CN202256975U - 薄膜晶体管阵列基板 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种薄膜晶体管阵列基板，其包括形成在基板上的多条扫描线、数据线及公共电极线，所述多条扫描线及数据线相互定义出多个像素区域且其交错处形成有薄膜晶体管，并在所述多个像素区域内形成有多个像素电极。所述薄膜晶体管阵列基板还包括一图案化遮蔽层，所述图案化遮蔽层绝缘地设置在所述多条数据线之下。本实用新型的图案化遮蔽层可直接遮住背光，而可减少在CF基板上的黑色矩阵面积，而提高开口率。
Description
技术领域
本实用新型是有关于一种基板，且特别是有关于一种用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列基板。
背景技术
由于液晶本身不发光，使得液晶显示器需使用背光模组作为光源，所述光源穿透液晶显示器之各层，例如薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)阵列基板、偏光片、彩色滤光片(color filter，CF)等等材质，真正显示的亮度大约只有原发光光源之百分之十左右。也因为显示亮度的不足，若提高背光模组亮度时，虽可让面板亮度增加，却也升高了背光模组之功率消耗。
因此，为了提高液晶屏的表面亮度，需要提高背光光源的利用率。这其中除了提高所用光学部件及其材料的透光率以外，特别要提高像素的开口率(aperture ratio)。开口率定义为透光区域(开口部)与该像素的面积比，其中透光区域可为像素的区域扣掉下述区域所剩部分：数据线区域、TFT区域、闸极区域、储存电容区域、及在CF基板用以遮蔽从像素电极周围漏出光的黑色矩阵(Black Matrix，BM)区域。由上可知，上述区域设计的越小，则开口率越大，越能获得更高的亮度。
除了减少上述区域的面积之外，TFT阵列基板与CF基板对位的精确度也会影响开口率的大小。现有对位方式是通过CF基板上的BM来与TFT阵列基板做对准，然而，由于CF基板与TFT阵列基板之间还隔有一液晶层，因此两者不易对准，而造成开口率的下降。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板，以解决上述的问题。
为达上述的目的，本实用新型的液晶显示装置采取以下技术方案：一种薄膜晶体管阵列基板，其包括形成在基板上的多条扫描线、数据线及公共电极线，所述多条扫描线及数据线相互交错定义出多个像素区域且其交错处形成有薄膜晶体管，并在所述多个像素区域内形成有多个像素电极。所述薄膜晶体管阵列基板还包括一图案化遮蔽层，所述图案化遮蔽层绝缘地设置在所述多条数据线之下。具体来说，所述图案化遮蔽层与所述多条数据线之间设有一绝缘层。所述图案化遮蔽层用于遮档来自基板底部的背光。例如，所述图案化遮蔽层是不透光的，且所述图案化遮蔽层由金属制成。
在一较佳实施例中，所述多条数据线与所述图案化遮蔽层完全重叠，且所述图案化遮蔽层电性连接至所述多条公共电极线。具体来说，所述图案化遮蔽层与所述多条数据线之间设有一绝缘层。优选地，所述图案化遮蔽层由金属制成。
在另一较佳实施例中，所述多条数据线与所述图案化遮蔽层部分重叠，且所述图案化遮蔽层电性连接至所述多条公共电极线。具体来说，所述图案化遮蔽层与所述多条数据线之间设有一绝缘层。优选地，所述图案化遮蔽层由金属制成。
优选地，所述图案化遮蔽层为多个条状结构，并且所述多个条状结构平行于所述多条数据线。
相较于现有技术，本实用新型的图案化遮蔽层可直接遮住背光，而可减少在CF基板上的黑色矩阵面积，而提高开口率。除此之外，由于图案化遮蔽层电性连接至所述公共电极线上，使得所述公共电极线的电阻变大，进而使公共电极线的RC值接近但小于液晶的反应时间。如此便可降低公共电极的负载，且可使图案化遮蔽层周围上的液晶不偏转而成黑色状态，而无需使用BM来遮档背光。
为让本实用新型的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
附图说明
图1为本实用新型较佳实施例的薄膜晶体管阵列基板的示意图。
图2为图1沿AA’连线的截面图。
图3为图1沿AA’连线的另一实施例的截面图。
具体实施方式
请参照图1，图1为本实用新型较佳实施例的薄膜晶体管阵列基板的示意图。所述薄膜晶体管阵列基板包括基板100、多条扫描线120、多条数据线140、公共电极线160及图案化遮蔽层180。为了清楚说明，图1的薄膜晶体管阵列基板仅会示单一画素单元做为代表。所述多条扫描线120及数据线140相互交错定义出多个像素区域200，且其交错处形成有薄膜晶体管150。在所述多个像素区域200内形成有多个像素电极220。其中所述薄膜晶体管150具有本领域技术人员所熟知的栅极、源极及漏极，在此不详细说明。所述栅极、源极及漏极分别连接至所述扫描线120、数据线140及像素电极220。
所述公共电极线160大致上平行所述多条扫描线120，并与所述多条扫描线120交替设置于像素区域200中，且与所述多条数据线140交错而彼此隔开。进一步来说，所述隔开相交是通过设置一绝缘层(图未示)于数据线140及公共电极线160之间方式实施。所述储存电容是为了让像素电极220在没有扫描线120驱薄膜晶体管150时，仍能依据数据信号显示灰阶，所以像素电极220在所述公共电极线160重迭处会形成储存电容，用以储存数据信号。
请叁照图1及图2，图2为图1沿AA’连线的截面图。所述图案化遮蔽层180绝缘地设置在所述多条数据线140之下，并且所述多条数据线140与所述图案化遮蔽层180完全重叠。此外，所述图案化遮蔽层180电性连接至所述多条公共电极线160。同样地，所述图案化遮蔽层180与所述多条数据线140之间设有一绝缘层240。较佳地，所述图案化遮蔽层180与所述公共电极线160是在同一光罩制造过程所形成。更进一步地说，所述图案化遮蔽层180、所述公共电极线160及所述所述多条扫描线120是在同一光罩制造过程所形成。如图1所示，所述图案化遮蔽层180为多条条状结构，且所述多条条状结构平行于所述多条数据线140。
请再叁照图2，图2中进一步绘示出CF基板300、ITO薄膜310、及夹在CF基板300与基板100之间的液晶400。此较佳实施例中，所述图案化遮蔽层180是不透光的，例如由金属制成。因此所述图案化遮蔽层180可用于遮档来自基板100底部的背光10。由图2可知，在CF基板300中的黑色矩阵350就可省去，而增加了开口率。值得一提的是，所述图案化遮蔽层180与其所对应的所述数据线140之间的距离小于所述公共电极线160与其对应的所述像素电极220之间的距离。
根据电容公式C＝(εA)/d可知，其中ε为介电常数，A为电极的面积，d为电极间的距离，所述图案化遮蔽层180与其所对应的所述数据线140之间的电容值大于相同面积的公共电极线160与其所对应的像素电极220之间的电容直。因此，利用图案化遮蔽层180的设置，在透光区域的公共电极线160的面积可减少，而增加了开口率。此外，由于图案化遮蔽层180电性连接于公共电极线160，因此图案化遮蔽层180为公共电位Vcom。而CF基板300上的ITO薄膜310亦为公共电位Vcom，由此可知图案化遮蔽层180周围的基板100与CF基板300之间实质上没有电压差，因此液晶400不会转动，该区域为全黑的。除此之外，由于图案化遮蔽层180电性连接至所述公共电极线160上，使得所述公共电极线160的电阻变大，进而使公共电极线160的RC值(时间常数)接近但小于液晶400的反应时间。
请再叁照图3，图3为图1沿AA’连线的另一实施例的截面图。在另一实施例中，所述多条数据线180与所述图案化遮蔽层180部分重叠。具体来说，所述图案化遮蔽层180可设计成背光10入射后仍然不漏光为准，如图3所示。值得一提的是，所述图案化遮蔽层180可预先模拟背光10的入射，而计算出适当的宽度，使得开口率可以最大。
综上所述，本实用新型的图案化遮蔽层180可直接遮住背光，而可减少在CF基板300上的黑色矩阵350面积，而提高开口率。除此之外，由于图案化遮蔽层180电性连接至所述公共电极线160上，使得所述公共电极线160的电阻变大，进而使公共电极线的RC值接近但小于液晶的反应时间。如此便可降低公共电极线160的负载，且可使图案化遮蔽层180周围上的液晶不偏转而成黑色状态，而无需使用黑色矩阵350来遮档背光10，解决了上述问题。
虽然本实用新型已用优选实施例揭露如上，然其并非用以限定本实用新型，本实用新型所属技术领域的技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本实用新型的保护范围当视后附的权利要求书所界定的为准。
Claims (15)
1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括形成在基板上的多条扫描线、数据线及公共电极线，所述多条扫描线及数据线相互交错定义出多个像素区域且其交错处形成有薄膜晶体管，并在所述多个像素区域内形成有多个像素电极，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板还包括一图案化遮蔽层，所述图案化遮蔽层绝缘地设置在所述多条数据线之下。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述图案化遮蔽层用于遮档来自基板底部的背光。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述多条数据线与所述图案化遮蔽层完全重叠。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述图案化遮蔽层电性连接至所述多条公共电极线。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述图案化遮蔽层与所述多条数据线之间设有一绝缘层。
6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述图案化遮蔽层由金属制成。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述多条数据线与所述图案化遮蔽层部分重叠。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述图案化遮蔽层电性连接至所述多条公共电极线。
9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述图案化遮蔽层与所述多条数据线之间设有一绝缘层。
10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述图案化遮蔽层由金属制成。
11.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述图案化遮蔽层为多个条状结构。
12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述多个条状结构平行于所述多条数据线。
13.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述图案化遮蔽层与所述多条数据线之间设有一绝缘层。
14.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述图案化遮蔽层是不透光的。
15.根据权利要求14所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述图案化遮蔽层由金属制成。
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