CN202549856U - 晶体硅电池背面电极结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及晶体硅太阳能电池的制造领域,一种晶体硅电池背面电极结构,其特征在于:所述电极栅线为镂空或凹陷在硅片的背面,其中镂空电极栅线为多个长方形银导体框架串联而成,各个框架之间有导线连接。本实用新型节省太阳能电池背面的电极浆料使用量,降低晶体硅太阳能电池的单瓦成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及晶体硅太阳能电池的制造领域,一种晶体硅电池背面电极结构。
背景技术
随着光伏产业的发展,太阳能电池的应用越来越多,降低电池片的生产成本,成为每个公司研究的重点,而目前传统电池片的背面电极,通常采用丝网印刷贵金属银浆料的方式制备得到。而随着生产浆料技术和组件焊接技术的改进,原有的电池背面电极的形状及对金属的用量设计,已超过背电极作为导电及用于焊接的用途。对电池片重新设计电极结构,提高生产效率,降低生产成本。
发明内容
本实用新型的目的就是为了解决现有技术的不足,而提供一种晶体硅电池背面电极结构,节省太阳能电池背面的电极浆料使用量。
本实用新型的技术方案是,一种晶体硅电池背面电极结构,所述电极栅线为镂空或凹陷在硅片的背面。
所述镂空电极栅线为多个长方形银导体框架串联而成,各个框架之间有导线连接。
本实用新型的有益效果为:通过减小太阳能电池背面电极在硅片上的面积,既不影响焊接和电池效率,同时节省太阳能电池背面的电极浆料使用量,降低晶体硅太阳能电池的单瓦成本。由于各个框架之间有导线连接,避免了一处焊接不好而影响电池片电性能的缺点。
附图说明:
图1为本实用新型凹陷电极的结构示意图。
图2为本实用新型镂空电极的结构示意图。
其中,1.背铝,2.硅片,3.背面电极,4.电极镂空区。
具体实施方式:
为了更好地理解本实用新型,下面结合附图来详细说明本实用新型的技术方案。
具体实施方式一:如图1所示,一种晶体硅电池背面电极结构,所述电极栅线为凹陷在硅片的背面。
具体实施方式二:如图2所示,一种晶体硅电池背面电极结构,,所述电极栅线为镂空,镂空电极栅线为多个长方形银导体框架串联而成,各个框架之间有导线连接。
Claims (2)
1.一种晶体硅电池背面电极结构,其特征在于:所述电极栅线为镂空或凹陷在硅片的背面。
2.根据权利要求1所述的晶体硅电池背面电极结构,其特征在于:所述镂空电极栅线为多个长方形银导体框架串联而成,各个框架之间有导线连接。
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