CN202120879U - 一种用于硅片清洗干燥的热水加热装置 - Google Patents

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Inventor
贺洁
葛荣保
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Yancheng Trina Solar Technology Co., Ltd.
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Changzhou Trina Solar Energy Co Ltd
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Abstract

本实用新型涉及一种用于硅片清洗干燥的热水加热装置。包括纯水输送管道、硅片清洗机内的水槽和加热管,纯水输送管道与水槽的进水口连接,向水槽内输入纯水,加热管设置在水槽下部。本实用新型的有益效果是:1、使用热纯水代替了切水剂,从根本上消除了企业的安全隐患;2、通过使用热水的方法使硅片变热,从而进入烘箱时,更易干燥;3、通过使用纯净热水,相当于增加了一道清洗,使发生脏片的概率更低。

Description

一种用于硅片清洗干燥的热水加热装置
技术领域
本实用新型涉及一种用于硅片清洗干燥的热水加热装置。
背景技术
目前在硅片清洗中,主要采用离心甩动干燥和切水剂分离干燥。
1:离心甩动干燥:须要专人把潮湿的硅片从清洗槽中取出,且需要一台提供压缩空气的油压机,高压气体从中间吹击四周硅片,保证水能从硅片上顺利飞离。
此方法每台设备需要多一名员工操作,且在实际生产过程中很易将压缩机机中的油经过空气喷射到硅片上,形成脏片。此脏片在目测检测时很难发现,需要至电池端到酸液或者碱液中制绒后,方可显现出来,产生的报废片较多。且离心甩干机在拿放多晶硅片至其中时特别不方便,经常造成不必要的破片。
2:切水剂分离干燥:首先切水剂为碳氢化合物,易燃易爆,使用时安全隐患很大,使用后处理对坏境污染有一定影响,且需要人工每2小时对下部脏水排出,在槽中加入新切水剂(一般每升切水剂8到10人民币,每洗1.5万片大约需要20升);对劳动力有一定占用,生产投入较大。
现在国内外行业内尚无同时解决清洗后硅片干燥所带来的脏片无法检测、劳动力浪费、无隐患生产以及成本较高的积极有效方法的报道。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是:提供一种用于硅片清洗干燥的热水加热装置,消除生产过程中的安全隐患,降低生产成本,降低硅片清洗破片率、脏片率和后续电池加工的报废率。
本实用新型解决其技术问题所采用的方案是:一种用于硅片清洗干燥的热水加热装置,包括纯水输送管道、硅片清洗机内的水槽和加热管,纯水输送管道与水槽的进水口连接,向水槽内输入纯水,加热管设置在水槽下部。
在纯水输送管道上设置储液箱,在储液箱内设置预加热管。
水槽为溢流槽。
本实用新型的有益效果是:1、使用热纯水代替了切水剂,从根本上消除了企业的安全隐患,降低了人员的工作量和在加切水剂时产生的不必要的破片,且使用后的纯水可以直接排出,对环境无任何污染;2、通过使用热水的方法使硅片变热,从而进入烘箱时,更易干燥;3、通过使用纯净热水,相当于增加了一道清洗,使发生脏片的概率更低,且通过使用水为清洗剂清洗,对油污等近乎无任何溶解性,当出现硅片车间经常出现的油污片时,很易发现,降低硅片车间的脏片率,为硅片在电池端的良率进一步提供了保证。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明;
图1是本实用新型的结构示意图;
图中,1、加热管、2.预加热管,3、储液箱,4、水槽。
具体实施方式
如图1所示,一种用于硅片清洗干燥的热水加热装置,包括纯水输送管道、硅片清洗机内的水槽4和加热管1,所述的纯水输送管道与水槽4的进水口连接,向水槽4内输入纯水,加热管1设置在水槽4下部。
水槽4为溢流槽,为保证水槽4中纯水在有一定溢流的情况下保持70℃至80℃,在纯水输送管道上设置储液箱3,在储液箱3内设置预加热管2。
利用本实用新型的硅片清洗过程如下:
(一)、对一多晶棒或单晶棒切片后,送至预清洗进行清洗。预清洗一共四槽:
①:第一槽采用0.1~0.2MPa喷淋水压喷淋,主要为了把清水射进硅片之间,把硅片之间的砂浆进行一个初期的清洗;
②:第2#和3#槽采用清水溢流,并在槽底装有超声震板,主要为了把喷淋下来的还附在硅片表面的砂浆,溢流清洗;
③:第4#槽为脱胶槽,溶液为50%乳酸对50%清水,溶液多少按照槽的大小来定.主要为把硅片与玻璃板粘接的胶软化,从而使硅片和玻璃板分离。
(二)、从预清洗出来后,预清洗操作员工把脱完胶的硅片抱入清洗机的插片槽。清洗操作员工把待清洗硅片,插入片盒中,再按规定装入铁篮中,进入设备中进行清洗。清洗机一共7槽:
①:第1#和2#采用清水溢流,且在槽底装有超声震板。
目的:把片盒中,分开后硅片表面的砂浆进行清洗。
②:第3#和4#为清洗剂,清洗剂成分为YZ-16和NaOH两种,槽下装有超声震板。
目的:把硅片切割时,线痕纹理中的砂浆进行清洗。
③:第5#和6#槽为纯水溢流,槽下装有超声震板。
目的:把硅片表面清洗后,残留在硅片表面的清洗液清洗干净。
(三)、因清洗机采用为水溶液清洗,为了保证从纯水中出来的硅片迅速蒸发烘干,不在硅片表面因长时间堆积,形成水印等脏片,把第6#槽洗净的硅片,浸入到第7#槽的热纯水中,该第7#槽采用本实用新型的设计,在水槽4下部加装两根加热管1,为保证水槽4中纯水在有一定溢流的情况下保持70℃至80℃,在纯水输送管道上设置储液箱3,在储液箱3中加入三到四根预加热管2,使从管道中出来的冷纯水,先经过储液箱3预加热到一定温度。
(四)、为了使硅片从第7#槽中出来时,尽可能多的,快速的把表面的水挥发,在第7#槽后面加装一个提拉电机,使硅片从第7#槽出来时,慢慢上升,保证在硅片露出水面部分,水分蒸发时,下部浸在水中的部分,温度并未降低。
(五)、从第7#槽热纯水中出来后进入烘箱中高温风干为干燥硅片。
(六)、从烘箱出来后经分选、测试等工序便可包装成成品。

Claims (3)

1.一种用于硅片清洗干燥的热水加热装置,其特征是:包括纯水输送管道、硅片清洗机内的水槽(4)和加热管(1),所述的纯水输送管道与水槽(4)的进水口连接,向水槽(4)内输入纯水,加热管(1)设置在水槽(4)下部。
2.根据权利要求1所述的用于硅片清洗干燥的热水加热装置,其特征是:在所述的纯水输送管道上设置储液箱(3),在储液箱(3)内设置预加热管(2)。
3.根据权利要求1或2所述的用于硅片清洗干燥的热水加热装置,其特征是:所述的水槽(4)为溢流槽。
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Assignee: Yancheng Trina Solar Technology Co., Ltd.

Assignor: Changzhou Trina Solar Ltd.

Contract record no.: 2013320000703

Denomination of utility model: Hot water heating device for cleaning and drying silicon wafers

Granted publication date: 20120118

License type: Exclusive License

Record date: 20130926

LICC Enforcement, change and cancellation of record of contracts on the licence for exploitation of a patent or utility model
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: YANCHENG TIANHE LIGHT ENERGY SCIENCE + TECHNOLOGY

Free format text: FORMER OWNER: TIANHE OPTICAL ENERGY CO., LTD., CHANGZHOU

Effective date: 20131211

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 213031 CHANGZHOU, JIANGSU PROVINCE TO: 224007 YANCHENG, JIANGSU PROVINCE

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20131211

Address after: 112 room 18, 224007 Songjiang Road, Yancheng City economic and Technological Development Zone, Jiangsu, China

Patentee after: Yancheng Trina Solar Technology Co., Ltd.

Address before: 213031, No. 2, Tianhe Road, Xinbei Industrial Park, Jiangsu, Changzhou

Patentee before: Changzhou Trina Solar Ltd.

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Granted publication date: 20120118

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