CN202275912U - 一种高性能宽带腔体电桥 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种高性能宽带腔体电桥;该电桥包括电桥腔体,上盖板、主杆、副杆、输入端口、耦合端口、隔离端口和直通端口,改进在于:所述主杆和副杆的中部杆身处均设有阻抗渐变线;所述上盖板内面的左、中和右三处分别设有上补偿凸台,对应的电桥腔体底面的左、中和右三处分别设有下补偿凸台。本实用新型在主杆及副杆的阻抗变换之间加入渐变线形式并在主副杆对应腔体位置加入补偿凸台,减小了阻抗变换器连接处的不连续性,其电性能指标远远高于传统方法设计出的电桥。
Description
技术领域
本实用新型属于移动通信设备技术领域,具体涉及一种高性能腔体带状线电桥。
背景技术
在移动通信系统中,常常需要用到大功率合成器件,而电桥就是一个常用器件。一个良好的电桥不仅要有较小的端口电压驻波比,还必须有较小的插入损耗、较大的输出端的隔离。目前微波通信领域所使用的宽频带电桥有微带线电桥及腔体带状电桥两种,其主副导体的设计是采用两段或多段λ/4波长不同阻抗线进行级联,由于每段阻抗线阻抗有差异导致连接处的阶跃跳变较大,造成阻抗匹配处的不连续性,致使电性能指标恶化。
例如一款800-2500MHz电桥,计算得出两节传输线的特性阻抗分别为52欧姆与75欧姆,采用传统方法两段线连接时连接处的阻抗阶跃调变较大,从52欧姆直接变为75欧姆(见图2),阻抗线阻抗有差异导致连接处的阶跃跳变较大,造成阻抗匹配处的不连续性较大。
实用新型内容
本实用新型针对上述腔体带状线电桥的不足,设计其结构按及尺寸如图1采用两节进行设计,在连接处之间加入一段阻抗渐变线,从52、53……74欧姆渐变过渡为75欧姆,减小了不连续。在阻抗变换处对应的腔体位置加入补偿凸台,补偿凸台可以对连接处的传输线阻抗进行微调,达到最佳匹配。
本实用新型所采用的技术方案为:
一种高性能宽带腔体电桥,包括电桥腔体,上盖板、主杆、副杆、输入端口、耦合端口、隔离端口和直通端口,改进在于:所述主杆和副杆的中部杆身处均设有阻抗渐变线;所述上盖板内面的左、中和右三处分别设有上补偿凸台,对应的电桥腔体底面的左、中和右三处分别设有下补偿凸台。
本实用新型的有益效果是:本实用新型在主杆及副杆的阻抗变换之间加入渐变线形式并在主副杆对应腔体位置加入补偿凸台,减小了阻抗变换器连接处的不连续性,其电性能指标远远高于传统方法设计出的电桥。
附图说明
图1是本实用新型主、副杆结构示意图。
图2是现有技术的主、副杆结构示意图。
图3是本实用新型盖板位置补偿凸台结构示意图。
图4是本实用新型腔体位置补偿凸台结构示意图。
具体实施方式
实施例:
下面结合附图,通过实施例对本实用新型作进一步地说明。
参见图1、图3、图4,一种高性能宽带腔体电桥,包括电桥腔体2,上盖板3,主、副杆1,输入端口5,耦合端口4,隔离端口7和直通端口6;改进在于:所述主杆和副杆的中部杆身处均设有阻抗渐变线10;所述上盖板内面的左、中和右三处分别设有上补偿凸台8,对应的电桥腔体底面的左、中和右三处分别设有下补偿凸台9。
其设计原理是: 主、副杆的杆身采用两节进行设计,在连接处之间加入一段阻抗渐变线,阻抗变换为渐变过渡,减小了不连续性。在阻抗变换处对应的腔体位置加入上、下补偿凸台,上、下补偿凸台位置改变了腔体深度,根据带状线原理腔体深度的改变传输线阻抗也会改变,所以补偿凸台可以对连接处的传输线阻抗进行微调,达到最佳匹配。
Claims (1)
1. 一种高性能宽带腔体电桥,包括电桥腔体,上盖板、主杆、副杆、输入端口、耦合端口、隔离端口和直通端口,其特征在于:所述主杆和副杆的中部杆身处均设有阻抗渐变线;所述上盖板内面的左、中和右三处分别设有上补偿凸台,对应的电桥腔体底面的左、中和右三处分别设有下补偿凸台。
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2011
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