CN202372613U - 在晶圆级对霍尔器件进行测试的装置 - Google Patents

在晶圆级对霍尔器件进行测试的装置 Download PDF

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CN202372613U CN 201120528040 CN201120528040U CN202372613U CN 202372613 U CN202372613 U CN 202372613U CN 201120528040 CN201120528040 CN 201120528040 CN 201120528040 U CN201120528040 U CN 201120528040U CN 202372613 U CN202372613 U CN 202372613U
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谢晋春
周伟平
桑浚之
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Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
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Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd
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Abstract

本实用新型公开了一种在晶圆级对霍尔器件进行测试的装置,包括吸盘,吸盘的上方设置有探卡,探卡与吸盘之间设有间隙;探卡上设置有线圈,线圈的中间固定设置有磁芯;探卡通过电缆线连接测试仪;通过测试仪控制通过线圈的电流大小及方向,实现对线圈产生磁场的大小、磁场方向的控制。本实用新型能够实现在晶圆级对霍尔器件的多DUT同测,大量缩短测试时间,降低测试成本,提升测试效率。本实用新型能够为DUT提供一个精度及稳定性较高的磁场,能够实现在晶圆级对霍尔器件的精确测试。

Description

在晶圆级对霍尔器件进行测试的装置
技术领域
本实用新型涉及一种半导体测试设备,具体涉及一种在晶圆级对霍尔器件进行测试的装置。
背景技术
霍尔器件在晶圆级的测试是一个难题。目前,霍尔器件在晶圆级的测试只能进行单DUT(Device Under Test,被测装置)测试。随着技术的发展,芯片的面积越来越小,一枚晶圆上的芯片少则上万多则十几万乃至二十几万,在晶圆级进行单DUT测试,其测试时间需要几个小时至几天时间,导致测试成本过高。另外,现有的测试方法,结果也不十分准确。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种在晶圆级对霍尔器件进行测试的装置,它可以实现多DUT同测。
为解决上述技术问题,本实用新型在晶圆级对霍尔器件进行测试的装置的技术解决方案为:
包括吸盘,吸盘的上方设置有探卡,探卡与吸盘之间设有间隙;探卡上设置有线圈,线圈的中间固定设置有磁芯;探卡通过电缆线连接测试仪;通过测试仪控制通过线圈的电流大小及方向,实现对线圈产生磁场的大小、磁场方向的控制。
所述探卡为单被测装置、双被测装置、256被测装置或者256被测装置以上同测。
所述线圈产生磁场强度的面积大于探卡所包含被测装置的面积总和。
本实用新型可以达到的技术效果是:
本实用新型能够实现在晶圆级对霍尔器件的多DUT同测,大量缩短测试时间,降低测试成本,提升测试效率。
本实用新型能够为DUT提供一个精度及稳定性较高的磁场,能够实现在晶圆级对霍尔器件的精确测试。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明:
图1是本实用新型在晶圆级对霍尔器件进行测试的装置的示意图。
图中附图标记说明:
1为吸盘,2为待测晶圆,
3为探卡,4为线圈。
具体实施方式
如图1所示,本实用新型在晶圆级对霍尔器件进行测试的装置,包括吸盘1,吸盘1的上方设置有探卡3,探卡3与吸盘1之间设有间隙;探卡3上设置有线圈4,线圈4的中间固定设置有磁芯;探卡3通过电缆线连接测试仪通道;
根据量产测试的需要,探卡3可以为单DUT测试、2DUT乃至256DUT同测及256DUT以上同测;
线圈4所产生磁场强度的面积大于探卡3一次扎针测试(touch down)所包含DUT的面积总和。
本实用新型通过在探卡3上加载能够产生磁场的线圈4,通过测试仪控制通过线圈4的电流大小及方向,实现对线圈4产生磁场的大小、磁场方向的控制。
使用时,将待测晶圆2放置于吸盘1上,此时线圈4产生的磁力线方向垂直通过被测DUT。对霍尔器件进行测试,在一枚有十万DUT的晶圆上实现32DUT同测,其测试时间约为3小时。

Claims (3)

1.一种在晶圆级对霍尔器件进行测试的装置,其特征在于:包括吸盘,吸盘的上方设置有探卡,探卡与吸盘之间设有间隙;探卡上设置有线圈,线圈的中间固定设置有磁芯;探卡通过电缆线连接测试仪;通过测试仪控制通过线圈的电流大小及方向,实现对线圈产生磁场的大小、磁场方向的控制。
2.根据权利要求1所述的在晶圆级对霍尔器件进行测试的装置,其特征在于:所述探卡为单被测装置、双被测装置、256被测装置或者256被测装置以上同测。
3.根据权利要求2所述的在晶圆级对霍尔器件进行测试的装置,其特征在于:所述线圈产生磁场强度的面积大于探卡所包含被测装置的面积总和。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107102248A (zh) * 2017-05-09 2017-08-29 普冉半导体(上海)有限公司 一种晶圆加磁测试装置及其测试方法
CN111289928A (zh) * 2020-03-10 2020-06-16 无锡力芯微电子股份有限公司 霍尔器件测试系统和测试方法

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Address before: 201206, Shanghai, Pudong New Area, Sichuan Road, No. 1188 Bridge

Patentee before: Shanghai Huahong NEC Electronics Co., Ltd.

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