CN202473916U - 具有高显色指数的led封装结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种具有高显示指数的LED封装结构，包括有LED芯片装置和封装支架，所述LED芯片装置上涂敷有荧光粉层，所述LED芯片装置由蓝光LED芯片单元及用作补充辐照强度较弱区域的红光LED芯片单元和青光LED芯片单元组成，且所述蓝光LED芯片单元、红光LED芯片单元和青光LED芯片单元一并设于所述封装支架上。这样，本实用新型所发射到照明区域内的色彩更饱和，显色指数更高，其照明范围内的对象表现更清晰、着色更自然，而且三种LED芯片面积之比为：10∶3∶1，保证本LED封装结构所发光线在得到有效补充辐射强度、提高显色指数的同时，光线仍主要表现为白色，不因另外两LED芯片发出的红色光线和青色光线而产生影响，造成明显色差。

Description

具有高显色指数的LED封装结构

技术领域

本实用新型属于LED封装技术及其应用领域，尤其涉及一种具有高显色指数的LED封装结构。

背景技术

近年来，国内外LED产业均以日新月异的速度迅猛发展，尤其LED照明方面，其以节能、环保、高效的优势已快速地普及到各种场合的照明使用中，逐步取代传统的照明方式。在这些LED照明装置的应用中，以发白光的LED照明装置应用最广，其发光及呈色原理一般采用在蓝光LED芯片表面涂敷黄色荧光粉层，并对其进行封装，但从这些蓝光LED芯片的激发黄色荧光粉产生白光的光谱图可以看出，激发产生的白光在波长在480nm～520nm和610nm～650nm区域的光线辐照强度很弱，发光亮度小，导致普通LED灯的显色指数(CRI)一般仅为60～75，使在其照明区域内的照明对象表现出模糊或不自然着色的外观。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述技术问题，本实用新型的目的在于提供一种具有高显色指数的LED封装结构，照明区域内的色彩更饱和，显色指数更高，其照明范围内的对象表现更清晰、着色更自然。

本实用新型是通过以下技术方案来实现的：

具有高显色指数的LED封装结构，包括有LED芯片装置和封装支架，所述LED芯片装置上涂敷有荧光粉层；其中，所述LED芯片装置包括有蓝光LED芯片单元、用作补充光线辐照强度较弱区域的红光LED芯片单元和青光LED芯片单元，且所述蓝光LED芯片单元、红光LED芯片单元和青光LED芯片单元一并设置于所述封装支架上。

所述蓝光LED芯片单元、红光LED芯片单元和青光LED芯片单元的面积之比为10∶3∶1。

所述荧光粉层采用黄色荧光粉层。

本实用新型的有益效果如下：

本实用新型的具有高显色指数的LED封装结构，由于LED芯片装置包括有蓝光LED芯片单元、用作补充光线辐照强度较弱区域的红光LED芯片单元和青光LED芯片单元，青光LED芯片单元和红光LED芯片单元所发出的光线正好叠加、合成到蓝光LED芯片单元激发荧光粉层所产生的白光频谱中光线辐照强度很弱的区域内，进行有效的缺失填补，照明区域内的色彩更饱和，显色指数更高，其照明范围内的对象表现更清晰、着色更自然，而且三种LED芯片单元的面积采用10∶3∶1的比例，在有效补充辐射强度、提高显色指数的同时，保证本实用新型的具有高显色指数的LED封装结构所发出的光线仍主要表现为白色，几乎不因另外两LED芯片发出的红色光线和青色光线而产生影响，不会造成明显色差。

附图说明

图1是本实用新型具有高显色指数的LED封装结构的立体结构示意图；

图2是本实用新型具有高显色指数的LED封装结构的光谱示意图。

附图标记说明：

1、LED芯片装置，11、蓝光LED芯片单元，12、红光LED芯片单元，13、青光LED芯片单元，2、封装支架，21、电极触脚，3、荧光粉层。

具体实施方式

请见图1、图2，本实用新型公开了一种具有高显色指数的LED封装结构，包括有LED芯片装置1和封装支架2，所述LED芯片装置1上涂敷有荧光粉层3；其中，所述LED芯片装置1包括有蓝光LED芯片单元11、用作补充光线辐照强度较弱区域的红光LED芯片单元12和青光LED芯片单元13，且所述蓝光LED芯片单元11、红光LED芯片单元12和青光LED芯片单元13一并设置于所述封装支架上。

所述蓝光LED芯片单元11、红光LED芯片单元12和青光LED芯片单元13的面积之比为10∶3∶1。

所述荧光粉层3采用黄色荧光粉层。

所述封装支架2外侧设置有电极触脚21，所述电极触脚21通过设于所述封装支架2内的电路层分别与所述蓝光LED芯片单元11、红光LED芯片单元12和青光LED芯片单元13的正极和负极分别导通连接。

所述蓝光LED芯片单元11、红光LED芯片单元12和青光LED芯片单元13分别为：包括有多颗蓝光LED芯片的蓝光LED芯片组、包括有多颗红光LED芯片的红光LED芯片组和包括有多颗青光LED芯片的青光LED芯片组。

所述蓝光LED芯片组、红光LED芯片组和青光LED芯片组的面积之比为10∶3∶1。

所述红光LED芯片为一种波长为610nm～650nm的LED红光芯片，所述青光LED芯片为一种波长为480nm～520nm的青光LED芯片。

所述封装支架2外侧设有六个电极触脚21，包括有三个正极触脚和三个负极触脚，通过设于封装支架2内的电路层分别与蓝光LED芯片单元11、红光LED芯片单元12和青光LED芯片单元13的正极和负极导通连接。

三个所述正极触脚和三个负极触脚分别设置在封装支架2的两侧。

实施例：

请见图1、图2，本实用新型提供的具有高显色指数的LED封装结构，包括有LED芯片装置1和封装支架2，其中，LED芯片装置1包括有蓝光LED芯片单元11、红光LED芯片单元12和青光LED芯片单元13，且所述蓝光LED芯片单元11、红光LED芯片单元12和青光LED芯片单元13的面积之比为10∶3∶1，并设于封装支架2上，其表面还涂敷有(黄色)荧光粉层3；封装支架2外侧还设有六个电极触脚21，包括有三个正极触脚和三个负极触脚，并通过设于封装支架2内的电路层(图中未表示出来)分别与蓝光LED芯片单元11、红光LED芯片单元12和青光LED芯片单元13的正极和负极导通连接。当在常温下LED芯片装置1通电亮启时，蓝光LED芯片单元11发出的蓝色光线被荧光粉层3吸收、激发荧光粉层3发出白色光线，同时，红光LED芯片单元12和青光LED芯片单元13分别发出红色光线和青色光线，并均从荧光粉层3透射至照明区域。由于蓝光LED芯片单元11激发荧光粉层3所产生的白光频谱110的辐照强度集中在窄峰值波长为450nm附近和宽峰值波长为550nm～560nm附近的范围内，青光LED芯片单元13所发出的青色光线的频谱130中辐照强度集中在峰值波长为495nm附近(即480nm～520nm)范围内，红光LED芯片单元12所发出的红色光线的频谱120辐照强度集中在峰值波长为625nm附近(即610nm～650nm)范围内，青光LED芯片单元13所发出的青色光线的频谱130和红光LED芯片单元12所发出的红色光线的频谱120正好叠加、合成到蓝光LED芯片单元11激发荧光粉层3所产生的白光频谱110中辐照强度很弱的480nm～520nm和610nm～650nm区域内，进行有效的缺失填补。这样，本实用新型所发射到照明区域内的色彩更饱和，显色指数更高(约为95)，其照明范围内的对象表现更清晰、着色更自然，而且三种LED芯片单元的面积采用10∶3∶1的比例，在有效补充辐射强度、提高显色指数的同时，保证本LED封装结构所发出的光线仍主要表现为白色，几乎不因另外两LED芯片发出的红色光线和青色光线而产生影响，造成明显色差。

当然，所述蓝光LED芯片单元11、红光LED芯片单元12和青光LED芯片单元13均为芯片组，分别由多颗蓝光LED芯片、红光LED芯片和青光LED芯片组成，所有蓝光LED芯片组、红光LED芯片组和青光LED芯片组的面积之比仍保持为10∶3∶1。

本说明只对本实用新型的实施案例做了详述和说明，虽然其在形式和结构上具有一定的特殊性，但是这些特殊仅仅是为了描述和说明本实用新型，并不会影响到对本实用新型的任何限制。

上述所列具体实现方式为非限制性的，对本领域的技术人员来说，在不偏离本实用新型的范围内，进行的各种改进和变化，均属于本实用新型的保护范围。

Claims (9)

1.具有高显色指数的LED封装结构，包括有LED芯片装置(1)和封装支架(2)，所述LED芯片装置(1)上涂敷有荧光粉层(3)；其特征在于：所述LED芯片装置(1)包括有蓝光LED芯片单元(11)、用作补充光线辐照强度较弱区域的红光LED芯片单元(12)和青光LED芯片单元(13)，且所述蓝光LED芯片单元(11)、红光LED芯片单元(12)和青光LED芯片单元(13)一并设置于所述封装支架上。

2.如权利要求1所述的具有高显色指数的LED封装结构，其特征在于：所述蓝光LED芯片单元(11)、红光LED芯片单元(12)和青光LED芯片单元(13)的面积之比为10∶3∶1。

3.如权利要求2所述的具有高显色指数的LED封装结构，其特征在于：所述荧光粉层(3)采用黄色荧光粉层。

4.如权利要求3所述的具有高显色指数的LED封装结构，其特征在于：所述封装支架(2)外侧设置有电极触脚(21)，所述电极触脚(21)通过设于所述封装支架(2)内的电路层分别与所述蓝光LED芯片单元(11)、红光LED芯片单元(12)和青光LED芯片单元(13)的正极和负极分别导通连接。

5.如权利要求1至4中任一项所述的具有高显色指数的LED封装结构，其特征在于：所述蓝光LED芯片单元(11)、红光LED芯片单元(12)和青光LED芯片单元(13)分别为：包括有多颗蓝光LED芯片的蓝光LED芯片组、包括有多颗红光LED芯片的红光LED芯片组和包括有多颗青光LED芯片的青光LED芯片组。

6.如权利要求5所述的具有高显色指数的LED封装结构，其特征在于：所述蓝光LED芯片组、红光LED芯片组和青光LED芯片组的面积之比为10∶3∶1。

7.如权利要求6所述的具有高显色指数的LED封装结构，其特征在于：所述红光LED芯片为一种波长为610nm～650nm的LED红光芯片，所述青光LED芯片为一种波长为480nm～520nm的青光LED芯片。

8.如权利要求5所述的具有高显色指数的LED封装结构，其特征在于：所述封装支架(2)外侧设有六个电极触脚(21)，包括有三个正极触脚和三个负极触脚，通过设于封装支架(2)内的电路层分别与蓝光LED芯片单元(11)、红光LED芯片单元(12)和青光LED芯片单元(13)的正极和负极导通连接。

9.如权利要求8所述的具有高显色指数的LED封装结构，其特征在于：三个所述正极触脚和三个负极触脚分别设置在封装支架(2)的两侧。

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