CN202651132U - 一种硅薄膜太阳电池 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种硅薄膜太阳电池，其特征在于，在n型晶体硅片的两面分别沉积本征多晶硅薄膜，在正面本征多晶硅薄膜上沉积p型氢化非晶硅薄膜，在背面本征多晶硅薄膜上沉积n+型氢化非晶硅薄膜，再在两面分别沉积FTO透明导电薄膜，然后在正面、背面丝网印刷金属电极。本实用新型可增强界面的钝化效果，降低缺陷态密度和暗电流，提高载流子迁移率，增加对太阳光的吸收范围，提高电池的转换效率和稳定性。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种硅薄膜太阳电池的结构。
背景技术
HIT(hetero junction with intrinsic thin-layer)异质结本征薄膜太阳能电池最早是由日本三洋公司提出的，它是在晶体硅与a-Si:H薄膜之间沉积一层很薄的本征非晶硅薄膜(大约几个纳米)，一方面由于a-Si:H薄膜的存在使得本征非晶硅薄膜的钝化作用下降，衬底中的少子穿过本征非晶硅薄膜而和a-Si:H薄膜中的缺陷态相互作用，形成载流子的复合通道，使硅薄膜电池的暗电流增加；另一方面由于a-Si:H薄膜和晶体硅中杂质的扩散，使得如此薄的本征非晶硅薄膜对反向漏电流的抑制效果不明显，影响硅薄膜电池的转换效率。本实用新型的目的是为了提高硅薄膜太阳电池的转换效率。
发明内容
为解决前述提高硅薄膜太阳电池转换效率的问题，本实用新型提供一种硅薄膜太阳电池，该电池的结构是：在n型晶体硅片的两面分别沉积本征多晶硅薄膜，在正面本征多晶硅薄膜上沉积p型氢化非晶硅薄膜，在背面本征多晶硅薄膜上沉积n+型氢化非晶硅薄膜，再在两面分别沉积FTO透明导电薄膜，然后在正面、背面丝网印刷金属电极。本实用新型的优点是用本征多晶硅薄膜(ipoly-si)取代本征非晶硅薄膜(i α-si)。本征多晶硅薄膜(i poly-si)相对于本征非晶硅薄膜(i α-si)钝化效果好，缺陷态密度低，暗电流低，迁移率高，非晶硅薄膜/多晶硅薄膜的叠层结构更有利于充分吸收太阳光，提高硅薄膜太阳电池转换效率，且使用多晶硅薄膜，电池的稳定性也得到了一定程度的改善。
附图说明
附图是本实用新型的层结构示意图。
附图标号说明：
1--是Al金属栅线正电极；
2--是正面掺氟氧化锡透明导电薄膜(FTO)；
3--是P型氢化非晶硅薄膜(p α-si:H)；
4--是正面的本征多晶硅薄膜(i poly-si)；
5--是N型基底层晶体硅片(n c-si)；
6--是背面的本征多晶硅薄膜(i poly-si)；
7--是N型重掺杂氢化非晶硅薄膜(n+α-si:H)；
8--是背面的掺氟氧化锡透明导电薄膜(FTO)；
9--是背面的Al金属栅线负电极。
具体实施方式
本实用新型按附图各层结构，它包括从下至上依次分布的Al金属栅线负电极9、背面的掺氟氧化锡透明导电薄膜8、N型重掺杂氢化非晶硅薄膜7、背面的本征多晶硅薄膜6、N型基底层晶体硅片5、正面的本征多晶硅薄膜4、P型氢化非晶硅薄膜3、正面掺氟氧化锡透明导电薄膜2、Al金属栅线正电极1。本实施例中，沉积正面和背面的本征多晶硅薄膜均采用喷涂法、丝网印刷法、化学气相沉积法或物理气相沉积法中的一种，厚度均为5-100μm；沉积P型氢化非晶硅薄膜和N型重掺杂氢化非晶硅薄膜均采用等离子体增强化学气相沉积法，厚度均为5-25nm；沉积正面和背面的掺氟氧化锡透明导电薄采用超声喷雾法、磁控溅射法中的一种，厚度均为50-200nm。
Claims (1)
1.一种硅薄膜太阳电池，其特征是，在n型基底晶体硅片的两面分别沉积本征多晶硅薄膜，在正面本征多晶硅薄膜上沉积p型氢化非晶硅薄膜，在背面本征多晶硅薄膜上沉积n+型氢化非晶硅薄膜。
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| CN 201220102349 CN202651132U (zh) | 2012-03-19 | 2012-03-19 | 一种硅薄膜太阳电池 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN 201220102349 CN202651132U (zh) | 2012-03-19 | 2012-03-19 | 一种硅薄膜太阳电池 |
Publications (1)
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| CN202651132U true CN202651132U (zh) | 2013-01-02 |
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| CN 201220102349 Expired - Fee Related CN202651132U (zh) | 2012-03-19 | 2012-03-19 | 一种硅薄膜太阳电池 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN202651132U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106471625A (zh) * | 2014-06-27 | 2017-03-01 | 道达尔销售服务公司 | 利用晶体硅对太阳能电池光接收表面进行钝化 |
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2012
- 2012-03-19 CN CN 201220102349 patent/CN202651132U/zh not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| CN106471625A (zh) * | 2014-06-27 | 2017-03-01 | 道达尔销售服务公司 | 利用晶体硅对太阳能电池光接收表面进行钝化 |
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