CN202617257U - 图像传感器 - Google Patents
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Abstract
一种图像传感器,所述图像传感器包括:多个像素单元,包括感光单元和读出电路;感光单元包括光电二极管和传输管;读出电路包括复位管、源跟随器和行选通管;一个像素单元中位于同一列的感光单元共用一读出电路;传输管行连接线,用于加载传输管导通信号,同一行的传输管共用一传输管行连接线;与读出电路相连的信号列连接线,用于输出信号;与读出电路的行选通管相连的行选通管行连接线,用于向行选通管加载行选通管导通信号;一个像素单元中的各读出电路共用一信号列连接线;一个像素单元中的行选通管行连接线用于分时加载行选通管导通信号,使一个像素单元中各读出电路分时输出信号。本实用新型可减小金属层挡光的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及图像处理领域,尤其涉及一种图像传感器。
背景技术
图像传感器属于光电产业里的光电元件类,随着数码技术、半导体制造技术以及网络的迅速发展,目前市场和业界都面临着跨越各平台的视讯、影音、通讯大整合时代的到来,勾划着未来人类的日常生活的美景。因此,图像传感器产品成为当前以及未来业界关注的对象,吸引着众多厂商投入。以产品类别区分,图像传感器产品主要分为CCD图像传感器(电荷耦合图像传感器)、CMOS图像传感器(互补型金属氧化物图像传感器)。
现有的CMOS图像传感器的像素结构主要分为两种,分别为3T像素结构和4T像素结构。3T像素结构中每一个像素包括一个光电二极管、一个复位管、一个行选通管和一个源跟随器。4T像素结构比3T像素结构增加了一个传输管。对于4T像素结构,每一个光电二极管总是需要一个传输管,所述传输管使光电二极管的可控性更好,可以有效地降低热噪声和暗电流。
图1示出了现有技术中4T像素结构的电路示意图。如图1所示,4T像素结构的像素包括:光电二极管11和4个晶体管,其中,光电二极管11和传输管12构成感光单元,所述传输管12用于将光电二极管(Photo Diode,PD)11产生的电荷传输到浮置扩散区(Floating Diffusion,FD),复位管13用于对浮置扩散区复位,源跟随器14用于将浮置扩散区的电信号放大输出。所述像素的工作过程是:使光电二极管11接收光,以收集光生电荷;之后导通行选通管15,选通这一行;打开复位管13,之后关闭复位管13,使各感光单元的浮置扩散区处于复位状态,通过源跟随器14和行选通管15读出复位电平;然后打开传输管12并关闭传输管12(此时光电二极管11进入积分时间,即接收光以收集光生电荷的时间),通过源跟随器14和行选通管15读出信号电平,所述复位电平和信号电平相减获得读出信号。最后关闭行选通管15,对下一行进行类似操作,从而获得各感光单元的读出信号。
图像传感器除了设置有上述具有不同作用的晶体管,还设置有与晶体管相连的金属层,用以向晶体管提供信号,或者从晶体管中读出信号。比如:与各感光单元中传输管12的栅极相连的行方向金属层,用于向传输管12提供导通信号。又比如:与像素中行选通管15的源极相连的列方向金属层,用于输出信号。通常所述金属层与各像素均相连,通常贯穿图像传感器的行或列。
随着像素越做越小,金属层围成的开口也逐渐减小。为了增大所述开口,现有技术中发展了多像素共享结构。在所述多像素共享结构中,多个像素共享部分晶体管,以减小晶体管的数量,从而可以增大光电二极管11的面积。
参考图2,示出了现有技术中8像素共享结构一实施例的示意图。如图2所示,所述8像素共享结构中每一像素单元均包括成4×2(4行2列)型的矩阵式排布的感光单元,每个感光单元均包括一光电二极管PDi(i=0、1、2……7)以及与光电二极管相连的传输管TXi(i=0、1、2……7)。
所述8像素共享结构还包括与各传输管TXi(i=0、1、2……7)相连的行连接线Ri(i=0、1、2……7),具体地,每个感光单元的传输管TXi(i=0、1、2……7)的栅极和与其对应的行连接线Ri(i=0、1、2……7)相连。在图像传感器的工作过程中,向所述行连接线Ri(i=0、1、2……7)上依次加载传输管导通信号,以依次导通各感光单元中的传输管TXi(i=0、1、2……7)。
所述8感光单元共享结构共享一复位管RST、源跟随器SF和行选通管SEL,所述复位管RST、源跟随器SF和行选通管SEL构成读出电路,以实现对信号的读出。具体地,所述复位管RST和源跟随器SF的漏极均和电源电压相连,经由列连接线VDD加载电源电压,所述行选通管SEL的源极与列连接线PXD相连,经由列连接线PXD输出信号。所述8像素共享结构在列方向设置有两条列连接线VDD、PXD。
由于复位管RST需要加载复位管导通信号,行选通管SEL的栅极需要加载行选通管导通信号,所述8像素共享结构在行方向上设置有分别与复位管RST的栅极和行选通管SEL的栅极相连的行连接线(图中未示出),还设置有图1所示的8条与传输管的栅极相连的行连接线Ri(i=0、1、2……7)。由此可见所述8像素共享结构在行方向总共设置有10条连接线。较多的行、列连接线容易造成金属层挡光现象。
实用新型内容
本实用新型提供一种图像传感器,以减小金属层挡光的问题。
为解决上述问题,本实用新型提供一种图像传感器,包括:多个像素单元,所述像素单元包括多个呈行列排布的感光单元以及与感光单元相连的读出电路;所述感光单元包括光电二极管和传输管;所述读出电路包括复位管、源跟随器和行选通管;一个像素单元中位于同一列的感光单元共用一读出电路;所述图像传感器还包括与所述传输管相连的传输管行连接线,用于加载传输管导通信号,同一行的传输管共用一传输管行连接线;所述图像传感器还包括:与所述读出电路相连的电源列连接线,用于向所述读出电路提供工作电压;与所述读出电路相连的信号列连接线,用于输出信号;与所述读出电路的行选通管的栅极相连的行选通管行连接线,用于向行选通管加载行选通管导通信号;与所述读出电路的复位管的栅极相连的复位管行连接线,用于向复位管加载复位管导通信号;一个像素单元中的各读出电路共用一信号列连接线;一个像素单元中的行选通管行连接线用于分时加载行选通管导通信号,依次导通各行选通管,使一个像素单元中各读出电路分时输出信号。
可选地,所述电源列连接线与复位管的漏极和源跟随器的漏极相连。
可选地,所述电源列连接线与源跟随器的漏极相连;所述图像传感器还包括控制信号行连接线,与所述复位管的漏极相连,用于向所述复位管提供工作电压。
可选地,所述信号列连接线与行选通管的源极相连,一个像素单元的行选通管共用一信号列连接线。
可选地,所述电源列连接线与复位管的漏极和行选通管的漏极相连。
可选地,所述电源列连接线与行选通管的漏极相连,所述图像传感器还包括控制信号行连接线,与所述复位管的漏极相连,用于向所述复位管提供工作电压。
可选地,所述信号列连接线与所述源跟随器的源极相连,一个像素单元的源跟随器共用一信号列连接线。
可选地,同一像素单元中的复位管共用一复位管行连接线。
可选地,所述图像传感器中的传输管、复位管、源跟随器和行选通管均为NMOS管;所述像素单元包括8个感光单元,所述8个感光单元呈4行2列排布;所述像素单元还包括第一读出电路和第二读出电路,分别用于对像素单元中第一列中的4个感光单元、第二列中的4个感光单元进行信号输出;所述图像传感器还包括1条电源列连接线、1条信号列连接线、4条传输管行连接线、2条行选通管行连接线和1条复位管行连接线,其中,所述电源列连接线与所述第一读出电路和第二读出电路中的复位管的漏极和源跟随器的漏极均相连,用于提供工作电压;所述信号列连接线与所述第一读出电路和第二读出电路中的行选通管的源极均相连,用于输出信号;所述复位管行连接线与第一读出电路和第二读出电路中复位管的栅极均相连,用于加载复位管导通信号;所述4条传输管行连接线,分别与4行中传输管的栅极相连,用于加载传输管导通信号;所述2条行选通管行连接线,分别与第一读出电路和第二读出电路中的行选通管的栅极相连,用于分时加载行选通管导通信号,以使所述信号列连接线分时输出信号。
与现有技术相比,本实用新型具有以下优点:
同一行的传输管共用一传输管行连接线,而同一列的感光单元共用一读出电路,因此,位于一行的传输管分别与不同的读出电路相连。各读出电路共用一信号列连接线,一个像素单元中的行选通管行连接线用于分时加载行选通管导通信号,依次导通各行选通管,从而使一个像素单元中各读出电路经由所述信号列连接线输出与传输管相连的光电二极管所对应的信号,本实用新型采用较少数量的传输管行连接线和信号列连接线,实现了光电二极管的控制和信号读出,减少了金属层的数量,进而可以减小金属层挡光的问题。
附图说明
图1是现有技术中图像传感器一实施例的示意图;
图2是现有技术中8像素共享结构一实施例的示意图
图3是本实用新型图像传感器像素单元第一实施例的示意图;
图4本图3所示图像传感器输入信号一实施例的示意图;
图5是本实用新型图像传感器像素单元第二实施例的示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型,但是本实用新型还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施,因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。
针对背景技术中所述的问题,本实用新型提供一种图像传感器,包括:多个像素单元,所述像素单元包括多个呈行列排布的感光单元以及与感光单元相连的读出电路;所述感光单元包括光电二极管和传输管;所述读出电路包括复位管、源跟随器和行选通管;一个像素单元中位于同一列的感光单元共用一读出电路;所述图像传感器还包括与所述传输管相连的传输管行连接线,用于加载传输管导通信号,同一行的传输管共用一传输管行连接线;所述图像传感器还包括:与所述读出电路相连的电源列连接线,用于向所述读出电路提供工作电压;与所述读出电路相连的信号列连接线,用于输出信号;与所述读出电路的行选通管的栅极相连的行选通管行连接线,用于向行选通管加载行选通管导通信号;与所述读出电路的复位管的栅极相连的复位管行连接线,用于向复位管加载复位管导通信号;一个像素单元中的各读出电路共用一信号列连接线;一个像素单元中的行选通管行连接线用于分时加载行选通管导通信号,依次导通各行选通管,使一个像素单元中各读出电路分时输出信号。
本实用新型中同一行的传输管共用一传输管行连接线,而同一列的感光单元共用一读出电路,因此,位于一行的传输管分别与不同的读出电路相连。各读出电路共用一信号列连接线,一个像素单元中的行选通管行连接线用于分时加载行选通管导通信号,依次导通各行选通管,从而使一个像素单元中各读出电路经由所述信号列连接线输出与传输管相连的光电二极管所对应的信号。所述传输管行连接线和信号列连接线由金属层形成,本实用新型采用较少数量的传输管行连接线和信号列连接线,实现了光电二极管的控制和信号读出,可以减小金属层挡光的问题,提高图像传感器的性能。
下面结合具体实施例对本实用新型技术方案做进一步说明。
参考图3,示出了本实用新型图像传感器第一实施例示意图。
图像传感器包括多个呈行列排布的像素单元。具体地,像素单元包括用于将光信号转换为电信号的感光单元,用于将所述电信号读出的读出电路。需要说明的是,为了使附图更加清楚、简洁,图3中仅以一个像素单元为例进行示意。
如图3所示,本实施例中一个像素单元包括呈4行2列矩阵式排布的8个感光单元和2个读出电路,其中位于同一列的感光单元共用一读出电路。需要说明的是,本实用新型对像素单元中感光单元的数量,以及感光单元成几行几列排布的方式不作限制。
本实施例中,每个感光单元均包括一光电二极管PDi(i=0、1、2……7)以及与所述光电二极管相连的传输管TXi(i=0、1、2……7)。其中,光电二极管PDi(i=0、1、2……7)用于接收光,以产生光生电荷;传输管TXi(i=0、1、2……7)用于在导通状态时将光电二极管中的光生电荷转移到浮置扩散区,以形成读出信号。具体地,第一感光单元包括第一光电二极管PD0和第一传输管TX0,第二感光单元包括第二光电二极管PD1和第二传输管TX1,第三感光单元包括第三光电二极管PD2和第三传输管TX2,第四感光单元包括第四光电二极管PD3和第四传输管TX3……
所述读出电路包括:用于对感光单元的浮置扩散区进行复位的复位管,用于将浮置扩散区的电信号放大的源跟随器,用于在导通时将信号输出的行选通管。本实施例中,传输管、复位管、行选通管和源跟随器均为NMOS管,但是本实用新型对此不做限制。
具体地,所述读出电路包括第一列各感光单元共用的第一读出电路、第二列各感光单元共用的第二读出电路,用于分别读出第一列各感光单元、第二列各感光单元的信号。
所述第一读出电路包括:第一复位管RST0、第一源跟随器SF0和第一行选通管SEL0。其中,所述第一源跟随器的SF0的漏极与第一复位管RST0的漏极相连,所述第一源跟随器的SF0的源极与所述第一行选通管SEL0的漏极相连。所述第二读出电路包括:第二复位管RST1、第二源跟随器SF1和第二行选通管SEL1。其中,所述第二源跟随器的SF1的漏极与第二位管RST1的漏极相连,所述第二源跟随器的SF1的源极与所述第二行选通管SEL1的漏极相连。
如图3所示,位于第一列的第一传输管TX0、第三传输管TX2、第五传输管TX4和第七传输管TX6的漏极均与第一复位管RST0的源极相连,同时还与第一源跟随器SF0的栅极相连。位于第二列的第二传输管TX1、第四传输管TX3、第六传输管TX5和第八传输管TX7的漏极均与第二复位管RST1的源极相连,同时还与第二源跟随器SF1的栅极相连。
为了实现传输管、复位管、源跟随器和行选通管等器件的控制或信号的输出,所述图像传感器还包括由金属层形成的行连接线和列连接线。
具体地,所述图像传感器还包括与传输管的栅极相连的传输管行连接线,所述传输管行连接线中用于加载传输管导通信号以使传输管导通,其中,位于同一行的传输管共用一传输管行连接线。如图3所示,本实施例中,像素单元包括4条传输管行连接线,其中,第一传输管行连接线R1与位于第1行的第一传输管TX0和第二传输管TX1的栅极相连;第二传输管行连接线R2与位于第2行的第三传输管TX2和第四传输管TX3的栅极相连;第三传输管行连接线R3与位于第3行的第五传输管TX4和第六传输管TX5的栅极相连;第四传输管行连接线R4与位于第4行的第七传输管TX6和第八传输管TX7的栅极相连。
所述图像传感器还包括分别与第一复位管RST0、第二复位管RST1的栅极相连的第一复位管行连接线(图未示)、第二复位管行连接线(图未示),用于向第一复位管RST0、第二复位管RST1的栅极加载复位管导通信号。本实施例中第一复位管RST0、第二复位管RST1的复位信号相同,因此第一复位管RST0、第二复位管RST1共用一根复位管行连接线(即由一条复位管行连接线代替第一复位管行连接线和第二复位管行连接线),但是实用新型对此不做限制,在其他实施例中,第一复位管RST0、第二复位管RST1还可以加载不同的复位管导通信号,所述第一复位管行连接线、第二复位管行连接线还可以分别为独立的行连接线。
所述图像传感器还包括分别与第一行选通管SEL0、第二行选通管SEL1的栅极相连的第一行选通管行连接线(图未示)、第二行选通管行(图未示),用于分时向第一行选通管SEL0、第二行选通管SEL1加载行选通管导通信号,以依次导通第一行选通管SEL0、第二行选通管SEL1,实现分时输出信号。
所述像素单元还包括与所述读出电路相连的电源列连接线VDD,用于向所述读出电路提供工作电压。本实施例中,电源列连接线VDD与第一复位管RST0、第二复位管RST1的漏极和第一源跟随器SF0、第二源跟随器SF1的漏极相连。但是本实用新型对此不做限制,在其他实施例中,所述电源列连接线VDD还可以仅与第一源跟随器SF0、第二源跟随器SF1的漏极相连,所述图像传感器还包括控制信号行连接线,与第一复位管RST0、第二复位管RST1的漏极相连,用于向第一复位管RST0、第二复位管RST1的漏极提供工作电压。
所述图像传感器还包括与所述读出电路相连的信号列连接线PXD,用于输出信号。本实施例中,一个像素单元中的各读出电路共用一信号列连接线PXD。如图3所示,所述信号列连接线PXD与第一行选通管SEL0、第二行选通管SEL1的源极相连,实现第一读出电路和第二读出电路对所述信号列连接线PXD的共用。
下面结合图4所示图像传感器的驱动信号对本实用新型图像传感器的工作原理进行详细描述。
图3所示图像传感器工作所需的驱动信号包括:复位管导通信号101、第一行选通管导通信号102、第二行选通管信号103、第一传输管导通信号104、第二传输管导通信号105、第三传输管导通信号106和第四传输管导通信号107。
图像传感器工作时,首先,各驱动信号均为低电平,从而使传输管TXi(i=0、1、2……7)处于关闭状态状态,使光电二极管PDi(i=0、1、2……7)接收光,以产生光生电荷;
之后,经由复位管行连接线向第一复位管RST0和第二复位管RST1栅极加载的复位管导通信号101转换为高电平,从而使第一复位管RST0、第二复位管RST1导通,以使各感光单元的浮置扩散区处于复位状态,形成浮置扩散区第一电压,之后,复位管导通信号101转换为低电平,使第一复位管RST0、第二复位管RST1关闭。
在复位管导通信号101转换为低电平之后,经由第一行选通管行连接线向第一行选通管SEL0栅极加载的第一行选通管导通信号102转换为高电平,从而使第一行选通管SEL0处于导通状态,进而经由与第一行选通管SEL0的源极相连的信号列连接线PXD输出第一列感光单元(包括第一感光单元)的复位信号,即输出第一列中四个感光单元浮置扩散区第一电压所对应的信号。完成第一列感光单元复位信号输出之后,第一行选通管导通信号102转换为低电平,使第一行选通管SEL0处于关闭状态。
在第一行选通管导通信号102转换为低电平之后,经由第二行选通管行连接线向第二行选通管SEL1栅极加载的第二行选通管导通信号103转换为高电平,从而使第二行选通管SEL1处于导通状态,进而经由与第二行选通管SEL1的源极相连的信号列连接线PXD输出第二列感光单元(包括第二感光单元)的复位信号,即输出第二列中四个感光单元浮置扩散区第一电压所对应的信号。完成第二列感光单元复位信号输出之后,第二行选通管导通信号103转换为低电平,使第二行选通管SEL1处于关闭状态。
在第二行选通管SEL1处于关闭状态之后,经由第一传输管行连接线R1向第一传输管TX0和第二传输管TX1栅极加载的第一传输管导通信号104转换为高电平;从而使第一传输管TX0和第二传输管TX1处于导通状态,从而使分别与第一传输管TX0和、第二传输管TX1相连的第一光电二极管PD0、第二光电二极管PD1的光生电荷分别转移至相对应的浮置扩散区,分别形成第一感光单元、第二感光单元的浮置扩散区第二电压,之后第一传输管导通信号104转换为低电平。
在第一传输管导通信号104转换为低电平之后,经由第一行选通管行连接线向第一行选通管SEL0栅极加载的第一行选通管导通信号102转换为高电平,从而使第一行选通管SEL0处于导通状态,进而经由与第一行选通管SEL0的源极相连的信号列连接线PXD输出第一感光单元的输出信号,即输出第一感光单元浮置扩散区第二电压所对应的信号。之后,第一行选通管导通信号102转换为低电平,使第一行选通管SEL0处于关闭状态。这样,结合之前获得的第一列感光单元的复位信号(即第一感光单元的复位信号)和所述第一感光单元的输出信号的差值实现第一感光单元信号的读取。
在第一行选通管导通信号102转换为低电平之后,经由第二行选通管行连接线向第二行选通管SEL1栅极加载的第二行选通管导通信号103转换为高电平,从而使第二行选通管SEL1处于导通状态,进而经由与第二行选通管SEL1的源极相连的信号列连接线PXD输出第二感光单元的输出信号,即输出第二感光单元浮置扩散区第二电压所对应的信号。之后,第二行选通管导通信号103转换为低电平,使第二行选通管SEL1处于关闭状态。这样,结合之前获得的第二列感光单元的复位信号(即第二感光单元的复位信号)和所述第二感光单元的输出信号实现了对第二感光单元信号的读取。
在第二行选通管导通信号103转换为低电平之后,复位管导通信号101转换为高电平,以使各感光单元的浮置扩散区处于复位状态,形成浮置扩散区第一电压,然后关闭复位管;之后,依次向第一行选通管SEL0和第二行选通管SEL1提供行选通管导通信号,以依次输出第一列(包括第三感光单元)、第二列感光单元(包括第四感光单元)的与所述浮置扩散区第一电压对应的复位信号;之后第二传输管导通信号105转换为高电平,导通第二行传输管,以使第三感光单元、第四感光单元中光电二极管的光生电荷转移到浮置扩散区,分别形成第三感光单元的浮置扩散区第二电压、第四感光单元的浮置扩散区第二电压,然后关闭第二行传输管;之后,依次向第一行选通管SEL0和第二行选通管SEL1提供行选通管导通信号,以依次输出第三感光单元、第四感光单元的输出信号,进而实现第三感光单元、第四感光单元信号的读取。
类似地,基于分时的第三传输管导通信号106、第四传输管导通信号107,结合分时的第一行选通管导通信号102、第二行选通管导通信号103,还可以依次获得第五感光单元和第六感光单元、第七感光单元和第八感光单元信号的读取。
参考图5,示出了本实用新型图像传感器第二实施例的示意图。本实施例与第一实施例的相同之处不再赘述,本实施例与第一实施例的不同之处在于,本实施例中所述电源列连接线VDD与复位管RST1/RST2的漏极和行选通管SEL0/SEL1的漏极相连,所述电源通过所述电源列连接线VDD向读出电路提供工作电压。但是本实用新型对此不作限制,在其他实施例中,所述电源列连接线VDD还可以仅与行选通管SEL0/SEL1的漏极相连,所述图像传感器还包括控制信号行连接线,与所述复位管RST1/RST2的漏极相连,电源经由所述控制信号行连接线向所述复位管提供工作电压。
此外,本实施例中,信号列连接线PXD与源跟随器SF0/SF1的源极相连,一个像素单元的源跟随器SF0/SF1共用一信号列连接线PXD。本实施例图像传感器的工作原理与第一实施例的工作原理相同,在此不再赘述。
需要说明的是,在上述实施例中,复位管、传输管、源跟随器和行选通管为NMOS管,但是本实用新型对此不作限制,在其他实施例中,复位管、传输管、源跟随器和行选通管还可以是PMOS管,本领域技术人员可以根据上述实施例对本实用新型进行相应地修改、变形和替换。
本实用新型虽然已以较佳实施例公开如上,但其并不是用于限定本实用新型,任何本领域技术人员在不脱离本实用新型的精神和范围内,都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本实用新型技术方案做出可能的变动和修改,因此,凡是未脱离本实用新型技术方案的内容,依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰,均属于本实用新型技术方案的保护范围。
Claims (9)
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:
多个像素单元,所述像素单元包括多个呈行列排布的感光单元以及与感光单元相连的读出电路;
所述感光单元包括光电二极管和传输管;
所述读出电路包括复位管、源跟随器和行选通管;
一个像素单元中位于同一列的感光单元共用一读出电路;
所述图像传感器还包括与所述传输管相连的传输管行连接线,用于加载传输管导通信号,同一行的传输管共用一传输管行连接线;
所述图像传感器还包括:
与所述读出电路相连的电源列连接线,用于向所述读出电路提供工作电压;
与所述读出电路相连的信号列连接线,用于输出信号;
与所述读出电路的行选通管的栅极相连的行选通管行连接线,用于向行选通管加载行选通管导通信号;
与所述读出电路的复位管的栅极相连的复位管行连接线,用于向复位管加载复位管导通信号;
一个像素单元中的各读出电路共用一信号列连接线;
一个像素单元中的行选通管行连接线用于分时加载行选通管导通信号,依次导通各行选通管,使一个像素单元中各读出电路分时输出信号。
2.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述电源列连接线与复位管的漏极和源跟随器的漏极相连。
3.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述电源列连接线与源跟随器的漏极相连;所述图像传感器还包括控制信号行连接线,与所述复位管的漏极相连,用于向所述复位管提供工作电压。
4.如权利要求2或3所述的图像传感器,其特征在于,所述信号列连接线与行选通管的源极相连,一个像素单元的行选通管共用一信号列连接线。
5.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述电源列连接线与复位管的漏极和行选通管的漏极相连。
6.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述电源列连接线与行选通管的漏极相连,所述图像传感器还包括控制信号行连接线,与所述复位管的漏极相连,用于向所述复位管提供工作电压。
7.如权利要求5或6所述的图像传感器,其特征在于,所述信号列连接线与所述源跟随器的源极相连,一个像素单元的源跟随器共用一信号列连接线。
8.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,同一像素单元中的复位管共用一复位管行连接线。
9.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述图像传感器中的传输管、复位管、源跟随器和行选通管均为NMOS管;
所述像素单元包括8个感光单元,所述8个感光单元呈4行2列排布;
所述像素单元还包括第一读出电路和第二读出电路,分别用于对像素单元中第一列中的4个感光单元、第二列中的4个感光单元进行信号输出;
所述图像传感器还包括1条电源列连接线、1条信号列连接线、4条传输管行连接线、2条行选通管行连接线和1条复位管行连接线,其中,
所述电源列连接线与所述第一读出电路和第二读出电路中的复位管的漏极和源跟随器的漏极均相连,用于提供工作电压;
所述信号列连接线与所述第一读出电路和第二读出电路中的行选通管的源极均相连,用于输出信号;
所述复位管行连接线与第一读出电路和第二读出电路中复位管的栅极均相连,用于加载复位管导通信号;
所述4条传输管行连接线,分别与4行中传输管的栅极相连,用于加载传输管导通信号;
所述2条行选通管行连接线,分别与第一读出电路和第二读出电路中的行选通管的栅极相连,用于分时加载行选通管导通信号,以使所述信号列连接线分时输出信号。
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