CN202135391U - 水冷式刮束器 - Google Patents

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Inventor
赵跃春
卢盛宽
裴元吉
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Shenzhen grey Radiation Technology Co., Ltd.
Original Assignee
ANHUI GERUI ELECTRONIC TECHNOLOGY CO LTD
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Abstract

本实用新型公开了一种水冷式刮束器，包括有固定安装于刮束器真空管道端部的真空密封法兰，真空密封法兰内嵌装着带有孔洞的刮束环，真空密封法兰内开有径向的冷却水通道，冷却水通道连接有进水管、出水管，刮束环侧壁上开有环形水流通道分别与进水管、出水管相联通。本实用新型的刮束环的侧壁上开设冷却水通道，冷却水通道内通有循环冷却水，保证了真空管道温度不会过高，冷却效率高。

Description

水冷式刮束器
技术领域
本实用新型涉及电子加速管领域，具体属于水冷式刮束器。
背景技术
电子在加速管中被加速的传输过程中，有时会偏离加速管的正中心位置，高能量的电子束流如果跑偏，会轰击在真空室壁上，从而造成输出真空管道积累大量热量，危害设备安全，同时还会影响加速管的寿命。由于刮束环受到电子束流的轰击后，温度过高需要设计冷却结构，对刮束器进行冷却处理。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种水冷式刮束器，刮束环的侧壁上开设冷却水通道，冷却水通道内通有循环冷却水，保证了真空管道温度不会过高，冷却效率高。
本实用新型的技术方案如下：
水冷式刮束器，包括有固定安装于刮束器真空管道端部的真空密封法兰，真空密封法兰内嵌装着带有孔洞的刮束环，真空密封法兰内开有径向的冷却水通道，冷却水通道连接有进水管、出水管，刮束环侧壁上开有环形水流通道分别与进水管、出水管相联通。
所述的进水管、出水管与真空密封法兰采用密封焊接连接。
本实用新型在刮束环的侧壁上开设冷却水通道，冷却水通道外连接有进水管、出水管，冷却水通道内通有循环冷却水，保证了真空管道温度不会过高，且冷却效率高。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为本实用新型的侧视图。
具体实施方式
参见附图，水冷式刮束器，包括有固定安装于刮束器真空管道1端部的真空密封法兰2，真空密封法兰2内嵌装着带有孔洞4的刮束环3，真空密封法兰2内开有径向的冷却水通道5，冷却水通道5连接有进水管8、出水管6，进水管8、出水管6与真空密封法兰2采用密封焊接连接，刮束环侧壁上开有环形水流通道7分别与进水管8、出水管6相联通。

Claims (2)

1.水冷式刮束器，包括有固定安装于刮束器真空管道端部的真空密封法兰，真空密封法兰内嵌装着带有孔洞的刮束环，其特征在于：真空密封法兰内开有径向的冷却水通道，冷却水通道连接有进水管、出水管，刮束环侧壁上开有环形水流通道分别与进水管、出水管相联通。
2.根据权利要求1所述水冷式刮束器，其特征在于：所述的进水管、出水管与真空密封法兰采用密封焊接连接。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104582232A (zh) * 2014-12-31 2015-04-29 江苏安德信超导加速器科技有限公司 一种矩形粒子刮束器
CN115835469A (zh) * 2022-11-16 2023-03-21 中国科学院近代物理研究所 一种用于强流超导直线加速器和高功率靶的束窗系统

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GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee
CP03 Change of name, title or address

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Address before: 230000, Anhui Hefei hi tech Zone animation and service outsourcing industry development base, A1 building, room 702

Patentee before: Anhui Gerui Electronic Technology Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
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Effective date of registration: 20180323

Address after: 518000 Guangdong, Shenzhen City, Guangdong, Shenzhen City, Guangming New Area Gongming office building village of the common carp River Industrial Zone, No. 33, B section

Patentee after: Shenzhen grey Radiation Technology Co., Ltd.

Address before: 230000 innovation building, room 860, Wangjiang West Road, hi tech Zone, Anhui, Hefei, 522

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CX01 Expiry of patent term
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