CN202307808U - Pecvd法制备双面异质结太阳能电池的串行式设备 - Google Patents

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郭群超
王凌云
柳琴
张愿成
张滢清
李红波
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Abstract

一种PECVD法制备双面异质结太阳能电池的串行式设备，包括沉积腔室，该沉积腔室包括串行式设置的进片室、预热室、本征层沉积室、p型沉积室、n型沉积室和出片室。在本征层沉积室、p型沉积室和n型沉积室内分别设有上电极和下电极，在本征层沉积室的上电极和下电极上分别连接有进气口，在p型沉积室的上电极上连接有进气口，在n型沉积室的下电极上连接有进气口。采用本实用新型PECVD法制备双面异质结太阳能电池的串行式设备制备双面异质结太阳能电池，既能够省去硅片翻转的工序，节省设备制造成本和生产时间，又能够很好的实现硅片正反两面的沉积。

Description

PECVD法制备双面异质结太阳能电池的串行式设备
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池，特别涉及一种PECVD法制备双面异质结太阳能电池的串行式设备。
背景技术
薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池是一种可以采用低成本实现的高效晶体硅太阳电池。这种太阳电池利用掺杂薄膜硅层在晶硅衬底上制作pn结。这层薄膜硅层通常只有十几个纳米厚，并且可以采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在200℃以下沉积完成。因此，相比于传统的靠扩散制备pn结的太阳电池，薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池所需能量投入少，并具有较高的开路电压，因而引起很大关注。
由于薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池具有正反面对称的结构，该结构的特殊性势必对设备提出更高的要求。要实现HIT电池的双面沉积，目前有两种方法：一种是，基片沉积完一面后，移出真空室翻转，然后再送入真空室继续沉积另外一面；另一种是，翻转机构位于腔内，由于翻转机构所需空间较大，真空室必须有足够预留空间或者单独增加一个真空翻转腔。这两种办法都有其局限性，第一种要破坏真空环境取出基片，延长了电池制备时间，而且制备好的一面容易被氧化或吸附空气中杂质，最终影响电池性能；第二种增加了设备投资，而且如果翻转过程中造成碎片，还需要拆开真空腔进行清理。
实用新型内容
本实用新型的目的，在于解决现有技术存在的上述问题，提供一种PECVD法制备双面异质结太阳能电池的串行式设备。
本实用新型的目的是这样实现的：一种PECVD法制备双面异质结太阳能电池的串行式设备，包括沉积腔室、气路控制系统、电控系统及真空机组，沉积腔室分别与气路控制系统、电控系统及真空机组连接，电控系统与气路控制系统连接；其特征在于：所述的沉积腔室包括串行式设置的进片室、预热室、本征层沉积室、p型沉积室、n型沉积室和出片室，在本征层沉积室、p型沉积室和n型沉积室内分别设有上电极和下电极，在本征层沉积室的上电极和下电极上分别连接有进气口，在p型沉积室的上电极上连接有进气口，在n型沉积室的下电极上连接有进气口；还包括硅片承载架，在进片室、预热室、本征层沉积室、p型沉积室、n型沉积室和出片室内分别设有硅片承载架的传送机构。
所述的本征层沉积室内设有上下移动机构，该上下移动机构与设置在本征层沉积室外的驱动机构连接，上下移动机构在驱动机构的驱动下作上下移动并可带动硅片承载架上下移动。
采用本实用新型PECVD法制备双面异质结太阳能电池的串行式设备，能在同一腔室中完成对硅片的正、反两面的本征层沉积，无需增加额外的腔室对硅片进行翻转，一方面可以有效地避免先沉积单侧硅片后，随之沉积另一侧时对已沉积的一面引入杂质的可能，不利于另一侧的沉积；另一方面，有利于简化光伏器件的生产过程，降低生产成本，也简化了异质结太阳能电池的制造过程。
附图说明
图1为以n型硅片为衬底的双面异质结太阳电池的典型结构示意图。
图2本实用新型的PECVD法制备双面异质结太阳能电池的串行式设备中的沉积腔室的基本结构示意图；
图3是本实用新型中的本征层沉积室的基本结构示意图。
具体实施方式
本实用新型的PECVD法制备双面异质结太阳能电池的串行式设备，包括沉积腔室、气路控制系统、电控系统及真空机组，沉积腔室分别与气路控制系统、电控系统及真空机组连接，电控系统与气路控制系统连接。上述气路控制系统、电控系统及真空机组都为现有技术。
本实用新型中的沉积腔室的基本结构如图2所示，包括串行式设置的进片室1、预热室2、本征层沉积室3、p型沉积室4、n型沉积室5和出片室6。在本征层沉积室3内设有上电极31和下电极32，在p型沉积室4内设有上电极41和下电极42，在n型沉积室5内设有上电极51和下电极52。在本征层沉积室3的上电极31和下电极32上分别连接有进气口33、34，通过转换开关控制进气方向。在p型沉积室4的上电极41上连接有进气口43，在n型沉积室5的下电极52上连接有进气口53。
本实用新型的PECVD法制备双面异质结太阳能电池的串行式设备还包括硅片承载架(未图示出来)，在进片室1、预热室2、本征层沉积室3、p型沉积室4、n型沉积室5和出片室6内分别设有硅片承载架的传送机构(未图示出来)。
配合参见图3，本实用新型中的本征层沉积室3内设有上下移动机构7，该上下移动机构7与设置在本征层沉积室3外的驱动机构8连接，上下移动机构7在驱动机构8的驱动下作上下移动并可带动硅片承载架上下移动。
图1是以n型硅片为衬底的双面异质结太阳电池的典型结构示意图。
采用本实用新型的设备所制备的双面HIT太阳电池，在模拟光源AM1.5，100mW/cm2的标准光强照射下，电池转换效率达到18％以上。
本实用新型中的硅片承载架采用嵌入式的方式放置硅片，硅片由下侧嵌入，承载架上侧有固定支撑，下侧安装有弹性的固定夹，方便硅片的嵌入。

Claims (2)

1.一种PECVD法制备双面异质结太阳能电池的串行式设备，包括沉积腔室、气路控制系统、电控系统及真空机组，沉积腔室分别与气路控制系统、电控系统及真空机组连接，电控系统与气路控制系统连接；其特征在于：所述的沉积腔室包括串行式设置的进片室、预热室、本征层沉积室、p型沉积室、n型沉积室和出片室，在本征层沉积室、p型沉积室和n型沉积室内分别设有上电极和下电极，在本征层沉积室的上电极和下电极上分别连接有进气口，在p型沉积室的上电极上连接有进气口，在n型沉积室的下电极上连接有进气口；还包括硅片承载架，在进片室、预热室、本征层沉积室、p型沉积室、n型沉积室和出片室内分别设有硅片承载架的传送机构。
2.根据权利要求1所述的PECVD法制备双面异质结太阳能电池的串行式设备，其特征在于：所述的本征层沉积室内设有上下移动机构，该上下移动机构与设置在本征层沉积室外的驱动机构连接，上下移动机构在驱动机构的驱动下作上下移动并可带动硅片承载架上下移动。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103094403A (zh) * 2011-10-28 2013-05-08 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 Pecvd法制备双面异质结太阳能电池的串行式设备和工艺
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CN110838530A (zh) * 2018-08-17 2020-02-25 中智(泰兴)电力科技有限公司 用于太阳电池制造的7腔体卧式pecvd-pvd一体化设备
CN112921302A (zh) * 2021-01-22 2021-06-08 无锡松煜科技有限公司 光伏电池双向进气钝化沉积装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103094403A (zh) * 2011-10-28 2013-05-08 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 Pecvd法制备双面异质结太阳能电池的串行式设备和工艺
CN103094403B (zh) * 2011-10-28 2016-06-08 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 Pecvd法制备双面异质结太阳能电池的串行式设备和工艺
CN104164661A (zh) * 2013-05-16 2014-11-26 理想能源设备(上海)有限公司 直列式多腔叠层并行处理真空设备及其使用方法
CN110838530A (zh) * 2018-08-17 2020-02-25 中智(泰兴)电力科技有限公司 用于太阳电池制造的7腔体卧式pecvd-pvd一体化设备
CN110416354A (zh) * 2019-06-28 2019-11-05 徐州谷阳新能源科技有限公司 一种管式镀膜机二合一方法
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