CN202094812U - 一种新型开关整流半桥 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种新型开关整流半桥，用于摩托车专用线路，可组成整流全桥或三相桥，也可与其它电路配合组成整流电路或变压电路；其特征在于：在金氧半场效晶体管MOSFET的源极、栅极、漏极分别引出三个外接接线端，在金氧半场效晶体管MOSFET的源极和漏极之间并联连接有一个寄生二极管D1，在金氧半场效晶体管MOSFET的源极引出的外接接线端上串联连接有一个外接二极管D2。与传统可控硅作开关的整流半桥相比，本实用新型具有结构简单、功耗低、导通电阻低、开关速度快的优点，用途广泛。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种开关整流半桥，尤其涉及一种用于摩托车专用线路的、结构简单、功耗低、开关速度快的新型开关整流半桥，属于开关整流元器件的生产领域。
背景技术
目前，用于摩托车专用线路的整流或变压电路中的核心部件整流桥，其开关应用最多的是可控硅开关，其部件整流半桥为可控硅整流半桥，这种整流半桥存在以下缺点：结构比较复杂、功耗较大、导通电阻较大、开关速度较慢，而且静态及动态的过载能力较差、容易受干扰而误导通。在现代社会对电子产品性能的高要求下，可控硅整流半桥已经越来越难以满足要求。
发明内容
本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种结构简单、功耗低、开关速度快的新型开关整流半桥。
为了实现上述目的，本实用新型采用了以下技术方案：
本实用新型用于摩托车专用线路，可组成整流全桥或三相桥，也可与其它电路配合组成整流电路或变压电路；其创新在于：在金氧半场效晶体管MOSFET的源极、栅极、漏极分别引出三个外接接线端，在金氧半场效晶体管MOSFET的源极和漏极之间并联连接有一个寄生二极管D1，在金氧半场效晶体管MOSFET的源极引出的外接接线端上串联连接有一个外接二极管D2。
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）全称为金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET 具有正温度系数，当结温升高时，通态电阻增大，有自限流作用，热稳定性高，MOSFET可以并联使用，通过其正的温度系数，多管之间可以实现自动均流效果，开关速度快，工作频率高，是目前所有功率器件中工作频率最高的器件之一。MOSFET与二极管结合应用，可以通过改变二极管导电的方向、电压的大小等参数来改变开关的性能，应用非常方便。
具体地，所述寄生二极管D1的电流导通方向为由金氧半场效晶体管MOSFET的漏极到源极；所述外接二极管D2的电流导通方向为由金氧半场效晶体管MOSFET的源极到外接接线端。
在所述金氧半场效晶体管MOSFET的源极和漏极之间还可以并联连接一个外接二极管D3；所述外接二极管D3的电流导通方向为由金氧半场效晶体管MOSFET的漏极到源极。
本实用新型的有益效果在于：
与用于摩托车专用线路的传统可控硅作开关的整流半桥相比，本实用新型具有结构简单、功耗低、导通电阻低、开关速度快的优点，用途广泛。
附图说明
图1是本实用新型的电路结构图之一；
图2是本实用新型的电路结构图之二。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步具体说明：
如图1所示，在金氧半场效晶体管MOSFET的源极、栅极、漏极分别引出三个外接接线端，在金氧半场效晶体管MOSFET的源极和漏极之间并联连接有一个寄生二极管D1，在金氧半场效晶体管MOSFET的源极引出的外接接线端上串联连接有一个外接二极管D2。实际应用中，本实用新型可方便组成整流全桥或三相桥，可与其它电路配合组成整流电路或变压电路。
如图1所示，寄生二极管D1的电流导通方向为由金氧半场效晶体管MOSFET的漏极到源极；外接二极管D2的电流导通方向为由金氧半场效晶体管MOSFET的源极到外接接线端。
如图2所示，在金氧半场效晶体管MOSFET的源极和漏极之间还并联连接有一个外接二极管D3。外接二极管D3的电流导通方向为由金氧半场效晶体管MOSFET的漏极到源极。这种整流半桥可应用到有特殊要求的电路中。
Claims (4)
1.一种新型开关整流半桥，用于摩托车专用线路，可组成整流全桥或三相桥，也可与其它电路配合组成整流电路或变压电路；其特征在于：在金氧半场效晶体管MOSFET的源极、栅极、漏极分别引出三个外接接线端，在金氧半场效晶体管MOSFET的源极和漏极之间并联连接有一个寄生二极管D1，在金氧半场效晶体管MOSFET的源极引出的外接接线端上串联连接有一个外接二极管D2。
2.根据权利要求1所述的新型开关整流半桥，其特征在于：所述寄生二极管D1的电流导通方向为由金氧半场效晶体管MOSFET的漏极到源极；所述外接二极管D2的电流导通方向为由金氧半场效晶体管MOSFET的源极到外接接线端。
3.根据权利要求1或2所述的新型开关整流半桥，其特征在于：在所述金氧半场效晶体管MOSFET的源极和漏极之间还并联连接有一个外接二极管D3。
4.根据权利要求3所述的新型开关整流半桥，其特征在于：所述外接二极管D3的电流导通方向为由金氧半场效晶体管MOSFET的漏极到源极。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN2011202378435U CN202094812U (zh) | 2011-07-07 | 2011-07-07 | 一种新型开关整流半桥 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN2011202378435U CN202094812U (zh) | 2011-07-07 | 2011-07-07 | 一种新型开关整流半桥 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN202094812U true CN202094812U (zh) | 2011-12-28 |
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ID=45369852
Family Applications (1)
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| CN2011202378435U Expired - Lifetime CN202094812U (zh) | 2011-07-07 | 2011-07-07 | 一种新型开关整流半桥 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN202094812U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108923670A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-11-30 | 维沃移动通信有限公司 | 一种同步整流电路及电子设备 |
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2011
- 2011-07-07 CN CN2011202378435U patent/CN202094812U/zh not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN108923670A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-11-30 | 维沃移动通信有限公司 | 一种同步整流电路及电子设备 |
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Legal Events
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| GR01 | Patent grant | ||
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| CP02 | Change in the address of a patent holder |
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Granted publication date: 20111228 |