CN202352667U - 高压硅堆 - Google Patents

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陈绍义
晁学贤
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Abstract

本实用新型公开了一种高压硅堆，包括由数个硅堆单元串联而成的硅堆串连电路，所述硅堆串联电路两端各串联一限流电阻单元形成硅堆链，所述硅堆链串联并固定在轴组件上。本实用新型在硅堆单元串联而成的硅堆串连电路两端串联限流电阻单元，能控制通过硅堆单元的电流和电压，有效保护硅堆不被轻易击穿损坏，使用寿命长，效果好，本实用新型由硅堆链串联并固定在轴组件上而成，实现了模块化设计，方便根据人们的需要进行组合的高压硅堆，本实用新型结构简单，适用面广。

Description

高压硅堆
技术领域
本实用新型涉及一种半导体元器件，尤其涉及一种高压硅堆。
背景技术
高压硅堆由多只高压整流二极管串联组成，是高压整流中将交流变成直流必不可少的元件。而长期以来，硅堆内部的均压问题一直备受关注，现有的高压硅堆仅为多个硅堆单元串联，不能限制通过硅堆单元的电流，容易出现瞬时电流过高或单个元件电压分布不均而导致硅堆单元发生一系列的击穿、炸裂、损坏等问题，另外，现有的高压硅堆都是集成好的产品，不方便人们根据需要组合。
实用新型内容
本实用新型的目的就在于提供一种解决上述问题，能有效保护硅堆不被轻易击穿损坏，使用寿命长，效果好，且方便根据人们的需要进行组合的高压硅堆。
为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种高压硅堆，包括由数个硅堆单元串联而成的硅堆串连电路，所述硅堆串联电路两端各串联一限流电阻单元形成硅堆链，所述硅堆链串联并固定在轴组件上。
作为优选：所述硅堆链串联并固定在轴组件上具体为，所述轴组件为一中心轴，所述硅堆链首尾串联后，固定在中心轴上。
作为优选：所述硅堆链串联并固定在轴组件上具体为，硅堆链固定在PCB板上，轴组件为两根并排设置的连接轴，多个PCB板依次穿插在两连接轴上，使同一硅堆链的正极和负极分别与两连接轴接触，且相邻硅堆链的正极和负极交错分布，相邻的硅堆链通过一连接轴上的导电段串联，另一连接轴对应位置设有绝缘段。
作为优选：所述限流电阻单元由数个电阻串联或并联而成。
作为优选：所述硅堆单元为相互并联的均压电容C、均压电阻R和二极管D。
与现有技术相比，本实用新型的优点在于：在硅堆单元串联而成的硅堆串连电路两端串联限流电阻单元，能控制通过硅堆单元的电流和电压，有效保护硅堆不被轻易击穿损坏，使用寿命长，效果好，本实用新型由硅堆链串联并固定在轴组件上而成，实现了模块化设计，易于拆卸安装，方便根据人们的需要进行拆卸拼装的高压硅堆，本实用新型结构简单，适用面广。
附图说明
图1为本实用新型中硅堆链的结构示意图；
图2为本实用新型中硅堆链固定在PCB板上的结构示意图；
图3为硅堆单元的电路图；
图4为本实用新型实施例1的结构示意图；
图5为本实用新型实施例2的结构示意图。
图中：1、限流电阻单元；2、硅堆串连电路；3、PCB板；4、连接轴；5、导电段；6、绝缘段；7、中心轴。
具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型作进一步说明。
实施例1：参见图1、图2、图3、图4，一种高压硅堆，包括由数个硅堆单元串联而成的硅堆串连电路2，所述硅堆单元为相互并联的均压电容C、均压电阻R和二极管D，所述硅堆串联电路两端各串联一限流电阻单元1形成硅堆链，所述限流电阻单元1由数个电阻串联或并联而成，本实施例中采用的是串联的方式，所述硅堆链串联并固定在轴组件上，其中，所述硅堆链串联并固定在轴组件上具体为，硅堆链固定在PCB板3上，轴组件为两根并排设置的连接轴4，多个PCB板3依次穿插在两连接轴4上，使同一硅堆链的正极和负极分别与两连接轴4接触，且相邻硅堆链的正极和负极交错分布，相邻的硅堆链通过一连接轴4上的导电段5串联，另一连接轴4对应位置设有绝缘段6。
硅堆链固定在PCB板3上，可随意固定，留出正极、负极端口即可，当相邻硅堆链的正极和负极交错分布时，两硅堆链的同侧的正、负极正好位于同一连接轴4上，于是，将位于上方的硅堆链的负极和下方的硅堆链正极间设置导电段5，即可实现串联，而在这里，导电段5充当了导线，导电段5可以是包覆、涂覆在连接轴4外壁的导电单元，也可以是普通导电金属段，导线等，另一连接轴4对应位置，实际对应的是上方硅堆链的正极和下方的硅堆链负极，此时，需避免这两处导通，需要用到绝缘段6。
通过以上手段，就实现了硅堆链的串联，且通过连接轴4固定，这样的好处是，可以实现本实用新型的模块化设计安装，方便人们根据需要组合。
实施例2：参见图5，一种高压硅堆，包括由数个硅堆单元串联而成的硅堆串连电路2，所述硅堆单元为相互并联的均压电容C、均压电阻R和二极管D，所述硅堆串联电路两端各串联一限流电阻单元1形成硅堆链，所述限流电阻单元1由数个电阻串联而成，所述硅堆链串联并固定在轴组件上，其中，所述硅堆链串联并固定在轴组件上具体为，所述轴组件为一中心轴7，所述硅堆链首尾串联后，固定在中心轴7上，这种固定方式，可以是缠绕或其他方式。其余与实施例1相同。
这样制成的高压硅堆，包含多个硅堆链，而每个硅堆链均设有限流电阻单元1，均能实现自我保护，避免被穿损坏，使用寿命长，效果好。 

Claims (5)

1.一种高压硅堆，包括由数个硅堆单元串联而成的硅堆串连电路，其特征在于：所述硅堆串联电路两端各串联一限流电阻单元形成硅堆链，所述硅堆链串联并固定在轴组件上。
2.根据权利要求1所述的高压硅堆，其特征在于：所述硅堆链串联并固定在轴组件上具体为，所述轴组件为一中心轴，所述硅堆链首尾串联后，固定在中心轴上。
3.根据权利要求1所述的高压硅堆，其特征在于：所述硅堆链串联并固定在轴组件上具体为，硅堆链固定在PCB板上，轴组件为两根并排设置的连接轴，多个PCB板依次穿插在两连接轴上，使同一硅堆链的正极和负极分别与两连接轴接触，且相邻硅堆链的正极和负极交错分布，相邻的硅堆链通过一连接轴上的导电段串联，另一连接轴对应位置设有绝缘段。
4.根据权利要求1所述的高压硅堆，其特征在于：所述限流电阻单元由数个电阻串联或并联而成。
5.根据权利要求1所述的高压硅堆，其特征在于：所述硅堆单元为相互并联的均压电容C、均压电阻R和二极管D。
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