CN104967793A - 适用于cmos图像传感器的电源噪声抵消电路 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种适用于CMOS图像传感器的电源噪声抵消电路，所述电路包括：第一噪声通路，电源噪声通过源跟随晶体管输出第一输出噪声信号；第二噪声通路，电源噪声通过比例调节模块输出第二输出噪声信号，所述第一输出噪声信号与第二输出噪声信号幅值相同，以相互抵消噪声。通过将源跟随晶体管的电源噪声通过两个噪声通路进行抵消，起到抗电源干扰，减小图像噪声，提高图像质量的目的。

Description

适用于CMOS图像传感器的电源噪声抵消电路

技术领域

本发明涉及CMOS图像传感器模拟电路设计领域，特别涉及一种适用于CMOS图像传感器的电源噪声抵消电路。

背景技术

图像传感器是数字摄像头的重要组成部分，是一种将光学图像转换成电学信号的设备，它被广泛地应用在数码相机、移动终端、便携式电子装置和其他电子光学设备中。图像传感器按照元件的不同，可分为CCD（Charge Coupled Device，电荷耦合元件）和CMOS（Complementary Metaloxide Semiconductor，互补型金属氧化物半导体元件）图像传感器两大类。

CCD图像传感器除了大规模应用于数码相机外，还广泛应用于摄像机、扫描仪、以及工业领域等。而CMOS图像传感器由于其高度集成化、低功率损耗和局部像素可编程随即读取、速度快、成本低等优点，可适用于数码相机、PC摄像机、移动通信产品等领域。

随着图像传感器的持续快速的发展，促进了其进一步的小型化和集成。CCD图像传感器和CMOS图像传感器都是采用光电转换区域，一般采用光电二极管（Photodiode or Photodetector）收集入射光，并将其转换为能够进行图像处理的光电荷。现有的CMOS图像传感器中，若干个像素单元组成的像素阵列接收入射光，收集光子。像素单元往往采用3T、4T或5T的结构，以4T为例，由转移晶体管（Transfer Transistor、TX）、复位晶体管（Reset Transistor、RST）、源跟随晶体管（Source-Follower Transistor、SF）、行选通管（Row Selector Transistor、RSEL），基本的工作原理为：通过光电转换形成光生载流子，产生模拟信号，通过对像素阵列的行选通并进行列读取，读出每列的模拟信号，进行后续的运算增益放大、模数转换等信号处理过程。

在实际工作中像素（pixel）的源跟随晶体管SF管供电电源的噪声会通过电容couple到像素单元的浮置扩散区FD上，接着通过信号通路被放大，模数转换（AD）转换之后体现到输出数据上，影响图像信噪比。一般做法是为pixel电路单独做一个LDO(Low Dropout Regulator)，以减小外部供电电源噪声对图像质量的影响。如果LDO的输出受到影响，噪声同样还是会体现到图像上。当LDO噪声抑制性能有限的情况下，一种解决方法是，在信号通路中引入另外一路电源噪声，用来抵消从pixel处传入的部分。传统方式是为pixel电源做一个LDO，用以隔离外部供电电源上的噪声。这种方法当芯片干扰较大时，其稳定速度有限，在其稳定的过程中，噪声依然会体现到图像上。

发明内容

鉴于对背景技术中的技术问题的理解，如果能够提供一种有效消除图像传感器源跟随晶体管的电源噪声的电路设计，对电路整体性能的提升是有益的。

本发明提供一种适用于CMOS图像传感器的电源噪声抵消电路，包括：

第一噪声通路，电源噪声通过源跟随晶体管输出第一输出噪声信号；第二噪声通路，电源噪声通过比例调节模块输出第二输出噪声信号，所述第一输出噪声信号与第二输出噪声信号幅值相同，以相互抵消噪声。

在依据本发明的一个实施例中，所述第二噪声通路中，所述电源噪声通过比例调节模块连接至增益模块,输出的第二输出噪声信号与第一输出噪声信号幅值相同，相位相反。

在依据本发明的一个实施例中，所述第二噪声通路中，所述电源噪声通过比例调节模块连接至偏置模块的第一节点再连接至增益模块, 输出的第二输出噪声信号与第一输出噪声信号幅值相同，相位相反。

在依据本发明的一个实施例中，所述第二噪声通路中，所述电源噪声通过比例调节模块连接至斜坡电压信号的节点再连接至比较器,输出的第二输出噪声信号与第一输出噪声信号幅值相同，相位相同。

在依据本发明的一个实施例中，所述比例调节模块为电容调节模块，所述电容调节模块的第一端接源跟随晶体管的电源，所述电源经选择控制电容组接第二端；偏置电容的一端接所述第二端，另一端接地。

在依据本发明的一个实施例中，调节所述的选择控制电容组的电容大小，以调节电容组的等效电容与所述偏置电容的比值，进而调节第二输出噪声信号。

在依据本发明的一个实施例中，所述选择控制电容组等效电容与所述偏置电容的比值为1:10至1:20之间。

在依据本发明的一个实施例中，所述选择控制电容组为并联的电容，每一支路分别设置有开关。

在依据本发明的一个实施例中，所述选择控制电容组中每一支路的电容值按照2倍的比例设置。

在依据本发明的一个实施例中，所述第二噪声通路中还包括反相模块，所述反相模块包括：第一NMOS晶体管、第一PMOS晶体管，所述第二端接第一NMOS晶体管的栅极，所述第一NMOS晶体管的源级接地，漏极接第一PMOS晶体管的漏极，所述第一PMOS晶体管的源级接电源电压，所述PMOS晶体管的栅极接反相输出信号。

在依据本发明的一个实施例中，第一噪声通路包括：连接于源跟随晶体管的第一电容和第二电容，所述第一电容将电源噪声耦合至浮置扩散区，并通过所述源跟随晶体管输出至第一子输出端，第一子输出端的连接偏置模块、增益模块。

在依据本发明的一个实施例中，根据第一电容与第二电容的比值计算出第一输出噪声信号的增益；通过电容组等效电容与所述偏置电容的比值计算出第二输出噪声信号的增益，所述第一输出噪声信号的增益与第二输出噪声信号的增益相同。

在依据本发明的一个实施例中，所述比例调节模块为电阻调节模块，所述电阻调节模块的第一端接源跟随晶体管的电源，所述电源经选择控制电阻组接第二端；偏置电阻的一端接所述第二端，另一端接地；电流源接第二端。

在依据本发明的一个实施例中，调节所述的选择控制电阻组的大小，以调节电阻组的等效电阻与所述偏置电阻的比值，进而调节第二输出噪声信号。

在依据本发明的一个实施例中，其特征在于，所述选择控制电阻组为并联的电阻，每一支路分别设置有开关。

在依据本发明的一个实施例中，第一噪声通路包括：连接于源跟随晶体管的第一电容和第二电容，所述第一电容将电源噪声耦合至浮置扩散区，并通过所述源跟随晶体管输出至第一子输出端，第一子输出端的一端连接偏置模块，另一端连接比较器。

在依据本发明的一个实施例中，根据第一电容与第二电容的比值计算出第一输出噪声信号的增益；通过电阻组等效电阻与所述偏置电阻的比值计算出第二输出噪声信号的增益，所述第一输出噪声信号的增益与第二输出噪声信号的增益相同。

本发明引入第二噪声通路，通过将源跟随晶体管的电源噪声通过两个噪声通路进行抵消，起到抗电源干扰，减小图像噪声，提高图像质量的目的。

附图说明

图1是本发明第一实施例中涉及的第一噪声通路的电路示意图；

图2是本发明第一实施例中涉及的第二噪声通路的电路示意图；

图3是本发明第二实施例中涉及的第一噪声通路的电路示意图；

图4是本发明第二实施例中涉及的第二噪声通路的电路示意图；

图5是本发明第三实施例中涉及的第一噪声通路的电路示意图；

图6是本发明第三实施例中涉及的第二噪声通路的电路示意图。

具体实施方式

本发明提供一种适用于CMOS图像传感器的电源噪声抵消电路，电路包括：第一噪声通路，电源噪声通过源跟随晶体管输出第一输出噪声信号；第二噪声通路，电源噪声通过比例调节模块输出第二输出噪声信号，所述第一输出噪声信号与第二输出噪声信号幅值相同，以相互抵消噪声。

下面结合若干实施例对本发明的具体内容进行详细描述。

第一实施例：

请参考图1、图2,图1为本发明第一实施例中涉及的第一噪声通路的电路示意图。图2为本发明第一实施例中涉及的第二噪声通路的电路示意图。图1中，图像传感器像素单元的源跟随晶体管100的第一端1001接电源信号，源跟随晶体管100的第二端1002接浮置扩散区FD，源跟随晶体管100的第三端1003接偏置模块200及第一子输出端pxda,第一噪声通路还包括有增益模块300；其中第一噪声通路还包括：连接于源跟随晶体管的第一电容110Cpar和第二电容120Cfd,第一电容110将电源信号的电源噪声耦合至浮置扩散区FD，并通过源跟随晶体管100输出至第一子输出端pxda。第一噪声通路还包括有：偏置模块200、增益模块300。偏置模块200包括：第一晶体管201、第二晶体管202，第一晶体管201的第一端2011接源跟随晶体管100的第三端1003，第一晶体管201的第二端2012接第二晶体管202的第一端2021，第二晶体管202的第二端2022接地，第二晶体管202的第三端2023接偏置电容210。增益模块300包括：第三晶体管301、第四晶体管302、第五晶体管303、第六晶体管304、第三电容310、第四电容320、第五电容330。其中，第三电容310的第一极连接有寄生的列电容130Ccol,第三电容310的第二级连接于第四电容320的第一级，第四电容320的第二级连接第二子节点340，第二子节点340分别连接第四晶体管302的第二端3022与第五晶体管303的第一端3031，第三晶体管301的第一端3011接第四晶体管302的第一端3021，第五晶体管303的第二端3032接第六晶体管304的第一端3041，第六晶体管304的第二端3042接地，第二子节点340接输出端Pxdo并接第四电容330。在第一噪声通路中通过第一电容110与第二电容120的比值计算出第一输出噪声信号的增益。在本实施例中源跟随晶体管100、第一晶体管201、第二晶体管202、第五晶体管303、第六晶体管304为NMOS晶体管。第三晶体管301、第四晶体管302为PMOS晶体管。

请参见图2，在第二噪声通路中，包括：比例调节模块400，比例调节模块400连接至偏置模块200的第一节点nbd410，偏置模块200连接至源跟随晶体管100的第三端1003及第一子输出端pxda再连接至增益模块300。在本实施例中比例调节模块400为电容调节模块，电容调节模块的第一端401接源跟随晶体管100的电源信号VPIX；电容调节模块包括：选择控制电容组420和偏置电容430，所述电源信号经选择控制电容组420接第二端402；偏置电容430的一端接第二端402，另一端接地。选择控制电容组420由若干并联的电容组成，每一支路分别设置有开关适于控制每一电容通路的导通，每一支路的电容值按照2倍的比例设置，调节选择控制电容组的等效电容的大小接续调节等效电容与偏置电容430的比值，进而调节第二输出噪声信号。其中，电容组等效电容与偏置电容的比值为1:10至1:20之间。

请同时参考图1、图2；通过第一电容110与第二电容120的比值计算出第一输出噪声信号的增益；通过电容组等效电容与偏置电容430的比值计算出第二输出噪声信号的增益，第一输出噪声信号的增益与第二输出噪声信号的增益相同，相位相反以相互抵消。

第一输出噪声信号的增益为:

第二输出噪声信号的其增益为：

  大小可以通过开关阵列调节，以使得

其中，Cpar为第一电容，Cfd为第二电容，Cnoican为电容组等效电容，Cbias为偏置电容，这样，源跟随晶体管上的所加的电源噪声通过两个通路到达输出端pxdo处，其幅值大小一样，符号相反，在输出端pxdo处相互抵消，起到抑制像素单元供电电源噪声的目的。

第二实施例：

请参考图3、图4,图3为本发明第二实施例中涉及的第一噪声通路的电路示意图。图4为本发明第二实施例中涉及的第二噪声通路的电路示意图。图3中，图像传感器像素单元的源跟随晶体管100的第一端1001接电源信号，源跟随晶体管100的第二端1002接浮置扩散区FD，源跟随晶体管100的第三端1003接偏置模块200及第一子输出端pxda,第一噪声通路还包括有增益模块；其中第一噪声通路还包括：连接于源跟随晶体管的第一电容110Cpar和第二电容120Cfd,第一电容110将电源信号的电源噪声耦合至浮置扩散区FD，并通过源跟随晶体管100输出至第一子输出端pxda连接。第一噪声通路还包括有：偏置模块200、增益模块300。偏置模块200包括：第一晶体管201、第二晶体管202，第一晶体管201的第一端2011接源跟随晶体管100的第三端1003，第一晶体管201的第二端1002接第二晶体管202的第一端2021，第二晶体管202的第二端接地，第二晶体管202的第三端接偏置电容210。增益模块300包括：第三晶体管301、第四晶体管302、第五晶体管303、第六晶体管304、第三电容310、第四电容320、第五电容330。其中，第三电容310的第一极连接有寄生的列电容130Ccol,第三电容310的第二级连接于第四电容320的第一级，第四电容320的第二级连接第二子节点340，第二子节点340分别连接第四晶体管302的第二端3022与第五晶体管303的第一端3031，第三晶体管301的第一端3011接第四晶体管302的第一端3021，第五晶体管303的第二端3032接第六晶体管304的第一端3041，第六晶体管304的第二端3042接地，第二子节点接输出端Pxdo并接第四电容330。在第一噪声通路中通过第一电容110与第二电容120的比值计算出第一输出噪声信号的增益。在本实施例中源跟随晶体管100、第一晶体管201、第二晶体管202、第五晶体管303、第六晶体管304为NMOS晶体管。第三晶体管301、第四晶体管302为PMOS晶体管。

请参见图4，在第二噪声通路中，包括：比例调节模块400，比例调节模块400连接至增益模块300。在本实施例中比例调节模块400为电容调节模块，电容调节模块的第一端401接源跟随晶体管100的电源信号；电容调节模块包括：选择控制电容组420和偏置电容430，所述电源信号经选择控制电容组420接第二端402；偏置电容430的一端接第二端402，另一端接地。选择控制电容组420由若干并联的电容组成，每一支路分别设置有开关适于控制每一电容通路的导通，每一支路的电容值按照2倍的比例设置，调节选择控制电容组的等效电容的大小接续调节等效电容与偏置电容430的比值，进而调节第二输出噪声信号。其中，电容组等效电容与偏置电容430的比值为1:10至1:20之间。还包括反相模块，第二端连接至反相模块500进一步连接至增益模块300，反相模块包括：第七晶体管501、第八晶体管502，所述第二端402接第七晶体管501的栅极，所述第七晶体管501的源级接地，漏极接第八晶体管502的漏极，所述八晶体管502的源级接电源信号，所述第八晶体管502的栅极接反相输出信号至增益模块300。

请同时参考图3、图4；通过第一电容110与第二电容120的比值计算出第一输出噪声信号的增益；通过电容组等效电容与偏置电容430的比值计算出第二输出噪声信号的增益，第一输出噪声信号的增益与第二输出噪声信号的增益相同，相位相反以相互抵消。

第一输出噪声信号的增益为:

第二输出噪声信号的其增益为：

因为第六晶体管304、第七晶体管501电流及尺寸相等；第三晶体管301、第八晶体管502的电流及尺寸相等，所以

   ,   

  大小可以通过开关阵列调节，以使得

其中，Cpar为第一电容，Cfd为第二电容，Cnoican为电容组等效电容，Cbias为偏置电容，这样，源跟随晶体管上的所加的电源噪声通过两个通路到达输出端pxdo处，其幅值大小一样，符号相反，在输出 端pxdo处相互抵消，起到抑制像素单元供电电源噪声的目的。

第三实施例：

请参考图5、图6,图5为本发明第三实施例中涉及的第一噪声通路的电路示意图。图6为本发明第三实施例中涉及的第二噪声通路的电路示意图。图5中，图像传感器像素单元的源跟随晶体管100的第一端1001接电源信号VPIX，源跟随晶体管100的第二端1002接浮置扩散区FD，源跟随晶体管100的第三端1003接偏置模块200及第一子输出端pxda；其中第一噪声通路还包括：连接于源跟随晶体管100的第一电容110Cpar和第二电容120Cfd,第一电容110将电源信号的电源噪声耦合至浮置扩散区FD，并通过源跟随晶体管100输出至第一子输出端pxda连接。第一噪声通路还包括有：偏置模块200、比较器600。偏置模块200包括：第一晶体管201、第二晶体管202，第一晶体管201的第一端2011接源跟随晶体管100的第三端1003，第一晶体管201的第二端1002接第二晶体管202的第一端2021，第二晶体管202的第二端接地，第二晶体管202的第三端接偏置电容210。比较器包括：第九晶体管601、第十晶体管602、第十一晶体管603、第十二晶体管604、第十三晶体管605、第十四晶体管606。其中，比较器第一端6001接第一子输出端pxda,比较器第二端6002接输出端pxdo,比较器第三端6003接斜波信号Vramp。其中，输出端pxdo与斜波信号Vramp相位相同。在第一噪声通路中通过第一电容110与第二电容120的比值计算出第一输出噪声信号的增益。其中，源跟随晶体管100、第一晶体管201、第二晶体管202、第十一晶体管603、第十二晶体管604、第十三晶体管605、第十四晶体管606为NMOS晶体管；第九晶体管601、第十晶体管602为PMOS晶体管。

请参见图6，在第二噪声通路中，包括：比例调节模块400’,比例调节模块400’连接至斜波信号Vramp的节点再连接至比较器600，在本实施例中，比例调节模块400’为电阻调节模块，所述电阻调节模块的第一端401’接源跟随晶体管100的电源信号VPIX；电阻调节模块包括：选择控制电阻组420’和偏置电阻430’,所述电源信号经选择控制电阻组420’接第二端402’;偏置电阻430’的一端接第二端402’并连接至电流源440’,另一端接地。选择控制电阻组420’由若干并联的电阻组成，每一支路分别设置有开关适于控制每一电阻通路的导通，每一支路的电阻值按照2倍的比例设置，调节选择控制电阻组的等效电阻的大小，进而调节等效电阻与偏置电阻430’的比值，进而调节第二输出噪声信号。其中，电阻组等效电阻与偏置电阻430’的比值10:1至20:1之间。在本实施例中，第二输出噪声信号与第一输出噪声信号的幅值相同，相位相同。

请同时参考图5、图6；通过第一电容110与第二电容120的比值计算出第一输出噪声信号的增益；通过电阻组等效电容与偏置电阻430’的比值计算出第二输出噪声信号的增益，第一输出噪声信号的增益与第二输出噪声信号的增益相同，相位相同以相互抵消。

在第一噪声通路中，第一子输出端pxda处增益为:

 

在第二噪声通路中，电源上的噪声通过电阻组等效电容与偏置电阻430’分压引入到斜波信号Vramp处，再通过比较器600到输出端pxdo处被量化到数字域体现到图像上。

其到斜波信号vramp处增益为:

因为vramp与pxda到pxdo处增益的相位相反；所以要消除电源上的噪声，只要其到vramp与pxda处的增益幅度相同，相位相同即可

电阻组等效电容大小可以通过选择控制电阻组，以使得

这样，电源上的噪声通过两个通路分别到达比较器600的正负输入端，其幅值大小一样，符号相同，在比较器600处相互抵消，起到抑制像素单元供电电源噪声的目的。

尽管在附图和前述的描述中详细阐明和描述了本发明，应认为该阐明和描述是说明性的和示例性的，而不是限制性的；本发明不限于上述实施方式。

那些本技术领域的一般技术人员能够通过研究说明书、公开的内容及附图和所附的权利要求书，理解和实施对披露的实施方式的其他改变。在本发明的实际应用中，一个零件可能执行权利要求中所引用的多个技术特征的功能。在权利要求中，措词“包括”不排除其他的元素和步骤，并且措辞“一个”不排除复数。权利要求中的任何附图标记不应理解为对范围的限制。

Claims (17)

1.一种适用于CMOS图像传感器的电源噪声抵消电路，所述电路包括：

第一噪声通路，电源噪声通过源跟随晶体管输出第一输出噪声信号；

第二噪声通路，电源噪声通过比例调节模块输出第二输出噪声信号，所述第一输出噪声信号与第二输出噪声信号幅值相同，以相互抵消噪声。

2.根据权利要求1所述的适用于CMOS图像传感器的电源噪声抵消电路，其特征在于，所述第二噪声通路中，所述电源噪声通过比例调节模块连接至增益模块,输出的第二输出噪声信号与第一输出噪声信号幅值相同，相位相反。

3.根据权利要求1所述的适用于CMOS图像传感器的电源噪声抵消电路，其特征在于，所述第二噪声通路中，所述电源噪声通过比例调节模块连接至偏置模块的第一节点再连接至增益模块, 输出的第二输出噪声信号与第一输出噪声信号幅值相同，相位相反。

4.根据权利要求1所述的适用于CMOS图像传感器的电源噪声抵消电路，其特征在于，所述第二噪声通路中，所述电源噪声通过比例调节模块连接至斜坡电压信号的节点再连接至比较器,输出的第二输出噪声信号与第一输出噪声信号幅值相同，相位相同。

5.根据权利要求2或3所述的适用于CMOS图像传感器的电源噪声抵消电路，其特征在于，所述比例调节模块为电容调节模块，所述电容调节模块的第一端接源跟随晶体管的电源，所述电源经选择控制电容组接第二端；偏置电容的一端接所述第二端，另一端接地。

6.根据权利要求5所述的适用于CMOS图像传感器的电源噪声抵消电路，其特征在于，调节所述的选择控制电容组的电容大小，以调节电容组的等效电容与所述偏置电容的比值，进而调节第二输出噪声信号。

7.根据权利要求6所述的适用于CMOS图像传感器的电源噪声抵消电路，其特征在于，所述选择控制电容组等效电容与所述偏置电容的比值为1:10至1:20之间。

8.根据权利要求6所述的适用于CMOS图像传感器的电源噪声抵消电路，其特征在于，所述选择控制电容组为并联的电容，每一支路分别设置有开关。

9.根据权利要求8所述的适用于CMOS图像传感器的电源噪声抵消电路，其特征在于，所述选择控制电容组中每一支路的电容值按照2倍的比例设置。

10.根据权利要求2所述的适用于CMOS图像传感器的电源噪声抵消电路，其特征在于，所述第二噪声通路中还包括反相模块，所述反相模块包括：第一NMOS晶体管、第一PMOS晶体管，所述第二端接第一NMOS晶体管的栅极，所述第一NMOS晶体管的源级接地，漏极接第一PMOS晶体管的漏极，所述第一PMOS晶体管的源级接电源电压，所述PMOS晶体管的栅极接反相输出信号。

11.根据权利要求5所述的适用于CMOS图像传感器的电源噪声抵消电路，其特征在于，第一噪声通路包括：连接于源跟随晶体管的第一电容和第二电容，所述第一电容将电源噪声耦合至浮置扩散区，并通过所述源跟随晶体管输出至第一子输出端，第一子输出端的连接偏置模块、增益模块。

12.根据权利要求11所述的适用于CMOS图像传感器的电源噪声抵消电路，其特征在于，根据第一电容与第二电容的比值计算出第一输出噪声信号的增益；通过电容组等效电容与所述偏置电容的比值计算出第二输出噪声信号的增益，所述第一输出噪声信号的增益与第二输出噪声信号的增益相同。

13.根据权利要求4所述的适用于CMOS图像传感器的电源噪声抵消电路，其特征在于，所述比例调节模块为电阻调节模块，所述电阻调节模块的第一端接源跟随晶体管的电源，所述电源经选择控制电阻组接第二端；偏置电阻的一端接所述第二端，另一端接地；电流源接第二端。

14.根据权利要求13所述的适用于CMOS图像传感器的电源噪声抵消电路，其特征在于，调节所述的选择控制电阻组的大小，以调节电阻组的等效电阻与所述偏置电阻的比值，进而调节第二输出噪声信号。

15.根据权利要求14所述的适用于CMOS图像传感器的电源噪声抵消电路，其特征在于，所述选择控制电阻组为并联的电阻，每一支路分别设置有开关。

16.根据权利要求13所述的适用于CMOS图像传感器的电源噪声抵消电路，其特征在于，第一噪声通路包括：连接于源跟随晶体管的第一电容和第二电容，所述第一电容将电源噪声耦合至浮置扩散区，并通过所述源跟随晶体管输出至第一子输出端，第一子输出端的一端连接偏置模块，另一端连接比较器。

17.根据权利要求16所述的适用于CMOS图像传感器的电源噪声抵消电路，其特征在于，根据第一电容与第二电容的比值计算出第一输出噪声信号的增益；通过电阻组等效电阻与所述偏置电阻的比值计算出第二输出噪声信号的增益，所述第一输出噪声信号的增益与第二输出噪声信号的增益相同。