CN110429828A - 一种新型高压硅堆的系统结构 - Google Patents
一种新型高压硅堆的系统结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110429828A CN110429828A CN201910581965.7A CN201910581965A CN110429828A CN 110429828 A CN110429828 A CN 110429828A CN 201910581965 A CN201910581965 A CN 201910581965A CN 110429828 A CN110429828 A CN 110429828A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pcb board
- layer
- silicon stack
- output end
- input terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 89
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 89
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 22
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 12
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 11
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 4
- TVEXGJYMHHTVKP-UHFFFAOYSA-N 6-oxabicyclo[3.2.1]oct-3-en-7-one Chemical compound C1C2C(=O)OC1C=CC2 TVEXGJYMHHTVKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 208000004350 Strabismus Diseases 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Rectifiers (AREA)
Abstract
本发明涉及一种新型高压硅堆的系统结构,硅堆左挡板与硅堆右挡板之间安装有八层PCB板,每层PCB板上有若干串联的整流二极管,接地端子与所述第一层PCB板的输出端、第二层PCB板的输出端电连接,第一层PCB板的输入端与第四层PCB板的输出端电连接,第二层PCB板的输入端与第三层PCB板的输出端电连接,第四层PCB板的输入端、第三层PCB板的输入端、第五层PCB板的输出端、第六层PCB板的输出端电连接,第五层PCB板的输入端与第八层PCB板的输出端电连接,第六层PCB板的输入端与第七层PCB板的输出端电连接,第八层PCB板的输入端、第七层PCB板的输入端与高压直流输出端电连接。其整体结构简单、体积小、成本较低,散热效果好,且耐高压、耐电流冲击能力强。
Description
技术领域
本发明涉及高频电源领域,具体涉及一种新型高压硅堆的系统结构。
背景技术
目前市场上的适用于大型高频电源的高压硅堆普遍体积较大、成本较高,而且耐压不高、耐冲击能力不够,还经常有散热性能不好等缺点。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的技术问题,提供一种新型高压硅堆的系统结构,其具有体积小、结构简单、成本较低、耐压耐冲击能力高,散热性好等特点。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:
一种新型高压硅堆的系统结构,包括平行设置的硅堆左挡板与硅堆右挡板,所述硅堆左挡板与所述硅堆右挡板之间安装有分层设置的八层PCB板,每层所述PCB板上集成有若干串联设置的整流二极管,每层所述PCB板上均设有输入端与输出端;第一层PCB板上设有接地端子,所述接地端子通过导电连接件与所述第一层PCB板的输出端、第二层PCB板的输出端电连接,所述第一层PCB板的输入端与第四层PCB板的输出端通过导电连接件电连接,所述第二层PCB板的输入端与第三层PCB板的输出端通过导电连接件电连接,所述第四层PCB板的输入端、所述第三层PCB板的输入端、第五层PCB板的输出端、第六层PCB板的输出端通过导电连接件电连接,所述第五层PCB板的输入端与第八层PCB板的输出端通过导电连接件电连接,所述第六层PCB板的输入端与所述第七层PCB板的输出端通过导电连接件电连接,所述第八层PCB板上设有高压直流输出端,所述高压直流输出端与所述第八层PCB板的输入端、所述第七层PCB板的输入端通过导电连接件电连接。
本高压硅堆通常安装在高频电源内部,采用开放式PCB分层结构,利于每层PCB之间的散热。每一层PCB板上采用多个整流二极管串联,每一层PCB板等效于一个高压的二极管,耐高压,能满足高频电源内桥式整流的需要;通过两个桥式整流电路串联,两个整流电路配合,一是可以使装置总体的功率容量增大,二是能够减少整流装置所产生的谐波和无功功率对电网的干扰,能达到更好的整流效果。且本装置结构简单、体积小、成本较低,散热效果好。
在上述技术方案的基础上,本发明还可以做如下改进。
优选的,本高压硅堆系统还设有两组高压电阻,第一组高压电阻一端连接所述高压直流输出端、其另一端分别连接第二组高压电阻一端、所述第五层PCB板的输出端,所述第二组高压电阻的另一端连接所述第一层PCB板的输出端。每一个桥式整流电路上并联一组高压电阻,使整流电路耐电流冲击,保护本装置在通电瞬间不被浪涌电流冲击损坏、起到保护二极管的作用。
优选的,所述第一组高压电阻由两个参数相同的高压电阻并联组成。所述第一组高压电阻中并联的高压电阻,防止其中一个高压电阻损坏失效时,对所述第五层PCB板~第八层PCB板组成的整流电路的耐浪涌电流冲击保护失效。
优选的,所述第二组高压电阻由两个参数相同的高压电阻并联组成。所述第二组高压电阻中并联的高压电阻,防止其中一个高压电阻损坏失效时,对所述第一层PCB板~第四层PCB板组成的整流电路的耐浪涌电流冲击保护失效。
优选的,所述硅堆左挡板与所述硅堆右挡板上均设有硅堆支板,每层所述PCB板均通过硅堆支板固定安装在所述硅堆左挡板与所述硅堆右挡板上。硅堆支板为每层所述PCB板提供可靠的支撑并对其进行定位,防止所述PCB板移位造成散热不佳或者电气间隙不足的问题。
优选的,每层所述PCB板与所述硅堆支板之间设有PCB隔板,所述PCB板、所述PCB隔板、所述硅堆支板固定连接。PCB隔板对PCB板进行保护,同时增加了每层板间的电气间隙与爬电距离,安全性能更可靠。
优选的,所述PCB板与所述PCB隔板之间设有绝缘粒,所述绝缘粒上设有通孔,所述PCB板、所述绝缘粒、所述PCB隔板固定连接。绝缘粒增加了PCB板与PCB隔板之间的距离,在增大板间电气间隙的同时,更加利于PCB板的散热,利于保护PCB板的使用寿命。
优选的,所述硅堆左挡板、所述硅堆右挡板、所述硅堆支板、所述PCB隔板为绝缘材料。所述硅堆左挡板、所述硅堆右挡板、所述硅堆支板、所述PCB隔板均采用绝缘材料,防止本高压硅堆与高频电源中的其他部分短路,影响本高压硅堆的性能,引发危险情况。
本发明的有益效果是:本高压硅堆通常安装在高频电源内部,采用开放式PCB分层结构,利于每层PCB之间的散热。每一层PCB板上采用多个整流二极管串联,每一层PCB板等效于一个高压的二极管,耐高压,能满足高频电源内桥式整流的需要;通过两个桥式整流电路串联,两个整流电路配合,一是可以使装置总体的功率容量大,二是能够减少整流装置所产生的谐波和无功功率对电网的干扰,能达到更好的整流效果;每一个桥式整流电路上并联一组高压电阻,使整流电路耐电流冲击,保护本装置在通电瞬间不被浪涌电流冲击损坏、起到保护二极管的作用;每一个整流电路设置一对并联的高压电阻,防止其中一个高压电阻损坏失效时,对本装置的耐冲击保护失效;其整体结构简单、体积小、成本较低,散热效果好。
附图说明
图1为本发明斜视角结构示意图;
图2为本发明正面结构示意图;
图3为本发明背面结构示意图;
图4为本发明右侧面结构示意图;
图5为本发明俯视结构示意图;
图6为本发明等效电路原理图。
附图中,各标号所代表的部件列表如下:
1、硅堆支板,2、硅堆左挡板,3、硅堆右挡板,4、PCB隔板,5、PCB板,501、第一层PCB板,502、第二层PCB板,503、第三层PCB板,504、第四层PCB板,505、第五层PCB板,506、第六层PCB板,507、第七层PCB板,508、第八层PCB板,6、导电连接件,601、第一连接片,602、第二连接片,603、第三连接片,604、第四连接片,605、第五连接片,7、高压电阻,8、接线端子,801、接地端子,802、高压直流输出端,9、螺钉,10、绝缘粒;
D、整流二极管,D1~D8、高耐压整流二极管,R1~R4、高压电阻,T、供电变压器,HV、高压直流输出端。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
如图1~5所示,一种新型高压硅堆的系统结构,包括平行设置的硅堆左挡板2与硅堆右挡板3,所述硅堆左挡板2与所述硅堆右挡板3之间安装有分层设置的八层PCB板5,每层所述PCB板5上集成有若干串联设置的整流二极管D,每层所述PCB板5等效于将多个低耐压的整流二极管D通过串联,等效成一个能满足高频高压电源性能要求的高耐压的整流二极管。每层所述PCB板5上均设有输入端与输出端,即等效于高耐压整流二极管的正极与负极。第一层PCB板501、第二层PCB板502、第五层PCB板505、第六层PCB板506的极性同向设置,第三层PCB板503、第四层PCB板504、第七层PCB板507、第八层PCB板508的极性同向设置,且第一层PCB板501与第三层PCB板503的极性反向设置。本实施例中主要通过多个导电连接件6进行各带电元器件之间的电性连接,导电连接件6主要包括两个第一连接片601、两个第二连接片602、一个第三连接片603、一个第四连接片604、一个第五连接片605,导电连接件6通过多个螺钉9分别固定安装在各PCB板5上。导电连接件6上设置有接线端子8。第一层PCB板501上安装有第五连接片605,第五连接片605上安装有接地端子801,所述接地端子801通过第五连接片605与所述第一层PCB板501的输出端、第二层PCB板502的输出端电连接,所述第一层PCB板501的输入端与第四层PCB板504的输出端通过第一个第二连接片602电连接,所述第二层PCB板502的输入端与第三层PCB板503的输出端通过第一个第一连接片601电连接,所述第四层PCB板504的输入端、所述第三层PCB板503的输入端、第五层PCB板505的输出端、第六层PCB板506的输出端通过第三连接片603电连接,所述第五层PCB板505的输入端与第八层PCB板508的输出端通过第二个第二连接片602电连接,所述第六层PCB板506的输入端与所述第七层PCB板507的输出端通过第二个第一连接片601电连接,所述第八层PCB板508上设有高压直流输出端802,所述高压直流输出端802与所述第八层PCB板508的输入端、所述第七层PCB板507的输入端通过第四连接片604电连接。第一个第一连接片501与第一个第二连接片502分别与高频电源中供电变压器T的第一段二次绕组两端分别连接;第二个第一连接片501与第二个第二连接片502分别与高频电源中供电变压器T的第二段二次绕组两端分别连接。
本高压硅堆通常安装在高频电源内部,采用开放式PCB分层结构,利于每层PCB之间的散热,散热性能好;每一层PCB板上采用多个整流二极管D串联,每一层PCB板等效于一个高压的二极管,耐高压,能满足高频电源内桥式整流的需要;通过两个桥式整流电路串联,两个整流电路配合,一是可以使装置总体的功率容量大,二是能够减少整流装置所产生的谐波和无功功率对电网的干扰,能达到更好的整流效果;且本装置结构简单、体积小、成本较低,散热效果好。
在上述技术方案的基础上,本发明还可以做如下改进。
本实施例中,本高压硅堆系统还设有两组高压电阻7,第一组高压电阻7一端连接所述高压直流输出端802、其另一端分别连接第二组高压电阻7一端、所述第五层PCB板505的输出端,所述第二组高压电阻7的另一端连接所述第一层PCB板501的输出端。每一个桥式整流电路上并联一组高压电阻7,使整流电路耐电流冲击,保护本装置在通电瞬间不被浪涌电流冲击损坏、起到保护整流二极管的作用。
本实施例中,所述第一组高压电阻由两个参数相同的高压电阻7并联组成,参考图6所示,高压电阻R3与高压电阻R4并联,当系统中高压电阻R3与高压电阻R4中任何一个遭受到损坏时,均还有另一个备用的电阻,在很短时间内进行电源切换。所述第一组高压电阻中并联的高压电阻7,防止其中任意一个高压电阻7损坏失效时,对所述第五层PCB板505~第八层PCB板508组成的整流电路的耐浪涌电流冲击保护失效。
本实施例中,所述第二组高压电阻由两个参数相同的高压电阻并联组成。所述第二组高压电阻中并联的两个高压电阻7,防止其中任何一个高压电阻7损坏失效时,对所述第一层PCB板501~第四层PCB板504组成的整流电路的耐浪涌电流冲击保护失效。高压电阻R1与高压电阻R2并联形成第二组高压电阻,防止其中一个高压电阻7损坏失效时,对所述第一层PCB板501~第四层PCB板504组成的整流电路的耐浪涌电流冲击保护失效。
本实施例中,所述硅堆左挡板2与所述硅堆右挡板3上均设有硅堆支板1,硅堆支板1通过多个螺钉9分别与所述硅堆左挡板2、所述硅堆右挡板3固定连接。每层所述PCB板5均通过硅堆支板1固定安装在所述硅堆左挡板2与所述硅堆右挡板3上。硅堆支板1为每层所述PCB板5提供可靠的支撑并对其进行定位,防止所述PCB板5移位造成散热不佳或者电气间隙不足的问题。
本实施例中,每层所述PCB板5与所述硅堆支板1之间设有PCB隔板4,所述PCB板5、所述PCB隔板4、所述硅堆支板1固定连接。PCB隔板4对PCB板5进行保护,同时增加了每层板间的电气间隙与爬电距离,安全性能更可靠。
本实施例中,所述PCB板5与所述PCB隔板4之间设有绝缘粒10,所述绝缘粒10上设有通孔,所述PCB板5、所述绝缘粒10、所述PCB隔板4通过螺钉9固定连接,所述螺钉9分别穿过所述PCB板5、所述绝缘粒10、所述PCB隔板4的孔并进行固定连接。绝缘粒10增加了PCB板5与PCB隔板4之间的距离,在增大板间电气间隙的同时,更加利于PCB板5的散热,利于保护PCB板5的使用寿命。
本实施例中,所述硅堆左挡板2、所述硅堆右挡板3、所述硅堆支板1、所述PCB隔板4为绝缘材料。所述硅堆左挡板2、所述硅堆右挡板3、所述硅堆支板1、所述PCB隔板4均采用绝缘材料,防止本高压硅堆与高频电源中的其他部分短路,影响本高压硅堆的性能,引发危险情况。
如图6所示为本高压硅堆的整体等效电路图。第一层PCB板501等效于图6中的高耐压整流二极管D1,第二层PCB板502等效于图6中的高耐压整流二极管D2,第三层PCB板503等效于图6中的高耐压整流二极管D3,第四层PCB板504等效于图6中的高耐压整流二极管D4,第五层PCB板505等效于图6中的高耐压整流二极管D5,第六层PCB板506等效于图6中的高耐压整流二极管D6,第七层PCB板507等效于图6中的高耐压整流二极管D7,第八层PCB板508等效于图6中的高耐压整流二极管D8。第一组高压电阻7相当于图6中的高压电阻R3与高压电阻R4并联组成,第二组高压电阻7相当于图6中的高压电阻R1与高压电阻R2并联组成。高耐压整流二极管D5~D8组成第一个桥式整流电路,高压电阻R3与高压电阻R4与第一个桥式整流电路并联;高耐压整流二极管D1~D4组成第二个桥式整流电路,高压电阻R1与高压电阻R2与第二个桥式整流电路并联;第一个桥式整流电路与第二个桥式整流电路串联形成本高压硅堆。第一个桥式整流电路与高频电源中供电变压器T的第一段二次绕组两端连接,第二个桥式整流电路与高频电源中供电变压器T的第二段二次绕组两端连接。接地端子801接地,高压直流输出端802相当于图6中的高压直流输出端HV,向外输出高压直流电源。
本高压硅堆通常安装在高频电源内部,采用开放式PCB分层结构,利于每层PCB板5之间的散热,散热性能好;每一层PCB板5上采用多个整流二极管D串联,每一层PCB板5等效于一个高压的二极管,耐高压,能满足高频电源内桥式整流的需要;通过两个桥式整流电路串联,两个整流电路配合,一是可以使装置总体的功率容量大,二是能够减少整流装置所产生的谐波和无功功率对电网的干扰,能达到更好的整流效果;每一个桥式整流电路上并联一组高压电阻,使整流电路耐电流冲击,保护本装置在通电瞬间不被浪涌电流冲击损坏、起到保护二极管的作用;每一个整流电路设置一对并联的高压电阻,防止其中一个高压电阻损坏失效时,对本装置的耐冲击保护失效;其整体结构简单、体积小、成本较低,散热效果好。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种新型高压硅堆的系统结构,其特征在于,包括平行设置的硅堆左挡板(2)与硅堆右挡板(3),所述硅堆左挡板(2)与所述硅堆右挡板(3)之间安装有分层设置的八层PCB板(5),每层所述PCB板(5)上集成有若干串联设置的整流二极管D,每层所述PCB板(5)上均设有输入端与输出端;第一层PCB板(501)上设有接地端子(801),所述接地端子(801)通过导电连接件(6)与所述第一层PCB板(501)的输出端、第二层PCB板(502)的输出端电连接,所述第一层PCB板(501)的输入端与第四层PCB板(504)的输出端通过导电连接件(6)电连接,所述第二层PCB板(502)的输入端与第三层PCB板(503)的输出端通过导电连接件(6)电连接,所述第四层PCB板(504)的输入端、所述第三层PCB板(503)的输入端、第五层PCB板(505)的输出端、第六层PCB板(506)的输出端通过导电连接件(6)电连接,所述第五层PCB板(505)的输入端与第八层PCB板(508)的输出端通过导电连接件(6)电连接,所述第六层PCB板(506)的输入端与所述第七层PCB板(507)的输出端通过导电连接件(6)电连接,所述第八层PCB板(508)上设有高压直流输出端(802),所述高压直流输出端(802)与所述第八层PCB板(508)的输入端、所述第七层PCB板(507)的输入端通过导电连接件(6)电连接。
2.根据权利要求1所述一种新型高压硅堆的系统结构,其特征在于,还设有两组高压电阻,第一组高压电阻一端连接所述高压直流输出端(802)、其另一端分别连接第二组高压电阻一端、所述第五层PCB板(505)的输出端,所述第二组高压电阻的另一端连接所述第一层PCB板(501)的输出端。
3.根据权利要求2所述一种新型高压硅堆的系统结构,其特征在于,所述第一组高压电阻由两个参数相同的高压电阻(7)并联组成。
4.根据权利要求2所述一种新型高压硅堆的系统结构,其特征在于,所述第二组高压电阻由两个参数相同的高压电阻(7)并联组成。
5.根据权利要求1所述一种新型高压硅堆的系统结构,其特征在于,所述硅堆左挡板(2)与所述硅堆右挡板(3)上均设有硅堆支板(1),每层所述PCB板(5)均通过硅堆支板(1)固定安装在所述硅堆左挡板(2)与所述硅堆右挡板(3)上。
6.根据权利要求5所述一种新型高压硅堆的系统结构,其特征在于,每层所述PCB板(5)与所述硅堆支板(1)之间设有PCB隔板(4),所述PCB板(5)、所述PCB隔板(4)、所述硅堆支板(1)固定连接。
7.根据权利要求6所述一种新型高压硅堆的系统结构,其特征在于,所述PCB板(5)与所述PCB隔板(4)之间设有绝缘粒(10),所述PCB板(5)、所述绝缘粒(10)、所述PCB隔板(4)固定连接。
8.根据权利要求6所述一种新型高压硅堆的系统结构,其特征在于,所述硅堆左挡板(2)、所述硅堆右挡板(3)、所述硅堆支板(1)、所述PCB隔板(4)为绝缘材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910581965.7A CN110429828A (zh) | 2019-06-30 | 2019-06-30 | 一种新型高压硅堆的系统结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910581965.7A CN110429828A (zh) | 2019-06-30 | 2019-06-30 | 一种新型高压硅堆的系统结构 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110429828A true CN110429828A (zh) | 2019-11-08 |
Family
ID=68408895
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910581965.7A Pending CN110429828A (zh) | 2019-06-30 | 2019-06-30 | 一种新型高压硅堆的系统结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110429828A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112350589A (zh) * | 2020-11-03 | 2021-02-09 | 许继电源有限公司 | 一种高频防反硅堆及高频升压变压器 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101753037A (zh) * | 2009-09-11 | 2010-06-23 | 上海东沪医用设备有限公司 | 一种医用高频高压发生器的高压产生装置 |
CN202352667U (zh) * | 2012-05-07 | 2012-07-25 | 四川省绵竹西南电工设备有限责任公司 | 高压硅堆 |
CN103236685A (zh) * | 2013-05-17 | 2013-08-07 | 安徽一天电气技术有限公司 | 整流型阻容吸收装置 |
CN205609524U (zh) * | 2016-04-13 | 2016-09-28 | 鞍山雷盛电子有限公司 | 一种组合式高压整流装置 |
CN209030111U (zh) * | 2018-11-01 | 2019-06-25 | 鞍山雷盛电子有限公司 | 一种多层散热结构整流硅堆 |
-
2019
- 2019-06-30 CN CN201910581965.7A patent/CN110429828A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101753037A (zh) * | 2009-09-11 | 2010-06-23 | 上海东沪医用设备有限公司 | 一种医用高频高压发生器的高压产生装置 |
CN202352667U (zh) * | 2012-05-07 | 2012-07-25 | 四川省绵竹西南电工设备有限责任公司 | 高压硅堆 |
CN103236685A (zh) * | 2013-05-17 | 2013-08-07 | 安徽一天电气技术有限公司 | 整流型阻容吸收装置 |
CN205609524U (zh) * | 2016-04-13 | 2016-09-28 | 鞍山雷盛电子有限公司 | 一种组合式高压整流装置 |
CN209030111U (zh) * | 2018-11-01 | 2019-06-25 | 鞍山雷盛电子有限公司 | 一种多层散热结构整流硅堆 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112350589A (zh) * | 2020-11-03 | 2021-02-09 | 许继电源有限公司 | 一种高频防反硅堆及高频升压变压器 |
CN112350589B (zh) * | 2020-11-03 | 2022-06-24 | 许继电源有限公司 | 一种高频升压变压器 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111490381B (zh) | 旋转式连接单元、连接通道选择装置和充电设备 | |
CN110429828A (zh) | 一种新型高压硅堆的系统结构 | |
CN109378145A (zh) | 一种氧化锌避雷器及其取电方法 | |
CN201893695U (zh) | 开关电源的消除噪声电路 | |
CN205647277U (zh) | 一种微功率取能变压器装置 | |
CN203799875U (zh) | 一种具有过大电流能力的超级电容器 | |
WO2020108412A1 (zh) | 功率模组以及电力电子设备 | |
CN111766536A (zh) | 一种新能源动力电池大功率高稳定大电流短路测试负载柜 | |
CN207612066U (zh) | 一种高压无功补偿装置 | |
CN206947181U (zh) | 一种高可靠性充电桩用滤波电容器 | |
CN205336130U (zh) | 电动汽车逆变器igbt模块并联的浪涌抑制结构 | |
CN206179968U (zh) | 一种电池组件 | |
CN206195622U (zh) | 一种高压大功率晶闸管串联组件 | |
CN212571596U (zh) | 一种安装有吸收电容的叠层母排 | |
CN219041408U (zh) | 换流器系统、换流器阀厅、逆变站和整流站 | |
CN211046783U (zh) | 用于变频电源装置的新型母排 | |
CN206076353U (zh) | 一种电池组件 | |
CN209287522U (zh) | 一种静电除尘用硅堆整流装置 | |
CN213369604U (zh) | 一种输电线路专用防鸟装置 | |
CN201364349Y (zh) | 直流电压发生器 | |
CN204597765U (zh) | 一种单管igbt变频器 | |
CN210487847U (zh) | 一种取电电子式互感器 | |
CN209730039U (zh) | 一种锂电池组连接保护板 | |
CN203620787U (zh) | 一种空气净化器静电吸附装置的分布电容隔离器 | |
CN220915165U (zh) | 一种燃料电池用的隔离型dcdc变换电源 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20191108 |