控制器也暴露了出寿命不长等问题,控制器中的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)虽然已经采用了常规的保护措施但仍然屡屡损坏。具体原因是:工业使用的控制器属于大功率电磁加热控制器,长期频繁的大电流切换状态加上会随温度变化的感性负载,容易造成IGBT在大电流下瞬间关断,导致IGBT超出关断安全工作区而处于擎住状态,从而过流损坏,因此工业使用的电磁加热控制器需要更快速更合理的IGBT过流保护功能才能有效保护IGBT。
发明内容
本实用新型的目的是克服上述背景技术中的不足,提供一种IGBT过流保护电路的改进,该保护电路应具有可靠性好、灵敏度高、结构简单的特点。
本实用新型提供的技术方案是:
可靠灵敏的IGBT过流保护电路,包括IGBT驱动芯片UB1、Vce采样电路以及IGBT控制电路;其特征在于:所述过流保护电路还设有互感采样电路,该互感采样电路由电流传感器T1、电阻RLF1、二极管DD2、电阻R2152、稳压管DQ11组成,电流传感器T1的输入端中,1号接线端接负载L,2号接线端与IGBT的集电极以及所述Vce采样电路连接,电流传感器T1的输出端中,3号接线端分两路,一路经所述电阻RLF1接地,另一路通过依序串联的所述二极管DD2、电阻R2152、稳压管DQ11连接IGBT驱动芯片UB1的DESAT引脚,4号接线端接地。
所述Vce采样电路包括依序串联的二极管DD1、电阻R2151、电容C229,电阻R2151和电容C229之间的节点连接所述IGBT驱动芯片UB1的DESAT脚,二极管DD1的负极连接所述电流传感器T1的2号引脚。
所述控制电路由电阻R217、R218、稳压管DQ12、DQ13组成,所述电阻R217的一端连接IGBT驱动芯片UB1的OUT引脚,另一端分三路,第一路连接IGBT的门极,IGBT的发射极接地,第二路通过所述电阻R218接地、第三路与稳压管DQ13的负极连接,稳压管DQ13的正极与稳压管DQ12的正极连接,稳压管DQ12的负极接地。
本实用新型的工作原理是:Vce采样电路具有响应速度快的特点,但其灵敏性较差(需要较大的电流才能响应,速度快),而互感采样电路的特点是响应速度较慢,但灵敏度高的特点(较小的电流就能响应,但速度较慢);本实用新型将两种采样电路结合,当IGBT的电流较大时,Vce采样电路进行采样,当IGBT的电流较小时,互感器将电流放大,电阻RLF1的电压升高,互感采样电路可以通过二极管DD2、电阻R2152和稳压管DQ11采样;当采样电路检测到过流时,IGBT驱动芯片UB1的OUT脚发出信号,降低IGBT的门极电压,从而关断IGBT防止其损坏。
本实用新型的有益效果是:本实用新型将常规的Vce采样电路和互感采样电路结合在一起,综合两种采样电路的特点,使得本实用新型具有响应速度快、灵敏度高的特点;试验中发现,不论对于负载短路,电容击穿引起的过流,还是输入电压过高引起的过流都能很好地保护控制器不受损坏。
附图说明
图1是本实用新型的电路原理示意图。
具体实施方式
下面结合说明书附图,对本实用新型作进一步说明。
如图1所示,可靠灵敏的IGBT过流保护电路,包括IGBT驱动芯片UB1(选用HCPL-316J)、Vce采样电路以及IGBT控制电路;所述Vce采样电路包括依序串联的二极管DD1、电阻R2151、电容C229,电阻R2151和电容C229之间的节点连接所述IGBT驱动芯片UB1的DESAT脚。所述控制电路由电阻R217、R218、稳压管DQ12、DQ13组成,所述电阻R217的一端连接IGBT驱动芯片UB1的OUT引脚,另一端分三路,第一路连接IGBT的门极G,IGBT的发射极E接地,第二路通过所述电阻R218接地、第三路与稳压管DQ13的负极连接,稳压管DQ13的正极与稳压管DQ12的正极连接,稳压管DQ12的负极接地。
上述电路结构与常规的过流保护电路类似,Vce采样电路以及IGBT控制电路的工作原理在此不作详细介绍。
本实用新型在上述常规过流保护电路的基础上,增设了互感采样电路,该互感采样电路由电流传感器T1、电阻RLF1、二极管DD2、电阻R2152、稳压管DQ11组成。电流传感器T1的输入端中,1号接线端接负载L,2号接线端与IGBT的集电极C,2号接线端同时与所述Vce采样电路中二极管DD1的负极连接,电流传感器T1的输出端中,3号接线端分两路,一路经所述电阻RLF1接地,另一路通过依序串联的所述二极管DD2、电阻R2152、稳压管DQ11连接IGBT驱动芯片UB1的DESAT引脚,4号接线端接地。
尚需说明的是,如图1所示,一般地情况下所述负载连接有两个IGBT,每个IGBT均配置有一过流保护电路,图1为了图纸清晰显示,仅画出其中一个IGBT的过流保护电路。
本实用新型所述的所有元器件均可外购获得。
IGBT最重要的保护环节就是高性能的过流保护电路的设计。专用驱动模块都带有过流保护功能。一些分立的驱动电路也带有过电流保护功能。在工业应用中,一般都是利用这些瞬时过电流保护信号,通过触发器时序逻辑电路的记忆功能,构成记忆锁定保护电路,以避免保护电路在过流时的频繁动作,实现可取的过流保护。本文涉及的方案采用互感器检测协助Vce检测的双重保护电路结构。
引起IGBT失效的原因有:
1)过热损坏,
集电极电流过大引起的瞬时过热及其它原因,如散热不良导致的持续过热均会使IGBT损坏。如果器件持续短路,大电流产生的功耗将引起温升,由于芯片的热容量小,其温度迅速上升,若芯片温度超过硅本征温度(约250℃),器件将失去阻断能力,门极控制就无法保护,从而导致IGBT失效。实际运行时,一般极限高温为130℃左右,保护温度设置在80℃-90℃比较合适。
2)超出关断安全工作区引起擎住效应而损坏,
擎住效应分静态擎住效应和动态擎住效应。IGBT为PNPN4层结构。体内存在一个寄生晶闸管,在NPN晶体管的基极与发射极之间并有一个体区扩展电阻Rs,P型体内的横向空穴电流在电阻RS上会产生一定的电压降,对NPN基极来说,相当于一个正向偏置电压。在规定的集电极电流范围内,这个正偏置电压不大,对NPN晶体管不起任何作用。当集电极电流增大到一定程度时,该正向电压足以使NPN晶体管开通,进而使NPN和PNP晶体管处于饱和状态。于是,寄生晶闸管导通,门极失去控制作用,形成自锁现象,这就是所谓的静态擎住效应。IGBT发生擎住效应后,集电极电流增大,产生过高功耗,导致器件失效。动态擎住效应主要是在器件高速关断时电流下降太快,dvCE/dt很大,引起较大位移电流,流过电阻RS,产生足以使NPN晶体管开通的正向偏置电压,造成寄生晶闸管自锁。
3)瞬态过电流损坏,
IGBT在运行过程中所承受的大幅值过电流除短路、直通等故障外,还有续流二极管的反向恢复电流、缓冲电容器的放电电流及噪声干扰造成的尖峰电流。这种瞬态过电流虽然持续时间较短,但如果不采取措施,将增加IGBT的负担,也可能会导致IGBT失效。
4)过电压损坏,
过电压造成集电极-发射极击穿。过电压造成门极-发射极击穿。
IGBT过流损坏形式及对应措施有以下几点。
IGBT 作为功率回路的重要换流器件,一旦出现意外很有可能炸机,所以针对IGBT 的保护尤其重要。由于过流是引起IGBT损坏的主要原因,这里单独描述IGBT的过流保护。IGBT出现短路的几率并不是很大,但是如果出现短路却没有及时保护住,后果将是毁灭性的。因此拥有可靠的IGBT过流保护电路是必须的。过流的形式主要以下有两种:
a.锁定效应引起的过流损坏。IGBT为复合器件,其内部有寄生晶闸管,在漏极电流大到一定程度后寄生晶闸管开通,门极失去控制,发生锁定效应后,集电极电流太大使IGBT损坏。为避免IGBT发生锁定效应损坏,电路设计时应保证在任何状态下器件最大工作电流都不超过IGBT的Idm值或者在电流回路中用电容隔直。同时通过加大驱动电阻延长关断时间,减少器件的di/dt(电流变化率)。IGBT最好加负电压,有负偏压的情况下,驱动电压在10-15V之间,IGBT发射极电流可在5-10μs内超过额定电流的4-10倍,由于变换器负载冲击特性各不相同,且供电设备可能发生电源故障短路,所以变换器设计采取限流措施进行电流限制。
b.短路超时(大于10μs)。当IGBT承受电流值超出短路安全区所限定的最大边界,例如4-5倍额定电流时,必须在10μs内关断IGBT。产生过流的原因大致有:晶体管或二极管损坏、控制与驱动电路故障或干扰等引起误动、输出线接错或绝缘损坏等形成短路、输出端对地短路与绝缘损坏、逆变桥的桥臂短路等。IGBT承受过电流的时间仅为几微秒,为了保护IGBT,必须选择合理的IGBT关断方式,改善IGBT关断时电压电流的轨迹。当IGBT过流时,首先要设法延长IGBT能够承受过流的时间,然后减小电流并关断。
Claims (3)
1.可靠灵敏的IGBT过流保护电路,包括IGBT驱动芯片UB1、Vce采样电路以及IGBT控制电路;其特征在于:所述过流保护电路还设有互感采样电路,该互感采样电路由电流传感器T1、电阻RLF1、二极管DD2、电阻R2152、稳压管DQ11组成,电流传感器T1的输入端中,1号接线端接负载L,2号接线端与IGBT的集电极以及所述Vce采样电路连接,电流传感器T1的输出端中,3号接线端分两路,一路经所述电阻RLF1接地,另一路通过依序串联的所述二极管DD2、电阻R2152、稳压管DQ11连接IGBT驱动芯片UB1的DESAT引脚,4号接线端接地。
2.根据权利要求1所述的可靠灵敏的IGBT过流保护电路,其特征在于:所述Vce采样电路包括依序串联的二极管DD1、电阻R2151、电容C229,电阻R2151和电容C229之间的节点连接所述IGBT驱动芯片UB1的DESAT脚,二极管DD1的负极连接所述电流传感器T1的2号引脚。
3.根据权利要求1或2所述的可靠灵敏的IGBT过流保护电路,其特征在于:所述控制电路由电阻R217、R218、稳压管DQ12、DQ13组成,所述电阻R217的一端连接IGBT驱动芯片UB1的OUT引脚,另一端分三路,第一路连接IGBT的门极,IGBT的发射极接地,第二路通过所述电阻R218接地、第三路与稳压管DQ13的负极连接,稳压管DQ13的正极与稳压管DQ12的正极连接,稳压管DQ12的负极接地。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201220285996 CN202652171U (zh) | 2012-06-15 | 2012-06-15 | 可靠灵敏的igbt过流保护电路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201220285996 CN202652171U (zh) | 2012-06-15 | 2012-06-15 | 可靠灵敏的igbt过流保护电路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN202652171U true CN202652171U (zh) | 2013-01-02 |
Family
ID=47421199
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 201220285996 Expired - Fee Related CN202652171U (zh) | 2012-06-15 | 2012-06-15 | 可靠灵敏的igbt过流保护电路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN202652171U (zh) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104749425A (zh) * | 2015-04-02 | 2015-07-01 | 佛山市柏克新能科技股份有限公司 | 过流快速检测电路 |
CN105049010A (zh) * | 2015-08-27 | 2015-11-11 | 广州易和医疗技术开发有限公司 | 一种igbt过流保护电路及其方法 |
CN105896938A (zh) * | 2016-04-29 | 2016-08-24 | 清华大学 | 一种基于电流测量的电力电子器件驱动电路及其控制方法 |
CN108668392A (zh) * | 2017-03-29 | 2018-10-16 | 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 | 电磁加热设备及其功率开关管的驱动保护电路和方法 |
CN108896899A (zh) * | 2018-07-23 | 2018-11-27 | 广东志高暖通设备股份有限公司 | 一种集成开关管过流检测电路 |
CN110544921A (zh) * | 2019-09-25 | 2019-12-06 | 青岛航天半导体研究所有限公司 | Ipm模块过流保护自动重启方法 |
CN114295950A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-04-08 | 中车永济电机有限公司 | Igbt器件的集射极饱和压降的在线检测装置 |
-
2012
- 2012-06-15 CN CN 201220285996 patent/CN202652171U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104749425A (zh) * | 2015-04-02 | 2015-07-01 | 佛山市柏克新能科技股份有限公司 | 过流快速检测电路 |
CN105049010A (zh) * | 2015-08-27 | 2015-11-11 | 广州易和医疗技术开发有限公司 | 一种igbt过流保护电路及其方法 |
CN105049010B (zh) * | 2015-08-27 | 2018-11-27 | 广州易和医疗技术开发有限公司 | 一种igbt过流保护电路及其方法 |
CN105896938A (zh) * | 2016-04-29 | 2016-08-24 | 清华大学 | 一种基于电流测量的电力电子器件驱动电路及其控制方法 |
CN105896938B (zh) * | 2016-04-29 | 2019-04-02 | 清华大学 | 一种基于电流测量的电力电子器件驱动电路及其控制方法 |
CN108668392A (zh) * | 2017-03-29 | 2018-10-16 | 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 | 电磁加热设备及其功率开关管的驱动保护电路和方法 |
CN108668392B (zh) * | 2017-03-29 | 2024-06-04 | 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 | 电磁加热设备及其功率开关管的驱动保护电路和方法 |
CN108896899A (zh) * | 2018-07-23 | 2018-11-27 | 广东志高暖通设备股份有限公司 | 一种集成开关管过流检测电路 |
CN110544921A (zh) * | 2019-09-25 | 2019-12-06 | 青岛航天半导体研究所有限公司 | Ipm模块过流保护自动重启方法 |
CN114295950A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-04-08 | 中车永济电机有限公司 | Igbt器件的集射极饱和压降的在线检测装置 |
CN114295950B (zh) * | 2021-11-29 | 2023-12-19 | 中车永济电机有限公司 | Igbt器件的集射极饱和压降的在线检测装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN202652171U (zh) | 可靠灵敏的igbt过流保护电路 | |
CN110635792B (zh) | 一种基于短路电流抑制的SiC MOSFET短路保护电路及方法 | |
CN203747637U (zh) | 退饱和检测电路以及包含该退饱和检测电路的电路 | |
JP5452549B2 (ja) | パワーモジュール | |
CN108508342B (zh) | 一种igbt短路过流检测电路 | |
CN101174788B (zh) | 一种电压驱动型功率半导体器件关断过电压保护电路 | |
CN103036469B (zh) | 高压脉冲电源 | |
CN203406604U (zh) | Igbt过流保护电路和变流装置 | |
Wang et al. | A fast overcurrent protection scheme for IGBT modules through dynamic fault current evaluation | |
CN205847212U (zh) | 一种高可靠性的igbt驱动电路 | |
CN107887895A (zh) | 检测装置、检测方法和检测系统 | |
CN107204760A (zh) | 一种igbt驱动装置及系统 | |
CN109698611A (zh) | 多级降栅压型SiC-MOSFET驱动电路 | |
Chen et al. | A smart gate drive with self-diagnosis for power MOSFETs and IGBTs | |
CN102082429A (zh) | 一种igbt关断浪涌电压箝位及抑制电路 | |
CN113659968A (zh) | 一种igbt两级软关断短路保护装置 | |
CN108599749B (zh) | 用于半桥电路门极保护的两极钳位电路及其应用 | |
CN109995350A (zh) | 一种功率场效应管的驱动级短路保护装置及保护方法 | |
TWI459673B (zh) | 功率開關串聯電路及其控制方法以及多電平變換裝置 | |
Wang et al. | Short-circuit fault adaptive analysis and protection for SiC MOSFETs | |
CN206712450U (zh) | 一种绝缘栅双极型晶体管保护电路 | |
CN103490602A (zh) | Igbt桥臂短路时vce振荡电压的抑制电路 | |
CN209088537U (zh) | 一种电压钳位及esd保护电路 | |
CN110365195A (zh) | 一种基于qp12w05s-37的三电平igbt驱动电路 | |
CN206302394U (zh) | Igbt的驱动保护电路及电机驱动控制系统 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20130102 Termination date: 20130615 |