CN202183379U - 铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯板 - Google Patents

铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯板 Download PDF

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Abstract

铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯板，衬底板上所镀的膜层依次为Mo薄膜导电层，铜铟镓硒膜层，CdS薄膜缓冲层，i-ZnO本征层，AL-ZnO窗口层，在AL-ZnO窗口层上镀有氟化镁防反射层。本实用新型通过氟化镁防反射层的增设，可使光线反射度大大减弱，功能层接受光能增加，整个电池芯片的功率获得提升。

Description

铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯板
技术领域
本实用新型涉及一种薄膜太阳能电池芯板，尤其是一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯板。
背景技术
铜铟镓硒薄膜太阳能电池（简称为CIGS薄膜太阳能电池）由于效率高、无衰退、抗辐射、寿命长、成本低廉等特点，是备受人们关注的一种新型光伏电池产品。现有的CIGS薄膜太阳能电池芯板上的膜层存在多样性，除具有铜铟镓硒吸收层外，所具有的缓冲层、窗口层各不相同。目前CIGS薄膜电池上的膜层都未考虑到防止光线反射，电池在接受光能的时候，总会不可避免的出现反射，流失部分光能，最终使得总体功率下降。
背景技术
在此处键入背景技术描述段落。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯板，该电池芯板在接受光能时可防止光线反射。
为实现上述目的，本发明采用以下方案：铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯板，衬底板上所镀的膜层依次为Mo薄膜导电层，铜铟镓硒膜层，CdS薄膜缓冲层，i-ZnO本征层，Ai-ZnO窗口层，在Ai-ZnO窗口层上镀有氟化镁防反射层。
由上述方案可见，本实用新型通过氟化镁防反射层的增设，可使光线反射度大大减弱，功能层接受光能增加，整个电池芯片的功率获得提升。
本实用新型结构合理，其防反射膜层的增加，更是提高了铜铟镓硒薄膜电池的功率，使得整个电池的价值提升。
发明内容
在此处键入发明内容描述段落。
附图说明
附图为本实用新型一实施例的结构示意图。
具体实施方式
以下结合实施例进一步说明本实用新型。
参见附图
本实用新型提供的铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯板具有衬底板7，衬底板上所镀的膜层依次为Mo薄膜导电层6，铜铟镓硒膜层5，CdS薄膜缓冲层4，i-ZnO本征层3，Ai-ZnO窗口层2，在Ai-ZnO窗口层上镀有氟化镁（MgF2）防反射层1。
衬底板7为玻璃或聚酰亚胺板。所述CdS薄膜缓冲层由CBD化学水浴沉积法分别在醋酸镉溶液体系和硫酸镉溶液体系中沉积。另外，Mo薄膜导电层6的厚度为现有的常规厚度，铜铟镓硒膜层5的厚度为2~3μm，CdS薄膜缓冲层4的厚度为45~55nm，i-ZnO本征层3的厚度为45~55nm，Ai-ZnO窗口层2 的厚度为340~360nm，氟化镁防反射层1的厚度为90~120nm 。以上各个膜层厚度范围都是经过大量实验所得，取中间值基本为较佳值。

Claims (5)

1.铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯板，衬底板上所镀的膜层依次为Mo薄膜导电层，铜铟镓硒膜层，CdS薄膜缓冲层，i-ZnO本征层，Al-ZnO窗口层，其特征在于：在AL-ZnO窗口层上镀有氟化镁防反射层。
2.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯板，其特征在于氟化镁防反射层的厚度为90~120nm。
3.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯板，其特征在于：衬底板为玻璃或聚酰亚胺板。
4.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯板，其特征在于： CdS薄膜缓冲层的厚度为45~55nm。
5.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯板，其特征在于Al-ZnO窗口层厚度为300~320nm。
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