CN203218430U - 腔体耦合器 - Google Patents

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吴玉芬
杜乐德
张伟超
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Abstract

本实用新型公开一种腔体耦合器,包括内导体、腔体和绝缘介质,内导体包括主导体和副导体,主导体与副导体平行设置,绝缘介质为圆柱形,绝缘介质位于主导体和副导体的上方和下方,主导体与副导体通过绝缘介质卡在腔体中,主导体的两端分别连接有第一连接器和第二连接器,副导体的两端分别连接有第三连接器和功率电阻,第一连接器、第二连接器和第三连接器固定在腔体上。本实用新型腔体耦合器产品性能稳定、低成本、三阶低互调性能好。

Description

腔体耦合器
技术领域
本实用新型涉及移动通信设备技术领域,更具体涉及一种通信信号传输的腔体耦合器。
背景技术
在现代3G无线通信系统中,无源器件以其环保无污染、低功耗和可靠性高而被广泛使用。腔体耦合器是无源器件中十分常用的器件。腔体耦合器的主要特点是耦合耗损可根据实际需要而设计,具有工作频带宽、带内插损小、隔离度高、驻波比小、外形美观等优点。
目前国内市场上现有的腔体耦合器产品整体重量较重、成本较高,频率范围比较窄。由于结构上的问题,很难保证产品的稳定性,对性能指标及三阶互调都有所影响,相应的也增加了成本。
实用新型内容
本实用新型公开一种产品性能稳定、低成本、低互调的腔体耦合器。
根据本实用新型的一个方面,提供一种腔体耦合器,包括内导体、腔体和绝缘介质,内导体包括主导体和副导体,主导体与副导体平行设置,绝缘介质为圆柱形,绝缘介质位于所述主导体和副导体的上方和下方,主导体与副导体通过绝缘介质卡在腔体中。现有技术的绝缘体是长方体状,长方体状的绝缘体在热膨胀时的公差不易控制,本实用新型采用圆柱形的绝缘介质,保证绝缘介质的公差尽量小,实现产品性能的稳定,减少影响产品性能的不良因素,保证产品在高低温环境下性能稳定。
在一些实施方式中,主导体的两端分别连接有第一连接器和第二连接器,副导体的两端分别连接有第三连接器和功率电阻,第一连接器、第二连接器和第三连接器固定在腔体的侧壁上。现有技术的连接器的下面两个螺丝钉固定在腔体,上面两个螺丝钉固定在盖板上,本实用新型的连接器的四个螺丝钉固定在腔体上,避免后面封盖板时二次固定连接器,起到证产品端口接触良好,提高产品三阶互调参数的作用,保证产品性能参数的稳定。
在一些实施方式中,腔体上设有盖板。
在一些实施方式中,主导体包括第一阻抗线和第二阻抗线,第一阻抗线和第二阻抗线一体成型,副导体包括第三阻抗线和第四阻抗线,第三阻抗线和第四阻抗线一体成型,第一阻抗线与第三阻抗线之间的宽度小于第二阻抗线与第四阻抗线之间的宽度。这种设计可以通过改变主导体和副导体两阶阻抗线的宽度及主导体和副导体之间的间距,在不增加阻抗线节数的基础上增加腔体耦合器的工作频率范围。
在一些实施方式中,腔体为长方体状,腔体侧壁没有与连接器连接处的壁厚为L1,腔体侧壁与连接器连接处的壁厚为L2,L1<L2。将腔体四壁上与连接器没有连接的地方挖薄,减少了重量,节约了成本,加大了腔体的Q值,降低产品损耗,增加产品功率容量,从而提高产品互调性能。
在一些实施方式中,绝缘介质的材质为聚四氟乙烯。聚四氟乙烯耐高温、耐腐蚀、不易老化。
在一些实施方式中,主导体与副导体的材质为铝合金。现有技术的主导体与副导体采用的材质是铜,成本较高,主导体和副导体的材质采用铝合金在不降低产品性能的同时,降低了成本。
在一些实施方式中,主导体与副导体上设有圆孔,绝缘介质分为上绝缘介质和下绝缘介质,上绝缘介质位于内导体的上端,下绝缘介质位于导体的下端,上绝缘介质为圆环柱状,下绝缘介质包括第一圆柱体和第二圆柱体,第一圆柱体的外径小于第二圆柱体的外径,第一圆柱体的外径与主导体和副导体上的圆孔相吻合,第一圆柱体通过主导体和副导体的圆孔卡在上绝缘介质的圆孔中。圆柱状的绝缘介质将主导体与副导体固定在腔体内。
附图说明
图1是本实用新型一实施方式的腔体耦合器的结构示意图;
图2是本实用新型一实施方式的腔体耦合器的盖板的俯视图;
图3是本实用新型一实施方式的腔体耦合器的盖板的侧视图;
图4是本实用新型一实施方式的腔体耦合器的内导体的示意图;
图5是本实用新型一实施方式的腔体耦合器的上绝缘介质的示意图;
图6是本实用新型一实施方式的腔体耦合器的下绝缘介质的示意图。
具体实施方式
如图1-4所示,本实用新型提一种腔体耦合器,包括内导体、腔体8和绝缘介质7。腔体8为长方体空腔,腔体8的上端面设有盖板9,长方体状的腔体8的上端面的四条边上设有螺孔,盖板9上设有与腔体8位置相对应的螺孔91,通过螺丝将腔体8和盖板9固定连接。
内导体包括主导体1和副导体2,主导体1与副导体2平行设置,主导体1包括第一阻抗线11和第二阻抗线12,第一阻抗线11和第二阻抗线12一体成型,第一阻抗线11和第二阻抗线12为长方形状,第一阻抗线11与腔体8连接的一端设有第一接触角111,第一接触角111与第一阻抗线11一体成型,第二阻抗线12与腔体8连接的一端设有第二接触角121,第二接触角121与第二阻抗线12一体成型。副导体2包括第三阻抗线21和第四阻抗线22,第三阻抗线21和第四阻抗线22一体成型,第三阻抗线21与腔体8连接的一端设有第三接触角211,第三接触角211与第三阻抗线21一体成型,第四阻抗线22与腔体8连接的一端设有第四接触角221,第四接触角221与第四阻抗线22一体成型。第一接触角111与第二接触角121分别位于腔体8相对应的两个端面,第三接触角211与第四接触角221位于腔体8的同一个侧面。第一阻抗线11的宽度大于第二阻抗线12的宽度,第三阻抗线21的宽度大于第四阻抗线22的宽度,第一阻抗线11与第三阻抗线21抗之间的宽度小于第二阻抗线12与第四阻抗线22之间的宽度。这种设计可以通过改变主导体1和副导体2两阶阻抗线的宽度及主导体1和副导体2之间的间距,在不增加阻抗线节数的基础上增加腔体耦合器的工作频率范围。
主导体1的两端分别连接螺接有第一连接器3和第二连接器4。副导体2的两端分别连接螺接有第三连接器5和功率电阻6。第一连接器3、第二连接器4和第三连接器5与腔体8接触的一端设有四方形的固定板,固定板的四个角设有螺孔,固定板通过螺丝固定在腔体8上,从而将连接器固定在腔体8上。腔体8为长方体状,腔体8四壁没有与连接器连接处的壁厚为L1,腔体8四壁与连接器连接处的壁厚为L2,L1﹤L2。在实际使用时,将腔体8四壁上与连接器没有连接的地方挖薄,减少了重量,节约了成本,加大了腔体的Q值,降低产品损耗,增加产品功率容量,从而提高产品互调性能。现有技术的固定连接器时,固定连接器的方形固定板下面两个螺丝钉固定在腔体8上,方向固定板上面两个螺丝钉固定在盖板9上,封盖板9时需要二次固定连接器,本实用新型的连接器上的固定板的四个螺丝钉固定在腔体8上,保证腔体耦合器的端口接触良好,保证腔体耦合器性能参数的稳定,提高腔体耦合器三阶互调性能。
如图5-6所示,上绝缘介质71位于内导体的上端,下绝缘介质72位于内导体的下端。上绝缘介质71为圆环柱状,下绝缘介质72包括第一圆柱体721和第二圆柱体722,第一圆柱体721的外径小于第二圆柱体722的外径,主导体1与副导体2上设有圆孔,第一圆柱体721的外径与主导体1与副导体2上的圆孔相吻合,第一圆柱体721通过内导体的圆孔卡在上绝缘介质71的圆孔中。上绝缘介质71与盖板9接触,下绝缘介质72与腔体8的底部接触,从而将主导体1与副导体2固定在腔体8内。现有技术的绝缘介质7是长方体状,成本较大。本实用新型采用圆柱形的绝缘介质7,除了降低成本外,圆柱状的绝缘介质7在热膨胀时差别较小,实现腔体耦合器性能的稳定,保证腔体耦合器在高低温环境下性能稳定。
绝缘介质7的材质为聚四氟乙烯。聚四氟乙烯耐高温、耐腐蚀、不易老化。主导体1与副导体2的材质为铝合金。现有技术的主导体1与副导体2采用的材质是铜,成本较高,主导体1和副导体2的材质采用铝合金可以在不降低腔体耦合器性能的同时,降低了成本。

Claims (8)

1.腔体耦合器,其特征在于,包括内导体、腔体(8)和绝缘介质(7),所述内导体包括主导体(1)和副导体(2),所述主导体(1)与所述副导体(2)平行设置,所述绝缘介质(7)为圆柱体形,所述绝缘介质(7)位于所述主导体(1)和副导体(2)的上方和下方,所述主导体(1)与所述副导体(2)通过绝缘介质(7)卡在所述腔体(8)中。
2.根据权利要求1所述的腔体耦合器,其特征在于,所述主导体(1)的两端分别连接有第一连接器(3)和第二连接器(4),所述副导体(2)的两端分别连接有第三连接器(5)和功率电阻(6),所述第一连接器(3)、第二连接器(4)和第三连接器(5)固定在腔体(8)的外侧壁上。
3.根据权利要求2所述的腔体耦合器,其特征在于,所述腔体(8)上设有盖板(9)。
4.根据权利要求3所述的腔体耦合器,其特征在于,所述主导体(1)包括第一阻抗线(11)和第二阻抗线(12),第一阻抗线(11)和第二阻抗线(12)一体成型,所述副导体(2)包括第三阻抗线(21)和第四阻抗线(22),第三阻抗线(21)和第四阻抗线(22)一体成型,所述第一阻抗线(11)与所述第三阻抗线(21)之间的宽度小于所述第二阻抗线(12)与所述第四阻抗线(22)之间的宽度。
5.根据权利要求4所述的腔体耦合器,其特征在于,所述腔体(8)的侧壁没有与连接器连接处的壁厚为L1,所述腔体(8)的侧壁与连接器连接处的壁厚为L2,L1<L2。
6.根据权利要求5所述的腔体耦合器,其特征在于,所述绝缘介质(7)的材质为聚四氟乙烯。
7.根据权利要去6所述的腔体耦合器,其特征在于,所述主导体(1)与所述副导体(2)的材质为铝合金。
8.根据权利要求7所述的腔体耦合器,其特征在于,所述主导体(1)与所述副导体(2)上设有圆孔,所述绝缘介质(7)分为上绝缘介质(71)和下绝缘介质(72),所述上绝缘介质(71)位于所述内导体的上端,所述下绝缘介质(72)位于所述导体的下端,所述上绝缘介质(71)为圆环柱状,所述下绝缘介质(72)包括第一圆柱体(721)和第二圆柱体(722),所述第一圆柱体(721)的外径小于第二圆柱体(722)的外径,所述第一圆柱体(721)的外径与所述主导体(1)和所述副导体(2)上的圆孔相吻合,所述第一圆柱体(721)穿过所述主导体(1)和所述副导体(2)的圆孔卡在所述上绝缘介质(7)的圆孔中。
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