CN202474849U

CN202474849U - 摆转式脱离告警浪涌吸收保护器

Info

Publication number: CN202474849U
Application number: CN2012200467655U
Authority: CN
Inventors: 曾清隆
Original assignee: LONGKE ELECTRONIC (HUIYANG) CO Ltd
Current assignee: LONGKE ELECTRONIC (HUIYANG) CO Ltd
Priority date: 2012-02-14
Filing date: 2012-02-14
Publication date: 2012-10-03
Anticipated expiration: 2022-02-14

Abstract

本实用新型公开了一种摆转式脱离告警浪涌吸收保护器，它包括有盒体，盒体内安设半导体陶瓷芯片和脱扣电极片，脱扣电极片与半导体陶瓷芯片的一个端面相贴合，盒体上安设有与半导体陶瓷芯片前后端面相导通的电极引出脚和电极脚，其特征在于所述的脱扣电极片上设有凸起面，所述的电极引出脚上端通过连接片连接焊接板，焊接板通过可熔合金与脱扣电极片凸起面相焊接，所述的盒体上设有芯轴安设遮断板，遮断板配置扭簧，构成摆转式遮断板，所述的摆转式遮断板设有周向止挡位与焊接板相配置，且在遮断板上还设有控制微动告警开关闭合的拨块。由于脱扣电极片呈凸起面，不仅增强了热传导效率，提高了热脱离响应时间、告警及时、而且安全可靠性高。

Description

摆转式脱离告警浪涌吸收保护器

技术领域

本实用新型涉及一种浪涌吸收保护器，特别涉及摆转式脱离告警浪涌吸收保护器。

背景技术

常规限压型SPD(Surge Protective Device浪涌保护器)具有特殊的非线性电流-电压特性。主要是由被动电子元件MOV(Metal Oxide Varistors)构成。一旦发生异常状况时，比如遭遇雷击、电磁场干扰，电源开关频繁动作、电源系统故障，使得线路上电压突增，超过SPD的导通电压，就会进入导通区。此时电流(I)和电压(V)呈非线性关系，一般称之为非线性系数(Nonlinearity Parameter)，其值可达数十或上百。此时SPD阻抗会变低，仅有几个奥姆，让过电压形成突波电流而流出，藉以保护所连接的电子产品或昂贵组件。

常規SPD器件与线路连接的脱离，是依靠在被动电子元件脱扣电极片中间某个部位，冲压成П型，并向上打弯折，做出引出片。其尺寸为30mm²(5×6mm)面积左右。由于面积小，将被动电子元件失效前产生的高热引出来，熔化温度可熔合金，所用的加热时间势必要长，而由它引发的整个器件的热脱离响应时间也相对滞后变长。且它的告警开关是附在专用底座上，插入后利用摆杆拨动开关，没有底座就无报警功能，不可单独使用。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术存在的不足而提供一种相应时间短、脱离告警及时、安全可靠性高的摆转式脱离告警浪涌吸收保护器。

本实用新型为解决上述问题所采用的技术方案为：

包括有盒体，盒体内安设半导体陶瓷芯片和脱扣电极片，脱扣电极片与半导体陶瓷芯片的一个端面相贴合，盒体上安设有与半导体陶瓷芯片前后端面相导通的电极引出脚和电极脚，其特征在于所述的脱扣电极片上设有凸起面，所述的电极引出脚上端通过连接片连接焊接板，焊接板通过可熔合金与脱扣电极片凸起面相焊接，所述的盒体上设有芯轴安设遮断板，遮断板配置扭簧，构成摆转式遮断板，所述的摆转式遮断板设有周向止挡位与焊接板相配置，且在遮断板上还设有控制微动告警开关闭合的拨块。

按上述技术方案，所述的微动告警开关安设在盒体上，并与摆转式遮断板上的拨块相对应。

按上述技术方案，所述的摆转式遮断板上设有凹槽，焊接板位于凹槽内，在凹槽的上方内侧对应于焊接板设置止挡板，构成周向止挡位。

按上述技术方案，所述的止挡板呈鹰嘴结构，焊接板内侧设有缺口与该鹰嘴结构相配置。

按上述技术方案，所述的摆转式遮断板呈盘形，中部套装在芯轴上并配置扭簧。

按上述技术方案，所述的摆转式遮断板上设有向外伸出弯折端头的摆转限位杆，盒体上对应设有限位窗口与摆转限位杆的弯折端头相配置。

按上述技术方案，所述微动告警开关设置在盒体的上端，与摆转式遮断板的摆转位置相配置，所述的摆转式遮断板上设有上下拨块，上拨块与微动告警开关的触片相配置；当处于正常工作状况时，摆转式遮断板上的上拨块按住上微动告警开关的触片；当形成失效过温保护时，在扭簧的作用下摆转式遮断板绕芯轴摆转，上拨块脱开上微动告警开关，下拨块随遮断板一起摆动，可与对应安设的另一微动告警开关相配置。

按上述技术方案，所述的半导体陶瓷芯片为压敏电阻芯片或热敏电阻芯片。

按上述技术方案，所述的电极引出脚和电极脚安设在盒体的下方两侧。

本实用新型的工作过程为：在正常状态下半导体陶瓷芯片的阻值很大，电极脚和电极引出脚处于不导通状态。当发生异常状况时，使得线路上电压突增，超过半导体陶瓷芯片的导通电压，就会进入导通区，此时，半导体陶瓷芯片阻抗会变低，仅有几个欧姆，让过电压形成突波电流而流出，藉以保护所连接的电子产品或昂贵组件。如果半导体陶瓷芯片失效，所产生的高热会被引至脱扣电极片，达到可熔合金的熔化温度，凸起面上焊接的可熔合金焊点被熔化，对摆转式遮断板的定位失效，在扭簧的作用下遮断板旋转，上下拨块均脱开盒体内告警开关和专用插座內告警开关，使两个告警同时动作。摆转式遮断板上的鹰嘴结构随遮断板的摆转由缺口切入焊接板使脱扣电极片的凸起面与焊接板相脱离，阻隔切断可能联接的通路，实现脱离电源连接并告警的保护功能。

本实用新型有益效果在于：

1、由于凸突面与电极片是个整体，减少了现有产品电极弯折引出片小面积传导大面积热过程中的热损耗，提高了热脱离响应时间。

2、摆转式遮断板上止档板的设置对切断电极引出脚与半导体陶瓷芯片电气联接瞬间所产生的拉弧起着良好的阻隔遮断作用，克服了常规产品由于拉弧而导致火灾的隐患。

3、双拨块对应设置双开关的安装保证在任何恶劣状况下，均有状态信号输出，提高了可靠性，而且操作方便。

4、通过更换电极脚和电极引出脚，可方便变换PCB板或任意的专用底座安装模式。

附图说明

图1是本实用新型一个实施例的正视结构图。

图2是本实用新型一个实施例过温失效保护状态的正视状态图。

图3是本实用新型一个实施例的各零件安装位置示意图。

图4是本实用新型一个实施例中摆转式遮断板的立体结构图。

图5是本实用新型一个实施例中摆转式遮断板上止挡板的局部结构放大立体图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型实施例作进一步说明。包括有矩形的盒体1，盒体内安设半导体陶瓷芯片9和脱扣电极片6。所述的半导体陶瓷芯片为压敏电阻芯片，脱扣电极片6与半导体陶瓷芯片9的一个端面相贴合，脱扣电极片6上设有矩形凸起面6a，凸起面突起高度为0.5-5mm。在盒体上下方两侧安设有与半导体陶瓷芯片前后端面相导通的电极脚8和电极引出脚4，电极脚8和电极引出脚4为片状、线状或者任意形状，便于与底座插拔联接，电极脚8与半导体陶瓷芯片的后端面相导通，电极引出脚4通过脱扣电极片与半导体陶瓷芯片的前端面相导通。电极引出脚4上端通过连接片连接焊接板4a，焊接板4a通过充填温度可熔合金焊点5与脱扣电极片6的凸起面6a相焊接。盒体1上设有芯轴1a，遮断板3呈盘形，其上设有孔与芯轴进行卡位固定，扭簧7两端分别固定在芯轴和摆转式遮断板上的小孔1a₁、3e中，构成摆转式遮断板；摆转式遮断板上设有凹槽，焊接板设置于凹槽内，在凹槽上方内侧设有止档板3d，构成周向止档位。止档板呈向下的鹰嘴结构3c，焊接板内侧设有缺口4b，鹰嘴结构插入焊接板的缺口4b中。盒体内右上端安设有微动告警开关2，摆转式遮断板上设有上下拨块3a、3b，上端微动告警开关与遮断板上拨块3a位置相对应，遮断板下拨块3b位置与原有底座告警开关对应。当处于正常工作状况时上下拨块3a、3b分别顶着两个告警开关，当形成过温失效保护时，温度可熔合金焊点5被熔化，在扭簧的作用下遮断板摆转，使得上下拨块偏离原位，失去顶力的告警开关复位，节点闭合。由于遮断板在安装时己将鹰嘴结构部位揷入焊接板的缺口中，所以在摆转时会将焊接板4a稍稍抬起2mm左右，止挡板靠扭力插入，完全阻隔了电极脚4与脱扣电极片6的电气连接，切断了可能产生的电弧连接，提高了安全性。为了有效的限制摆转式遮断板的的摆转角度还在其上设有摆转限位杆3f，该摆转限位杆向盒体外伸出且呈弯折端头状，在盒体1上对应设有限位窗口1b，以限制摆转限位杆摆动位置。外盒体10罩在盒体1上防止灰尘通过限位窗口进入盒体以保护盒体内的各个零部件。

双拨块对应设置双开关，在半导体陶瓷芯片失效任何情况下，会同时或至少输出一个告警信号，使报警可靠性大大提高，避免常规产品出现的误报漏报。

Claims

1.一种摆转式脱离告警浪涌吸收保护器，包括有盒体，盒体内安设半导体陶瓷芯片和脱扣电极片，脱扣电极片与半导体陶瓷芯片的一个端面相贴合，盒体上安设有与半导体陶瓷芯片前后端面相导通的电极引出脚和电极脚，其特征在于所述的脱扣电极片上设有凸起面，所述的电极引出脚上端通过连接片连接焊接板，焊接板通过可熔合金与脱扣电极片凸起面相焊接，所述的盒体上设有芯轴安设遮断板，遮断板配置扭簧，构成摆转式遮断板，所述的摆转式遮断板设有周向止挡位与焊接板相配置，且在遮断板上还设有控制微动告警开关闭合的拨块。

2.根据权利要求1所述的摆转式脱离告警浪涌吸收保护器，其特征在于所述的微动告警开关安设在盒体上，并与摆转式遮断板上的拨块相对应。

3.根据权利要求1或2所述的摆转式脱离告警浪涌吸收保护器，其特征在于所述的摆转式遮断板上设有凹槽，焊接板位于凹槽内，在凹槽的上方内侧对应于焊接板设置止挡板，构成周向止挡位。

4.根据权利要求3所述的摆转式脱离告警浪涌吸收保护器，其特征在于所述的止挡板呈鹰嘴结构，焊接板内侧设有缺口与该鹰嘴结构相配置。

5.根据权利要求1或2所述的摆转式脱离告警浪涌吸收保护器，其特征在于所述的摆转式遮断板呈盘形，中部套装在芯轴上并配置扭簧。

6.根据权利要求1或2所述的摆转式脱离告警浪涌吸收保护器，其特征在于所述的摆转式遮断板上设有向外伸出弯折端头的摆转限位杆，盒体上对应设有限位窗口与摆转限位杆的弯折端头相配置。

7.根据权利要求1或2所述的摆转式脱离告警浪涌吸收保护器，其特征在于所述微动告警开关设置在盒体的上端，与摆转式遮断板的摆转位置相配置，所述的摆转式遮断板上设有上下拨块，上拨块与微动告警开关的触片相配置；当处于正常工作状况时，摆转式遮断板上的上拨块按住上微动告警开关的触片；当形成失效过温保护时，在扭簧的作用下摆转式遮断板绕芯轴摆转，上拨块脱开上微动告警开关，下拨块随遮断板一起摆动，与对应安设的另一微动告警开关相配置。

8.根据权利要求1或2所述的摆转式脱离告警浪涌吸收保护器，其特征在于所述的半导体陶瓷芯片为压敏电阻芯片或热敏电阻芯片。

9.根据权利要求1或2所述的摆转式脱离告警浪涌吸收保护器，其特征在于所述的电极引出脚和电极脚安设在盒体的下方两侧。